一種基于等離子體發(fā)光強度檢測的射頻離子源保護裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于等離子體發(fā)光強度檢測的射頻離子源保護裝置，包括光纖準直鏡、光纖過真空法蘭、光纖適配器、第一石英光纖、光強比較器和聯(lián)鎖保護電路；所述光纖過真空法蘭由穿過真空法蘭的第二石英光纖構(gòu)成，所述真空法蘭用于使射頻離子源放電腔實現(xiàn)真空密封；所述光纖準直鏡固定在所述第二石英光纖的一端，用于收集射頻離子源放電腔內(nèi)的等離子體發(fā)光，所述第二石英光纖的另一端通過所述光纖適配器連接所述第一石英光纖的一端，所述第一石英光纖的另一端依次連接所述光強比較器和所述聯(lián)鎖保護電路。本發(fā)明根據(jù)光強檢測結(jié)果決定是否采取相應(yīng)的保護措施，增加了安全冗余，提高了系統(tǒng)的可靠性，為射頻離子源提供了一種新的保護手段。
【專利說明】一種基于等離子體發(fā)光強度檢測的射頻離子源保護裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于等離子體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種基于等離子體發(fā)光強度檢測的射頻離子源保護裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前射頻激發(fā)等離子體技術(shù)被廣泛應(yīng)用于離子源領(lǐng)域，射頻功率通過電容耦合或者感應(yīng)耦合方式饋入放電腔，在放電腔內(nèi)部激發(fā)工作氣體，產(chǎn)生等離子體，然后采用直流高壓將帶電粒子引出。由于一般情況下離子源的等效射頻阻抗與射頻功率源的輸出阻抗不相等，因此需要在離子源負載上連接阻抗匹配器，進行阻抗變換，實現(xiàn)離子源負載與射頻功率源的良好阻抗匹配。
[0003]一般而言，射頻離子源在運行過程中先后經(jīng)歷兩個階段，第一個階段是激發(fā)階段，在這個階段中放電腔內(nèi)等離子體從無到有，然后達到穩(wěn)定；第二個階段是穩(wěn)定運行階段，在這個階段放電腔內(nèi)的等離子體濃度基本維持穩(wěn)定。等離子體是導(dǎo)體，其濃度不同會影響射頻離子源放電腔部位的電磁場位形，改變離子源的等效射頻阻抗。在激發(fā)階段，等離子體濃度變化較快，等效阻抗變化也較快，而射頻功率源的輸出阻抗是不變的，這就意味著只有阻抗匹配器的參數(shù)調(diào)節(jié)速度足夠快，才可能在這個動態(tài)過程中始終維持良好的阻抗匹配。
[0004]通常采用的通過機械方式調(diào)節(jié)匹配器元件參數(shù)難以實現(xiàn)這種快速的跟蹤調(diào)節(jié)，目前廣泛采用的方案是:根據(jù)預(yù)估的穩(wěn)定運行階段負載阻抗，在離子源加載功率激發(fā)之前先設(shè)定匹配器元件參數(shù)，在運行過程中不再調(diào)節(jié)匹配器參數(shù)。該方案雖然在激發(fā)過程存在阻抗失配，但因激發(fā)過程通常在毫秒量級，時間較短，從而不致?lián)p害射頻功率源。但是，當離子源系統(tǒng)出現(xiàn)異常導(dǎo)致等離子體激發(fā)不成功時，射頻功率源將長時間處于嚴重的阻抗失配狀態(tài)下，輸出饋線上存在較高的反射功率，如果不能正確、及時地檢測到該運行狀態(tài)并采取保護措施，長時間運行就可能損壞射頻功率源。另外，在不明原因的異常情況下長期運行也可能損害離子源的其它子系統(tǒng)，比如真空、直流引出高壓電源。
[0005]為了避免以上情況的發(fā)生，通常采用定向耦合器實時檢測反射功率大小，一旦反射功率超過保護閾值，立即關(guān)閉射頻功率源。然而，該保護方案缺乏安全冗余，一旦定向耦合器的反射功率檢測、保護出現(xiàn)故障，在高反射功率情況下不能及時關(guān)閉射頻功率源，導(dǎo)致射頻功率源損壞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進需求，本發(fā)明提供了一種基于等離子體發(fā)光強度檢測的射頻離子源保護裝置，有效彌補了基于定向耦合器的檢測與保護系統(tǒng)缺乏安全冗余的不足，實現(xiàn)了對強射頻干擾、直流高壓、低工作氣壓運行條件下射頻離子源不透明放電腔內(nèi)等離子體發(fā)光強度的遠程監(jiān)測，并根據(jù)檢測結(jié)果決定是否采取相應(yīng)的保護措施，增加了安全冗余，增強了系統(tǒng)的可靠性，為射頻離子源提供了一種新的保護手段。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種射頻離子源保護裝置，其特征在于，包括光纖準直鏡、光纖過真空法蘭、光纖適配器、第一石英光纖、光強比較器和聯(lián)鎖保護電路；所述光纖過真空法蘭由穿過真空法蘭的第二石英光纖構(gòu)成，所述真空法蘭用于使射頻離子源放電腔實現(xiàn)真空密封；所述光纖準直鏡固定在所述第二石英光纖的一端，用于收集射頻離子源放電腔內(nèi)的等離子體發(fā)光，所述第二石英光纖的另一端通過所述光纖適配器連接所述第一石英光纖的一端，所述第一石英光纖的另一端依次連接所述光強比較器和所述聯(lián)鎖保護電路；所述光強比較器用于根據(jù)所述光纖準直鏡收集的光信號，判斷等離子體的激發(fā)程度是否達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求，所述聯(lián)鎖保護電路用于在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后，等離子體的激發(fā)程度仍未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，切斷射頻功率源的主供電。
[0008]優(yōu)選地，所述光強比較器包括依次連接的光電轉(zhuǎn)換元件、濾波放大電路和電壓比較電路；所述光電轉(zhuǎn)換元件用于將所述光纖準直鏡收集的光信號轉(zhuǎn)換為電信號，所述濾波放大電路用于將電信號進行濾波并放大，得到與射頻離子源放電腔內(nèi)的等離子體發(fā)光強度對應(yīng)的模擬電壓信號，所述電壓比較電路用于將模擬電壓信號與設(shè)定的電壓閾值比較，在模擬電壓信號低于設(shè)定的電壓閾值時，判定等離子體的激發(fā)程度未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求。
[0009]優(yōu)選地，所述光強比較器為光譜儀；所述光譜儀用于接收所述光纖準直鏡收集的光信號，由此得到發(fā)射光譜譜線，并將譜線的幅值與設(shè)定閾值比較，在譜線的幅值低于設(shè)定閾值時，判定等離子體的激發(fā)程度未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求。
[0010]優(yōu)選地，在等離子體的激發(fā)程度達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，所述光強比較器輸出低電平；在等離子體的激發(fā)程度未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，所述光強比較器輸出高電平。
[0011]優(yōu)選地，所述聯(lián)鎖保護電路包括第一與門、三極管、續(xù)流二極管和繼電器；所述光強比較器的輸出端通過電阻R3連接所述第一與門的一個輸入端，所述第一與門的另一個輸入端用于輸入激發(fā)過程結(jié)束信號，該信號初始為低電平，在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后跳至高電平，所述第一與門的輸出端通過電阻R4連接所述三極管的基極，所述三極管的基極和發(fā)射極間通過電阻R5連接，所述三極管的集電極連接所述繼電器的線圈，所述續(xù)流二極管與所述繼電器的線圈并聯(lián)。
[0012]優(yōu)選地，該保護裝置還包括控制器，所述聯(lián)鎖保護電路還包括第二與門；所述第二與門的兩個輸入端分別連接所述第一與門的兩個輸入端，所述第二與門的輸出端連接所述控制器；所述控制器用于在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后，等離子體的激發(fā)程度仍未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，關(guān)閉供氣和直流引出高壓系統(tǒng)。
[0013]優(yōu)選地，所述控制器還用于輸出所述激發(fā)過程結(jié)束信號。
[0014]總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:
[0015]1、根據(jù)放電腔內(nèi)檢測到的等離子體發(fā)光強度，判斷射頻離子源是否出現(xiàn)異常，并決定是否采取相應(yīng)的保護措施，增加了安全冗余，提高了系統(tǒng)的可靠性。
[0016]2、光纖準直鏡置于射頻離子源的不透明放電腔內(nèi)，同時對放電腔內(nèi)外環(huán)境進行良好地密封，大幅降低了環(huán)境光對測量結(jié)果的影響。
[0017]3、放電腔與電路元件之間全程采用光路傳輸信號，有效避免了離子源放電腔周圍的強射頻干擾。
[0018]4、利用光纖傳輸，由于光纖是絕緣體，通過選擇合適的光纖長度，能有效解決離子源直流弓I出高壓與電路元件之間的隔離問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明一個實施例的射頻離子源保護裝置的原理框圖；
[0020]圖2是本發(fā)明一個實施例的射頻離子源保護裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明一個實施例的光纖過真空法蘭的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4是本發(fā)明一個實施例的電壓比較電路的電路圖；
[0023]圖5是本發(fā)明一個實施例的聯(lián)鎖保護電路的原理圖；
[0024]圖6是本發(fā)明另一個實施例的射頻離子源保護裝置的原理框圖；
[0025]圖7是本發(fā)明另一個實施例的射頻離子源保護裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]在所有附圖中，相同的附圖標記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中:1_射頻離子源放電腔，2-金屬蓋板，3-法蘭接頭，4-光纖準直鏡，5-光纖過真空法蘭，6-法蘭卡箍，7-光纖適配器，8-第一石英光纖，9-光敏二極管，10-濾波放大電路，11-聯(lián)鎖保護電路，51-光纖入口，52-第一 SMA905光纖接頭，53-第二石英光纖，54-KF16真空法蘭，55-第二SMA905光纖接頭，56-光纖出口，12-光譜儀，13-電壓比較電路。

【具體實施方式】
[0027]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個實施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0028]射頻離子源在運行過程中，等離子體激發(fā)不成功或者濃度偏低時，除了離子源負載與射頻功率源之間阻抗失配造成反射功率較大之外，表現(xiàn)出的另一現(xiàn)象是放電腔內(nèi)部無等離子體發(fā)光或者光強度不足。本發(fā)明利用這一現(xiàn)象，設(shè)定等離子體激發(fā)過程的時長為t，通過檢測等離子體發(fā)光強度，將射頻離子源在運行t時間后檢測到的等離子體發(fā)光強度與設(shè)定的光強閾值比較，當其小于光強閾值時，說明此時放電腔內(nèi)仍無等離子體被激發(fā)或者等離子體濃度偏低，判定射頻離子源出現(xiàn)異常，切斷射頻功率源的主供電，避免基于定向耦合器的檢測與保護系統(tǒng)失靈時高反射功率損壞射頻功率源，同時關(guān)閉供氣、直流引出高壓等系統(tǒng)，能有效增加離子源的安全冗余，提高保護系統(tǒng)的可靠性。
[0029]本發(fā)明一個實施例的射頻離子源保護裝置的原理框圖如圖1所示，光纖準直鏡收集射頻離子源放電腔內(nèi)的等離子體發(fā)光，通過光纖將收集的光信號傳輸至光電轉(zhuǎn)換部件，光電轉(zhuǎn)換元件將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，電信號經(jīng)濾波放大電路得到與光強對應(yīng)的模擬電壓信號。電壓比較電路將模擬電壓信號與設(shè)定的電壓閾值(根據(jù)正常情況下離子源穩(wěn)態(tài)運行階段模擬電壓信號的值確定)進行比較，并將比較結(jié)果輸出至聯(lián)鎖保護電路。聯(lián)鎖保護電路根據(jù)電壓比較電路在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后的比較結(jié)果，判定射頻離子源是否出現(xiàn)異常，該設(shè)定的時長根據(jù)離子源正常激發(fā)至等離子體濃度達到穩(wěn)態(tài)所需的時間確定。如果在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后，模擬電壓信號仍小于電壓閾值，聯(lián)鎖保護電路將切斷射頻功率源的主供電。
[0030]具體地，上述射頻離子源保護裝置的結(jié)構(gòu)如圖2所示，它包括:光纖準直鏡4、光纖過真空法蘭5、光纖適配器7、第一石英光纖8、光敏二極管9、濾波放大電路10、電壓比較電路13和聯(lián)鎖保護電路11。其中，光纖過真空法蘭5的結(jié)構(gòu)如圖3所示，它包括KF16真空法蘭54和穿過KF16真空法蘭54的第二石英光纖53。光纖準直鏡4通過第一 SMA905光纖接頭52連接第二石英光纖53的光纖入口 51，第二石英光纖53的光纖出口 56通過第二SMA905光纖接頭55與光纖適配器7的一端連接,光纖適配器7的另一端與第一石英光纖8的一端連接，第一石英光纖8的另一端依次連接光敏二極管9、濾波放大電路10、電壓比較電路13和聯(lián)鎖保護電路11。
[0031]工作時，將光纖準直鏡4放入與射頻離子源放電腔I連通的法蘭接頭3內(nèi)，將KF16真空法蘭54通過法蘭卡箍6固定在法蘭接頭3上，實現(xiàn)真空密封，以便收集射頻離子源放電腔I內(nèi)的光信號。其中，法蘭接頭3焊接在射頻離子源放電腔I的金屬蓋板2的開孔上，與射頻離子源放電腔I實現(xiàn)連通。射頻離子源放電腔I不透明，大幅降低了環(huán)境光對測量結(jié)果的影響。
[0032]具體地，光纖準直鏡可采用凸透鏡，其作用在于將光信號聚集至光纖中，以采集到足夠強度的光信號。調(diào)整凸透鏡到第二石英光纖53的光纖入口 51的距離，使得第二石英光纖53的光纖入口 51位于凸透鏡的焦點處。第二石英光纖53的芯徑可選為600 μ m,其在200?1600nm光譜段內(nèi)具有衰減小的特點。光敏二極管9的選擇應(yīng)依據(jù)等離子體的發(fā)光光譜。由于光纖的纖芯直徑通常比較小，所以光纖能夠采集、傳輸?shù)墓庑盘枏姸容^弱，光敏二極管輸出的電壓信號也就相對較弱，因而需要經(jīng)過濾波放大電路作進一步的處理。
[0033]如圖4所示，電壓比較電路13包括電位器R2和比較器Ul，濾波放大電路的輸出端連接比較器Ul的反相輸入端，電位器R2的活動端連接比較器Ul的同相輸入端，比較器Ul的輸出端連接聯(lián)鎖保護電路。
[0034]如圖5所示，聯(lián)鎖保護電路11包括第一與門U2A、三極管Q1、續(xù)流二極管Dl和繼電器。比較器Ul的輸出端通過電阻R3連接第一與門U2A的一個輸入端，第一與門U2A的另一個輸入端用于輸入激發(fā)過程結(jié)束信號，該信號用于標識離子源的激發(fā)時間是否達到設(shè)定的時長。第一與門U2A的輸出端通過電阻R4連接三極管Ql的基極，三極管Ql的基極和發(fā)射極間通過電阻R5連接，三極管Ql的集電極連接繼電器線圈，續(xù)流二極管Dl與繼電器線圈并聯(lián)。
[0035]上述射頻離子源保護裝置的工作原理如下:
[0036]光纖準直鏡4采集射頻離子源放電腔I內(nèi)的等離子體發(fā)光信號并將其通過石英光纖傳輸至光敏二極管9，光敏二極管9將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，濾波放大電路10將光敏二極管9輸出的電信號進行濾波并放大，得到與射頻離子源放電腔I內(nèi)的等離子體發(fā)光強度對應(yīng)的模擬電壓信號并輸出至電壓比較電路13的比較器Ul的反相輸入端。調(diào)整電位器R2，使其活動端的輸出電壓為電壓閾值，當模擬電壓信號低于電壓閾值時，比較器Ul輸出高電平。激發(fā)過程結(jié)束信號初始為低電平，在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后跳至高電平，如果此時的模擬電壓信號仍低于電壓閾值，比較器Ul輸出高電平,進而第一與門U2A輸出高電平,使三極管Ql導(dǎo)通，繼電器線圈得電，常開觸點Kl閉合，射頻功率源主供電回路上的三相斷路器的保護線圈得電，切斷射頻功率源的主供電。
[0037]本發(fā)明另一個實施例的射頻離子源保護裝置的原理框圖如圖6所示，光譜儀接收光纖準直鏡收集的光信號，得到發(fā)射光譜譜線，譜線幅值與射頻離子源放電腔內(nèi)的等離子體的發(fā)光強度成正比，光強越強，譜線的幅值越大，將譜線的幅值與設(shè)定閾值(由正常情況下離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的譜線幅值確定)比較，使光譜儀的觸發(fā)電平輸出端輸出高電平或低電平。聯(lián)鎖保護電路根據(jù)光譜儀的觸發(fā)電平輸出端在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后的輸出結(jié)果，判定射頻離子源是否出現(xiàn)異常。如果在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后，光譜儀測得的發(fā)光光譜譜線的幅值仍低于設(shè)定閾值，聯(lián)鎖保護電路將切斷射頻功率源的主供電。
[0038]具體地，上述射頻離子源保護裝置的結(jié)構(gòu)如圖7所示，第一石英光纖8的輸出端依次連接光譜儀12和聯(lián)鎖保護電路11，其它結(jié)構(gòu)與上一實施例類似，在此不再贅述。根據(jù)不同氣體的放電光譜和期望觀察的譜線選擇相應(yīng)頻段的光譜儀。光譜儀的觸發(fā)電平輸出端通過電阻R3連接聯(lián)鎖保護電路11的第一與門U2A的一個輸入端，第一與門U2A的另一個輸入端用于輸入激發(fā)過程結(jié)束信號。
[0039]上述射頻離子源保護裝置的工作原理如下:
[0040]光纖準直鏡4采集射頻離子源放電腔I內(nèi)的等離子體發(fā)光信號并將其通過石英光纖傳輸至光譜儀12，光譜儀得到發(fā)射光譜譜線，當譜線的幅值低于設(shè)定閾值時，光譜儀的觸發(fā)電平輸出端輸出高電平，當譜線的幅值高于設(shè)定閾值時，光譜儀的觸發(fā)電平輸出端輸出低電平。激發(fā)過程結(jié)束信號初始為低電平，在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后跳至高電平，如果此時光譜儀測得譜線的幅值仍低于設(shè)定閾值，光譜儀的觸發(fā)電平輸出端輸出高電平，進而第一與門U2A輸出高電平，最終切斷射頻功率源的主供電。
[0041]上述實施例中，優(yōu)選地，射頻離子源保護裝置還包括控制器，聯(lián)鎖保護電路11還包括第二與門U2B，第二與門U2B的兩個輸入端分別連接第一與門U2A的兩個輸入端，第二與門U2B的輸出端連接控制器。在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后，如果模擬電壓信號仍低于電壓閾值或者光譜儀測得譜線的幅值仍低于設(shè)定閾值，第二與門U2B輸出高電平，使控制器關(guān)閉供氣、直流引出高壓等系統(tǒng)?？刂破鬟€用于輸出激發(fā)過程結(jié)束信號。
[0042]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻離子源保護裝置，其特征在于，包括光纖準直鏡、光纖過真空法蘭、光纖適配器、第一石英光纖、光強比較器和聯(lián)鎖保護電路；所述光纖過真空法蘭由穿過真空法蘭的第二石英光纖構(gòu)成，所述真空法蘭用于使射頻離子源放電腔實現(xiàn)真空密封；所述光纖準直鏡固定在所述第二石英光纖的一端，用于收集射頻離子源放電腔內(nèi)的等離子體發(fā)光，所述第二石英光纖的另一端通過所述光纖適配器連接所述第一石英光纖的一端，所述第一石英光纖的另一端依次連接所述光強比較器和所述聯(lián)鎖保護電路；所述光強比較器用于根據(jù)所述光纖準直鏡收集的光信號，判斷等離子體的激發(fā)程度是否達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求，所述聯(lián)鎖保護電路用于在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后，等離子體的激發(fā)程度仍未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，切斷射頻功率源的主供電。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻離子源保護裝置，其特征在于，所述光強比較器包括依次連接的光電轉(zhuǎn)換元件、濾波放大電路和電壓比較電路；所述光電轉(zhuǎn)換元件用于將所述光纖準直鏡收集的光信號轉(zhuǎn)換為電信號，所述濾波放大電路用于將電信號進行濾波并放大，得到與射頻離子源放電腔內(nèi)的等離子體發(fā)光強度對應(yīng)的模擬電壓信號，所述電壓比較電路用于將模擬電壓信號與設(shè)定的電壓閾值比較，在模擬電壓信號低于設(shè)定的電壓閾值時，判定等離子體的激發(fā)程度未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻離子源保護裝置，其特征在于，所述光強比較器為光譜儀；所述光譜儀用于接收所述光纖準直鏡收集的光信號，由此得到發(fā)射光譜譜線，并將譜線的幅值與設(shè)定閾值比較，在譜線的幅值低于設(shè)定閾值時，判定等離子體的激發(fā)程度未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的射頻離子源保護裝置，其特征在于，在等離子體的激發(fā)程度達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，所述光強比較器輸出低電平；在等離子體的激發(fā)程度未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，所述光強比較器輸出高電平。
5.如權(quán)利要求4所述的射頻離子源保護裝置，其特征在于，所述聯(lián)鎖保護電路包括第一與門、三極管、續(xù)流二極管和繼電器；所述光強比較器的輸出端通過電阻R3連接所述第一與門的一個輸入端，所述第一與門的另一個輸入端用于輸入激發(fā)過程結(jié)束信號，該信號初始為低電平，在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后跳至高電平，所述第一與門的輸出端通過電阻R4連接所述三極管的基極，所述三極管的基極和發(fā)射極間通過電阻R5連接，所述三極管的集電極連接所述繼電器的線圈，所述續(xù)流二極管與所述繼電器的線圈并聯(lián)。
6.如權(quán)利要求5所述的射頻離子源保護裝置，其特征在于，該保護裝置還包括控制器，所述聯(lián)鎖保護電路還包括第二與門；所述第二與門的兩個輸入端分別連接所述第一與門的兩個輸入端，所述第二與門的輸出端連接所述控制器；所述控制器用于在離子源激發(fā)設(shè)定的時長后，等離子體的激發(fā)程度仍未達到離子源穩(wěn)態(tài)運行階段的要求時，關(guān)閉供氣和直流引出聞壓系統(tǒng)。
7.如權(quán)利要求6所述的射頻離子源保護裝置，其特征在于，所述控制器還用于輸出所述激發(fā)過程結(jié)束信號。
【文檔編號】H05H1/46GK104135812SQ201410336152
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月15日
【發(fā)明者】李冬, 黃俊昌, 劉開鋒, 陳德智, 周馳, 岳海昆, 王曉敏, 趙鵬 申請人:華中科技大學(xué)