電光裝置、電光裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光裝置、電光裝置的制造方法以及電子設(shè)備。電光裝置具有第一像素、第二像素。第一像素、第二像素包含反射層、絕緣層、功能層、以及對(duì)置電極。絕緣層包含第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層。在第二絕緣層設(shè)置第一開口。在第一開口中將第一像素電極設(shè)置在第一絕緣層上。在第三絕緣層設(shè)置有第二開口。在第二開口中將第二像素電極設(shè)置在第二絕緣層上。本發(fā)明能夠按照每個(gè)像素取出所希望的共振波長(zhǎng)的光，并具有優(yōu)良的光學(xué)特性。
【專利說明】電光裝置、電光裝置的制造方法以及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電光裝置、該電光裝置的制造方法以及電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]作為電光裝置，公開有具備如下構(gòu)造的電光裝置及其制造方法，該電光裝置具有射出相互不同的波長(zhǎng)的光的第一像素、第二像素、第三像素，且具備第一像素、第二像素、第三像素的光學(xué)距離調(diào)整層的膜厚滿足第一像素>第二像素>第三像素的關(guān)系的光共振構(gòu)造(專利文獻(xiàn)I)。
[0003]根據(jù)專利文獻(xiàn)I的電光裝置的制造方法，示出如下的例子，形成用于構(gòu)成上述光學(xué)距離調(diào)整層的透光膜，在該透光膜上形成膜厚滿足第一像素 > 第二像素> 第三像素的關(guān)系的掩模。之后，組合分段性地灰化去除膜厚不同的掩模的工序、和蝕刻通過灰化而露出的透光膜的工序，形成膜厚滿足第一像素 > 第二像素>第三像素的關(guān)系的上述光學(xué)距離調(diào)整層。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009 - 134067號(hào)公報(bào)
[0005]若要在各第一像素、第二像素、第三像素中獲取所希望的共振波長(zhǎng)的光，需要分別在第一像素、第二像素、第三像素中高精度地實(shí)現(xiàn)光學(xué)距離調(diào)整層的膜厚。然而，在上述專利文獻(xiàn)I的電光裝置的制造方法中，存在難以高精度地蝕刻透光膜的課題。作為其理由，例如列舉若在上述分階段的灰化中，相對(duì)于適當(dāng)?shù)幕一慨a(chǎn)生過多與不足，則在灰化后的掩模的膜厚中產(chǎn)生偏差，而不能夠在整個(gè)所希望的范圍內(nèi)以適當(dāng)?shù)奈g刻量蝕刻透光膜。另外，例如還可以列舉，難以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻條件(蝕刻速度等)，蝕刻后的透光膜的膜厚容易產(chǎn)生偏差。
[0006]此外，存在想要盡可能減小像素間的階梯差，抑制橫跨像素間的階梯差的布線、電極中的電阻的上升的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是為了解決上述的課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例來實(shí)現(xiàn)。
[0008]應(yīng)用例
[0009]本應(yīng)用例的電光裝置具有基板、形成在上述基板上的第一像素、以及與上述第一像素相鄰的第二像素，上述第一像素包含具有光反射性的反射層、具有光反射性以及透光性的對(duì)置電極、設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極、以及包含發(fā)光層的功能層，上述第二像素包含上述反射層、上述對(duì)置電極、設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的上述絕緣層、第二像素電極以及上述功能層，上述絕緣層包含從上述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，在上述第二絕緣層設(shè)置有第一開口，將上述第一像素電極在上述第一開口中設(shè)置在上述第一絕緣層上，在上述第三絕緣層設(shè)置有包含上述第一開口的第二開口，將上述第二像素電極在上述第二開口中與上述第一像素電極相鄰地設(shè)置在上述第二絕緣層上。
[0010]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，在反射層與第一像素電極之間存在第一絕緣層，在反射層與第二像素電極之間存在第一絕緣層和第二絕緣層。另外，在相鄰的第一像素電極與第二像素電極之間存在第一絕緣層和第二絕緣層。因此，反射層和第一像素電極之間的上述絕緣層的第一膜厚、與反射層和第二像素電極之間的上述絕緣層的第二膜厚不同，且第一像素電極和第二像素電極之間的區(qū)域的上述絕緣層的第三膜厚與上述第二膜厚大致相同。
[0011]因此，與像專利文獻(xiàn)I那樣分階段地蝕刻透光膜，使光學(xué)距離調(diào)整層中的光學(xué)距離按照每個(gè)像素而不同的情況相比，不用蝕刻第一絕緣層，在形成第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層時(shí)使它們成為所希望的膜厚即可。即，能夠提供能夠高精度地調(diào)整每個(gè)像素的光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離，且能夠在第一像素與第二像素中獲取各自所希望的共振波長(zhǎng)的光的電光裝置。
[0012]應(yīng)用例
[0013]本應(yīng)用例的其他的電光裝置具有基板、形成在上述基板上的第一像素、與上述第一像素相鄰的第二像素，上述第一像素包含具有光反射性的反射層、具有光反射性以及透光性的對(duì)置電極、設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極以及包含發(fā)光層的功能層，上述第二像素包含上述反射層、上述對(duì)置電極、以及設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的上述絕緣層、第二像素電極和上述功能層，上述絕緣層包含從上述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，在上述第二絕緣層設(shè)置有第一開口，將上述第一像素電極在上述第一開口中設(shè)置在上述第一絕緣層上，通過上述第三絕緣層覆蓋上述第一開口的一部分，由此在上述第三絕緣層設(shè)置在上述第一像素電極上開口的第二開口，上述第二像素電極在上述第一開口中設(shè)置在上述第三絕緣層上。
[0014]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，在反射層與第一像素電極之間存在第一絕緣層，在反射層與第二像素電極之間存在第一絕緣層和第三絕緣層。另外，在相鄰的第一像素電極和第二像素電極之間存在第一絕緣層和第三絕緣層。因此，反射層和第一像素電極之間的上述絕緣層的第一膜厚、與反射層和第二像素電極之間的上述絕緣層的第二膜厚不同，并且第一像素電極和第二像素電極之間的區(qū)域的上述絕緣層的第三膜厚與上述第二膜厚大致相同。
[0015]因此，與像專利文獻(xiàn)I那樣分階段地蝕刻透光膜，使光學(xué)距離調(diào)整層中的光學(xué)距離按照每個(gè)像素而不同的情況相比，不用蝕刻第一絕緣層，在形成第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層時(shí)使它們成為所希望的膜厚。即，能夠提供能夠高精度地調(diào)整每個(gè)像素的光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離，且能夠在第一像素與第二像素中取出各自所希望的共振波長(zhǎng)的光的電光裝置。
[0016]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，具有與上述第二像素相鄰的第三像素，上述第三像素包含上述反射層、上述對(duì)置電極、以及設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的上述絕緣層、第三像素電極和上述功能層，上述第三像素電極設(shè)置在上述第三絕緣層上。
[0017]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第一像素、第二像素、第三像素的各自的反射層與像素電極之間的絕緣層的膜厚為第一像素<第二像素<第三像素。換句話說，能夠提供能夠在各個(gè)第一像素、第二像素、第三像素中取出所希望的共振波長(zhǎng)的光的電光裝置。
[0018]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，優(yōu)選上述第二像素電極和上述第三像素電極之間的區(qū)域的上述絕緣層的膜厚，與上述反射層和上述第二像素電極之間的上述絕緣層的膜厚相同。
[0019]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，也可以在與上述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置將上述第三絕緣層設(shè)置成島狀。
[0020]根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，在第一像素電極與第二像素電極之間只產(chǎn)生與第二絕緣層的膜厚相當(dāng)?shù)碾A梯差，所以能夠減小第一像素電極與第二像素電極之間的階梯差。另外，在第二像素電極與第三像素電極之間只產(chǎn)生與第三絕緣層的膜厚相當(dāng)?shù)碾A梯差，所以能夠減小第二像素電極與第三像素電極的階梯差。
[0021 ] 在上述應(yīng)用例的電光裝置中，優(yōu)選上述第二像素電極和上述第三像素電極之間的區(qū)域的上述絕緣層的膜厚與上述反射層和上述第三像素電極之間的上述絕緣層的膜厚相同。
[0022]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，也可以從與上述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置遍及與上述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置，將上述第三絕緣層設(shè)置成島狀。
[0023]根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，在第一像素電極與第二像素電極之間、以及第二像素電極與第三像素電極之間只產(chǎn)生與第三絕緣層的膜厚相當(dāng)?shù)碾A梯差，所以能夠減小第一像素電極與第二像素電極之間、以及第二像素電極與第三像素電極之間的階梯差。
[0024]另外，若通過這些結(jié)構(gòu)，來減小像素電極間的階梯差，則容易使設(shè)置在像素電極上的功能層、對(duì)置電極、密封膜等的表面平坦。換句話說，能夠防止橫跨該階梯差的對(duì)置電極、布線等的斷線。另外，能夠提高覆蓋對(duì)置電極的密封膜的密封性能。
[0025]應(yīng)用例
[0026]本應(yīng)用例的電光裝置的制造方法是具有以下部件的電光裝置的制造方法，上述電光裝置具備基板、形成在上述基板上的第一像素、與上述第一像素相鄰的第二像素，上述第一像素包含具有光反射性的反射層、具有光反射性以及透光性的對(duì)置電極、設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極、以及包含發(fā)光層的功能層，上述第二像素包含上述反射層、上述對(duì)置電極、設(shè)置上述反射層與上述對(duì)置電極之間的上述絕緣層、第二像素電極、以及上述功能層，上述絕緣層包含從上述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，上述制造方法具備:遍及上述第一像素以及上述第二像素而形成上述第一絕緣層的工序；形成在與上述第一像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第一開口的上述第二絕緣層的工序；形成覆蓋上述第二絕緣層且在與上述第一像素電極以及上述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第二開口的上述第三絕緣層的工序；在上述第一開口在上述第一絕緣層上形成上述第一像素電極，并且在上述第二開口在上述第二絕緣層上形成上述第二像素電極的工序；形成與上述第一像素電極和上述第二像素電極相接觸的上述功能層的工序；以及形成覆蓋上述功能層的上述對(duì)置電極的工序。
[0027]根據(jù)本應(yīng)用例的方法，在反射層與第一像素電極之間形成第一絕緣層，在反射層與第二像素電極之間形成第一絕緣層和第二絕緣層。另外，在相鄰的第一像素電極與第二像素電極之間形成第一絕緣層和第二絕緣層。因此，反射層和第一像素電極之間的上述絕緣層的第一膜厚、與反射層和第二像素電極之間的上述絕緣層的第二膜厚不同，并且第一像素電極與第二像素電極之間的區(qū)域的上述絕緣層的第三膜厚與上述第二膜厚大致相同。
[0028]因此，與像專利文獻(xiàn)I那樣分階段地蝕刻透光膜，使光學(xué)距離調(diào)整層中的光學(xué)距離按照每個(gè)像素而不同的情況相比，不用蝕刻第一絕緣層，以分別成為所希望的膜厚的方式形成使第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層即可。即，能夠制造能夠高精度地調(diào)整每個(gè)像素的光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離，且能夠在第一像素與第二像素中取出各自所希望的共振波長(zhǎng)的光的電光裝置。
[0029]應(yīng)用例
[0030]本應(yīng)用例的其他的電光裝置的制造方法是具有以下部件的電光裝置的制造方法，上述電光裝置具備基板、形成在上述基板上的第一像素、與上述第一像素相鄰的第二像素，上述第一像素包含具有光反射性的反射層、具有光反射性以及透光性的對(duì)置電極、設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極、以及包含發(fā)光層的功能層，上述第二像素包含上述反射層、上述對(duì)置電極、設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的上述絕緣層、第二像素電極、以及上述功能層，上述絕緣層包含從上述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，上述制造方法具備:遍及上述第一像素以及上述第二像素而形成上述第一絕緣層的工序；形成在與上述第一像素電極以及上述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第一開口的上述第二絕緣層的工序；形成覆蓋上述第二絕緣層且在與上述第一像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第二開口的上述第三絕緣層的工序；在上述第二開口中在上述第一絕緣層上形成上述第一像素電極，并且在上述第一開口中在上述第二絕緣層上形成上述第二像素電極的工序；形成與上述第一像素電極和上述第二像素電極相接觸的上述功能層的工序；以及形成覆蓋上述功能層的上述對(duì)置電極的工序。
[0031]根據(jù)本應(yīng)用例的方法，在反射層與第一像素電極之間形成第一絕緣層，在反射層與第二像素電極之間形成第一絕緣層與第三絕緣層。另外，在相鄰的第一像素電極與第二像素電極之間形成第一絕緣層與第三絕緣層。因此，反射層和第一像素電極之間的上述絕緣層的第一膜厚、與反射層和第二像素電極之間的上述絕緣層的第二膜厚不同，并且第一像素電極和第二像素電極之間的區(qū)域的上述絕緣層的第三膜厚與上述第二膜厚大致相同。
[0032]因此，與像專利文獻(xiàn)I那樣分階段地蝕刻透光膜，使光學(xué)距離調(diào)整層中的光學(xué)距離按照每個(gè)像素而不同的情況相比，不用蝕刻第一絕緣層，以分別成為所希望的膜厚的方式形成第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層即可。即，能夠提供能夠高精度地調(diào)整每個(gè)像素的光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離，且能夠在第一像素與第二像素中取出各自所希望的共振波長(zhǎng)的光的電光裝置。
[0033]在上述應(yīng)用例的電光裝置的制造方法中，優(yōu)選還具有與上述第二像素相鄰的第三像素，上述第三像素包含上述反射層、上述對(duì)置電極、設(shè)置在上述反射層與上述對(duì)置電極之間的上述絕緣層、第三像素電極、以及上述功能層，上述第三像素電極在形成上述第一像素電極以及上述第二像素電極的工序中，形成在上述第三絕緣層上。
[0034]根據(jù)該方法，能夠制造在第一像素、第二像素、第三像素中，分別使光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離不同，并且對(duì)其進(jìn)行高精度地調(diào)整，而能夠取出所希望的共振波長(zhǎng)的光的電光
>J-U ρ?α裝直。
[0035]在上述應(yīng)用例的電光裝置的制造方法中，優(yōu)選在形成上述第三絕緣層的工序中，在與上述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置將上述第三絕緣層形成為島狀。
[0036]在上述應(yīng)用例的電光裝置的制造方法中，優(yōu)選在形成上述第三絕緣層的工序中，從與上述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置遍及與上述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置而將上述第三絕緣層形成為島狀。
[0037]根據(jù)這些方法，在第一像素電極與第二像素電極之間、在第二像素電極與第三像素電極之間只產(chǎn)生與各自的光共振構(gòu)造中的絕緣層的膜厚之差相當(dāng)?shù)碾A梯差，所以能夠減小像素電極間的階梯差。
[0038]另外，若通過這些方法，來減小像素電極間的階梯差，則容易使形成在各自的像素電極上的功能層、對(duì)置電極、密封膜等的表面平坦。換句話說，能夠防止橫跨該階梯差的對(duì)置電極、布線等的斷線。另外，能夠提高覆蓋對(duì)置電極的密封膜的密封性能。
[0039]應(yīng)用例
[0040]本應(yīng)用例的電子設(shè)備具備上述應(yīng)用例所記載的電光裝置。
[0041]應(yīng)用例
[0042]本應(yīng)用例的電子設(shè)備具備使用上述應(yīng)用例所記載的電光裝置的制造方法形成的電光裝置。
[0043]根據(jù)這些應(yīng)用例，能夠提供能夠按照每個(gè)像素取出所希望的共振波長(zhǎng)的光，并具有優(yōu)良的光學(xué)特性的電子設(shè)備。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0044]圖1是表示作為第一實(shí)施方式的電光裝置的有機(jī)EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0045]圖2是表示發(fā)光像素的電氣結(jié)構(gòu)的等價(jià)電路圖。
[0046]圖3是表示發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0047]圖4是表示沿著X方向切割發(fā)光像素時(shí)的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0048]圖5是表示沿著Y方向切割發(fā)光像素時(shí)的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0049]圖6是表示第一實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的流程圖。
[0050]圖7(a)?圖7(f)是表示第一實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的示意剖視圖。
[0051]圖8是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0052]圖9是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光像素的X方向的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0053]圖10是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光像素的Y方向的構(gòu)造的示意剖視圖。
[0054]圖11是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的流程圖。
[0055]圖12(a)?圖12(f)是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的示意剖視圖。
[0056]圖13是表示作為電子設(shè)備的一個(gè)例子的頭戴式顯示器的示意圖。
[0057]圖14是表示變形例I的有機(jī)EL裝置中的第三絕緣層的配置的示意俯視圖。
[0058]圖15是表示變形例2的有機(jī)EL裝置中的第三絕緣層的配置的示意俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0059]以下，根據(jù)附圖對(duì)將本發(fā)明具體化后的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，適當(dāng)?shù)胤糯蠡蛘呖s小顯示所使用的附圖，使說明的部分成為能夠識(shí)別的狀態(tài)。
[0060]此外，在以下的方式中，例如在記載為“在基板上”的情況下，表示以相接的方式配置在基板上的情況、或者經(jīng)由其他的構(gòu)成物配置在基板上的情況、或者一部分以相接的方式配置在基板上、一部分經(jīng)由其他的構(gòu)成物配置在基板上的情況。
[0061]第一實(shí)施方式
[0062]電光裝置
[0063]首先，列舉有機(jī)電致發(fā)光裝置(以下稱為有機(jī)EL裝置)作為本實(shí)施方式的電光裝置的一個(gè)例子，并參照?qǐng)D1?圖3進(jìn)行說明。
[0064]圖1是表示作為第一實(shí)施方式的電光裝置的有機(jī)EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖2是表示發(fā)光像素的電氣結(jié)構(gòu)的等價(jià)電路圖，圖3是表示發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0065]如圖1所示，作為本實(shí)施方式的電光裝置的有機(jī)EL裝置100具備:作為基板的元件基板10、以矩陣狀配置于元件基板10的顯示區(qū)域E的多個(gè)發(fā)光像素20、作為驅(qū)動(dòng)控制多個(gè)發(fā)光像素20的周邊電路的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路102、以及用于實(shí)現(xiàn)與外部電路的電連接的多條外部連接用端子103。
[0066]發(fā)光像素20具有能夠得到藍(lán)色(B)的發(fā)光的發(fā)光像素20B、能夠得到綠色(G)的發(fā)光的發(fā)光像素20G、以及能夠得到紅色(R)的發(fā)光的發(fā)光像素20R。另外，在附圖上縱向排列能夠得到相同顏色的發(fā)光的發(fā)光像素20，在附圖上，在橫向上按照B、G、R的順序反復(fù)配置得到不同顏色的發(fā)光的發(fā)光像素20。這樣的發(fā)光像素20的配置也被稱為條紋方式，但并不局限于此。例如，得到不同顏色的發(fā)光的發(fā)光像素20的橫向上的配置也可以不是B、G、R的順序，例如，也可以為R、G、B的順序。
[0067]以下，將能夠得到相同顏色的發(fā)光的發(fā)光像素20所排列的縱向設(shè)為Y方向，將與Y方向正交的方向設(shè)為X方向，來進(jìn)行說明。
[0068]后述發(fā)光像素20的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，但本實(shí)施方式中的發(fā)光像素20B、20G、20R分別具備作為發(fā)光元件的有機(jī)電致發(fā)光元件(以下稱為有機(jī)EL元件)、和與B、G、R的各種顏色對(duì)應(yīng)的彩色濾光片，能夠?qū)碜杂袡C(jī)EL元件的發(fā)光轉(zhuǎn)換為B、G、R的各顏色，進(jìn)行全彩顯示。另外，按照各發(fā)光像素20B、20G、20R構(gòu)建用于使來自有機(jī)EL元件的發(fā)光波長(zhǎng)范圍中的特定的波長(zhǎng)的灰度提高的光共振構(gòu)造。
[0069]在有機(jī)EL裝置100中，發(fā)光像素20B、20G、20R作為子像素發(fā)揮作用，由能夠得到與B、G、R對(duì)應(yīng)的發(fā)光的3個(gè)發(fā)光像素20B、20G、20R構(gòu)成圖像顯示中的一個(gè)像素單位。此夕卜，像素單位的構(gòu)成并不局限于此，像素單位也可以包括能夠得到B、G、R以外的發(fā)光色(包括白色)的發(fā)光像素20。
[0070]沿著元件基板10的第一邊部，在X方向上排列設(shè)置多條外部連接用端子103。另夕卜，在Y方向上，在外部連接用端子103與顯示區(qū)域E之間配置數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101，并沿X方向延伸。另外，在X方向上，以隔著顯示區(qū)域E相互對(duì)置的方式設(shè)置有一對(duì)掃描線驅(qū)動(dòng)電路 102。
[0071]如上所述，在顯示區(qū)域E以矩陣狀設(shè)置有多個(gè)發(fā)光像素20，如圖2所示，作為與發(fā)光像素20對(duì)應(yīng)的信號(hào)線，在元件基板10設(shè)置有掃描線11、數(shù)據(jù)線12、點(diǎn)亮控制線13、電源線14。
[0072]在本實(shí)施方式中，掃描線11與點(diǎn)亮控制線13在X方向上平行延伸，數(shù)據(jù)線12與電源線14在Y方向上平行延伸。
[0073]在顯示區(qū)域E，與配置成矩陣狀的多個(gè)發(fā)光像素20中的M行對(duì)應(yīng)地設(shè)置多條掃描線11和多條點(diǎn)亮控制線13，分別與圖1所示的一對(duì)掃描線驅(qū)動(dòng)電路102連接。另外，與配置成矩陣狀的多個(gè)發(fā)光像素20中的N列對(duì)應(yīng)地設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線12和多條電源線14，多條數(shù)據(jù)線12與圖1所示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101連接，多條電源線14與多條外部連接用端子103中的其中一條連接。
[0074]在掃描線11與數(shù)據(jù)線12的交叉部附近設(shè)置有構(gòu)成發(fā)光像素20的像素電路的第一晶體管21、第二晶體管22、第三晶體管23、存儲(chǔ)電容24、以及作為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件30。
[0075]有機(jī)EL元件30具有作為陽極的像素電極31、作為陰極的對(duì)置電極33、以及夾持在這兩個(gè)電極間的、包含發(fā)光層的功能層32。對(duì)置電極33是橫跨多個(gè)發(fā)光像素20而共用地設(shè)置的電極，例如，相對(duì)于由電源線14供給的電源電壓Vdd，被供給低電位的基準(zhǔn)電位Vss、GND電位。
[0076]第一晶體管21以及第三晶體管23例如是η溝道型的晶體管。第二晶體管22例如是P溝道型的晶體管。
[0077]第一晶體管21的柵極電極與掃描線11連接，一方的電流端與數(shù)據(jù)線12連接，另一方的電流端與第二晶體管22的柵極電極、和存儲(chǔ)電容24的一方的電極連接。
[0078]第二晶體管22的一方的電流端與電源線14連接，且與存儲(chǔ)電容24的另一方的電極連接。第二晶體管22的另一方的電流端與第三晶體管23的一方的電流端連接。換言之，第二晶體管22與第三晶體管23共用一對(duì)電流端中的一個(gè)電流端。
[0079]第三晶體管23的柵極電極與點(diǎn)亮控制線13連接，另一方的電流端與有機(jī)EL元件30的像素電極31連接。
[0080]各第一晶體管21、第二晶體管22以及第三晶體管23中的一對(duì)電流端的一方是源極，另一方是漏極。
[0081]在這樣的像素電路中，若從掃描線驅(qū)動(dòng)電路102向掃描線11供給的掃描信號(hào)Yi的電壓水平為高電平，則η溝道型的第一晶體管21為導(dǎo)通狀態(tài)(ON)。數(shù)據(jù)線12與存儲(chǔ)電容24經(jīng)由導(dǎo)通狀態(tài)(ON)的第一晶體管21電連接。而且，若從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101向數(shù)據(jù)線12供給數(shù)據(jù)信號(hào)，則數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓水平Vdata與由電源線14給予的電源電壓Vdd的電位差被存儲(chǔ)至存儲(chǔ)電容24。
[0082]若從掃描線驅(qū)動(dòng)電路102向掃描線11供給的掃描信號(hào)Yi的電壓水平為低電平，則η溝道型的第一晶體管21為截止?fàn)顟B(tài)(OFF)，第二晶體管22的柵極-源極間電壓Vgs保持在給予電壓水平Vdata時(shí)的電壓。另外，在掃描信號(hào)Yi成為低電平后，由點(diǎn)亮控制線13供給的點(diǎn)亮控制信號(hào)Vgi的電壓水平成為高電平，第三晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)(0N)。這樣，在第二晶體管22的源極-漏極間流有與第二晶體管22的柵極-源極電壓Vgs對(duì)應(yīng)的電流。具體而言，該電流在從電源線14經(jīng)由第二晶體管22以及第三晶體管23至有機(jī)EL元件30的流路中流動(dòng)。
[0083]有機(jī)EL元件30根據(jù)流過有機(jī)EL元件30的電流的大小來發(fā)光。流過有機(jī)EL元件30的電流根據(jù)第二晶體管22的柵極-源極間的電壓Vgs，且根據(jù)設(shè)定的第二晶體管22和有機(jī)EL元件30的動(dòng)作點(diǎn)而確定。第二晶體管22的柵極-源極間的電壓Vgs是在掃描信號(hào)Yi為高電平時(shí)，通過數(shù)據(jù)線12的電壓水平Vdata與電源電壓Vdd的電位差而被存儲(chǔ)電容24保持的電壓。這樣，發(fā)光像素20根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)中的電壓水平Vdata以及第三晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)期間的長(zhǎng)度來規(guī)定發(fā)光灰度。換句話說，能夠根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)中的電壓水平Vdata的值，來給予發(fā)光像素20與圖像信息對(duì)應(yīng)的灰度的灰階性，能夠進(jìn)行全彩顯示。
[0084]此外，在本實(shí)施方式中，發(fā)光像素20的像素電路并不局限于具有3個(gè)晶體管21、22、23，也可以為具有開關(guān)用晶體管和驅(qū)動(dòng)用晶體管的結(jié)構(gòu)。另外，構(gòu)成像素電路的晶體管可以為η溝道型的晶體管，也可以為P溝道型的晶體管，還可以具備η溝道型的晶體管以及P溝道型的晶體管的雙方。另外，構(gòu)成發(fā)光像素20的像素電路的晶體管可以是在半導(dǎo)體基板具有有源層的MOS型晶體管，也可以是薄膜晶體管，還可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0085]另外，作為掃描線11、數(shù)據(jù)線12以外的信號(hào)線的點(diǎn)亮控制線13、電源線14的配置受到晶體管、存儲(chǔ)電容24的配置影響，但并不局限于此。
[0086]在本實(shí)施方式中，以下對(duì)作為構(gòu)成發(fā)光像素20的像素電路的晶體管，采用了在半導(dǎo)體基板上具有有源層的MOS型晶體管的例子進(jìn)行說明。
[0087]發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)
[0088]參照?qǐng)D3對(duì)發(fā)光像素20的具體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖3所示，發(fā)光像素20B、20G、20R在俯視時(shí)為矩形，沿著Y方向配置其長(zhǎng)邊方向。在發(fā)光像素20B、20G、20R分別設(shè)置有圖2所示的等價(jià)電路的有機(jī)EL元件30。為了區(qū)分按照各發(fā)光像素20B、20G、20R設(shè)置的有機(jī)EL元件30，有時(shí)也說明為有機(jī)EL元件30B、30G、30R。另外，為了按照各發(fā)光像素20B、20G、20R區(qū)分有機(jī)EL元件30的像素電極31，有時(shí)也說明為像素電極31B、31G、31R。
[0089]在發(fā)光像素20B設(shè)置有像素電極31B、和使像素電極31B與第三晶體管23電連接的接觸部31Bc。同樣，在發(fā)光像素20G設(shè)置有像素電極31G、和使像素電極31G與第三晶體管23電連接的接觸部3IGc。在發(fā)光像素20R設(shè)置有像素電極3IR、和使像素電極3IR與第三晶體管23電連接的接觸部31Rc。
[0090]各像素電極31B、31G、31R也在俯視時(shí)呈大致矩形，在長(zhǎng)邊方向的上方側(cè)分別配置有各接觸部31Bc、31Gc、31Rc。
[0091]發(fā)光像素20B、20G、20R分別具有絕緣構(gòu)造，該絕緣構(gòu)造使相鄰的像素電極31彼此電絕緣，并且在像素電極31B、31G、31R上形成有用于規(guī)定與功能層32 (參照?qǐng)D4)接觸的區(qū)域的開口 29B、29G、29R。
[0092]此外，在本實(shí)施方式中，發(fā)光像素20B相當(dāng)于本發(fā)明的第一像素，發(fā)光像素20G相當(dāng)于本發(fā)明的第二像素，發(fā)光像素20R相當(dāng)于本發(fā)明的第三像素。因此，像素電極31B相當(dāng)于本發(fā)明的第一像素電極，像素電極31G相當(dāng)于本發(fā)明的第二像素電極，像素電極31R相當(dāng)于本發(fā)明的第三像素電極。
[0093]另外，作為向有機(jī)EL元件30B、30G、30R的功能層32注入電荷的像素電極31B、31G、31R而實(shí)質(zhì)發(fā)揮作用的部分是由上述絕緣構(gòu)造中的開口 29B、29G、29R規(guī)定且分別與功能層32接觸的部分。因此，在各像素電極31B、31G、31R中，被后述的第四絕緣層29(參照?qǐng)D4、圖5)覆蓋的部分是經(jīng)由上述各接觸部31Bc、31Gc、31Rc與第三晶體管23電連接的布線部分。即，換句話，也可以說與功能層32接觸的像素電極31B、31G、31R的部分相當(dāng)于本發(fā)明中的第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極。
[0094]接下來，參照?qǐng)D4以及圖5對(duì)發(fā)光像素20的構(gòu)造進(jìn)行說明。圖4是表示沿著X方向切割發(fā)光像素時(shí)的構(gòu)造的示意剖視圖，圖5是表示沿著Y方向切割發(fā)光像素時(shí)的構(gòu)造的示意剖視圖。此外，在圖4中示出像素電路中的、第一晶體管21以及第二晶體管22、和與第一晶體管21以及第二晶體管22相關(guān)的布線等，省略第三晶體管23的圖示。在圖5中示出像素電路中的、第二晶體管22以及第三晶體管23、和與第二晶體管22以及第三晶體管23相關(guān)的布線等，省略第一晶體管21的圖示。另外，圖5表示沿著Y方向切割發(fā)光像素20G時(shí)的構(gòu)造。
[0095]如圖4所示，有機(jī)EL裝置100具備形成有發(fā)光像素20B、20G、20R、彩色濾光片50等的元件基板10、和透光性的密封基板70。元件基板10與密封基板70通過兼具粘合性和透明性的樹脂層60貼合。彩色濾光片50具有與B、G、R的各顏色對(duì)應(yīng)的濾光片層50B、50G、50R。各濾光片層50B、50G、50R分別與發(fā)光像素20B、20G、20R對(duì)應(yīng)地配置在元件基板10上。從功能層32發(fā)出的光透過對(duì)應(yīng)的濾光片層50B、50G、50R的某一個(gè)而從密封基板70側(cè)射出。換句話說，有機(jī)EL裝置100為頂部發(fā)光構(gòu)造。
[0096]由于有機(jī)EL裝置100是頂部發(fā)光構(gòu)造，所以元件基板10的基體材料1s不僅可以使用透明的玻璃基板，也能夠使用不透明的陶瓷基板、半導(dǎo)體基板。
[0097]在本實(shí)施方式中，作為基體材料1s使用半導(dǎo)體基板。半導(dǎo)體基板例如是硅基板。
[0098]在基體材料1s上設(shè)置有通過向半導(dǎo)體基板注入離子而形成的阱部10w、和通過向阱部1w注入與阱部1w不同的種類的離子而形成的作為有源層的離子注入部10d。阱部1w作為發(fā)光像素20中的晶體管21、22、23的溝道發(fā)揮作用，離子注入部1d作為發(fā)光像素20中的晶體管21、22、23的源極-漏極、布線的一部分發(fā)揮作用。
[0099]接下來，形成覆蓋形成有離子注入部1cU阱部1w的基體材料1s的表面的絕緣膜10a。絕緣膜1a作為柵絕緣膜發(fā)揮作用。在絕緣膜1a上例如形成多晶硅等導(dǎo)電膜，并將其圖案化來形成柵極電極22g。將柵極電極22g配置成與作為第二晶體管22的溝道發(fā)揮作用的阱部1w對(duì)置。在其他的第一晶體管21、第三晶體管23中也同樣地配置有柵極電極。
[0100]接下來，形成覆蓋柵極電極22g的第一層間絕緣膜15。然后，貫通第一層間絕緣膜15，例如形成到達(dá)第一晶體管21的漏極、第二晶體管22的柵極電極22g的接觸孔。形成至少覆蓋該接觸孔內(nèi)且覆蓋第一層間絕緣膜15的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，例如形成與第一晶體管21的漏極電極21d和第二晶體管22的柵極電極22g連接的布線。
[0101]接下來，形成覆蓋第一層間絕緣膜15上的各種布線的第二層間絕緣膜16。然后，貫通第二層間絕緣膜16，形成到達(dá)形成在第一層間絕緣膜15上的布線的接觸孔。形成至少覆蓋該接觸孔內(nèi)且覆蓋第二層間絕緣膜16的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，例如形成使存儲(chǔ)電容24的一方的電極24a與第二晶體管22的柵極電極22g電連接的接觸部。另外，在一方的電極24a的同層上形成數(shù)據(jù)線12。數(shù)據(jù)線12通過在圖4中省略圖示的布線與第一晶體管21的源極連接。
[0102]接下來，形成至少覆蓋一方的電極24a的電介質(zhì)層(在圖4中省略圖示)。另外，在隔著電介質(zhì)層與一方的電極24a對(duì)置的位置形成存儲(chǔ)電容24的另一方的電極24b。由此，形成在一對(duì)電極24a、24b間具有電介質(zhì)層的存儲(chǔ)電容24。
[0103]接下來，形成覆蓋數(shù)據(jù)線12以及存儲(chǔ)電容24的第三層間絕緣膜17。貫通第三層間絕緣膜17，例如形成到達(dá)存儲(chǔ)電容24的另一方的電極24b、形成在第二層間絕緣膜16上的布線的接觸孔。形成至少覆蓋該接觸孔內(nèi)且覆蓋第三層間絕緣膜17的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，形成電源線14、使電源線14與另一方的電極24b連接的接觸部。在本實(shí)施方式中，使用兼具光反射性和導(dǎo)電性的、例如Al (鋁)、Ag(銀)等金屬、或者這些金屬的合金來形成電源線14。另外，電源線14形成為除了與發(fā)光像素20B、20G、20R的接觸部31Bc、31Gc、31Rc(參照?qǐng)D3)重疊的部分以外，與像素電極31B、31G、31R對(duì)置，且構(gòu)成遍及顯示區(qū)域E的平面。電源線14的與像素電極31B、31G、31R對(duì)置的部分作為反射層發(fā)揮作用。
[0104]此外，也可以為利用具有導(dǎo)電性的材料形成電源線14，在電源線14與像素電極31B、31G、31R之間設(shè)置反射層的結(jié)構(gòu)。
[0105]這里，參照?qǐng)D5，對(duì)發(fā)光像素20 (發(fā)光像素20G)中的Y方向的剖面構(gòu)造進(jìn)行說明。如圖5所示，在基體材料1s上設(shè)置有第二晶體管22與第三晶體管23共用的阱部10w。在該阱部1w設(shè)置有3個(gè)離子注入部10d。3個(gè)離子注入部1d中位于中央側(cè)的離子注入部1d作為第二晶體管22與第三晶體管23共用的漏極22d (23d)發(fā)揮作用。設(shè)置覆蓋該阱部1w的絕緣膜10a。然后，以覆蓋絕緣膜1a的方式，例如形成多晶硅等的導(dǎo)電膜，將該導(dǎo)電膜圖案化，從而在絕緣膜1a上形成第二晶體管22的柵極電極22g以及第三晶體管23的柵極電極23g。柵極電極22g、23g被配置成與中央側(cè)的離子注入部1d和端側(cè)的離子注入部1d之間的阱部1w中的作為溝道發(fā)揮作用的部分對(duì)置。
[0106]接下來，第二晶體管22的柵極電極22g通過貫通第一層間絕緣膜15和第二層間絕緣膜16的接觸孔，與設(shè)置在第二層間絕緣膜16上的存儲(chǔ)電容24的一方的電極24a連接。第二晶體管22的源極電極22s通過貫通第二層間絕緣膜16以及第三層間絕緣膜17的接觸孔，與設(shè)置在第三層間絕緣膜17上的電源線14連接。
[0107]第三晶體管23的柵極電極23g通過貫通第一層間絕緣膜15的接觸孔，與設(shè)置在第一層間絕緣膜15上的點(diǎn)亮控制線13連接。在第一層間絕緣膜15上除了設(shè)置有點(diǎn)亮控制線13以外，還設(shè)置有掃描線11。掃描線11經(jīng)由圖5中未圖示的接觸孔與第一晶體管21的柵極連接。
[0108]第三晶體管23的源極電極23s通過貫通第二層間絕緣膜16以及第三層間絕緣膜17、還有絕緣層28的接觸孔，與設(shè)置在絕緣層28 (第三絕緣層27)上的布線106連接。布線106是與發(fā)光像素20G的接觸部3IGc對(duì)應(yīng)地設(shè)置的，布線106與像素電極3IG在該接觸部31Gc中相接，從而實(shí)現(xiàn)電連接。
[0109]與發(fā)光像素20G相同，經(jīng)由接觸部31Bc、接觸部31Rc進(jìn)行各個(gè)發(fā)光像素20B、20R的像素電極31B、31R與對(duì)應(yīng)的第三晶體管23的源極電極23s電連接(參照?qǐng)D3)。
[0110]有機(jī)EL元件30設(shè)置在作為反射層發(fā)揮作用的電源線14上。另外，能夠按照各發(fā)光像素20B、20G、20R取出不同的共振波長(zhǎng)的光的光共振構(gòu)造構(gòu)建在電源線14上。電源線14以俯視時(shí)遍及設(shè)置有發(fā)光像素20B、20G、20R的顯示區(qū)域E地覆蓋第三層間絕緣膜17的表面的方式形成。另外，將電源線14的除了用于設(shè)置上述接觸部31Bc、31Gc、31Rc的部分以外的部分圖案化，上述接觸部31Bc、31Gc、31Rc用于實(shí)現(xiàn)像素電極31B、31G、31R和對(duì)應(yīng)的第三晶體管23的電連接。因此，成為由設(shè)置在比電源線14靠下層的像素電路的結(jié)構(gòu)引起的凹凸不易給設(shè)置比電源線14靠上層的光共振構(gòu)造帶來影響的構(gòu)造。
[0111]設(shè)置在比電源線14靠上層的光共振構(gòu)造相當(dāng)于本發(fā)明的特征部分，所以以下，作為本實(shí)施方式的電光裝置的制造方法，參照?qǐng)D6、圖7具體地進(jìn)行說明。圖6是表示第一實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的流程圖，圖7(a)?圖7(f)是表示第一實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的示意剖視圖。此外，圖7相當(dāng)于圖4中的發(fā)光像素20B、20G、20R的X方向的示意剖視圖，省略基體材料1s中的設(shè)置在比電源線14靠下層的像素電路、布線的圖示。
[0112]電光裝置的制造方法
[0113]如圖6所示，作為本實(shí)施方式的電光裝置的有機(jī)EL裝置100的制造方法包括第一絕緣層的形成工序(步驟SI)、第二絕緣層的形成工序(步驟S2)、第三絕緣層的形成工序(步驟S3)、第二開口的形成工序(步驟S4)、第一開口的形成工序(步驟S5)、像素電極的形成工序(步驟S6)、第四絕緣層的形成工序(步驟S7)、功能層的形成工序(步驟S8)、對(duì)置電極的形成工序(步驟S9)。
[0114]在圖6的步驟SI?步驟S3中，如圖7(a)所示，以覆蓋電源線14的方式形成第一絕緣層25。接著，在第一絕緣層25上層疊形成第二絕緣層26、第三絕緣層27。在本實(shí)施方式中，作為形成第一絕緣層25的絕緣材料使用氮化硅(SiN)。作為形成第二絕緣層26、第三絕緣層27的絕緣材料使用氧化硅(S12)。像這樣使用不同的絕緣材料是為了在之后進(jìn)行的第二絕緣層26以及第三絕緣層27的圖案化中，使第一絕緣層25具有蝕刻選擇比。將層疊的第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27統(tǒng)稱為絕緣層28。然后，進(jìn)入步驟54。
[0115]接下來，在圖6的步驟S4中，如圖7(b)所示，形成覆蓋絕緣層28的光敏抗蝕劑(光刻膠)層，通過曝光、顯影形成抗蝕劑圖案81。在抗蝕劑圖案81上形成與第二開口27a(參照?qǐng)D7(c))對(duì)應(yīng)的開口 81a。然后，對(duì)在開口 81a露出的第三絕緣層27進(jìn)行部分蝕亥IJ，如圖3以及圖7(c)所示，俯視時(shí)，形成用于以后配置發(fā)光像素20B的像素電極31B和發(fā)光像素20G的像素電極31G的第二開口 27a。作為使用氧化硅形成的第三絕緣層27的蝕刻方法，優(yōu)選使用例如利用了 CF4X2F8等的包含氟的處理氣體的干式蝕刻法。然后，進(jìn)入步驟55。
[0116]在圖6的步驟S5中，如圖7(d)所示，形成覆蓋絕緣層28的光敏抗蝕劑層，通過曝光、顯影形成抗蝕劑圖案82。在抗蝕劑圖案82中形成與第一開口 26a對(duì)應(yīng)的開口 82a。以開口 82a的一端處于與第三絕緣層27的第二開口 27a的一端相同的位置，且以使在第二開口 27a內(nèi)露出的第二絕緣層26的面積中的大致一半露出的方式覆蓋第二開口 27a的方式形成抗蝕劑圖案82。并且，對(duì)在第二開口 27a內(nèi)露出的第二絕緣層26進(jìn)行部分蝕刻，如圖3以及圖7(e)所示，俯視時(shí)，在第二開口 27a內(nèi)形成用于之后配置發(fā)光像素20B的像素電極31B的第一開口 26a。與第三絕緣層27相同，第二絕緣層26的蝕刻也使用干式蝕刻法。然后，進(jìn)入步驟S6。
[0117]在圖6的步驟S6中，如圖7(f)所示，形成覆蓋第一開口 26a以及第二開口 27a，并且覆蓋第三絕緣層27的透明導(dǎo)電膜，并將其圖案化，從而在第一開口 26a內(nèi)形成像素電極31B，在第二開口 27a內(nèi)形成像素電極31G，在第三絕緣層27上形成像素電極31R。透明導(dǎo)電膜例如是ITO(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)膜、IZO(Indium Zinc Oxide:氧化銦鋅)膜。像素電極31B、31G、31R的膜厚約為lOOnm。由此，在電源線14與像素電極31B之間存在第一絕緣層25，在電源線14與像素電極31G之間存在第一絕緣層25和第二絕緣層26，在電源線14與像素電極31R之間存在第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27。以下，與配置在電源線14與像素電極31之間的絕緣層的層數(shù)無關(guān)，將其稱為絕緣層28。若將第一絕緣層25的平均膜厚設(shè)為dl，將第二絕緣層26的平均膜厚設(shè)為d2，將第三絕緣層27的平均膜厚設(shè)為d3，則像素電極31B與像素電極31G之間的絕緣層28的膜厚為dl加上d2得出的d4。另外，像素電極3IG與像素電極3IR之間的絕緣層28的膜厚為dl加上d2和d3得出的d5。換言之，在X方向上的像素電極3IB與像素電極3IG之間產(chǎn)生與d2相當(dāng)?shù)碾A梯差。另外，在X方向上的像素電極31G與像素電極31R之間產(chǎn)生與d3相當(dāng)?shù)碾A梯差。然后，進(jìn)入步驟S7。
[0118]在圖6的步驟S7中，形成覆蓋像素電極31B、31G、31R的第四絕緣層29。例如使用氧化硅(S12)來形成第四絕緣層29。然后，為了規(guī)定之后形成的功能層32和各像素電極31B、31G、31R接觸的區(qū)域，對(duì)第四絕緣層29進(jìn)行部分蝕刻，形成在像素電極31B、31G、31R上開口的開口 29B、29G、29R(參照?qǐng)D3以及圖4)。第四絕緣層29的膜厚約為60nm。與第三絕緣層27相同，第四絕緣層29的蝕刻也優(yōu)選使用干式蝕刻法。然后，進(jìn)入步驟S8。
[0119]在圖6的步驟S8中，以遍及配置有像素電極31B、31G、31R的顯示區(qū)域E，填充上述開口 29B、29G、29R的方式形成功能層32 (參照?qǐng)D4)。
[0120]功能層32包含作為發(fā)光材料使用有機(jī)半導(dǎo)體材料的發(fā)光層，例如包含從像素電極31側(cè)依次層疊的空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層等而構(gòu)成。并不對(duì)功能層32的結(jié)構(gòu)進(jìn)行特別限定，能夠應(yīng)用公知的結(jié)構(gòu)。例如，功能層32也可以是包含能夠得到B (藍(lán))、G (綠)、R (紅)的各種發(fā)光顏色的發(fā)光層而實(shí)現(xiàn)白色發(fā)光的功能層、包含能夠得到B(藍(lán))和橙的發(fā)光顏色的發(fā)光層而實(shí)現(xiàn)偽白色的功能層。另外，以改善發(fā)光效率等為目的，也可以為包含有助于或妨礙向發(fā)光層注入的作為載流子的空穴、電子的移動(dòng)的中間層的結(jié)構(gòu)。
[0121]不對(duì)構(gòu)成功能層32的各層的形成方法進(jìn)行特別限定，例如，能夠使用真空蒸鍍法等氣相工藝、噴墨法等液相工藝?；蛘咭部梢允箽庀喙に嚭鸵合喙に囯p方組合來形成功能層32。然后，進(jìn)入步驟S9。
[0122]在圖6的步驟S9中，以至少橫跨顯示區(qū)域E覆蓋功能層32的方式形成作為共用的陰極的對(duì)置電極33。在本實(shí)施方式中，例如使用包含Ag的合金(MgAg等)，并控制膜厚地形成對(duì)置電極33，以使其具有光反射性和透光性?？紤]到由水分、熱量等引起的功能層32的損傷，優(yōu)選使用真空蒸鍍法等氣相工藝來形成對(duì)置電極33。由此，按照各發(fā)光像素20B、20G、20R形成有機(jī)EL元件30 (參照?qǐng)D4)。
[0123]接下來，形成覆蓋形成于顯示區(qū)域E的多個(gè)有機(jī)EL元件30的密封層40。在本實(shí)施方式中，密封層40由覆蓋對(duì)置電極33的表面的第一密封膜41、緩沖層42、以及覆蓋緩沖層42的第二密封膜43構(gòu)成。
[0124]使用水分、氧氣等氣體不易透過(氣體阻隔性)，并且獲得透明性的、例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鈦等金屬氧化物等無機(jī)化合物來形成第一密封膜41。作為形成方法，優(yōu)選使用能夠在低溫下形成致密的膜的氣相工藝，例如，能夠列舉等離子體CVD法、ECR等離子體濺射法等高密度等離子體成膜法、真空蒸鍍法、離子鍍法。第一密封膜41的膜厚約為 200nm ?400nm。
[0125]第一密封膜41的表面受到設(shè)置在下層的有機(jī)EL元件30等構(gòu)造體的影響而產(chǎn)生凹凸。在本實(shí)施方式中，為了防止由該凹凸、異物的附著等引起的第二密封膜43的密封功能的降低，形成緩沖層42，該緩沖層至少覆蓋第一密封膜41的表面中的顯示區(qū)域E，至少緩和顯示區(qū)域E中的該凹凸，使其平坦化。
[0126]緩沖層42例如是使用使具有透明性的有機(jī)樹脂溶解于溶劑形成的溶液，通過印刷法、旋涂法涂覆該溶液后進(jìn)行干燥而形成的有機(jī)樹脂層。作為有機(jī)樹脂，能夠列舉環(huán)氧樹脂等。由于緩和第一密封膜41的表面的該凹凸，或覆蓋附著于第一密封膜41的異物而使其平坦化，所以優(yōu)選其膜厚為I μ m?5 μ m，在本實(shí)施方式中，使用環(huán)氧樹脂形成了膜厚約為3 μ m的緩沖層42。優(yōu)選以俯視時(shí)至少覆蓋功能層32的方式，并且以覆蓋對(duì)置電極33的方式形成緩沖層42。通過以至少覆蓋功能層32的方式形成緩沖層42，能夠緩和功能層32的端部的凹凸。此外，緩沖層42也可以形成為除了覆蓋顯示區(qū)域E以外，還覆蓋周邊電路(數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及一對(duì)掃描線驅(qū)動(dòng)電路102)的顯示區(qū)域E側(cè)的至少一部分(參照?qǐng)D1)。
[0127]接下來，形成覆蓋緩沖層42的第二密封膜43。與第一密封膜41相同，使用兼具透明性和氣體阻隔性，且耐水性、耐熱性優(yōu)良的無機(jī)化合物來形成第二密封膜43。作為無機(jī)化合物，列舉氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。能夠使用與第一密封膜41相同的方法來形成第二密封膜43。為了在成膜時(shí)不產(chǎn)生裂縫，優(yōu)選在200nm?700nm的范圍內(nèi)成膜第二密封膜43的膜厚，更為優(yōu)選在300nm?400nm的范圍內(nèi)成膜。由此，至少在顯示區(qū)域E形成了第一密封膜41和第二密封膜43隔著緩沖層42層疊而成的密封層40 (參照?qǐng)D4以及圖5)。若以覆蓋對(duì)置電極33的方式形成密封層40中的緩沖層42，則能夠利用第一密封膜41和直接層疊在緩沖層42上的第二密封膜43，來覆蓋對(duì)置電極33的端部。
[0128]在周邊電路(數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101以及一對(duì)掃描線驅(qū)動(dòng)電路102)和元件基板10的端面之間的區(qū)域，第一密封膜41與第二密封膜43相接層疊。在元件基板10的第一邊部側(cè)設(shè)置有貫通第一密封膜41、第二密封膜43的開口，外部連接用端子103位于開口內(nèi)(參照?qǐng)D1)。
[0129]接下來，如圖4以及圖5所示，在密封層40上形成彩色濾光片50。彩色濾光片50具有與發(fā)光像素20B、20G、20R對(duì)應(yīng)的濾光片層50B、50G、50R。通過對(duì)感光性樹脂層進(jìn)行曝光、顯影來形成濾光片層50B、50G、50R，其中，感光性樹脂層例如是通過涂覆包含染料、顏料等顏色材料溶解或者分散形成的感光性樹脂材料的溶液后進(jìn)行干燥而得到的。因此，在形成3種顏色的濾光片層50B、50G、50R的情況下，至少進(jìn)行3次曝光、顯影。圖4示出濾光片層50B、50G、50R的膜厚相同，但實(shí)際上，為了在來自有機(jī)EL元件30的發(fā)光透過各濾光片層50B、50G、50R時(shí)，得到適當(dāng)?shù)纳?、白平衡等光學(xué)特性，在1.0 μ m?2.0 μ m的范圍內(nèi)分別調(diào)整濾光片層50B、50G、50R的膜厚。
[0130]另外，以俯視時(shí)分別與對(duì)應(yīng)的像素電極31B、31G、31R重合的方式對(duì)濾光片層50B、50G、50R進(jìn)行曝光、顯影。并且，也可以以相鄰的濾光片層的邊界位于像素電極間，另一方的濾光片層的一部分與一方的濾光片層重疊的方式進(jìn)行曝光、顯影。
[0131]包含形成在基體材料1s上的像素電路、有機(jī)EL元件30、密封層40、彩色濾光片50的元件基板10經(jīng)由兼具粘合性和透明性的樹脂層60與密封基板70貼合(參照?qǐng)D4以及圖5)。樹脂層60例如能夠使用熱固化型、光固化型的環(huán)氧樹脂材料等。在將該樹脂材料涂覆到元件基板10上后，將密封基板70按壓于元件基板10，在使該樹脂材料擴(kuò)展到規(guī)定的范圍后使其固化。由此，完成有機(jī)EL裝置100。
[0132]在本實(shí)施方式中，成為使從有機(jī)EL元件30發(fā)出的光透過彩色濾光片50，從而按照各發(fā)光像素20B、20G、20R得到所希望的發(fā)光顏色的結(jié)構(gòu)。此外，按照各發(fā)光像素20B、20G、20R，在作為反射層發(fā)揮作用的電源線14與對(duì)置電極33之間構(gòu)建光共振構(gòu)造，得到在與B、G、R的各發(fā)光顏色對(duì)應(yīng)的共振波長(zhǎng)中增強(qiáng)了亮度(灰度)的發(fā)光。
[0133]各發(fā)光像素20B、20G、20R的共振波長(zhǎng)由作為反射層的電源線14與對(duì)置電極33之間的光學(xué)的距離(也稱為光路長(zhǎng))決定。
[0134]具體而言，若將從反射層到對(duì)置電極33的光學(xué)距離設(shè)為D、將在反射層處的反射中的相位偏移設(shè)為Φ?、將在對(duì)置電極33處的反射中的相位偏移設(shè)為Φυ、將駐波的峰值波長(zhǎng)設(shè)為λ、將整數(shù)設(shè)為m，則光學(xué)距離D滿足下述的公式(I)。
[0135]D = {(2 π m+Φ L+Φυ)/4 π }入…⑴
[0136]發(fā)光像素20B、20G、20R的光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離D按照B、G、R的順序增大，通過使配置在電源線14與像素電極31之間的絕緣層28的膜厚不同對(duì)其進(jìn)行調(diào)整。具體而言，在電源線14與像素電極31B之間存在第一絕緣層25，在電源線14與像素電極31G之間存在第一絕緣層25以及第二絕緣層26，在電源線14與像素電極31R之間存在絕緣層28 (第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27)，從而該光學(xué)距離D根據(jù)各發(fā)光像素20B、20G、20R而不同。能夠以光透過的絕緣層28的膜厚(t)與折射率(η)的積表示絕緣層28的光學(xué)距離。
[0137]例如，將發(fā)光像素20Β中的灰度的峰值波長(zhǎng)(共振波長(zhǎng))設(shè)定為470nm。同樣地，將發(fā)光像素20G中的灰度的峰值波長(zhǎng)(共振波長(zhǎng))設(shè)定為540nm，將發(fā)光像素20R中的灰度的峰值波長(zhǎng)(共振波長(zhǎng))設(shè)定為610nm。
[0138]為了實(shí)現(xiàn)上述峰值波長(zhǎng)，例如若如上所述那樣，將由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極31B、31G、31R的膜厚大約設(shè)為lOOnm，將功能層32的膜厚大約設(shè)為llOnm，在上述公式(I)中，設(shè)為m= 1，計(jì)算出反射層與對(duì)置電極33之間的絕緣層28的膜厚，則在發(fā)光像素20B中得到50nm的值，在發(fā)光像素20G中得到115nm的值，在發(fā)光像素20R中得到170nm的值。因此，能夠?qū)⒂傻?SiN)構(gòu)成的第一絕緣層25的膜厚的范圍設(shè)為40nm?lOOnm，將由氧化硅(S12)構(gòu)成的第二絕緣層26的膜厚的范圍設(shè)為40nm?50nm，將由氧化硅(S12)構(gòu)成的第三絕緣層27的膜厚的范圍設(shè)為40nm?70nm。
[0139]此外，為了高精度地實(shí)現(xiàn)上述峰值波長(zhǎng)，鑒于構(gòu)成絕緣層28的第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27的折射率、像素電極31以及功能層32的膜厚以及折射率、作為反射層的電源線14以及對(duì)置電極33的膜厚及折射率以及消光系數(shù)，來設(shè)定用于按照各發(fā)光像素20調(diào)整光學(xué)距離D的絕緣層28的膜厚。另外，光透過的層的折射率取決于透過的光的波長(zhǎng)。
[0140]上述第一實(shí)施方式的效果如以下所述。
[0141](I)在作為發(fā)光像素20B的反射層發(fā)揮作用的電源線14和像素電極31B之間配置有第一絕緣層25。在發(fā)光像素20G的電源線14與像素電極31G之間配置有第一絕緣層25以及第二絕緣層26。在發(fā)光像素20R的電源線14與像素電極31R之間配置有第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27。根據(jù)這樣的光共振構(gòu)造，在形成第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27時(shí)，只要將它們的膜厚控制在規(guī)定的范圍內(nèi)，就能夠從各個(gè)有機(jī)EL元件30B、30G、30R獲取所希望的峰值波長(zhǎng)的光。即，與分階段地蝕刻透光膜來構(gòu)成或者形成按照各發(fā)光像素使光學(xué)距離不同的光學(xué)距離調(diào)整層的情況相比，能夠高精度地調(diào)整各發(fā)光像素20B、20G、20R的光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離，能夠提供或者制造具備分別具有所希望的光學(xué)特性的發(fā)光像素20B、20G、20R的有機(jī)EL裝置100。
[0142](2)像素電極31B被配置在從形成于第二絕緣層26的第一開口 26a露出的第一絕緣層25上。在X方向與像素電極31B相鄰的像素電極31G被配置在從形成于第三絕緣層27的第二開口 27a露出的第二絕緣層26上。另外，在X方向與像素電極31G相鄰的像素電極31R被配置在第三絕緣層27上。遍及發(fā)光像素20B、20G、20R共用地形成第一絕緣層25，遍及發(fā)光像素20G、20R共用地形成第二絕緣層26。因此，在X方向相鄰的像素電極31B與像素電極31G之間的階梯差相當(dāng)于第二絕緣層26的平均膜厚d2。另外，在X方向相鄰的像素電極31G與像素電極31R之間的階梯差相當(dāng)于第三絕緣層27的平均膜厚d3。因此，與按照各發(fā)光像素在反射層與像素電極之間將膜厚不同的絕緣層配置成島狀的情況相t匕，能夠減小在像素電極間產(chǎn)生的階梯差。因此，以橫跨該階梯差的方式形成的功能層32、對(duì)置電極33、密封層40不易受到該階梯差的影響。換句話說，能夠防止橫跨該階梯差的對(duì)置電極33、布線等的斷線。另外，能夠提高覆蓋對(duì)置電極33的第一密封膜41的密封性能。另外，例如，若使第二絕緣層26與第三絕緣層27的平均膜厚幾乎相同，則能夠減小像素電極間的階梯差的偏差。
[0143]第二實(shí)施方式
[0144]接下來，參照?qǐng)D8?圖10對(duì)作為第二實(shí)施方式的電光裝置的有機(jī)EL裝置進(jìn)行說明。圖8是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖9是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光像素的X方向的構(gòu)造的示意剖視圖，圖10是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的發(fā)光像素的Y方向的構(gòu)造的示意剖視圖。作為第二實(shí)施方式的電光裝置的有機(jī)EL裝置是相對(duì)于上述第一實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置100使發(fā)光像素20B、20G、20R中的光共振構(gòu)造不同的裝置。因此，對(duì)于與有機(jī)EL裝置100相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略詳細(xì)的說明。另外，圖9是與第一實(shí)施方式中的圖4對(duì)應(yīng)的示意剖視圖，圖10是與第一實(shí)施方式中的圖5對(duì)應(yīng)的示意剖視圖。
[0145]如圖8所不,與第一實(shí)施方式相同，本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置200中的各個(gè)發(fā)光像素20B、20G、20R在俯視時(shí)為矩形，沿著Y方向配置長(zhǎng)邊方向。與發(fā)光像素20B、20G、20R對(duì)應(yīng)地設(shè)置有有機(jī)EL元件30B、30G、30R。
[0146]發(fā)光像素20B、20G、20R的各像素電極31B、31G、31R也在俯視時(shí)呈大致矩形，在長(zhǎng)邊方向的上方側(cè)配置有用于實(shí)現(xiàn)各個(gè)像素電極31B、31G、31R與第三晶體管23電連接的接觸部 31Bc、31Gc、31Rc。
[0147]后面進(jìn)行詳細(xì)敘述，但與在X方向相鄰的像素電極31B和像素電極31G對(duì)應(yīng)的第一開口 26b被設(shè)置在第二絕緣層26上。另外，與像素電極31B對(duì)應(yīng)的第二開口 27b被設(shè)置在第三絕緣層27上。
[0148]此外，各個(gè)發(fā)光像素20B、20G、20R具有絕緣構(gòu)造，該絕緣構(gòu)造使相鄰的像素電極31彼此電絕緣，并且在像素電極31B、31G、31R上形成用于規(guī)定與功能層32接觸的區(qū)域的開口 29B、29G、29R。
[0149]接下來，參照?qǐng)D9以及圖10，對(duì)本實(shí)施方式中的發(fā)光像素20B、20G、20R的構(gòu)造進(jìn)行說明。此外，由于元件基板10的比電源線14靠下層的像素電路的構(gòu)造與第一實(shí)施方式相同，所以對(duì)與第一實(shí)施方式不同的比電源線14靠上層的光共振構(gòu)造進(jìn)行說明。
[0150]如圖9所示，以覆蓋電源線14的方式形成第一絕緣層25。遍及發(fā)光像素20B、20G、20R共用地形成第一絕緣層25。
[0151]在第一絕緣層25上層疊有第二絕緣層26。在第二絕緣層26上形成有與在X方向相鄰的像素電極31B和像素電極31G對(duì)應(yīng)的第一開口 26b。像素電極31B在第一開口 26b中形成在第一絕緣層25上。
[0152]在第二絕緣層26上層疊有第三絕緣層27。詳細(xì)而言，第三絕緣層27以填充第一開口 26b的大致一半的方式層疊在第二絕緣層26上。由此，在第三絕緣層27上形成與像素電極31B對(duì)應(yīng)的第二開口 27b。像素電極31G在第一開口 26b中形成在第三絕緣層27上。另外，像素電極31R形成在覆蓋第二絕緣層26的第三絕緣層27上。換言之，與在X方向相鄰的像素電極3IG和像素電極3IR對(duì)應(yīng)地形成第三絕緣層27。
[0153]以覆蓋各像素電極31B、31G、31R的外緣的方式形成第四絕緣層29。由此，像素電極31B、31G、31R成為相互絕緣狀態(tài)，在各個(gè)像素電極31B、31G、31R上形成開口 29B、29G、29R。
[0154]與各像素電極31B、31G、31R接觸，且在發(fā)光像素20B、20G、20R中共用地形成功能層32。以覆蓋功能層32的方式形成對(duì)置電極33。以覆蓋對(duì)置電極33的方式形成第一密封膜41。以至少遍及顯示區(qū)域E覆蓋第一密封膜41的方式形成緩沖層42。以覆蓋緩沖層42的方式形成第二密封膜43。另外，在圖9中省略圖示，但第二密封膜43覆蓋沒有被緩沖層42覆蓋的第一密封膜41的部分。
[0155]在通過緩沖層42進(jìn)行平坦化后的第二密封膜43上，換句話說在密封層40上形成有與發(fā)光像素20B、20G、20R對(duì)應(yīng)的濾光片層50B、50G、50R (彩色濾光片50)。
[0156]接下來，參照?qǐng)D10，對(duì)發(fā)光像素20 (發(fā)光像素20G)的Y方向的光共振構(gòu)造進(jìn)行說明。如圖10所示，在Y方向相鄰的像素電極31G形成在填充第二絕緣層26的第一開口 26b的第三絕緣層27上。另外，像素電極31G以和與第三晶體管23的源極電極23s電連接的接觸孔107接觸的方式形成在第三絕緣層27上。接觸孔107是貫通絕緣層28 (第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27)而形成的，接觸孔107與像素電極31G接觸的部分是接觸部31Gc。其他的發(fā)光像素20B、20R中的像素電極31B、31R和對(duì)應(yīng)的第三晶體管23的源極電極23s的電連接是通過與發(fā)光像素20G的接觸部31Gc相同的構(gòu)造的接觸部31Bc、31Rc來實(shí)現(xiàn)的。
[0157]包括形成在基體材料1s上的像素電路、包括光共振構(gòu)造的有機(jī)EL元件30、密封層40、彩色濾光片50的元件基板10經(jīng)由樹脂層60與密封基板70貼合。換句話說，有機(jī)EL裝置200也是頂部發(fā)光型的發(fā)光裝置。
[0158]電光裝置的制造方法
[0159]接下來，參照?qǐng)D11以及圖12對(duì)作為本實(shí)施方式的電光裝置的制造方法的有機(jī)EL裝置200的制造方法進(jìn)行說明。圖11是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的流程圖，圖12(a)?圖12(f)是表示第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的制造方法的示意剖視圖。
[0160]如圖11所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置200的制造方法包含第一絕緣層的形成工序(步驟Sll)、第二絕緣層的形成工序(步驟S12)、第一開口的形成工序(步驟S13)、第三絕緣層的形成工序(步驟S14)、第二開口的形成工序(步驟S15)、像素電極的形成工序(步驟S16)、第四絕緣層的形成工序(步驟S17)、功能層的形成工序(步驟S18)、以及對(duì)置電極的形成工序(步驟S19)。
[0161]在圖11的步驟Sll?步驟S12中，如圖12(a)所示，以覆蓋電源線14的方式形成第一絕緣層25。接著,在第一絕緣層25上層疊形成第二絕緣層26。在本實(shí)施方式中，作為形成第一絕緣層25的絕緣材料使用氮化硅(SiN)。作為形成第二絕緣層26的絕緣材料使用氧化硅(S12)。像這樣使用不同的絕緣材料是為了在之后進(jìn)行的第二絕緣層26以及第三絕緣層27的圖案化中，使第一絕緣層25具有蝕刻選擇比。然后，進(jìn)入步驟S13。
[0162]在圖11的步驟S13中，如圖12(b)所示，形成覆蓋第二絕緣層26的光敏抗蝕劑層，并通過曝光-顯影形成抗蝕劑圖案83。在抗蝕劑圖案83中形成與第一開口 26b (參照?qǐng)D12(c))對(duì)應(yīng)的開口 83a。然后，對(duì)在開口 83a露出的第二絕緣層26進(jìn)行部分蝕刻，如圖8以及圖12(c)所示，形成俯視用于以后配置發(fā)光像素20B的像素電極31B和發(fā)光像素20G的像素電極31G的第一開口 26b。作為使用氧化硅形成的第二絕緣層26的蝕刻方法，優(yōu)選使用例如使用了 CF4、C2F8等包含氟的處理氣體的干式蝕刻法。然后，進(jìn)入步驟S14。
[0163]在圖11的步驟S14?步驟S15中，如圖12(d)所示，首先，形成對(duì)形成在第二絕緣層26上的第一開口 26b進(jìn)行填充，并且覆蓋第二絕緣層26的第三絕緣層27。作為形成第三絕緣層27的絕緣材料使用氧化硅(S12)。然后，形成覆蓋第三絕緣層27的光敏抗蝕劑層，并通過曝光、顯影形成抗蝕劑圖案84。在抗蝕劑圖案84中形成與第二開口 27b(參照?qǐng)D12(e))對(duì)應(yīng)的開口 84a。以開口 84a的一方端與第二絕緣層26的第一開口 26b的一方端處于相同的位置，且以使填充第一開口 26b的第三絕緣層27的面積中的、大致一半露出的方式覆蓋第三絕緣層27的方式來形成抗蝕劑圖案84。并且，對(duì)在開口 84a內(nèi)露出的第三絕緣層27進(jìn)行部分蝕刻，如圖8以及圖12(e)所示，俯視時(shí)在第一開口 26b內(nèi)形成用于以后配置發(fā)光像素20B的像素電極3IB的第二開口 27b。與第二絕緣層26相同，第三絕緣層27的蝕刻也使用干式蝕刻法。然后，進(jìn)入步驟S16。
[0164]在圖11的步驟S16中，形成覆蓋第二開口 27b，并且覆蓋第三絕緣層27的透明導(dǎo)電膜，并將其圖案化，如圖12(f)所示，在第二開口 27b內(nèi)形成像素電極31B，在填充第一開口 26b的第三絕緣層27上形成像素電極31G。另外同時(shí)，在覆蓋第二絕緣層26的第三絕緣層27上形成像素電極31R。透明導(dǎo)電膜例如是ITOdndium Tin Oxide)膜、IZO(IndiumZinc Oxide)膜。像素電極31B、31G、31R的膜厚約為lOOnm。由此，在電源線14與像素電極31B之間存在第一絕緣層25，在電源線14與像素電極31G之間存在第一絕緣層25和第三絕緣層27，在電源線14和像素電極31R之間存在第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27。若將第一絕緣層25的平均膜厚設(shè)為dl，將第二絕緣層26的平均膜厚設(shè)為d2，將第三絕緣層27的平均膜厚設(shè)為d3，則在X方向相鄰的像素電極3IB與像素電極31G之間的絕緣層28的膜厚為dl加上d3所得的d4。另外，在X方向相鄰的像素電極31G與像素電極31R之間的絕緣層28的膜厚為dl加上d2和d3所得的d5。換言之，在X方向的像素電極3IB與像素電極3IG之間產(chǎn)生與d3相當(dāng)?shù)碾A梯差。另外，在X方向的像素電極3IG與像素電極31R之間產(chǎn)生與d2相當(dāng)?shù)碾A梯差。
[0165]上述第二實(shí)施方式的效果如以下所述。
[0166](I)在作為發(fā)光像素20B的反射層發(fā)揮作用的電源線14與像素電極31B之間配置有第一絕緣層25。在發(fā)光像素20G的電源線14與像素電極31G之間配置有第一絕緣層25以及第三絕緣層27。在發(fā)光像素20R的電源線14與像素電極31R之間配置有第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27。根據(jù)這樣的光共振構(gòu)造，在形成第一絕緣層25、第二絕緣層26、第三絕緣層27時(shí)，只要將它們的膜厚控制在規(guī)定的范圍內(nèi)，就能夠從各個(gè)有機(jī)EL元件30B、30G、30R取出所希望的峰值波長(zhǎng)的光。即，與分階段地蝕刻透光膜來構(gòu)成或者形成按照各發(fā)光像素使光學(xué)距離不同的光學(xué)距離調(diào)整層的情況相比，能夠高精度地調(diào)整各發(fā)光像素20B、20G、20R的光共振構(gòu)造中的光學(xué)距離，能夠提供或者制造具備分別具有所希望的光學(xué)特性的發(fā)光像素20B、20G、20R的有機(jī)EL裝置200。
[0167](2)像素電極31B配置在從形成于第二絕緣層26的第一開口 26b露出的第一絕緣層25上。在X方向與像素電極31B相鄰的像素電極31G配置在填充了第一開口 26b的第三絕緣層27上。另外，在X方向與像素電極31G相鄰的像素電極31R配置在層疊于第二絕緣層26的第三絕緣層27上。遍及發(fā)光像素20B、20G、20R共用地形成第一絕緣層25，與發(fā)光像素20R對(duì)應(yīng)地形成第二絕緣層26。與像素電極31G和像素電極31R對(duì)應(yīng)地形成第三絕緣層27。因此，在X方向相鄰的像素電極31B與像素電極31G之間的階梯差相當(dāng)于第三絕緣層27的平均膜厚d3。另外，在X方向相鄰的像素電極31G與像素電極31R之間的階梯差相當(dāng)于第二絕緣層26的平均膜厚d2。因此，與按照各發(fā)光像素在反射層與像素電極之間將膜厚不同的絕緣層配置成島狀的情況相比，能夠減小在像素電極間產(chǎn)生的階梯差。因此，以橫跨該階梯差的方式形成的功能層32、對(duì)置電極33、密封層40不易受到該階梯差的影響。換句話說，能夠防止橫跨該階梯差的對(duì)置電極33、布線等的斷線。另外，能夠提高覆蓋對(duì)置電極33的第一密封膜41的密封性能。另外，例如若使第二絕緣層26與第三絕緣層27的平均膜厚大致相同，則能夠減小像素電極間的階梯差的偏差。
[0168]第三實(shí)施方式
[0169]接下來，參照?qǐng)D13對(duì)作為第三實(shí)施方式的電子設(shè)備進(jìn)行說明。圖13是表示作為電子設(shè)備的一個(gè)例子的頭戴式顯示器示意圖。
[0170]如圖13所示，作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備的頭戴式顯示器(HMD) 1000具有與左右眼對(duì)應(yīng)地設(shè)置的2個(gè)顯示部1001。觀察者M(jìn)通過像眼鏡那樣將頭戴式顯示器1000佩戴于頭部，能夠看見顯示于顯示部1001的文字、圖像等。例如，若在左右的顯示部1001顯示考慮了視差的圖像，則也能夠欣賞立體的映像。
[0171]在顯示部1001安裝有作為上述第一實(shí)施方式的自發(fā)光型的顯示裝置的有機(jī)EL裝置100 (或者上述第二實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置200)。因此，能夠提供得到所希望的光學(xué)特性，并具有優(yōu)良的顯示品質(zhì)的輕型的頭戴式顯示器1000。
[0172]頭戴式顯示器1000并不限于觀察者M(jìn)直接觀察顯示部1001的顯示內(nèi)容的結(jié)構(gòu)，也可以為通過反射鏡等間接地觀察顯示內(nèi)容的結(jié)構(gòu)。
[0173]另外，頭戴式顯示器1000并不限于具有2個(gè)顯示部1001，也可以為具備與左右眼的其中一只眼睛對(duì)應(yīng)的一個(gè)顯示部1001的結(jié)構(gòu)。
[0174]此外，安裝上述有機(jī)EL裝置100或者上述有機(jī)EL裝置200的電子設(shè)備并不限于頭戴式顯示器1000。例如列舉抬頭顯示器、數(shù)碼相機(jī)的EVF(電子取景器)、便攜式信息終端、導(dǎo)航器等具有顯示部的電子設(shè)備。另外，并不限于顯示部，也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于照明裝置、曝光裝置。
[0175]本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，在不違背從技術(shù)方案以及說明書整體讀取的發(fā)明的主旨或者思想的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)?shù)刈兏?，伴隨那樣的變更的電光裝置及該電光裝置的制造方法、以及應(yīng)用該電光裝置的電子設(shè)備也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。在上述實(shí)施方式以外也考慮各種變形例。以下，列舉變形例進(jìn)行說明。
[0176]變形例I
[0177]上述有機(jī)EL裝置100中的第三絕緣層27的配置并不局限于此。圖14是表示變形例I的有機(jī)EL裝置中的第三絕緣層的配置的示意俯視圖。例如，如圖14所示，變形例I的有機(jī)EL裝置150具有與像素電極31B對(duì)應(yīng)地設(shè)置于第二絕緣層26的第一開口 26a。在從第一開口 26a露出的第一絕緣層25上配置像素電極31B。在X方向與像素電極31B相鄰的像素電極31G配置在層疊于第一絕緣層25的第二絕緣層26上。另外，在X方向與像素電極31G相鄰的像素電極31R配置在與像素電極31R對(duì)應(yīng)地以島狀配置在第二絕緣層26上的第三絕緣層27上。由此，在像素電極31G的周邊部，特別是在接觸部31Gc的周邊沒有配置第三絕緣層27，所以能夠減少橫跨階梯差的像素電極31G、其他的布線中的電阻上升等。同樣，在發(fā)光像素20R的接觸部31Rc的周邊部也沒有配置第三絕緣層27，所以得到相同的效果。
[0178]變形例2
[0179]上述有機(jī)EL裝置200中的第三絕緣層27的配置并不局限于此。圖15是表示變形例2的有機(jī)EL裝置中的第三絕緣層的配置的示意俯視圖。例如，如圖15所示，變形例2的有機(jī)EL裝置250具有與像素電極31B和像素電極31G對(duì)應(yīng)地設(shè)置于第二絕緣層26的第一開口 26b。在從第一開口 26b露出的第一絕緣層25上配置像素電極31B。在X方向與像素電極31B相鄰的像素電極31G配置在填充第一開口 26b，并且與像素電極31G和像素電極31R對(duì)應(yīng)地配置成島狀的第三絕緣層27上。另外，在X方向與像素電極31G相鄰的像素電極31R配置在配置成上述島狀的第三絕緣層27上。由此，在像素電極31G以及像素電極3IR的周邊部，特別是在接觸部3IGc、3IRc側(cè)沒有配置第三絕緣層27，所以能夠減少橫跨階梯差的像素電極31G、31R、其他的布線中的電阻上升等。另外，能夠使X方向上的像素電極3IG與像素電極31R之間的區(qū)域平坦化。換句話說，能夠減少在X方向上的像素電極3IG與像素電極31R之間產(chǎn)生階梯差。
[0180]變形例3
[0181]在上述有機(jī)EL裝置100或者有機(jī)EL裝置200中，發(fā)光像素20B、20G、20R的結(jié)構(gòu)并不局限于此。例如，并不限于彩色濾光片50形成在元件基板10側(cè)，也可以形成在密封基板70側(cè)。并且，彩色濾光片50不是必需的，也可以為在各發(fā)光像素20B、20G、20R中從有機(jī)EL元件30得到所希望的顏色的發(fā)光的結(jié)構(gòu)。
[0182]附圖標(biāo)記說明
[0183]10…作為基板的元件基板；14…作為反射層的電源線；20B…作為第一像素的發(fā)光像素；20G…作為第二像素的發(fā)光像素；20R…作為第三像素的發(fā)光像素；25…第一絕緣層；26…第二絕緣層；26a、26b…第二絕緣層的第一開口 ；27…第三絕緣層；27a、27b…第三絕緣層的第二開口 ；28…絕緣層；30、30B、30G、30R…有機(jī)EL元件；31B…作為第一像素電極的像素電極；31G…作為第二像素電極的像素電極；31R…作為第三像素電極的像素電極；32…功能層；33…對(duì)置電極；100、150、200、250…作為電光裝置的有機(jī)EL裝置;1000…作為電子設(shè)備的頭戴式顯示器。
【權(quán)利要求】
1.一種電光裝置，其特征在于，具有: 基板； 第一像素，其形成在所述基板上；以及 第二像素，其與所述第一像素相鄰， 所述第一像素包括: 反射層，其具有光反射性； 對(duì)置電極，其具有光反射性以及透光性；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極和包含發(fā)光層的功能層， 所述第二像素包括: 所述反射層； 所述對(duì)置電極；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的所述絕緣層、第二像素電極和所述功能層， 所述絕緣層包括從所述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層， 在所述第二絕緣層設(shè)置有第一開口， 所述第一像素電極在所述第一開口中設(shè)置在所述第一絕緣層上， 在所述第三絕緣層設(shè)置有包含所述第一開口的第二開口， 所述第二像素電極在所述第二開口中與所述第一像素電極相鄰地設(shè)置在所述第二絕緣層上。
2.一種電光裝置，其特征在于，具有: 基板； 第一像素，其形成在所述基板上；以及 第二像素，其與所述第一像素相鄰， 所述第一像素包括: 反射層，其具有光反射性； 對(duì)置電極，其具有光反射性以及透光性；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極和包含發(fā)光層的功能層， 所述第二像素包括: 所述反射層； 所述對(duì)置電極；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的所述絕緣層、第二像素電極和所述功能層， 所述絕緣層包括從所述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層， 在所述第二絕緣層設(shè)置有第一開口， 所述第一像素電極在所述第一開口中設(shè)置在所述第一絕緣層上， 通過所述第三絕緣層覆蓋所述第一開口的一部分，由此在所述第三絕緣層設(shè)置在所述第一像素電極上開口的第二開口， 所述第二像素電極在所述第一開口中設(shè)置在所述第三絕緣層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的電光裝置，其特征在于， 具有與所述第二像素相鄰的第三像素， 所述第三像素包括: 所述反射層； 所述對(duì)置電極；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的所述絕緣層、第三像素電極和所述功能層， 所述第三像素電極設(shè)置在所述第三絕緣層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于， 所述第二像素電極與所述第三像素電極之間的區(qū)域的所述絕緣層的膜厚和所述反射層與所述第二像素電極之間的所述絕緣層的膜厚相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于， 所述第三絕緣層在與所述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置被設(shè)置成島狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于， 所述第二像素電極與所述第三像素電極之間的區(qū)域的所述絕緣層的膜厚和所述反射層與所述第三像素電極之間的所述絕緣層的膜厚相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光裝置，其特征在于， 所述第三絕緣層從與所述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置遍及與所述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置而被設(shè)置成島狀。
8.一種電光裝置的制造方法，其特征在于， 所述電光裝置包括: 基板； 第一像素，其形成在所述基板上；以及 第二像素，其與所述第一像素相鄰， 所述第一像素包括: 反射層，其具有光反射性； 對(duì)置電極，其具有光反射性以及透光性；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極和包含發(fā)光層的功能層， 所述第二像素包括: 所述反射層； 所述對(duì)置電極；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的所述絕緣層、第二像素電極和所述功能層， 所述絕緣層包含從所述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層， 所述制造方法包括: 遍及所述第一像素以及所述第二像素而形成所述第一絕緣層的工序； 形成在與所述第一像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第一開口的所述第二絕緣層的工序；形成覆蓋所述第二絕緣層且在與所述第一像素電極以及所述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第二開口的所述第三絕緣層的工序； 在所述第一開口中在所述第一絕緣層上形成所述第一像素電極，并且在所述第二開口中在所述第二絕緣層上形成所述第二像素電極的工序； 形成與所述第一像素電極和所述第二像素電極相接觸的所述功能層的工序；以及 形成覆蓋所述功能層的所述對(duì)置電極的工序。
9.一種電光裝置的制造方法，其特征在于， 所述電光裝置包括: 基板； 第一像素，其形成在所述基板上；以及 第二像素，其與所述第一像素相鄰， 所述第一像素包括: 反射層，其具有光反射性； 對(duì)置電極，其具有光反射性以及透光性；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的絕緣層、第一像素電極和包含發(fā)光層的功能層， 所述第二像素包括: 所述反射層； 所述對(duì)置電極；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的所述絕緣層、第二像素電極和所述功能層， 所述絕緣層包含從所述反射層側(cè)依次層疊的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層， 所述制造方法包括: 遍及所述第一像素以及所述第二像素而形成所述第一絕緣層的工序； 形成在與所述第一像素電極以及所述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第一開口的所述第二絕緣層的工序； 形成覆蓋所述第二絕緣層且在與所述第一像素電極對(duì)應(yīng)的位置具有第二開口的所述第三絕緣層的工序； 在所述第二開口中在所述第一絕緣層上形成所述第一像素電極，并且在所述第一開口中在所述第二絕緣層上形成所述第二像素電極的工序； 形成與所述第一像素電極和所述第二像素電極相接觸的所述功能層的工序；以及 形成覆蓋所述功能層的所述對(duì)置電極的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或者9所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 還具有與所述第二像素相鄰的第三像素， 所述第三像素包括: 所述反射層； 所述對(duì)置電極；以及 設(shè)置在所述反射層與所述對(duì)置電極之間的所述絕緣層、第三像素電極和所述功能層，在形成所述第一像素電極以及所述第二像素電極的工序中，將所述第三像素電極形成在所述第三絕緣層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第三絕緣層的工序中，在與所述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置將所述第三絕緣層形成為島狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光裝置的制造方法，其特征在于， 在形成所述第三絕緣層的工序中，從與所述第三像素電極對(duì)應(yīng)的位置遍及與所述第二像素電極對(duì)應(yīng)的位置而將所述第三絕緣層形成為島狀。
13.—種電子設(shè)備,其特征在于， 具備權(quán)利要求1?7中任意一項(xiàng)所述的電光裝置。
14.一種電子設(shè)備,其特征在于， 具備使用權(quán)利要求8?12中任意一項(xiàng)所述的電光裝置的制造方法形成的電光裝置。
【文檔編號(hào)】H05B33/04GK104244485SQ201410238832
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月5日
【發(fā)明者】野澤陵一, 腰原健, 佐藤久克 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社