一種籽晶的鋪設(shè)方法、準單晶硅片及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造準單晶硅片，包括以下步驟：提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)目標籽晶，相鄰兩個目標籽晶之間留有縫隙，在所述縫隙中填充一個異向籽晶，所述目標籽晶和所述異向籽晶緊密接觸鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層；所述異向籽晶包括分別與相鄰兩個目標籽晶側(cè)面接觸的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別與相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面構(gòu)成的晶界類型一致，所述異向籽晶的生長面相對于所述目標籽晶的生長面為高指數(shù)晶面。通過在相鄰兩個目標籽晶之間的縫隙中填充異向籽晶，使位錯以及位錯的增殖優(yōu)先產(chǎn)生在異向籽晶中，從而減少目標籽晶產(chǎn)生位錯的幾率；解決了現(xiàn)有技術(shù)制得的準單晶中位錯較多的問題。
【專利說明】一種籽晶的鋪設(shè)方法、準單晶硅片及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，特別涉及一種籽晶的鋪設(shè)方法、準單晶硅片及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前準單晶的鑄造方法主要包括無籽晶引晶和有籽晶引晶法，有籽晶引晶法是先將單晶籽晶鋪設(shè)在石英坩堝底部，在熔化階段保持籽晶不完全熔化，在單晶籽晶上進行引晶生長從而得到準單晶硅錠，在鋪設(shè)籽晶時一般會保證籽晶形核面的生長晶向一致，但相鄰籽晶的側(cè)邊接觸面的晶向通常是隨機的，在引晶生長過程中容易形成小角度晶界，小角度晶界不但在生長過程中成為了位錯源，造成生長過程中位錯的不斷增殖，而且金屬雜質(zhì)容易在小角度晶界處富集和沉淀誘發(fā)二次位錯源，降低了準單晶的晶體質(zhì)量和單晶收益率；即使籽晶之間形成了大角度晶界，由于相鄰籽晶側(cè)邊接觸面的晶向不一致，即籽晶側(cè)面法向的原子堆積密度不一致，生長應(yīng)力對拼接縫兩側(cè)的側(cè)面法向產(chǎn)生的應(yīng)變是不同的，很容易造成在晶界上產(chǎn)生位錯源，繼而在生長過程中不斷增殖產(chǎn)生大量的位錯，這也會降低單晶區(qū)域的晶體質(zhì)量。因此，如何減少準單晶中位錯成為目前研究的重點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明第一方面提供了一種籽晶的鋪設(shè)方法，通過在相鄰兩個目標籽晶之間的縫隙中填充異向籽晶，使位錯以及位錯的增殖優(yōu)先產(chǎn)生在異向籽晶中，從而減少目標桿晶廣生位錯的幾率；解決了現(xiàn)有技術(shù)中準單晶中位錯較多的問題；本發(fā)明還提供了一種準單晶硅片及其制備方法，該制備方法制得的準單晶硅片的晶體質(zhì)量較好。
[0004] 第一方面，本發(fā)明提供了一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造準單晶硅片，包括以下步驟:
[0005]提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)目標籽晶，相鄰兩個目標籽晶之間留有縫隙，在所述縫隙中填充一個異向籽晶，所述目標籽晶和所述異向籽晶緊密接觸鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層；所述異向籽晶包括分別與相鄰兩個目標籽晶側(cè)面接觸的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別與相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面構(gòu)成的晶界類型一致，所述異向籽晶的生長面相對于所述目標籽晶的生長面為高指數(shù)晶面。
[0006]本發(fā)明第一方面通過在相鄰兩個目標籽晶之間的縫隙中填充異向籽晶，所述異向籽晶第一側(cè)面和第二側(cè)面與相鄰的目標籽晶側(cè)面構(gòu)成的晶界類型相同，使得在生長過程中異向籽晶兩端的晶界上承受的應(yīng)力狀態(tài)一致，同時由于異向籽晶在相同應(yīng)力條件下優(yōu)先產(chǎn)生晶格的滑移，降低目標籽晶產(chǎn)生位錯的幾率。所述異向籽晶的生長面相對于目標籽晶生長面為高指數(shù)晶面，所述異向籽晶的生長面的彈性模量較小，晶體滑移所需的臨界剪切應(yīng)力較小，在目標籽晶引晶及后期生長時位錯優(yōu)先產(chǎn)生于目標籽晶與異向籽晶構(gòu)成的晶界的異向籽晶的一側(cè)，抑制了位錯的不斷增殖，從而達到應(yīng)力的釋放，減少了目標籽晶的位錯，最后得到的準單晶硅片中位錯較少，晶體質(zhì)量較好。
[0007]優(yōu)選地，所述異向籽晶的生長面晶向為(111)、(112)、(221)、(210)或(310)，所述目標籽晶的生長面晶向為(100)。
[0008]優(yōu)選地，所述縫隙的寬度為5~10mm。
[0009]由于縫隙的寬度較小，所述異向籽晶的填充對以目標籽晶長晶得到的準單晶的單晶收益率影響較小。
[0010]優(yōu)選地，所述目標籽晶側(cè)面的晶向均相同。
[0011]優(yōu)選地，所述目標籽晶為正方形或長方形，所述目標籽晶的四個側(cè)面晶向均相同。
[0012]優(yōu)選地，所述異向籽晶的第一側(cè)面和第二側(cè)面的晶向相同，所述異向籽晶的第一側(cè)面和第二側(cè)面的晶向與所述相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面晶向不一致。所述目標籽晶和異向籽晶形成大角度晶界，這樣避免小角度晶界的形成。
[0013]優(yōu)選地，所述目標籽晶和異向籽晶為單晶棒經(jīng)截斷制得。
[0014]優(yōu)選地,所述籽晶層的厚度為2cm~4cm。
[0015]第二方面，本發(fā)明提供了一種準單晶硅片的制備方法，包括以下步驟:
[0016](I)提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)目標籽晶，相鄰兩個目標籽晶之間留有縫隙，在所述縫隙中填充一個異向籽晶，所述目標籽晶和所述異向籽晶緊密接觸鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層；所述異向籽晶包括分別與相鄰兩個目標籽晶側(cè)面接觸的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別與相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面構(gòu)成的晶界類型一致，所述異向籽晶的生長面相對于所述目標籽晶的生長面為高指數(shù)晶面；
[0017](2)在所述籽晶層上填裝硅料和摻雜劑，加熱使所述坩堝內(nèi)硅料熔化形成硅熔體，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使得所述硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶，待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到準單晶硅錠；
[0018](3)將所述準單晶硅錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到所述準單晶硅片。
[0019]優(yōu)選地，所述異向籽晶的生長面晶向為111)、(112)、(221)、(210)或(310)，所述目標籽晶的生長面晶向為(100)。
[0020]優(yōu)選地，所述縫隙的寬度為5~10mm。
[0021 ] 優(yōu)選地，所述目標籽晶的側(cè)面的晶向均相同。
[0022]優(yōu)選地，所述目標籽晶為正方形或長方形，所述目標籽晶的四個側(cè)面的晶向均相同。
[0023]優(yōu)選地，所述異向籽晶的第一側(cè)面和第二側(cè)面的晶向相同，所述異向籽晶的第一側(cè)面和第二側(cè)面的晶向與相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面晶向不一致。
[0024]優(yōu)選地，所述籽晶層的厚度為2cm~4cm。
[0025]優(yōu)選地，步驟⑵根據(jù)硅料的電阻率添加摻雜劑以適應(yīng)不同準單晶硅片的電性需求，所述摻雜劑為硼、磷或鎵。
[0026]優(yōu)選地，步驟(2)具體為:在所述籽晶層上填裝硅料和摻雜劑，加熱使所述坩堝內(nèi)硅料熔化形成硅熔體，當所述硅熔體與未熔化的籽晶層所形成的固液界面剛好處在所述籽晶層或深入所述籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使得所述硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶，待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到準單晶硅錠。
[0027]本發(fā)明第二方面提供的一種準單晶硅片的制備方法，通過在相鄰目標籽晶之間的縫隙中填充異向籽晶，制得的準單晶硅片的位錯較少，晶體質(zhì)量較好。
[0028]第三方面，本發(fā)明還提供了一種準單晶硅片，所述準單晶硅片由第二方面提供的方法制備得到。
[0029]本發(fā)明第三方面提供的準單晶硅片的單晶面積達到90%且位錯較少，利用本實施準單晶硅片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率比普通的準單晶硅片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率提高0.2%以上。
[0030]實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果:
[0031]1、所述異向籽晶與相鄰的目標籽晶構(gòu)成的晶界類型相同，使得在籽晶生長過程中晶界上承受的應(yīng)力狀態(tài)一致，降低了目標籽晶產(chǎn)生位錯的幾率；
[0032]2、所述異向籽晶生長面的彈性模量較小，晶體滑移所需的臨界剪切應(yīng)力較小，在引晶及后期生長時位錯優(yōu)先產(chǎn)生于目標籽晶與異向籽晶構(gòu)成的晶界的異向籽晶的一側(cè)，抑制了位錯的不斷增殖，減少了準單晶硅片的位錯，提高了準單晶硅片的晶體質(zhì)量和單晶收益率；
[0033]3、利用本實施準單晶硅片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率比普通的準單晶硅片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率提高0.2%以上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0035]圖1是本發(fā)明實施例1制備準單晶硅片時籽晶的鋪設(shè)過程圖；
[0036]圖2是現(xiàn)有技術(shù)準單晶生長不意圖；
[0037]圖3是本發(fā)明實施例2的準單晶生長示意圖；
[0038]圖4為實施例2制得的準單晶硅錠的外觀圖(a)和少子壽命圖(b)；
[0039]圖5為實施例2制得的準單晶硅片的外觀圖(C)和光致發(fā)光(PL)測試圖(d)。

【具體實施方式】
[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。
[0041]實施例1
[0042]一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造準單晶硅片，包括以下步驟:
[0043]提供坩堝，選擇生長面晶向為(100)、側(cè)面晶向為(110)的方形籽晶為目標籽晶11，將25塊截面尺寸為156mm*156mm、厚度為20mm的目標籽晶11按5X5的方式平鋪在坩堝底部，相鄰目標籽晶之間留有縫隙，在縫隙中在填充一塊厚度為20mm、截面尺寸為156mm*1mm的異向籽晶21或截面尺寸為176mm*10mm的異向籽晶22，異向籽晶的生長面晶向為(310)、側(cè)面晶向為(100)，目標籽晶和異向籽晶間緊密接觸鋪滿坩堝底部，得到籽晶層，桿晶層的厚度為2cm ；
[0044]圖1是本發(fā)明實施例1籽晶的鋪設(shè)過程圖；從圖中可以看出，異向籽晶和目標籽晶緊密接觸鋪滿坩堝底部，得到籽晶層。
[0045]實施例2
[0046]—種準單晶硅片的制備方法，包括以下操作步驟:
[0047](I)提供坩堝，選擇生長面晶向為(100)、側(cè)面晶向為(110)的方形籽晶為目標籽晶，將25塊截面尺寸為156mm*156mm、厚度為20mm的目標籽晶11按5X5的方式平鋪在坩堝底部，相鄰目標籽晶之間留有縫隙，在縫隙中在填充一塊厚度為20mm、截面尺寸為156mm*1mm的異向籽晶21或截面尺寸為176mm*10mm的異向籽晶22，異向籽晶的生長面晶向為(310)、側(cè)面晶向為(100)，目標籽晶和異向籽晶間緊密接觸鋪滿坩堝底部，得到籽晶層，籽晶層的厚度為2cm，異向籽晶的側(cè)面晶向和目標籽晶的側(cè)面晶向不一致；
[0048](2)在籽晶層上填裝硅料和摻雜劑硼，加熱使坩堝內(nèi)硅料熔化形成硅熔體，并控制坩堝底部溫度低于籽晶的熔點，使得籽晶層不被完全融化；當硅熔體與未熔化的籽晶層所形成的固液界面剛好處在籽晶層或深入籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使得硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶，待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到準單晶硅錠；
[0049](3)將準單晶硅錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到準單晶硅片。
[0050]本實施例得到的準單晶硅錠的主要晶向為(100)方向，相鄰的(100)目標籽晶間包含有少量的(310)方向的晶粒。
[0051]本實施例制得的準單晶硅片的(100)晶向的面積達到90%且位錯較少，位錯主要集中在(310)晶向的晶粒中，利用本實施準單晶硅片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率比普通的準單晶娃片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率提聞0.2%以上。
[0052]圖2是現(xiàn)有技術(shù)準單晶生長示意圖，從圖2中可以看出，將籽晶I鋪設(shè)在石英坩堝底部，籽晶的拼接面處產(chǎn)生了位錯源，在引晶生長過程中，位錯(圖中的深色區(qū)域)不斷增殖，大大降低了準單晶的晶體質(zhì)量和單晶收益率。這是由于現(xiàn)有技術(shù)相鄰籽晶的側(cè)面的晶向是隨機，在引晶生長過程中容易形成小角度晶界，小角度晶界不但在生長過程中成為了位錯源，造成生長過程中位錯的不斷增殖，而且金屬雜質(zhì)容易在小角度晶界處富集和沉淀誘發(fā)二次位錯源，降低了準單晶的晶體質(zhì)量和單晶收益率。
[0053]圖3是本發(fā)明實施例2的準單晶生長示意圖，圖中“ 11”代表目標籽晶，“ 21”代表異向籽晶，從圖3中可以看出，在相鄰兩個目標籽晶之間留有縫隙，在縫隙中填充異向籽晶，異向籽晶第一側(cè)面和第二側(cè)面與相鄰的目標籽晶構(gòu)成的晶界類型相同均為大角度晶界，使得在生長過程中異向籽晶兩端的晶界上承受的應(yīng)力狀態(tài)一致，不容易在晶界上產(chǎn)生位錯源，在引晶生長過程中，位錯(圖中的深色區(qū)域)優(yōu)先產(chǎn)生于目標籽晶與異向籽晶構(gòu)成的晶界的異向籽晶的一側(cè)，異向籽晶的寬度較小，位錯主要集中在異向籽晶內(nèi)，且位錯不會增殖，減少了目標籽晶的位錯，最后得到的準單晶硅錠位錯要遠遠小于現(xiàn)有技術(shù)得到的準單晶硅錠，顯著提高了準單晶的晶體質(zhì)量和單晶收益率。同時，異向籽晶的寬度較小，對準單晶的單晶收益率影響較小。
[0054]圖4為實施例2制得的準單晶硅錠外觀圖(a)和少子壽命圖(b)，圖4a中圖片上方為準單晶硅錠的頭部，圖片下方為準單晶硅錠的尾部，可以看出，準單晶硅錠上顏色較深的區(qū)域(黑色圓框處)為異向籽晶引晶生長得到的區(qū)域，顏色較淺的區(qū)域(黑色圓框右側(cè)的區(qū)域)為目標籽晶引晶生長得到的區(qū)域，少子壽命圖可以反映晶體內(nèi)部晶界、位錯及金屬雜質(zhì)情況，圖4b中準單晶硅錠異向籽晶引晶生長的區(qū)域(白色圓框處)少子壽命較低，而目標籽晶生長的晶體少子壽命較高，說明本實施例得到的準單晶硅錠位錯少，晶體質(zhì)量較好。
[0055]圖5為實施例2制得的準單晶硅片的外觀圖(C)和光致發(fā)光(PL)測試圖(d)，圖5c中黑色圓框處為異向籽晶長晶形成的區(qū)域，黑色圓框右側(cè)的區(qū)域為目標籽晶長晶形成的區(qū)域，本實施例制備的準單晶硅片的單晶比例大于90%，圖5d中黑色橢圓框處為異向籽晶引晶生長后形成的區(qū)域，黑色圓框右側(cè)的區(qū)域為目標籽晶長晶形成的區(qū)域，異向籽晶引晶生長后形成的區(qū)域位錯密度較高，而目標籽晶引晶生長后得到的區(qū)域上位錯較少。
[0056]綜上，本發(fā)明在相鄰目標籽晶之間的縫隙中填充異向籽晶，異向籽晶和所述目標籽晶構(gòu)成了大角度晶界，避免小角度晶界的形成；同時，所述異向籽晶的晶體滑移所需的臨界剪切應(yīng)力較小，在目標籽晶引晶及后期生長時位錯優(yōu)先產(chǎn)生于目標籽晶與異向籽晶構(gòu)成的晶界的異向籽晶的一側(cè)，從而達到應(yīng)力的釋放，減少了目標籽晶的位錯，顯著提高了準單晶的晶體質(zhì)量和單晶收益率。
[0057]實施例3
[0058]一種準單晶硅片的制備方法，包括以下操作步驟:
[0059](I)提供坩堝，選擇生長面晶向為(100)、側(cè)面晶向為(210)的方形籽晶為目標籽晶，將25塊截面尺寸為156mm*156mm、厚度為20mm的目標籽晶按5X5的方式平鋪在坩堝底部，相鄰目標籽晶之間留有縫隙，在縫隙中在填充一塊厚度為20mm、截面尺寸為156mm*1mm的異向籽晶或截面尺寸為176mm*10mm的異向籽晶，異向籽晶的生長面晶向為(221)、側(cè)面晶向為(110)，目標籽晶和異向籽晶間緊密接觸鋪滿坩堝底部，得到籽晶層；籽晶層的厚度為4cm，異向籽晶的側(cè)面晶向和目標籽晶的側(cè)面晶向不一致；
[0060](2)在籽晶層上填裝硅料和摻雜劑硼，加熱使坩堝內(nèi)硅料熔化形成硅熔體，并控制坩堝底部溫度低于籽晶的熔點，使得籽晶層不被完全融化；當硅熔體與未熔化的籽晶層所形成的固液界面剛好處在籽晶層或深入籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使得硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶，待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到準單晶硅錠；
[0061](3)將準單晶硅錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到準單晶硅片。
[0062]本實施例得到的準單晶硅錠的主要晶向為(100)方向，相鄰的(100)晶粒間包含有少量的(221)方向的晶粒。
[0063]本實施例制得的準單晶硅片的(100)晶向的面積達到90%且位錯較少，位錯主要集中在(221)晶向的晶粒中，利用本實施準單晶硅片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率比普通的準單晶娃片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率提聞0.2%以上。
[0064]實施例4
[0065]一種準單晶硅片的制備方法，包括以下操作步驟:
[0066](I)提供坩堝，選擇生長面晶向為(100)、側(cè)面晶向為(110)的方形籽晶為目標籽晶，將25塊截面尺寸為156mm*156mm、厚度為20mm的目標籽晶按5X5的方式平鋪在坩堝底部，相鄰目標籽晶之間留有縫隙，在縫隙中在填充一塊厚度為20mm、截面尺寸為156mm*1mm的異向籽晶或截面尺寸為176mm*10mm的異向籽晶，異向籽晶的生長面晶向為
(111)、側(cè)面晶向為(112)，目標籽晶和異向籽晶間緊密接觸鋪滿坩堝底部，得到籽晶層，籽晶層的厚度為4cm，異向籽晶的側(cè)面晶向和目標籽晶的側(cè)面晶向不一致；
[0067](2)在籽晶層上填裝硅料和摻雜劑硼，加熱使坩堝內(nèi)硅料熔化形成硅熔體，并控制坩堝底部溫度低于籽晶的熔點，使得籽晶層不被完全融化；當硅熔體與未熔化的籽晶層所形成的固液界面剛好處在籽晶層或深入籽晶層時，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使得硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶，待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到準單晶硅錠；
[0068](3)將準單晶硅錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到準單晶硅片。
[0069]本實施例得到的準單晶硅錠的主要晶向為(100)方向，相鄰的(100)目標籽晶間包含有少量的(111)方向的晶粒。
[0070]本實施例制得的準單晶硅片的(100)晶向的面積達到90%且位錯較少，位錯主要集中在(111)晶向的晶粒中，利用本實施準單晶硅片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率比普通的準單晶娃片制得的電池片轉(zhuǎn)換效率提聞0.2%以上。
[0071] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造準單晶硅片，其特征在于，包括以下步驟: 提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)目標籽晶，相鄰兩個目標籽晶之間留有縫隙，在所述縫隙中填充一個異向籽晶，所述目標籽晶和所述異向籽晶緊密接觸鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層；所述異向籽晶包括分別與相鄰兩個目標籽晶側(cè)面接觸的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別與相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面構(gòu)成的晶界類型一致，所述異向籽晶的生長面相對于所述目標籽晶的生長面為高指數(shù)晶面。
2.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述異向籽晶的生長面晶向為(111)、(112)、(221)、(210)或(310)，所述目標籽晶的生長面晶向為(100)。
3.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述縫隙的寬度為5~10mm。
4.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述目標籽晶側(cè)面的晶向均相同。
5.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述異向籽晶的第一側(cè)面和第二側(cè)面的晶向相同，所述異向籽晶的第一側(cè)面和第二側(cè)面的晶向與相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面晶向不一致。
6.如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述籽晶層的厚度為2cm~4cm。
7.—種準單晶硅片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)目標籽晶，相鄰兩個目標籽晶之間留有縫隙，在所述縫隙中填充一個異向籽晶，所述目標籽晶和所述異向籽晶緊密接觸鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層；所述異向籽晶包括分別與相鄰兩個目標籽晶側(cè)面接觸的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面分別與相鄰目標籽晶接觸的側(cè)面構(gòu)成的晶界類型一致，所述異向籽晶的生長面相對于所述目標籽晶的生長面為高指數(shù)晶面； (2)在所述籽晶層上填裝硅料和摻雜劑，加熱使所述坩堝內(nèi)硅料熔化形成硅熔體，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使得所述硅熔體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶，待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到準單晶硅錠； (3)將所述準單晶硅錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到所述準單晶硅片。
8.如權(quán)利要求7所述的準單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述異向籽晶的生長面晶向為111)、(112)、(221)、(210)或(310)，所述目標籽晶的生長面晶向為(100)。
9.如權(quán)利要求7所述的準單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述摻雜劑為硼、磷或 鎵。
10.一種準單晶硅片，其特征在于，所述準單晶硅片為按照權(quán)利要求7~9任一項所述的制備方法制得。
【文檔編號】C30B11/14GK104131332SQ201410383805
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月6日
【發(fā)明者】雷琦, 胡動力, 何亮, 陳紅榮 申請人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司