制造碳化硅單晶的方法和碳化硅單晶襯底的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及制造碳化硅單晶的方法和碳化硅單晶襯底。提高了碳化硅單晶的質(zhì)量。制備具有第一側(cè)和第二側(cè)的坩堝。將用于利用升華方法生長碳化硅的固體源材料布置在第一側(cè)。將由碳化硅制成的籽晶布置在第二側(cè)。將坩堝布置在絕熱容器中。絕熱容器具有面向第二側(cè)的開口。加熱坩堝，使固體源材料升華。通過絕熱容器中的開口測(cè)量第二側(cè)的溫度。開口具有向著絕熱容器的外側(cè)變窄的錐形內(nèi)表面。
【專利說明】制造碳化硅單晶的方法和碳化硅單晶襯底

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及制造碳化硅單晶的方法和碳化硅單晶襯底。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來已經(jīng)積極研究了使用碳化硅（SiC)作為半導(dǎo)體材料。SiC的寬帶隙可以有 助于增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的性能。在制造SiC半導(dǎo)體時(shí)，通常，需要SiC襯底。SiC襯底（晶片） 可以通過切割SiC單晶（錠）來形成。
[0003]日本專利特開No. 2001-294499(專利文獻(xiàn)1)公開了一種碳化硅單晶晶片，其具有 不小于50mm的直徑并且用于生長外延薄膜的襯底。根據(jù)該公布，晶片上任意兩點(diǎn)之間的生 長面取向偏差可以不大于60秒/厘米，從而可以在晶片的整個(gè)表面上外延生長良好質(zhì)量的 薄膜。
[0004] 根據(jù)本發(fā)明人進(jìn)行的研究，像日本專利特開No. 2001-294499中的技術(shù)那樣，簡單 地通過控制碳化硅單晶襯底的生長面的取向偏離，不能充分減輕在制造用這種碳化硅襯底 制造半導(dǎo)體器件時(shí)的變化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于以上問題制造了本發(fā)明，其目的是提供一種制造高質(zhì)量碳化硅單晶的方法和 允許更穩(wěn)定的制造半導(dǎo)體器件的碳化硅單晶襯底。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的制造碳化硅單晶的方法具有以下步驟。制備具有第一側(cè)和與第一側(cè) 相反的第二側(cè)的坩堝。在該坩堝的第一側(cè)，布置用于利用升華方法生長碳化硅的固體源材 料。在該坩堝的第二側(cè)布置由碳化硅制成的籽晶。將坩堝布置在絕熱容器中。絕熱容器具 有面向坩堝的第二側(cè)的開口。加熱坩堝，使得固體源材料升華。通過絕熱容器中的開口，測(cè) 量在加熱的坩堝的第二側(cè)的溫度。絕熱容器中的開口具有向著絕熱容器的外側(cè)變窄的錐形 內(nèi)表面。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的碳化硅單晶襯底是由碳化硅單晶制成的，該碳化硅單晶具有主表 面，所述主表面為包含直徑為IOOmm的圓的形狀。在通過在主表面上投影c軸獲得的方向 上的角分布為在3°以內(nèi)。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以提高碳化硅單晶的質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的碳化硅單晶 襯底，可以以更可靠的方式制造半導(dǎo)體器件。
[0009] 結(jié)合附圖時(shí)，由下面本發(fā)明的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它目的、特征、方面和 優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010] 圖1是示意性示出本發(fā)明第一實(shí)施例中的用于制造碳化硅單晶的方法的制造設(shè) 備的構(gòu)造的截面圖。
[0011] 圖2和3是示意性示出圖1的坩堝和絕熱材料的構(gòu)造的截面圖。
[0012] 圖4是示意性示出本發(fā)明第一實(shí)施例中的制造碳化硅單晶的方法的流程圖。
[0013] 圖5是示意性示出本發(fā)明第一實(shí)施例中的制造碳化硅單晶的方法中的第一步驟 的截面圖。
[0014] 圖6是示意性示出本發(fā)明第一實(shí)施例中的制造碳化硅單晶的方法中的第二步驟 的截面圖。
[0015] 圖7是示意性示出比較例中的制造設(shè)備的構(gòu)造的截面圖。
[0016] 圖8是示意性示出比較例中的制造方法的一個(gè)步驟的截面圖。
[0017] 圖9是示意性示出本發(fā)明第二實(shí)施例中的制造碳化硅單晶的方法中的一個(gè)步驟 的截面圖。
[0018] 圖10是示意性示出本發(fā)明第三實(shí)施例中的用于制造碳化硅單晶的方法的制造設(shè) 備的絕熱材料的構(gòu)造的截面圖。
[0019] 圖11是示意性示出本發(fā)明第四實(shí)施例中的用于制造碳化硅單晶的方法的制造設(shè) 備的絕熱材料的構(gòu)造的截面圖。
[0020] 圖12是示意性示出本發(fā)明第五實(shí)施例中的制造碳化硅單晶襯底的方法中的一個(gè) 步驟的截面圖。
[0021] 圖13是示意性示出本發(fā)明第五實(shí)施例中的碳化硅單晶襯底的構(gòu)造的平面圖。
[0022] 圖14是沿著圖13中的線XIV-XIV的示意性截面圖。
[0023] 圖15是示意性示出圖13的變形的平面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024] 在下文中將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0025] 首先，在下述的（i)至（ix)中，將描述實(shí)施例的概要。
[0026] (i)制造碳化硅單晶19的方法具有以下步驟。制備具有第一側(cè)21和與第一側(cè)21 相反的第二側(cè)22的坩堝20。在坩堝20中的第一側(cè)21上布置用于利用升華方法生長碳化 硅的固體源材料11。在坩堝20中的第二側(cè)22上布置由碳化硅制成的籽晶12。將坩堝20 布置在絕熱容器31至34中。絕熱容器31至34具有面向坩堝20的第二側(cè)22的開口 0P。 加熱坩堝20,使得固體源材料11升華并在籽晶12上再結(jié)晶。通過絕熱容器31至34中的 開口 0P，測(cè)量加熱的坩堝20的第二側(cè)22的溫度。絕熱容器31至34中的開口OP具有向著 絕熱容器31至34的外側(cè)變窄的錐形內(nèi)表面TI。
[0027] 根據(jù)本制造方法，絕熱容器31至34中的開口OP具有向著絕熱容器31至34的外 側(cè)變窄的錐形內(nèi)表面TI。由此，抑制了由于開口OP的內(nèi)表面上的碳化硅再結(jié)晶造成的開 口OP堵塞。因此，可以用可靠的方式通過開口OP測(cè)量坩堝20的溫度。因此，能夠更精確 地進(jìn)行生長碳化硅單晶19的加熱，并且可以提高碳化硅單晶19的質(zhì)量。
[0028] (ii)在上述的（i)中，絕熱容器31至34中的開口OP的錐形內(nèi)表面TI的法線 匪的方向，相對(duì)從坩堝20的第一側(cè)21到坩堝20的第二側(cè)22的方向VT，可以傾斜不小于 120°且不大于170°。由此，更可靠地抑制了開口OP的堵塞。
[0029] (iii)在上述的⑴或（ii)中，絕熱容器31至34中的開口OP的、由錐形內(nèi)表面 TI形成的部分的深度TC可以大于絕熱容器31中開口OP的開口面積的有效直徑DM的1/3。 由此，更可靠地抑制了開口OP的堵塞。
[0030] (iv)在上述的（i)至（iii)中，開口OP的錐形內(nèi)表面TI可以具有表面粗糙度 Ra〈0. 9μm。由此，更可靠地抑制了開口部OP的堵塞。
[0031] (V)在上述的（i)至（iv)中，絕熱容器32可以具有主體部32a和相對(duì)于主體部 32a位于外側(cè)的外側(cè)部32b。絕熱容器31中的開口OP穿過主體部32a和外側(cè)部32b。開口 OP在外側(cè)部32b中具有錐形內(nèi)表面TI。外側(cè)部32b的密度比主體部32a高。由此，碳化硅 不易在錐形內(nèi)表面TI上再結(jié)晶。因此，更可靠地抑制了開口部OP的堵塞。
[0032] (vi)在上述的（V)中，絕熱容器31的外側(cè)部32b可以由玻璃碳和熱解碳中的至少 一種制成。因此，可以很容易降低開口OP的錐形內(nèi)表面TI的表面粗糙度。
[0033] (vii)在上述的（V)或（vi)中，絕熱容器31的主體部32a可以由碳纖維制成。由 此，可以提高絕熱容器31的隔熱。因此，可以更精確地進(jìn)行用于生長碳化硅單晶19的加熱。
[0034] (viii)碳化硅單晶襯底201、202具有主表面MS，主表面MS為包含直徑為IOOmm 的圓的形狀。在通過在主表面MS上投影c軸獲得的方向CP上的角分布在3°以內(nèi)。
[0035] 根據(jù)本碳化硅單晶襯底201、202,能夠以更穩(wěn)定的方式制造半導(dǎo)體器件。
[0036] (ix)在上述的（viii)中，主表面MS相對(duì)于{0001}面可以具有大于Γ的偏離角。 因此，角分布可以很容易地在3°內(nèi)。
[0037] 現(xiàn)在將在下文中描述進(jìn)一步的細(xì)節(jié)，作為第一至第五實(shí)施例。
[0038](第一實(shí)施例）
[0039] 首先將參考圖1描述本實(shí)施例中的用于制造晶錠（碳化硅單晶）的方法的制造設(shè) 備100。如后面將要描述的，制造設(shè)備100是用于利用升華再結(jié)晶方法生長碳化硅晶錠的設(shè) 備。制造設(shè)備100具有坩堝20、絕熱容器31、外部容器60、加熱部40和輻射溫度計(jì)51和 52〇
[0040] 坩堝20具有包括底部21 (第一側(cè)）和側(cè)部23的容器部以及蓋部22 (與第一側(cè)相 反的第二側(cè)）。該容器部具有用于在其中容納用于升華再結(jié)晶方法的固體源材料的空間。 蓋部22可以附著到容器部的側(cè)部23,以封閉該空間。此外，蓋部22保持籽晶，使得其與容 器部中的空間相對(duì)。例如，坩堝20由石墨制成。
[0041] 外部容器60容納坩堝20。外部容器60具有氣體導(dǎo)入口 60a和排氣口 60b，用于 控制其中的氣氛和壓力。
[0042] 輻射溫度計(jì)51和52用于測(cè)量外部容器60內(nèi)的特定部分的溫度。具體地，輻射溫 度計(jì)51被布置為面對(duì)底部21，以便能夠測(cè)量坩堝20的底部21的溫度。輻射溫度計(jì)52被 布置為面對(duì)蓋部22,以便能夠測(cè)量坩堝20的蓋部22的溫度。
[0043] 絕熱容器31容納坩堝20。絕熱容器31具有開口OP和0Q。開口OP面對(duì)坩堝20 的蓋部22,并被布置在蓋部22和輻射溫度計(jì)52之間。開口OP具有向著絕熱容器31的外 側(cè)變窄的錐形內(nèi)表面TI。開口OQ面向坩堝20的底部21，并且被布置在底部21和輻射溫 度計(jì)51之間。絕熱容器31優(yōu)選地由碳纖維制成。
[0044] 進(jìn)一步參照?qǐng)D2,絕熱容器31中的開口OP的錐形內(nèi)表面TI的法線NM的方向相對(duì) 于從坩堝20的底部21到坩堝20的蓋部22的方向VT傾斜角AG。角AG優(yōu)選不小于120° 且不大于170°。方向VT優(yōu)選是與重力方向相反的方向。絕熱容器31中的開口OP的、由 錐形內(nèi)表面TI形成的部分沿著方向VT具有深度TC。
[0045] 進(jìn)一步參照?qǐng)D3,深度TC優(yōu)選大于絕熱容器31中的開口OP的有效直徑DM的1/3。 本文"有效直徑"計(jì)算為2 · (S/Ji)V2,其中S表示在垂直于方向VT的表面上通過開口OP暴露的絕熱容器31的內(nèi)部的面積。在垂直于方向VT的表面上通過開口OP暴露的部分是 圓形的情況下（圖3的情況），這個(gè)圓的直徑對(duì)應(yīng)"有效直徑"。該形狀優(yōu)選是圓形或橢圓 形，更優(yōu)選為圓形。
[0046] 加熱部40 (圖1)用于加熱坩堝20。例如，加熱部40是通過高頻加熱線圈或電阻 加熱器實(shí)現(xiàn)的。在使用高頻加熱線圈的情況下，加熱部40優(yōu)選被布置在絕熱容器31的外 偵牝如圖所示。在使用電阻加熱器的情況下，加熱部40優(yōu)選被布置在絕熱容器31內(nèi)部。
[0047] 加熱部40被構(gòu)造成能夠調(diào)節(jié)坩堝20的底部21的溫度和坩堝20的蓋部22的溫 度中的每一個(gè)。為此，加熱部40可以被配置為能夠在方向VT上移位（圖2)。另外，加熱部 40可以具有功率能夠彼此獨(dú)立地控制的多個(gè)部分。
[0048] 現(xiàn)在將在下文中描述本實(shí)施例中的制造晶錠的方法。
[0049] 制備上述的坩堝20 (圖4:步驟S10)。
[0050] 參照?qǐng)D5,將用于利用升華方法生長碳化硅的固體源材料11容納在坩堝20中。換 言之，將固體源材料11布置在坩堝20中的底部21上（圖4 :步驟S20)。將由碳化硅制成 的籽晶12布置在坩堝20中的蓋部22上（圖4 :步驟S30)。籽晶12是由碳化硅制成的單 晶。籽晶12的碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)選為六方。此外，該晶體結(jié)構(gòu)的多型優(yōu)選是4H或6H。
[0051] 然后將坩堝20布置在絕熱容器31中（圖4 :步驟S40)。
[0052] 參照?qǐng)D6,加熱坩堝20,使得固體源材料11升華并在籽晶12上再結(jié)晶（圖4 :步 驟S50)。具體地，當(dāng)坩堝20的底部21的溫度被加熱到不低于碳化硅可以升華的溫度的溫 度時(shí)，坩堝20的蓋部22的溫度被保持在略低于固體源材料的溫度的溫度。由于這種溫度 的差異，在與底部21接觸的固體源材料11和與蓋部22接觸的籽晶12之間提供了用于升 華再結(jié)晶方法所需的溫度梯度。例如，使固體源材料11的溫度保持在不低于2KKTC且不高 于2450°C的溫度，而使籽晶12的溫度保持在不低于2000°C且不高于2250°C的溫度。
[0053] 為了控制該溫度梯度，測(cè)量加熱的坩堝20的底部21和蓋部22中的每一個(gè)的溫 度。輻射溫度計(jì)51通過開口OQ測(cè)量底部21的溫度。輻射溫度計(jì)52通過開口OP測(cè)量蓋 部22的溫度（圖4 :步驟S60)。
[0054] 利用上面描述的升華再結(jié)晶方法，在籽晶12上形成晶錠19 (碳化硅單晶）。
[0055] 與本實(shí)施例中的絕熱容器31 (圖1)不同，比較例中的制造設(shè)備100Z的絕熱容器 31Z(圖7)設(shè)置有具有圓柱形內(nèi)表面SI的開口 0P。在這種情況下，由于從坩堝20泄漏的 升華性氣體的圓柱形內(nèi)表面SI上的再結(jié)晶所形成的沉積物18,開口OP的堵塞是可能的。 因此，輻射溫度計(jì)52不能精確地測(cè)量坩堝20的蓋部22的溫度。由于前面所描述的溫度梯 度不能被精確地控制，所以變得難以制造高質(zhì)量的晶錠19。
[0056] 相反，根據(jù)本實(shí)施例，絕熱容器31 (圖6)中的開口OP具有向著絕熱容器31的外 側(cè)變窄的錐形內(nèi)表面TI。因此，防止了由碳化硅的再結(jié)晶所形成的沉積物18引起的開口 OP的堵塞。因此，可以以穩(wěn)定的方式通過開口OP測(cè)量坩堝20的溫度。因此，可以更精確地 執(zhí)行用于生長晶錠19的加熱，并且可以改善晶錠19的質(zhì)量。
[0057] 在絕熱容器31中的開口OP的錐形內(nèi)表面TI的法線匪的方向相對(duì)于從坩堝20的 底部21到坩堝20的蓋部22的方向VT(圖2)優(yōu)選傾斜不小于120°且不大于170°。因 此，更可靠地抑制了開口OP的堵塞。
[0058] 在絕熱容器31中的開口OP的、由錐形內(nèi)表面TI形成的部分的深度TC(圖2)優(yōu) 選大于絕熱容器31中的開口OP的開口面積的有效直徑DM(圖3)的1/3。因此，更可靠地 抑制了開口OP的堵塞。
[0059](第二實(shí)施例）
[0060] 參照?qǐng)D9,在本實(shí)施例中，采用絕熱容器32來代替第一實(shí)施例中的絕熱容器31 (圖 1)。絕熱容器32具有主體部32a和相對(duì)于主體部32a位于外側(cè)的外側(cè)部32b。絕熱容器32 中的開口OP穿過主體部32a和外側(cè)部32b。開口OP在外側(cè)部32b具有錐形的內(nèi)表面TI。 外側(cè)部32b的密度比主體部32a高。
[0061] 主體部32a優(yōu)選由碳纖維制成。外側(cè)部32b優(yōu)選由玻璃碳和熱解碳中的至少一種 制成，并且更優(yōu)選由玻璃碳或熱解碳制成。開口OP的錐形內(nèi)表面TI的表面粗糙度Ra優(yōu)選 小于0· 9μm，更優(yōu)選小于0· 7μm，并且進(jìn)一步優(yōu)選小于0· 5μm。
[0062] 由于上述以外的特征與上面描述的第一實(shí)施例中的特征基本相同，所以相同或相 應(yīng)的元件被賦予相同的附圖標(biāo)記，并且將不再重復(fù)其描述。
[0063] 根據(jù)本實(shí)施例，設(shè)置有錐形內(nèi)表面TI的外側(cè)部32b的密度比主體部32a高。因此， 在錐形內(nèi)表面TI上的碳化硅的再結(jié)晶的可能較小，并且更可靠地抑制了開口OP的堵塞。
[0064] 在錐形內(nèi)表面TI的表面粗糙度Ra小于0. 9μm的情況下，更可靠地抑制了開口OP 的堵塞。在主體部32a由碳纖維制成的情況下，可以增強(qiáng)絕熱容器31的隔熱。因此，可以 更準(zhǔn)確地進(jìn)行用于晶錠19的生長的加熱。在外側(cè)部32b由玻璃碳和熱解碳的至少一種制 成的情況下，容易降低開口OP的錐形內(nèi)表面TI的表面粗糙度。
[0065](第三實(shí)施例）
[0066] 參照?qǐng)D10,在本實(shí)施例中，采用絕熱容器33來代替第一實(shí)施例中的絕熱容器 31 (圖1)。絕熱容器33中的開口OP是使得錐形內(nèi)表面TI和圓柱形內(nèi)表面SI彼此連接。 圓柱形內(nèi)表面SI優(yōu)選相對(duì)于錐形內(nèi)表面TI被布置外側(cè)。因此，圓柱形內(nèi)表面SI的堵塞的 可能性較小。由于上述以外的特征與上面描述的第一或第二實(shí)施例中的特征基本相同，所 以相同或相應(yīng)的元件被賦予相同的附圖標(biāo)記，并且將不再重復(fù)其描述。
[0067](第四實(shí)施例）
[0068] 參照?qǐng)D11，在本實(shí)施例中，采用絕熱容器34來代替第一實(shí)施例中的絕熱容器 31 (圖1)。絕熱容器34中的開口OP具有錐形的內(nèi)表面MP。嚴(yán)格地說，錐形的內(nèi)表面MP包 括精細(xì)特征，如臺(tái)階。每個(gè)臺(tái)階具有不大于IOmm的尺寸。由于上述以外的特征與上面描述 的第一或第二實(shí)施例中的特征基本相同，所以相同或相應(yīng)的元件被賦予相同的附圖標(biāo)記， 并且將不再重復(fù)其描述。
[0069](第五實(shí)施例）
[0070] 參照?qǐng)D12,沿虛線DL切割第一到第四實(shí)施例中的任一個(gè)得到的晶錠19。
[0071] 參照?qǐng)D13和14,通過切割來制造晶片201 (碳化硅單晶襯底）。碳化硅單晶襯底 201具有主表面MS，主表面MS為包含直徑為IOOmm的圓的形狀。在晶片201被設(shè)置有定向 平面OF的情況下，在假定沒有定向平面的狀態(tài)下（假定用圖13中的虛線所示的形狀），確 定主表面MS是否為包含直徑為IOOmm的圓。在具有缺口NT(圖15)代替定向平面OF的晶 片202的情況下，假定無缺口NT的狀態(tài)。
[0072] 由于如前所述，晶錠19的質(zhì)量高，所以由其得到的晶片201的質(zhì)量也高。具體地， 在通過將C軸投影到主表面MS上獲得的方向CP上的角分布可以在3°之內(nèi)并且可以在Γ之內(nèi)。主表面MS相對(duì)于{0001}面的偏離角優(yōu)選大于Γ，更優(yōu)選大于2°，并且例如在4° 左右。偏離角優(yōu)選小于10°。
[0073] 根據(jù)本實(shí)施例，碳化硅單晶襯底201具有主表面MS，主表面MS為包含直徑為 IOOmm的圓的形狀。由于如此充分地確保了主表面的尺寸，所以可以在碳化硅單晶襯底201 上有效地制造半導(dǎo)體器件。通過將c軸投影到主表面MS上所獲得的方向CP上的角分布在 3°以內(nèi)。由此，可以以更穩(wěn)定的方式制造半導(dǎo)體器件。優(yōu)選主表面MS相對(duì)于{0001}面具 有大于Γ的偏離角。因此，角分布可以很容易地在3°之內(nèi)。
[0074](實(shí)例1)
[0075] 制造錠19 (圖12)，角AG、有效直徑DM、深度（TC)和用于錐形內(nèi)表面TI的材料作 為參數(shù)被限定如下（圖2)。然后，下面的表1中的樣品編號(hào)1-10的晶片是從每個(gè)晶錠19 獲得的。然后檢測(cè)每個(gè)晶片在方向CP上的角分布。利用每個(gè)晶片制造溝槽型MOSFET(金 屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。然后，通過測(cè)量每個(gè)MOSFET的擊穿電壓，檢查器件的成品 率。
[0076]表1
[0077]

【權(quán)利要求】
1. 一種制造碳化硅單晶的方法，包括以下步驟： 制備具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相反的第二側(cè)的坩堝； 在所述坩堝中的所述第一側(cè)，布置用于利用升華方法生長碳化硅的固體源材料； 在所述坩堝中的所述第二側(cè)布置由碳化硅制成的籽晶； 將所述坩堝布置在絕熱容器中，所述絕熱容器具有面向所述坩堝的所述第二側(cè)的開 Π ； 加熱所述坩堝，使得所述固體源材料升華并在所述籽晶上再結(jié)晶；并且 通過所述絕熱容器中的所述開口，測(cè)量被加熱的所述坩堝的所述第二側(cè)的溫度，所述 絕熱容器中的所述開口具有向著所述絕熱容器的外側(cè)變窄的錐形內(nèi)表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造碳化硅單晶的方法，其中 相對(duì)于從所述坩堝的所述第一側(cè)到所述坩堝的所述第二側(cè)的方向，所述絕熱容器中的 所述開口的所述錐形內(nèi)表面的法線方向傾斜不小于120°且不大于170°。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造碳化硅單晶的方法，其中 所述絕熱容器中的所述開口的由所述錐形內(nèi)表面形成的部分的深度大于所述絕熱容 器中的所述開口的開口面積的有效直徑的1/3。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造碳化硅單晶的方法，其中 所述開口的所述錐形內(nèi)表面具有Ra〈0. 9 μ m的表面粗糙度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造碳化硅單晶的方法，其中 所述絕熱容器具有主體部和相對(duì)于所述主體部位于外側(cè)的外側(cè)部，所述絕熱容器中的 所述開口穿過所述主體部和所述外側(cè)部，所述開口在所述外側(cè)部中具有所述錐形內(nèi)表面， 并且所述外側(cè)部的密度比所述主體部高。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造碳化硅單晶的方法，其中 所述絕熱容器的所述外側(cè)部由玻璃碳和熱解碳中的至少一種制成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造碳化硅單晶的方法，其中 所述絕熱容器的所述主體部由碳纖維制成。
8. -種碳化娃單晶襯底，包括主表面，所述主表面為包含具有100mm的直徑的圓的形 狀，在通過在所述主表面上投影c軸獲得的方向上的角分布在3°以內(nèi)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的碳化硅單晶襯底，其中 所述主表面相對(duì)于{0001}面具有大于1°的偏離角。
【文檔編號(hào)】C30B23/00GK104278322SQ201410231410
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月3日
【發(fā)明者】本家翼, 沖田恭子, 川瀨智博, 堀勉 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社