圖案形成方法
【專利摘要】圖案形成方法。本發(fā)明涉及導(dǎo)電性薄膜、透明發(fā)熱體、圖案形成方法和記錄介質(zhì)。導(dǎo)電性薄膜(10)具備多個(gè)導(dǎo)電部(14)和多個(gè)開口部(16)。導(dǎo)電部(14)具備主線路圖案(22)和多個(gè)副線路(24)，主線路圖案(22)由沿第1方向形成的多個(gè)波狀線路(20)在與第1方向垂直的第2方向上排列而成，多個(gè)副線路(24)將相鄰的波狀線路(20)間電連接，由波狀線路(20)和副線路(24)劃分的部分構(gòu)成開口部(16)，主線路圖案(22)中，構(gòu)成各波狀線路的波狀線的至少周期是不規(guī)則的。
【專利說明】圖案形成方法
[0001] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2011年1月31日、申請(qǐng)?zhí)枮?01110034036. 8、發(fā)明名稱為"導(dǎo) 電性薄膜、透明發(fā)熱體、圖案形成方法和記錄介質(zhì)"的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及導(dǎo)電性薄膜、具備該導(dǎo)電性薄膜的透明發(fā)熱體、適于形成導(dǎo)電性薄膜 的布線圖案的圖案形成方法、和記錄有圖案形成程序的記錄介質(zhì)，該導(dǎo)電性薄膜能夠用作 車輛的除霜裝置（defroster)、車窗玻璃等的一部分,也可以通過流過電流發(fā)熱而作為發(fā)熱 片發(fā)揮功能，另外，還能夠用作觸摸屏用電極、無機(jī)EL元件、有機(jī)EL元件或太陽能電池的電 極。

【背景技術(shù)】
[0003] 以往，作為用于要求視覺識(shí)別性和電磁波的屏蔽性的窗而優(yōu)選的乘用移動(dòng)體用 窗，例如提出了日本特開2009-137455號(hào)公報(bào)中記載的窗。該窗設(shè)置有網(wǎng)孔層，該網(wǎng)孔層 中，以格子狀反復(fù)配置有缺失圓的一部分的圓弧狀的、具有導(dǎo)電性的線材，具有所述圓弧狀 的線材的端部與相鄰的圓弧狀的線材的中央部附近連接的形狀的布線圖案。即，日本特開 2009-137455號(hào)公報(bào)中記載的網(wǎng)孔層以具有規(guī)則性的布線圖案形成。
[0004] 另外，作為在導(dǎo)電性薄膜上形成的布線圖案，可以舉出：沿一個(gè)方向形成線材的、 在一維方向具有成分的圖案（參見韓國公開專利第10-2009-0113757號(hào)公報(bào)）；沿一個(gè)方 向、和另一方向（與上述方向垂直的方向）形成線材的、在二維方向具有成分的不規(guī)則的圖 案（參見韓國公開專利第10-2009-0113758號(hào)公報(bào)）。
[0005]然而，在將布線圖案設(shè)置于例如車輛的車窗玻璃時(shí)，至少需要注意衍射像的擴(kuò)展、 斷線、布線的視覺識(shí)別性這三點(diǎn)。
[0006]S卩，在將布線圖案設(shè)置于例如車輛的車窗玻璃時(shí)，在二維方向具有成分的圖案產(chǎn) 生的光的衍射像以具有二維擴(kuò)展的方式進(jìn)行分布（衍射像的擴(kuò)展）。對(duì)于在一維方向具有 成分的圖案而言，在作為發(fā)熱體設(shè)置于車輛的車窗玻璃時(shí)，存在斷線所引起的面內(nèi)的發(fā)熱 不均惡化的影響（斷線）。在二維方向具有成分的圖案中，布線所具有的不規(guī)則性變強(qiáng)，布 線圖案變得容易視覺識(shí)別，即，存在布線視覺識(shí)別性顯著變差的問題（布線視覺識(shí)別性）。
[0007] 上述的日本特開2009-137455號(hào)公報(bào)為在二維方向具有成分的具備規(guī)則性的布 線圖案，因此在應(yīng)用于車輛的車窗玻璃時(shí)，光源和布線圖案引起的衍射像的擴(kuò)展成為問題。 另外，還存在顯著產(chǎn)生規(guī)則的圖案所導(dǎo)致的干涉條紋的問題。
[0008]韓國公開專利第10-2009-0113757號(hào)公報(bào)為在一維方向具有成分的布線圖案，因 此在作為設(shè)置于車輛的車窗玻璃的發(fā)熱體應(yīng)用時(shí)，存在無法避免線材的斷線所致的發(fā)熱量 的不均勻性的問題。
[0009] 韓國公開專利第10-2009-0113758號(hào)公報(bào)為在二維方向具有成分的不規(guī)則的布 線圖案，因此布線圖案非常顯眼，存在布線視覺識(shí)別性變差的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明是考慮到這些課題而進(jìn)行的，目的在于提供一種導(dǎo)電性薄膜和透明發(fā)熱體 以及能夠形成所述導(dǎo)電性薄膜的布線圖案的圖案形成方法和記錄介質(zhì)，該導(dǎo)電性薄膜能夠 消除衍射像的擴(kuò)展、斷線、布線視覺識(shí)別性的問題，在通過流過電流而作為發(fā)熱片使用時(shí)， 能夠提高發(fā)熱效率，同時(shí)能夠防止車輛用燈具或戶外燈等引起的光的炫目，適合用于車輛 的車窗玻璃等。
[0011] 另外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種導(dǎo)電性薄膜以及能夠形成該導(dǎo)電性薄膜的 布線圖案的圖案形成方法和記錄介質(zhì)，該導(dǎo)電性薄膜在作為觸摸屏用電極、無機(jī)EL元件或 有機(jī)EL元件的電極使用時(shí)，能夠防止背光引起的炫目等。
[0012] 另外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種導(dǎo)電性薄膜以及能夠形成該導(dǎo)電性薄膜的 布線圖案的圖案形成方法和記錄介質(zhì)，該導(dǎo)電性薄膜在作為太陽能電池的電極使用時(shí)，能 夠作為電磁波屏蔽膜發(fā)揮功能，此外，能夠?qū)⒈砻骐娮璞３譃檩^低，能夠防止發(fā)電效率的降 低。
[0013] [1]本發(fā)明的第一技術(shù)方案涉及的導(dǎo)電性薄膜為具備多個(gè)導(dǎo)電部和多個(gè)開口部的 導(dǎo)電性薄膜，其特征在于，所述導(dǎo)電部具備主線路圖案和多個(gè)副線路，該主線路圖案由沿第 1方向形成的多個(gè)波狀線路在與所述第1方向垂直的第2方向上排列而成，該多個(gè)副線路將 相鄰的波狀線路間電連接，由所述波狀線路和所述副線路劃分的部分構(gòu)成所述開口部，所 述主線路圖案中，構(gòu)成各所述波狀線路的波狀線的至少周期是不規(guī)則的。
[0014] 由此，首先，雖然是在二維方向具有成分的布線圖案，但由于在一維方向具有成分 的波狀線路存在不規(guī)則性，因此能夠?qū)⒀苌湎竦臄U(kuò)展抑制為一維的擴(kuò)展，此外，還能夠使干 涉條紋變得不鮮明。另外，由于想要在相鄰的波狀線路間將多個(gè)副線路電連接，因此即使一 部分產(chǎn)生斷線，也能夠抑制發(fā)熱不均的影響。而且，具有不規(guī)則性的是沿第1方向形成的波 狀線路，因此布線圖案顯眼的情況消失，能夠使布線視覺識(shí)別性變得良好。
[0015] 即，本發(fā)明中，能夠消除衍射像的擴(kuò)展、斷線、布線視覺識(shí)別性的問題。其結(jié)果，在 通過流過電流而作為發(fā)熱片使用時(shí)，能夠提高發(fā)熱效率，同時(shí)能夠防止車輛用燈具或戶外 燈等引起的光的炫目，適合用于車輛的車窗玻璃等。還能夠降低斷線導(dǎo)致的車窗玻璃的更 換次數(shù)，能夠有助于使用者降低運(yùn)行成本。
[0016] 另外，本發(fā)明中，在作為觸摸屏用電極、無機(jī)EL元件或有機(jī)EL元件的電極使用時(shí)， 能夠防止背光引起的炫目等。
[0017] 另外，本發(fā)明中，在作為太陽能電池的電極使用時(shí)，能夠作為電磁波屏蔽膜發(fā)揮功 能，此外，能夠?qū)⒈砻骐娮璞３值幂^低，能夠防止發(fā)電效率的降低。
[0018] [2]在本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，所述主線路圖案中，構(gòu)成各波狀線 路的波狀線的至少所述周期和振幅分別是不規(guī)則的。
[0019] [3]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，所述主線路圖案中，相鄰的波狀線路 間的間隔也是不規(guī)則的。
[0020] [4]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，一個(gè)波狀線路中的所述波狀線的振幅 的最大值為該一個(gè)波狀線路和與該一個(gè)波狀線路相鄰的另一個(gè)波狀線路間的間隔的1/2 以下。
[0021] [5]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，構(gòu)成各波狀線路的波狀線分別按照半 周期被賦予了不規(guī)則性。
[0022] [6]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，所述主線路圖案中，各波狀線路的線 寬也是不規(guī)則的。
[0023] [7]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，各副線路沿所述第2方向形成為直線 狀。
[0024] [8]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，被相鄰的波狀線路的各中心線、和該 相鄰的波狀線路間的相鄰的副線路的各中心線圍成的封閉區(qū)域的形狀是四邊形，所述封閉 區(qū)域具有排列多個(gè)的形態(tài)。
[0025] [9]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，各所述封閉區(qū)域的面積大致相同。
[0026] [10]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，各所述封閉區(qū)域的周長大致相同。
[0027] [11]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，在設(shè)第1邊的長度為L1、設(shè)第2邊的 長度為L2時(shí)，所述第1邊的長度Ll與所述第2邊的長度L2之比（L1/L2)為5以上，其中， 該第1邊基于構(gòu)成所述封閉區(qū)域的波狀線路的中心線，該第2邊基于構(gòu)成所述封閉區(qū)域的 副線路的中心線。
[0028] [12]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，所述波狀線路的線寬與所述副線路 的線寬不同。
[0029] [13]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，所述波狀線路的線寬和所述副線路 的線寬為IOOym以下。
[0030] [14]本發(fā)明的第一技術(shù)方案中，其特征在于，相鄰的波狀線路間的間隔為 1000μm以下。
[0031] [15]本發(fā)明的第二技術(shù)方案涉及的透明發(fā)熱體的特征在于，其具備上述本發(fā)明的 第一技術(shù)方案涉及的導(dǎo)電性薄膜。
[0032] [16]本發(fā)明的第三技術(shù)方案涉及的圖案形成方法的特征在于，該圖案形成方法使 用計(jì)算機(jī)來形成構(gòu)成導(dǎo)電性薄膜中的導(dǎo)電部的布線圖案，所述導(dǎo)電性薄膜在透明薄膜基材 上具備導(dǎo)電部和開口部，所述導(dǎo)電部具備主線路圖案和多個(gè)副線路，主線路圖案由沿第1 方向形成的多個(gè)波狀線路在與所述第1方向垂直的第2方向上排列而成，多個(gè)副線路將相 鄰的波狀線路間電連接，該圖案形成方法包括以下步驟：輸入初始函數(shù)的步驟；第1步驟， 該步驟在對(duì)所述初始函數(shù)的至少周期進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，在第1方向形成波狀線路的圖 案；第2步驟，該步驟對(duì)所描繪的所述波狀線路、和與該波狀線路相鄰的波狀線路在第2方 向（與所述第1方向垂直的方向）上的間隔進(jìn)行隨機(jī)變更；第3步驟，該步驟反復(fù)執(zhí)行所述 第1步驟和第2步驟，形成沿所述第1方向形成的多個(gè)波狀線路在與所述第1方向垂直的 所述第2方向上排列而成的所述主線路圖案；第4步驟，該步驟中，在將相鄰的波狀線路間 定義為行間時(shí)，在所述主線路圖案中的各行間中，形成2個(gè)以上的連接相鄰的波狀線路的 副線路的圖案。
[0033] 由此，通過本發(fā)明的圖案形成方法形成的布線圖案雖然是在二維方向具有成分的 布線圖案，但由于在一維方向具有成分的波狀線路存在不規(guī)則性，因此能夠?qū)⒀苌湎竦臄U(kuò) 展抑制為一維的擴(kuò)展，此外，還能夠使干涉條紋變得不鮮明。另外，由于想要在相鄰的波狀 線路間將多個(gè)副線路電連接，因此即使一部分產(chǎn)生斷線，也能夠抑制發(fā)熱不均的影響。而 且，具有不規(guī)則性的是沿第1方向形成的波狀線路，因此布線圖案顯眼的情況消失，能夠使 布線視覺識(shí)別性變得良好。
[0034] 即，通過本發(fā)明形成的布線圖案能夠消除衍射像的擴(kuò)展、斷線、布線視覺識(shí)別性的 問題。其結(jié)果，在通過流過電流而作為發(fā)熱片使用時(shí)，能夠提高發(fā)熱效率，同時(shí)能夠防止車 輛用燈具或戶外燈等引起的光的炫目，適合用于車輛的車窗玻璃等。還能夠降低斷線導(dǎo)致 的車窗玻璃的更換次數(shù)，能夠有助于使用者降低運(yùn)行成本。
[0035] 另外，通過本發(fā)明形成的布線圖案在作為觸摸屏用電極、無機(jī)EL元件或有機(jī)EL元 件的電極使用時(shí)，能夠防止背光引起的炫目等。
[0036] 另外，通過本發(fā)明形成的布線圖案在作為太陽能電池的電極使用時(shí)，能夠作為電 磁波屏蔽膜發(fā)揮功能，此外，能夠?qū)⒈砻骐娮璞３值幂^低，能夠防止發(fā)電效率的降低。
[0037] [17]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，通過所述第1步驟在所述計(jì)算機(jī)的 圖像存儲(chǔ)器中描繪所述波狀線路的圖案，由此在所述第3步驟中在所述圖像存儲(chǔ)器中描繪 所述主線路圖案，在所述第4步驟中，在所述圖像存儲(chǔ)器中描繪所述副線路的圖案，在所述 圖像存儲(chǔ)器中描繪所述布線圖案。
[0038] [18]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述初始函數(shù)為正弦波函數(shù)，所述第 1步驟在按照半周期對(duì)至少所述正弦波的周期進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述正弦波的半 周期的波狀線，由此形成所述波狀線路的圖案。
[0039] [19]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述第1步驟在按照半周期對(duì)至少 所述正弦波的周期和振幅進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述正弦波的半周期的波狀線，由此 形成所述波狀線路的圖案。
[0040] [20]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述第1步驟在以每半周期對(duì)至少 所述正弦波的周期、振幅和相位進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述正弦波的半周期的波狀線， 由此形成所述波狀線路的圖案。
[0041] [21]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述第1步驟在按照半周期對(duì)周期、 振幅、相位和線寬進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述正弦波的半周期的波狀線，由此形成所述 波狀線路的圖案。
[0042] [22]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述第2步驟中，一個(gè)波狀線路中的 所述波狀線的振幅的最大值限制在該一個(gè)波狀線路和與該一個(gè)波狀線路相鄰的另一個(gè)波 狀線路間的間隔的1/2以下，由此設(shè)定所述間隔。
[0043] [23]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述第4步驟形成沿所述第2方向的 直線狀的所述副線路的圖案。
[0044] [24]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述第4步驟在各行間分別對(duì)所述 副線路的位置進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述副線路的圖案。
[0045] [25]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，所述布線圖案中，被相鄰的波狀線路 的各中心線、和該相鄰的波狀線路間的相鄰的副線路的各中心線圍成的封閉區(qū)域的形狀是 四邊形，所述封閉區(qū)域具有排列多個(gè)的形態(tài)。
[0046] [26]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，各所述封閉區(qū)域的面積大致相同。
[0047] [27]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，各所述封閉區(qū)域的周長大致相同。
[0048] [28]本發(fā)明的第三技術(shù)方案中，其特征在于，在設(shè)第1邊的長度為L1、設(shè)第2邊的 長度為L2時(shí)，所述第1邊的長度Ll與所述第2邊的長度L2之比（L1/L2)為5以上，其中， 該第1邊基于構(gòu)成所述封閉區(qū)域的波狀線路的中心線，該第2邊基于構(gòu)成所述封閉區(qū)域的 副線路的中心線。
[0049] [29]本發(fā)明的第四技術(shù)方案涉及的記錄介質(zhì)，其存儲(chǔ)形成構(gòu)成導(dǎo)電性薄膜中的 導(dǎo)電部的布線圖案的圖案形成程序，所述導(dǎo)電性薄膜在透明薄膜基材上具備導(dǎo)電部和開口 部，所述導(dǎo)電部具備主線路圖案和多個(gè)副線路，主線路圖案由沿第1方向形成的多個(gè)波狀 線路在與所述第1方向垂直的第2方向上排列而成，多個(gè)副線路將相鄰的波狀線路間電連 接，該圖案形成程序用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行以下步驟：輸入初始函數(shù)的步驟；第1步驟，該步驟 在對(duì)所述初始函數(shù)的至少周期進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，在第1方向形成波狀線路的圖案；第2 步驟，該步驟對(duì)所描繪的所述波狀線路、和與該波狀線路相鄰的波狀線路在第2方向（與所 述第1方向垂直的方向）上的間隔進(jìn)行隨機(jī)變更；第3步驟，該步驟反復(fù)執(zhí)行所述第1步驟 和第2步驟，形成沿所述第1方向形成的多個(gè)波狀線路在與所述第1方向垂直的所述第2 方向上排列而成的所述主線路圖案；第4步驟，該步驟中，在將相鄰的波狀線路間定義為行 間時(shí)，在所述主線路圖案中的各行間中，形成2個(gè)以上的連接相鄰的波狀線路的副線路的 圖案。
[0050] 如以上說明所述，通過本發(fā)明涉及的導(dǎo)電性薄膜、透明發(fā)熱體、圖案形成方法和記 錄介質(zhì)，能夠?qū)崿F(xiàn)以下效果。
[0051] (1)能夠消除衍射像的擴(kuò)展、斷線、布線視覺識(shí)別性的問題。其結(jié)果，在通過流過電 流而作為發(fā)熱片使用時(shí)，能夠提高發(fā)熱效率，同時(shí)能夠防止車輛用燈具或戶外燈等引起的 光的炫目，適合用于車輛的車窗玻璃等。
[0052] (2)在作為觸摸屏用電極、無機(jī)EL元件或有機(jī)EL元件的電極使用時(shí)，能夠防止背 光引起的炫目等。
[0053] (3)在作為太陽能電池的電極使用時(shí)，能夠作為電磁波屏蔽膜發(fā)揮功能，此外，能 夠?qū)⒈砻骐娮璞３值幂^低，能夠防止發(fā)電效率的降低。
[0054] 配合附圖，通過以下的【具體實(shí)施方式】的說明來進(jìn)一步闡明上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0055] 圖1是部分省略地示出本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜的截面圖。
[0056] 圖2是部分省略地示出本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜的俯視圖。
[0057] 圖3是表示本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜的制造方法的流程圖。
[0058] 圖4是表示形成用于制作導(dǎo)電性薄膜的曝光圖案的方法的流程圖（之1)。
[0059] 圖5是表示形成用于制作導(dǎo)電性薄膜的曝光圖案的方法的流程圖（之2)。
[0060] 圖6是表示形成用于制作導(dǎo)電性薄膜的曝光圖案的方法的流程圖（之3)。
[0061]圖7A?圖7E是表示本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜的第一制造方法的工序圖。
[0062] 圖8A和圖8B是表示本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜的第二制造方法的工序圖。
[0063] 圖9A和圖9B是表示本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜的第三制造方法的工序圖。
[0064] 圖10是表示本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜的第四制造方法的工序圖。
[0065] 圖11是表示利用封閉區(qū)域的第1邊的長度Ll和第2邊的長度L2之比（L1/L2) 的不同進(jìn)行的衍射像和布線視覺識(shí)別性的官能評(píng)價(jià)的圖表。

【具體實(shí)施方式】
[0066] 以下，參照?qǐng)D1?圖11，對(duì)本發(fā)明涉及的導(dǎo)電性薄膜、透明發(fā)熱體、圖案形成方法 和記錄圖案形成程序的記錄介質(zhì)的實(shí)施方式進(jìn)行說明。需要說明的是，本說明書中表示數(shù) 值范圍的"?"以包含其前后記載的數(shù)值作為下限值和上限值的含義而使用。
[0067] 本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜能夠用作車輛的除霜裝置（defroster)、車窗玻璃 等的一部分。該導(dǎo)電性薄膜也可以作為通過流過電流而發(fā)熱的透明發(fā)熱體發(fā)揮功能。
[0068] 并且，如圖1所示，該導(dǎo)電性薄膜10在透明薄膜基材12上具備導(dǎo)電部14和開口 部16。需要說明的是，在以下的說明中，有時(shí)也將導(dǎo)電部14記為布線圖案14。
[0069] 導(dǎo)電部14如圖2中放大所示，具備主線路圖案22和多個(gè)副線路24,主線路圖案22 由沿第1方向（X方向）形成的多個(gè)波狀線路20在與第1方向垂直的第2方向（Y方向）上 排列而成，多個(gè)副線路24將相鄰的波狀線路20間電連接。由波狀線路20和副線路24劃 分的部分構(gòu)成開口部16。
[0070] 構(gòu)成主線路圖案22中的各波狀線路20的多個(gè)波狀線20a至少周期是不規(guī)則的。 在圖2的例中，表示出周期、振幅、與相鄰的波狀線路間的間隔均為不規(guī)則的例子。
[0071]另外，本實(shí)施方式中，構(gòu)成各波狀線路20的多個(gè)波狀線20a分別以每半周期被賦 予了不規(guī)則性。即，形成每半周期中周期、振幅不同的波狀線。這里，一個(gè)波狀線路20中的 波狀線20a的振幅的最大值被設(shè)定為該波狀線路20和與該波狀線路20相鄰的另一個(gè)波狀 線路20間的間隔的1/2以下。這是為了使在相鄰的波狀線路20間波狀線20a不重疊。
[0072] 各波狀線路20的相位也分別設(shè)定為不規(guī)則。在圖2的例子中，示出了從上數(shù)第1 條、第3條和第4條的波狀線路20分別以相位0°開始、從上數(shù)第2條和第5條的波狀線路 20分別以相位180°開始的例子。
[0073]另外，本實(shí)施方式中，雖然沒有圖示，但各波狀線20a的線寬也是不規(guī)則的，被設(shè) 定成每半周期不同的線寬。
[0074] 另一方面，副線路24沿第2方向以直線狀形成?？紤]到布線視覺識(shí)別性，在相鄰 的一組的波狀線路20間布線的副線路24優(yōu)選盡可能少。本實(shí)施方式中，設(shè)定為2?3條。
[0075] 此外，主線路圖案22中，被相鄰的波狀線路20的各中心線Lm、和該相鄰的波狀線 路20間的相鄰的副線路24的各中心線Ln包圍的封閉區(qū)域26的形狀是四邊形，該封閉區(qū) 域26具有多個(gè)排列的形態(tài)。在圖2的例中，示出了各封閉區(qū)域26的面積大致相同，而且， 各封閉區(qū)域26的周長大致相同的例子。這里，使其"大致相同"是考慮到制造偏差，理想的 情況下，優(yōu)選的是各封閉區(qū)域26的面積相同，而且，各封閉區(qū)域26的周長相同。
[0076]另外，在將基于波狀線路20的中心線Lm的第1邊的長度設(shè)為L1、將基于構(gòu)成封閉 區(qū)域26的副線路24的中心線Ln的第2邊的長度設(shè)為L2時(shí)，第1邊的長度Ll與第2邊的 長度L2之比（L1/L2)優(yōu)選為5以上。
[0077] 另外，可以使波狀線路20的線寬與副線路24的線寬不同。若使波狀線路20的線 寬比副線路24的線寬粗，則副線路24變得不顯眼，因此從提高布線視覺識(shí)別性的方面、以 及降低表面電阻的方面出發(fā)是優(yōu)選的。相反地若使副線路24的線寬比波狀線路20的線寬 粗，則在制成透明發(fā)熱體的情況下，能夠?qū)⒉罹€路20的斷線所引起的發(fā)熱量的影響抑制 得較小，從這方面出發(fā)是優(yōu)選的。當(dāng)然，通過使相鄰的波狀線路20間的間隔變窄，能夠?qū)?線所帶來的影響抑制得較小。
[0078] 但是，在使波狀線路20或副線路24的線寬變粗、或者使相鄰的波狀線路20間的 間隔變窄的情況下，可見光透射率降低，因此優(yōu)選調(diào)整到可見光透射率能夠維持在70? 80%的程度。此時(shí)，波狀線路20的線寬和副線路24的線寬優(yōu)選為100μm以下，相鄰的波 狀線路20間的間隔優(yōu)選為1000μm以下。
[0079] 這樣，在本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜10和透明導(dǎo)電元件中，雖然是在第1方向 和第2方向具有成分的布線圖案14,但由于在第1方向具有成分的波狀線路20存在不規(guī)則 性，因此能夠?qū)⒀苌湎竦臄U(kuò)展抑制為一維的擴(kuò)展，此外，還能夠使干涉條紋變得不鮮明。另 夕卜，由于想要在相鄰的波狀線路20間將多個(gè)副線路24電連接，因此即使一部分產(chǎn)生斷線， 也能夠抑制發(fā)熱不勻的影響。而且，具有不規(guī)則性的是沿第1方向形成的波狀線路20,因此 布線圖案14顯眼的情況消失，能夠使布線視覺識(shí)別性變得良好。
[0080]S卩，本實(shí)施方式中，能夠消除衍射像的擴(kuò)展、斷線、布線視覺識(shí)別性的問題。其結(jié) 果，在通過流過電流而作為透明發(fā)熱體使用時(shí)，能夠提高發(fā)熱效率，同時(shí)能夠防止車輛用燈 具或戶外燈等引起的光的炫目，適合用于車輛的車窗玻璃等。還能夠降低斷線導(dǎo)致的車窗 玻璃的更換次數(shù)，能夠有助于使用者降低運(yùn)行成本。
[0081]另外，本實(shí)施方式中，在作為觸摸屏用電極、無機(jī)EL元件或有機(jī)EL元件的電極使 用時(shí)，能夠防止背光引起的炫目等。
[0082] 另外，本實(shí)施方式中，在作為太陽能電池的電極使用時(shí)，能夠作為電磁波屏蔽膜發(fā) 揮功能，此外，能夠?qū)⒈砻骐娮璞３值幂^低，能夠防止發(fā)電效率的降低。
[0083] 接著，參照?qǐng)D3?圖10,對(duì)本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜10的制造方法、特別是包 含圖案形成方法在內(nèi)的制造方法進(jìn)行說明。
[0084] 首先，在圖3的步驟Sl中，制作感光材料。作為感光材料，如后所述，可以舉出：具 有透明薄膜基材12、和設(shè)置在該透明薄膜基材12上的銀鹽感光層的感光材料；或者，具有 在上表面形成了銅箔的透明薄膜基材12、和形成于銅箔上的光致抗蝕膜的感光材料等。
[0085] 步驟S2中，利用圖案形成裝置形成曝光圖案（導(dǎo)電部14的布線圖案：描繪數(shù)據(jù)）。
[0086] 步驟S3中，制作具有與所形成的曝光圖案對(duì)應(yīng)的掩模圖案的掩模，從曝光裝置隔 著掩模圖案對(duì)感光材料（銀鹽感光層或光致抗蝕層）照射光，從而對(duì)感光材料曝光所述曝 光圖案。或者，將所形成的曝光圖案輸入曝光裝置，通過該曝光裝置的數(shù)字寫入曝光對(duì)感光 材料曝光所述曝光圖案。需要說明的是，在感光材料具有銀鹽感光層或負(fù)型的光致抗蝕層 的情況下，將與曝光圖案對(duì)置的部位曝光，在感光材料具有正型的光致抗蝕層的情況下，將 與曝光圖案不對(duì)置的部位（即，反轉(zhuǎn)圖案）曝光。
[0087] 步驟S4中，對(duì)感光材料進(jìn)行顯影處理，在透明薄膜基材12上形成具有沿著曝光圖 案的圖案的導(dǎo)電部14。該階段中，導(dǎo)電性薄膜10完成。
[0088] 然后，在步驟S5中，例如在構(gòu)成擋風(fēng)玻璃的2枚粘合在一起的玻璃之間設(shè)置導(dǎo)電 性薄膜10作為透明發(fā)熱體。
[0089] 這里，參照?qǐng)D4?圖6,對(duì)本實(shí)施方式涉及的圖案形成方法和利用記錄在記錄介質(zhì) 中的圖案形成程序的曝光圖案的形成方法進(jìn)行說明。圖案形成裝置由計(jì)算機(jī)構(gòu)成，具備鍵 盤或鼠標(biāo)等輸入裝置、硬盤、偽隨機(jī)數(shù)生成部、描繪曝光圖案的圖像存儲(chǔ)器、各種寄存器、輸 入輸出接口等。
[0090] 首先，在圖4的步驟SlOl中，向圖案形成裝置輸入作為基準(zhǔn)的初始函數(shù)。這也可 以通過操作者從輸入裝置進(jìn)行操作輸入而實(shí)現(xiàn)，在圖案形成的程序起動(dòng)時(shí)，例如可以讀取 預(yù)先存儲(chǔ)在硬盤中的初始函數(shù)。
[0091] 步驟S102中，進(jìn)行初始設(shè)定。作為初始設(shè)定，可以舉出對(duì)于圖像存儲(chǔ)器的描繪開 始位置（地址）的初始設(shè)定、在一個(gè)波狀線路20中所含的半周期的波狀線20a的個(gè)數(shù)Na、 波狀線路20的條數(shù)Nb、在相鄰的一組波狀線路20間布線的副線路24的條數(shù)Nc、封閉區(qū)域 26的面積（或封閉區(qū)域26的全周長）、各種不規(guī)則性的參數(shù)的設(shè)定。
[0092] 不規(guī)則性的參數(shù)表示波狀線20a的周期等的變動(dòng)幅度，例如若初始函數(shù)為正弦波 函數(shù)，則上述參數(shù)為正弦波的周期的變動(dòng)幅度、正弦波的振幅的變動(dòng)幅度、線寬的變動(dòng)幅 度、相鄰的波狀線路20間的間隔的變動(dòng)幅度、各第1條副線路的描繪位置的變動(dòng)幅度，以最 大允許達(dá)到百分之幾進(jìn)行規(guī)定。
[0093] 步驟S103中，對(duì)所形成的波狀線路20的條數(shù)的計(jì)數(shù)中使用的計(jì)數(shù)器i，設(shè)置初始 值"1"。
[0094] 步驟S104中，對(duì)所形成的半周期的波狀線20a的個(gè)數(shù)的計(jì)數(shù)中使用的計(jì)數(shù)器j，設(shè) 置初始值"1"。
[0095] 步驟S105中，設(shè)定第i個(gè)波狀線路20中的第j個(gè)半周期的波狀線20a的周期。此 時(shí)，進(jìn)行兩次隨機(jī)數(shù)生成。
[0096] 第一次為設(shè)定變動(dòng)方向（正負(fù)）的隨機(jī)數(shù)，為在0?100中隨機(jī)生成的任一個(gè)數(shù) 字。若該隨機(jī)數(shù)為〇?50的任一者，則設(shè)定為"負(fù)"，若隨機(jī)數(shù)為51?100的任一者，則設(shè) 定為"正"。
[0097] 第二次為設(shè)定變動(dòng)幅度的隨機(jī)數(shù)。例如在上述的初始設(shè)定中將基準(zhǔn)的正弦波函數(shù) 的半周期設(shè)定為I. 35_、將變動(dòng)幅度設(shè)定為50 %的情況下，在第二次的隨機(jī)數(shù)為η時(shí)，若第 一次的隨機(jī)數(shù)表示負(fù)，則波狀線20a的半周期為I. 35Χ(1 - 0. 5Χ(n/100))mm。在第一次 的隨機(jī)數(shù)表示正的情況下，波狀線20a的半周期為1. 35X(1+0. 5X(n/100))mm。因此，該步 驟S105中，作為波狀線20a的半周期，設(shè)定為0. 675?2. 025mm中的任意數(shù)字。
[0098] 步驟S106中，設(shè)定半周期的波狀線20a的振幅。該情況下也進(jìn)行兩次隨機(jī)數(shù)生成。 第一次與步驟S105同樣地，為設(shè)定變動(dòng)方向（正負(fù)）的隨機(jī)數(shù)。
[0099] 第二次為設(shè)定振幅的變動(dòng)幅度的隨機(jī)數(shù)。例如在上述的初始設(shè)定中將基準(zhǔn) 的正弦波函數(shù)的振幅設(shè)定為〇.5mm、將變動(dòng)幅度設(shè)定為30 %的情況下，在第二次的隨 機(jī)數(shù)為η時(shí)，若第一次的隨機(jī)數(shù)表示負(fù)，則半周期的波狀線20a的振幅為0. 5X(1 - 0. 3X(n/100))mm。在第一次的隨機(jī)數(shù)表示正的情況下，半周期的波狀線20a的振幅為 0. 5X(1+0. 3X(n/100) )mm。因此，該步驟S106中，作為半周期的波狀線20a的振幅，設(shè)定 為0. 35?0. 65mm中的任意數(shù)字。
[0100] 步驟S107中，設(shè)定半周期的波狀線20a的線寬。該情況下也進(jìn)行兩次隨機(jī)數(shù)生成。 第一次與步驟S105同樣地，為設(shè)定變動(dòng)方向（正負(fù)）的隨機(jī)數(shù)。
[0101] 第二次為設(shè)定線寬的變動(dòng)幅度的隨機(jī)數(shù)。例如在上述的初始設(shè)定中將基準(zhǔn)的正弦 波函數(shù)的線寬設(shè)定為20μm、將變動(dòng)幅度設(shè)定為20%的情況下，在第二次的隨機(jī)數(shù)為η時(shí)， 若第一次的隨機(jī)數(shù)表示負(fù)，則半周期的波狀線20a的線寬為20Χ(1 - 0. 2Χ(η/100))μm。 在第一次的隨機(jī)數(shù)表示正的情況下，半周期的波狀線20a的線寬為20X(1+0. 2X(n/100)) μm。因此，該步驟S107中，作為半周期的波狀線20a的線寬，設(shè)定為16?24μm中的任意 數(shù)字。
[0102] 步驟S108中，設(shè)定半周期的波狀線20a的相位。此時(shí)，進(jìn)行1次隨機(jī)數(shù)生成。該 隨機(jī)數(shù)也與上述同樣地，為0?100中隨機(jī)生成的任一個(gè)數(shù)字，若該隨機(jī)數(shù)為〇?50的任 一者，則設(shè)定為相位0°，若隨機(jī)數(shù)為51?100的任一者，則設(shè)定為相位180°。
[0103] 步驟S109中，從圖像存儲(chǔ)器中所設(shè)定的描繪開始位置起描繪設(shè)定后的半周期的 波狀線20a(第i個(gè)波狀線路20中的第j個(gè)半周期的波狀線20a)。在上述各種參數(shù)的設(shè)定 的說明中，為了掌握實(shí)際的曝光圖案而以實(shí)測(cè)值表示，在向該圖像存儲(chǔ)器的描繪中，將實(shí)測(cè) 值仿射變換為屏幕坐標(biāo)而進(jìn)行。以下相同。需要說明的是，在向曝光裝置送出曝光圖案時(shí)， 圖像存儲(chǔ)器中描繪的圖案被變換為基于實(shí)測(cè)值的大小，由此被供給到曝光裝置中。或者，在 圖像存儲(chǔ)器中描繪的圖案被供給到曝光裝置中后，在該曝光裝置中被變換為基于實(shí)測(cè)值的 大小。
[0104] 步驟SllO中，對(duì)計(jì)數(shù)器j的值進(jìn)行+1更新。
[0105] 步驟Slll中，對(duì)于第i個(gè)波狀線路20,判斷是否所有的半周期的波狀線20a的描 繪已結(jié)束。該判斷通過計(jì)數(shù)器j的值是否超過半周期的波狀線20a的個(gè)數(shù)Na而進(jìn)行。若 尚未結(jié)束，則進(jìn)入步驟S112,將描繪開始位置設(shè)定（更新）為在第1方向（X方向）上移動(dòng) 步驟S109中描繪的半周期的波狀線20a的周期而得到的位置。然后，回到步驟S105,進(jìn)行 該步驟S105以后的處理，即之后的半周期的波狀線20a的設(shè)定、描繪。
[0106] 對(duì)于第i個(gè)波狀線路20,在所有的半周期的波狀線20a的描繪結(jié)束的階段，進(jìn)入圖 5的步驟S113,對(duì)計(jì)數(shù)器i的值進(jìn)行+1更新。
[0107] 步驟S114中，對(duì)于第i個(gè)波狀線路20,判斷是否所有的半周期的波狀線20a的描 繪已結(jié)束。該判斷通過計(jì)數(shù)器i的值是否超過波狀線路的條數(shù)Nb而進(jìn)行。若尚未結(jié)束，則 進(jìn)入步驟S115,設(shè)定相鄰的波狀線路間的間隔。該情況下也進(jìn)行兩次隨機(jī)數(shù)生成。第一次 與步驟S105同樣地，為設(shè)定變動(dòng)方向（正負(fù)）的隨機(jī)數(shù)。
[0108] 第二次為設(shè)定波狀線路20間的間隔的變動(dòng)幅度的隨機(jī)數(shù)。例如在上述的初 始設(shè)定中將波狀線路20間的間隔的基準(zhǔn)值設(shè)定為2. 7mm、將變動(dòng)幅度設(shè)定為10%的情 況下，在第二次的隨機(jī)數(shù)為η時(shí)，若第一次的隨機(jī)數(shù)表示負(fù)，則波狀線路20間的間隔為 2. 7Χ(1 - 0.IX(n/100))mm。在第一次的隨機(jī)數(shù)表示正的情況下，波狀線路20間的間隔 為2. 7X(1+0.IX(n/100))mm。因此，該步驟S115中，作為波狀線路20間的間隔，設(shè)定為 2. 43?2. 97mm中的任意數(shù)字。
[0109] 步驟S116中，將步驟S115中設(shè)定的波狀線路20間的間隔的信息存入行間表的第 i個(gè)記錄中。
[0110] 步驟S117中，將描繪開始位置設(shè)定為在第2方向（Y方向）上從第i個(gè)波狀線路 的前面的位置移動(dòng)步驟S115中設(shè)定的波狀線路20的間隔而得到的位置。然后，回到圖4 的步驟S104,進(jìn)行該步驟S104以后的處理，即之后的波狀線路20的設(shè)定、描繪。
[0111] 在所有的波狀線路20的描繪結(jié)束的階段，進(jìn)入圖5的步驟S118,在將相鄰的波狀 線路20間定義為行間時(shí)，對(duì)所形成的波狀線路20的行間數(shù)的計(jì)數(shù)中使用的計(jì)數(shù)器k，設(shè)置 初始值"1"。
[0112] 在步驟S119中，設(shè)定在第k個(gè)行間描繪的第1條副線路24的描繪開始位置（第 1方向的坐標(biāo)）。此時(shí)，進(jìn)行1次隨機(jī)數(shù)生成。例如在上述的初始設(shè)定中將基準(zhǔn)的正弦波函 數(shù)的半周期設(shè)定為I. 35mm、將波狀線的個(gè)數(shù)Nb設(shè)定為120條、將變動(dòng)幅度設(shè)定為20%的情 況下，在隨機(jī)數(shù)為η時(shí)，第1條副線路24的描繪開始位置為距第1方向的原點(diǎn)（各波狀線 路20的第1方向的描繪開始位置）1. 35X120X0. 2X(n/100)mm的位置。
[0113] 步驟S120中，求出構(gòu)成第k個(gè)行間的相鄰的波狀線路20、與將步驟Sl19中設(shè)定的 描繪開始位置延長的線的交點(diǎn)（在第2方向排列的兩個(gè)交點(diǎn)）的位置。
[0114] 步驟S121中，在步驟S120中求得的交點(diǎn)間描繪副線路24。
[0115] 步驟S122中，對(duì)在一個(gè)行間描繪的第2條以后的副線路24的條數(shù)的計(jì)數(shù)中使用 的計(jì)數(shù)器P，設(shè)置初始值"1"。
[0116] 步驟S123中，讀取在行間表中登錄的相鄰的波狀線間的間隔中與第k個(gè)行間對(duì)應(yīng) 的間隔的信息。
[0117] 步驟S124中，基于所讀取的間隔的信息和預(yù)先設(shè)定的封閉區(qū)域26的面積（或封 閉區(qū)域26的全周長），求出相鄰的副線路24間的距離（LI)。
[0118] 步驟S125中，將對(duì)目前的描繪開始位置加上步驟S123中求出的副線路24間的距 離而得到的位置設(shè)定（更新）為描繪開始位置。
[0119] 步驟S126中，求出構(gòu)成第k個(gè)行間的相鄰的波狀線路20、與將步驟S125中設(shè)定的 描繪開始位置延長的線的交點(diǎn)（在第2方向排列的兩個(gè)交點(diǎn)）的位置。
[0120] 步驟S127中，在步驟S126中求出的交點(diǎn)間描繪副線路24。
[0121] 圖6的步驟S128中，對(duì)計(jì)數(shù)器p進(jìn)行+1更新。
[0122] 步驟S129中，判斷第2條以后的副線路的描繪是否已結(jié)束。該判斷通過計(jì)數(shù)器p 的值是否超過從副線路24的條數(shù)Nc減去1的數(shù)（Nb-I)而進(jìn)行。若尚未結(jié)束，則回到圖5 的步驟S123,進(jìn)行該步驟S123以后的處理，即之后的副線路24的設(shè)定、描繪。
[0123] 對(duì)于第k個(gè)行間，在所有的副線路24的描繪結(jié)束的階段，進(jìn)入圖6的步驟S130,對(duì) 計(jì)數(shù)器k的值進(jìn)行+1更新。
[0124] 步驟S131中，判斷是否所有的行間中的副線路24的描繪已結(jié)束。該判斷通過計(jì) 數(shù)器k的值是否超過全部行間數(shù)（波狀線路20的條數(shù)Nb-I)而進(jìn)行。若尚未結(jié)束，則回到 圖5的步驟S119,進(jìn)行該步驟S119以后的處理，即之后的行間中的副線路24的設(shè)定、描繪。
[0125] 在所有的行間中的副線路24的描繪結(jié)束的階段，進(jìn)入之后的步驟S131，將圖像存 儲(chǔ)器中描繪的圖案（曝光圖案）輸出到曝光裝置。該階段中，圖案形成處理結(jié)束。
[0126] 接著，參照?qǐng)D7A?圖10,對(duì)基于上述圖3的工序的導(dǎo)電性薄膜10的具體制造方法 進(jìn)行說明。
[0127] 第1制造方法中，利用對(duì)設(shè)置于透明薄膜基材12上的銀鹽感光層進(jìn)行曝光、顯影、 定影而形成的金屬銀部、和該金屬銀部所負(fù)載的導(dǎo)電性金屬，形成導(dǎo)電部14(布線圖案）。
[0128] 具體而言，如圖7A所示，將使鹵化銀36(例如溴化銀顆粒、氯溴化銀顆?；虻怃寤?銀顆粒）與明膠38混合而成的銀鹽感光層40涂布到透明薄膜基材12上，得到感光材料。 需要說明的是，圖7A?圖7C中，將鹵化銀36繪制為"顆粒"，這只是為了有助于本發(fā)明的理 解而進(jìn)行的夸張的表示，并不表示大小或濃度等。
[0129] 之后，如圖7B所示，對(duì)銀鹽感光層40進(jìn)行導(dǎo)電部14的形成所必需的曝光。即，隔 著與經(jīng)過圖4?圖6所示的圖案形成處理而得到的曝光圖案對(duì)應(yīng)的掩模圖案，對(duì)銀鹽感光 層40照射光?；蛘撸脤?duì)于銀鹽感光層40的數(shù)字寫入曝光，對(duì)銀鹽感光層40曝光通過 所述圖案形成處理而形成的曝光圖案。當(dāng)鹵化銀36接收到光能時(shí)，進(jìn)行感光而形成被稱為 "潛影"的肉眼無法觀察的微小的銀核。
[0130] 之后，為了將潛影放大為肉眼能夠觀察的可視覺識(shí)別的圖像，如圖7C所示，進(jìn)行 顯影處理。具體而言，利用顯影液（堿性溶液和酸性溶液兩者均有，但通常堿性溶液較多） 對(duì)形成了潛影的銀鹽感光層40進(jìn)行顯影處理。該顯影處理是指，由齒化銀顆?；蝻@影液供 給的銀離子，通過被稱為顯影液中的顯影主劑的還原劑，以潛影銀核作為催化劑核，被還原 成金屬銀，其結(jié)果，潛影銀核被放大，形成可視覺識(shí)別的銀圖像（顯影銀42)。
[0131] 結(jié)束顯影處理后，銀鹽感光層40中殘存有能夠感光的鹵化銀36,因此，為了除去 該鹵化銀36,如圖7D所示，利用定影處理液（酸性溶液和堿性溶液兩者均有，但通常酸性溶 液較多）進(jìn)行定影。
[0132] 通過進(jìn)行該定影處理，在曝光的部位形成金屬銀部44,在未曝光的部位僅殘存明 膠38,形成透光部46。即，在透明薄膜基材12上形成金屬銀部44和透光部46的組合。
[0133] 使用溴化銀作為鹵化銀36、并用硫代硫酸鹽進(jìn)行定影處理時(shí)的定影處理的反應(yīng)式 如下所述。
[0134]AgBr(固體）+2 個(gè)S2O3 離子^Ag(S2O3)2
[0135](易水溶性絡(luò)合物）
[0136] 即，2個(gè)硫代硫酸根離子S2O3和明膠38中的銀離子（來自AgBr的銀離子）形成 硫代硫酸銀絡(luò)合物。硫代硫酸銀絡(luò)合物的水溶性高，因此從明膠38中溶出。其結(jié)果，顯影 銀42作為金屬銀部44被定影而殘留。
[0137] 因此，顯影工序?yàn)閷?duì)于潛影使還原劑反應(yīng)從而使顯影銀42析出的工序，定影工序 為使沒有形成顯影銀42的鹵化銀36溶出到水中的工序。詳細(xì)內(nèi)容可參見T.H.James,The TheoryofthePhotographicProcess(照相法原理），4thed. ,MacmillianPublishing Co.，Inc，NY，Chapterl5,pp. 438-442. 1977。
[0138] 需要說明的是，在許多情況下，顯影處理在堿性溶液中進(jìn)行，因此在從顯影處理工 序進(jìn)入定影處理工序時(shí)，由于顯影處理而附著的堿溶液被帶入定影處理溶液（許多情況下 為酸性溶液）中，因此存在定影處理液的活性發(fā)生變化的問題。另外，從顯影處理槽中取出 后，還存在膜上殘留的顯影液會(huì)引起所不期望的顯影反應(yīng)進(jìn)一步進(jìn)行的擔(dān)憂。因此，顯影處 理后，在進(jìn)入定影處理工序之前，優(yōu)選用醋酸（醋）溶液等終止液將銀鹽感光層40中和或 酸性化。
[0139] 并且，如圖7E所示，例如通過進(jìn)行鍍敷處理（單獨(dú)使用化學(xué)鍍或電鍍，或者將兩者 組合使用），僅使金屬銀部44負(fù)載導(dǎo)電性金屬48,從而在透明薄膜基材12上通過金屬銀 部44、和該金屬銀部44所負(fù)載導(dǎo)電性金屬48而形成導(dǎo)電部14,透光部46成為開口部16。 艮P，如圖2所示，在透明薄膜基材12上形成具備主線路圖案22和多個(gè)副線路24的導(dǎo)電部 14,主線路圖案22由沿第1方向（X方向）形成的多個(gè)波狀線路20在與第1方向垂直的第 2方向（Y方向）上排列而成，多個(gè)副線路24將相鄰的波狀線路20間電連接。
[0140] 這里，對(duì)上述使用銀鹽感光層40的方法（銀鹽照相技術(shù)）、和使用光致抗蝕的方法 (抗蝕技術(shù)）的不同點(diǎn)進(jìn)行說明。
[0141] 抗蝕技術(shù)中，通過曝光處理，光聚合引發(fā)劑吸收光而反應(yīng)開始，光致抗蝕膜（樹 脂）自身發(fā)生聚合反應(yīng)，使在顯影液中的溶解性增大或減少，通過顯影處理，除去曝光部分 或未曝光部分的樹脂。需要說明的是，抗蝕技術(shù)中被稱為顯影液的液體不含還原劑，例如是 溶解未反應(yīng)的樹脂成分的堿性溶液。另一方面，本發(fā)明的銀鹽照片技術(shù)的曝光處理中，如上 所述，由在受到光照射的部位的鹵化銀36內(nèi)產(chǎn)生的光電子和銀離子，形成所謂被稱為"潛 影"的微小的銀核，該潛影銀核通過顯影處理（該情況下的顯影液一定含有被稱為顯影主劑 的還原劑）被放大，形成可視覺識(shí)別的銀圖像。這樣，在抗蝕技術(shù)和銀鹽照相技術(shù)中，從曝 光處理至顯影處理的反應(yīng)完全不同。
[0142] 抗蝕技術(shù)的顯影處理中，曝光部分或未曝光部分的未發(fā)生聚合反應(yīng)的樹脂部分被 除去。另一方面，銀鹽照相技術(shù)的顯影處理中，將潛影作為催化劑核，通過顯影液中所含的 被稱為顯影主劑的還原劑而產(chǎn)生還原反應(yīng)，顯影銀42長大至肉眼能夠看到的大小，不進(jìn)行 未曝光部分的明膠38的除去。這樣，在抗蝕技術(shù)和銀鹽照相技術(shù)中，顯影處理中的反應(yīng)也 完全不同。
[0143] 需要說明的是，未曝光部分的明膠38中所含的鹵化銀36通過之后的定影處理而 被溶出，不進(jìn)行明膠38自身的除去。
[0144] 這樣，在銀鹽照相技術(shù)中反應(yīng)（感光）主體是鹵化銀，與此相對(duì)，在抗蝕技術(shù)中反 應(yīng)（感光）主體是光聚合引發(fā)劑。另外，對(duì)于顯影處理，在銀鹽照相技術(shù)中粘合劑（明膠 38)殘存，但在抗蝕技術(shù)中粘合劑不再存在。在這點(diǎn)上，銀鹽照片技術(shù)與光致抗蝕技術(shù)差別 很大。
[0145] 作為其他制造方法（第2制造方法），如圖8A所示，例如形成銅箔50上的光致抗 蝕膜52,得到感光材料，其中，該銅箔50形成在透明薄膜基材12上。然后，對(duì)感光材料進(jìn)行 曝光。即，隔著與經(jīng)過圖4?圖6所示的圖案形成處理而得的曝光圖案對(duì)應(yīng)的掩模圖案，對(duì) 光致抗蝕膜52照射光。或者，利用對(duì)于光致抗蝕膜52的數(shù)字寫入曝光，對(duì)光致抗蝕膜52曝 光由圖案形成裝置形成的曝光圖案。然后，進(jìn)行顯影處理，由此在透明薄膜基材12上形成 與導(dǎo)電部14對(duì)應(yīng)的抗蝕圖案54,如圖8B所示，對(duì)從抗蝕圖案54露出的銅箔50進(jìn)行蝕刻。 在該階段，形成基于銅箔的導(dǎo)電部14。即，如圖2所示，在透明薄膜基材12上形成主線路圖 案22和多個(gè)副線路24,主線路圖案22由沿第1方向（X方向）形成的多個(gè)波狀線路20在 與第1方向垂直的第2方向（Y方向）上排列而成，多個(gè)副線路24將相鄰的波狀線路20間 電連接。
[0146] 另外，作為第3制造方法，也可以如圖9A所示，在透明薄膜基材12上印刷含有金 屬微粒的糊料56,如圖9B所示，對(duì)糊料56進(jìn)行金屬鍍敷58,由此形成導(dǎo)電部14。
[0147] 或者，作為第4制造方法，也可以如圖10所示，在透明薄膜基材12上，利用絲網(wǎng)印 刷版或凹版印刷版，印刷形成與經(jīng)過圖4?圖6所示的圖案形成處理而得的曝光圖案對(duì)應(yīng) 的布線圖案14。
[0148] 接著，在本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜10中，以尤其優(yōu)選的方式、即使用鹵化銀 照片感光材料的導(dǎo)電性金屬薄膜的制作方法為中心進(jìn)行說明。
[0149] 如上所述，本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜10可以如下制造：將在透明薄膜基材12 上具有含感光性齒化銀鹽的乳劑層的感光材料曝光，通過實(shí)施顯影處理，在曝光部和未曝 光部分別形成金屬銀部44和透光部46,此外通過對(duì)金屬銀部44實(shí)施物理顯影和/或鍍敷 處理，從而使金屬銀部44負(fù)載導(dǎo)電性金屬48,由此可以進(jìn)行制造。
[0150] 根據(jù)感光材料和顯影處理的方式，本實(shí)施方式涉及的導(dǎo)電性薄膜10的形成方法 包含以下三種方式。
[0151] (1)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進(jìn)行化學(xué)顯影或熱顯影，在 該感光材料上形成金屬銀部44的方式。
[0152] (2)將在鹵化銀乳劑層中含有物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進(jìn)行溶解 物理顯影，在該感光材料上形成金屬銀部44的方式。
[0153] (3)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與具有含物理顯影核的非 感光性層的顯影片重疊，進(jìn)行擴(kuò)散轉(zhuǎn)印顯影，在非感光性顯影片上形成金屬銀部44的方 式。
[0154] 上述（1)的方式為一體型黑白顯影型，在感光材料上形成電磁波屏蔽薄膜或透光 性導(dǎo)電膜等透光性導(dǎo)電性膜。所得到的顯影銀為化學(xué)顯影銀或熱顯影銀，由于是高比表面 的細(xì)絲，因而在后續(xù)的鍍敷或物理顯影過程中活性很高。
[0155] 上述（2)的方式為，在曝光部中，與物理顯影核相近的鹵化銀顆粒溶解，在顯影核 上沉積，從而在感光材料上形成透光性電磁波屏蔽膜或透光性導(dǎo)電性膜等透光性導(dǎo)電性 膜。該方式也是一體型黑白顯影型。由于顯影作用是在物理顯影核上的析出，因此活性高， 而顯影銀是比表面積小的球形。
[0156] 上述（3)的方式為，在未曝光部中鹵化銀顆粒被溶解并擴(kuò)散，沉積在顯影片上的 顯影核上，從而在顯影片上形成電磁波屏蔽薄膜或透光性導(dǎo)電性膜等透光性導(dǎo)電性膜。該 方式為所謂的分離型，將顯影片從感光材料剝離后使用。
[0157] 所有的方式均可以選擇負(fù)型顯影處理和反轉(zhuǎn)顯影處理中的任意的顯影（在擴(kuò)散 轉(zhuǎn)印方式的情況下，通過使用直接陽圖（^一卜# )型感光材料作為感光材料，能夠進(jìn)行 負(fù)型顯影處理）。
[0158] 這里所述的化學(xué)顯影、熱顯影、溶解物理顯影、擴(kuò)散轉(zhuǎn)印顯影的含義為本領(lǐng)域 中通常使用的用語的含義，在照片化學(xué)的一般教科書例如菊地真一著"寫真化學(xué)（照片 化學(xué)）"（共立出版社、1955 年發(fā)行）、C.E.K.Mees編"TheTheoryofPhotographic Processes(照相法原理），4thed."(Mcmillan社、1977年發(fā)行）中有說明。本案為與液體 處理相關(guān)的發(fā)明，但也可以參考應(yīng)用熱顯影方式作為其他顯影方式的技術(shù)。例如，可以應(yīng)用 日本特開2004-184693號(hào)、日本特開2004-334077號(hào)、日本特開2005-010752號(hào)的各公報(bào)、 日本特愿2004-244080號(hào)、日本特愿2004-085655號(hào)的各說明書中記載的技術(shù)。
[0159] (感光材料）
[0160] 作為被鍍材料的感光材料（感光板（web))例如為在透明薄膜基材12上設(shè)置有含 銀鹽（例如鹵化銀）的含銀鹽層的長的柔性基材。另外，還可以在含銀鹽層上設(shè)置有保護(hù) 層，該保護(hù)層是指例如由明膠或高分子聚合物等粘合劑構(gòu)成的層，為了表現(xiàn)出防擦傷或改 良力學(xué)特性的效果而形成于含銀鹽層上。保護(hù)層的厚度優(yōu)選為0. 02?20μm。
[0161] 這些含銀鹽層或保護(hù)層的組成等可以適當(dāng)應(yīng)用適用于銀鹽照片膠片、相紙、印刷 制版用薄膜、光掩模用乳液掩模等中的鹵化銀乳劑層（含銀鹽層）或保護(hù)層。
[0162] 特別地，作為感光材料，優(yōu)選為銀鹽照片膠片（銀鹽感光材料），最優(yōu)選為黑白銀 鹽照片膠片（黑白銀鹽感光材料）。另外，作為應(yīng)用于含銀鹽層的銀鹽，尤其最優(yōu)選為鹵化 銀。需要說明的是，感光材料的寬度例如優(yōu)選為20cm以上，厚度優(yōu)選為50?200μm。
[0163][透明薄膜基材12]
[0164] 作為本實(shí)施方式的制造方法中使用的感光材料的透明薄膜基材12,可以使用塑料 薄膜等。
[0165] 作為上述塑料薄膜的原料，例如，可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)、和聚萘 二甲酸乙二醇酯等聚酯類；聚乙烯（PE)、聚丙烯（PP)、聚苯乙烯、EVA等聚烯烴類；聚氯乙 烯、聚偏二氯乙烯、PVB等乙烯基系樹脂；以及，聚醚醚酮（PEEK)、聚砜（PSF)、聚醚砜（PES)、 聚碳酸酯（PC)、聚酰胺、聚酰亞胺、丙烯酸類樹脂、三醋酸纖維素（TAC)等。
[0166] 本實(shí)施方式中，從透光性、耐熱性、易處理性和價(jià)格的方面出發(fā)，上述塑料薄膜優(yōu) 選為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜或三醋酸纖維素（TAC)。
[0167] 由于在車窗玻璃用的透明發(fā)熱體中要求透光性，因此優(yōu)選透明薄膜基材12的透 光性較高。該情況下的塑料薄膜的全可見光透射率優(yōu)選為70?100%，進(jìn)一步優(yōu)選為85? 100 %，特別優(yōu)選為90?100 %。另外，在本發(fā)明中，作為所述塑料薄膜，在不妨礙本發(fā)明的 目的的情況下也可以使用著色的塑料薄膜。
[0168] 本實(shí)施方式中的塑料薄膜可以單層使用，也可以作為將兩層以上組合而成的多層 薄膜使用。
[0169][保護(hù)層]
[0170] 使用的感光材料可以在后述的乳劑層上設(shè)置保護(hù)層。本實(shí)施方式中，"保護(hù)層"是 指由明膠或高分子聚合物等粘合劑構(gòu)成的層，為了表現(xiàn)出防擦傷或改良力學(xué)特性的效果而 形成于具有感光性的乳劑層上。從鍍敷處理的方面出發(fā)，優(yōu)選不設(shè)置上述保護(hù)層，即使設(shè)置 也優(yōu)選較薄的保護(hù)層。其厚度優(yōu)選為〇.2μπι以下。上述保護(hù)層的涂布方法的形成方法沒 有特別限定，可以適當(dāng)選擇公知的涂布方法。
[0171][乳劑層]
[0172] 本實(shí)施方式的制造方法中使用的感光材料優(yōu)選為在透明薄膜基材12上具有含銀 鹽的乳劑層（含銀鹽層）作為光敏器件。本實(shí)施方式中的乳劑層除了可以含有銀鹽以外， 根據(jù)需要也可以含有染料、粘合劑、溶劑等。
[0173] < 銀鹽 >
[0174] 作為本實(shí)施方式中使用的銀鹽，優(yōu)選為鹵化銀等無機(jī)銀鹽，尤其是優(yōu)選以鹵化銀 照片感光材料用鹵化銀顆粒的形式使用銀鹽。鹵化銀的作為光敏器件的特性優(yōu)異。
[0175] 對(duì)于以鹵化銀照片感光材料的照片乳劑的形式優(yōu)選使用的鹵化銀進(jìn)行說明。
[0176] 本實(shí)施方式中，為了作為光敏器件發(fā)揮功能，優(yōu)選使用鹵化銀，與鹵化銀相關(guān)的銀 鹽照片膠片或相紙、印刷制版用薄膜、光掩模用乳液掩模等中使用的技術(shù)也可以在本實(shí)施 方式中使用。
[0177] 上述鹵化銀中所含的鹵素元素可以是氯、溴、碘和氟中的任一種，也可以將它們組 合。例如，優(yōu)選使用以AgCl、AgBr、AgI為主體的鹵化銀，進(jìn)一步優(yōu)選使用以AgBr、AgCl為 主體的鹵化銀。還優(yōu)選使用氯溴化銀、碘氯溴化銀、碘溴化銀。更優(yōu)選為氯溴化銀、溴化銀、 碘氯溴化銀、碘溴化銀，最優(yōu)選使用含有50摩爾％以上氯化銀的氯溴化銀、碘氯溴化銀。
[0178] 需要說明的是，這里，"以AgBr(溴化銀）為主體的鹵化銀"是指，在鹵化銀組成中 所占的溴化物離子的摩爾百分率為50%以上的鹵化銀。該以AgBr為主體的鹵化銀顆粒除 了溴化物離子之外還可以含有碘化物離子、氯化物離子。
[0179] 本實(shí)施方式中使用的鹵化銀乳劑可以含有屬于VIII族、VIIB族的金屬。尤其是， 為了獲得4以上的灰度或?yàn)榱藢?shí)現(xiàn)低灰霧，優(yōu)選含有銠化合物、銥化合物、釕化合物、鐵化 合物、鋨化合物等。
[0180]另外，為了實(shí)現(xiàn)高靈敏化，進(jìn)行K4〔Fe(CN)6〕、K4〔Ru(CN)6〕、K3〔Cr(CN)6〕那樣的 六氰化金屬絡(luò)合物的摻雜是有利的。
[0181]這些化合物的添加量相對(duì)于每1摩爾鹵化銀優(yōu)選為KTltl?KT2摩爾/摩爾Ag,進(jìn) 一步優(yōu)選為KT9?KT3摩爾/摩爾Ag。
[0182]除此之外，本實(shí)施方式中，還可以優(yōu)選使用含有Pd(II)離子和/或Pd金屬的鹵化 銀。Pd可以在鹵化銀顆粒內(nèi)均勻分布，但優(yōu)選在鹵化銀顆粒的表層附近含有。這里，Pd"在 鹵化銀顆粒的表層附近含有"是指，在深度方向上距鹵化銀顆粒的表面50nm以內(nèi)處，具有與 其他層相比鈀的含有率更高的層。
[0183]這種鹵化銀顆?？梢酝ㄟ^在形成鹵化銀顆粒的途中添加Pd而進(jìn)行制作，優(yōu)選在 分別添加總添加量的50%以上的銀離子和鹵素離子后添加PcL另外，還優(yōu)選通過在后熟時(shí) 添加Pd(II)離子等方法使其存在于鹵化銀表層。
[0184] 該含Pd鹵化銀顆粒有助于加快物理顯影或非電解鍍的速度，提高所期望的發(fā)熱 體的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。Pd作為非電解鍍催化劑被廣泛所知并使用，但本發(fā)明中，由 于Pd可能集中存在于鹵化銀顆粒的表層，因此能夠節(jié)約極其昂貴的Pd。
[0185]本實(shí)施方式中，鹵化銀中所含的Pd離子和/或Pd金屬的含有率相對(duì)于鹵化銀的、 銀的摩爾數(shù)優(yōu)選為KT4?〇.5摩爾/摩爾Ag,進(jìn)一步優(yōu)選為0. 01?0. 3摩爾/摩爾Ag。
[0186] 作為所使用的Pd化合物的例子，可以舉出PdCl4、Na2PdCl4等。
[0187]本實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步提高作為光敏器件的靈敏度，還可以實(shí)施利用照片乳 劑進(jìn)行的化學(xué)增感。作為化學(xué)增感的方法，可以使用硫增感、硒增感、碲增感等硫族增感，金 增感等貴金屬增感，還原增感等。這些可以單獨(dú)或組合使用。在組合上述化學(xué)增感的方法 而使用時(shí)，例如，優(yōu)選為硫增感法和金增感法、硫增感法和硒增感法和金增感法、硫增感法 和碲增感法和金增感法等組合。
[0188]<粘合劑>
[0189]為了使銀鹽顆粒均勻分散，并且輔助乳劑層與支撐體的密合，乳劑層可以使用粘 合劑。本發(fā)明中，作為上述粘合劑，非水溶性聚合物和水溶性聚合物中的任一者均可以用作 粘合劑，但優(yōu)選使用水溶性聚合物。
[0190]作為上述粘合劑，例如，可以舉出明膠、聚乙烯醇（PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮 (PVP)、淀粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環(huán)氧乙烷、多糖、聚乙烯胺、殼聚糖、聚賴氨酸、 聚丙烯酸、聚褐藻酸、聚透明質(zhì)酸、羧基纖維素等。它們根據(jù)官能團(tuán)的離子性具有中性、陰離 子性、陽離子性的性質(zhì)。
[0191]乳劑層中所含的粘合劑的含量沒有特別限定，可以在能夠發(fā)揮分散性和密合性的 范圍內(nèi)適當(dāng)決定。例如作為乳劑層中所含的粘合劑的含量，可以調(diào)節(jié)至含銀鹽層中的Ag/ 粘合劑體積比為1/4以上，或者調(diào)節(jié)至1/2以上。
[0192] < 溶劑 >
[0193]上述乳劑層的形成中使用的溶劑沒有特別限定，例如，可以舉出水、有機(jī)溶劑（例 如，甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲酰胺等酰胺類、二甲亞砜等亞砜類、乙酸乙酯等酯類、醚類 等）、離子性液體、和它們的混合溶劑。
[0194] 本發(fā)明的乳劑層中使用的溶劑的含量相對(duì)于所述乳劑層中所含的銀鹽、粘合劑等 的總質(zhì)量為30?90質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選為50?80質(zhì)量％的范圍。
[0195] 接著，對(duì)于用于形成導(dǎo)電部14的各工序進(jìn)行說明。
[0196][曝光]
[0197] 本實(shí)施方式中，對(duì)于具有設(shè)置于透明薄膜基材12上的銀鹽乳劑層58的感光材料 進(jìn)行曝光。曝光可以使用電磁波進(jìn)行。作為電磁波，例如，可以舉出可見光線、紫外線等光， X射線等放射線等。此外，曝光中還可以利用具有波長分布的光源，也可以使用特定波長的 光源。
[0198]作為形成圖案影像的曝光方式，具有以下曝光方式：隔著掩模圖案對(duì)感光面照射 均勻光，而形成掩模圖案的像的面曝光方式；以及，進(jìn)行激光等光束的掃描，在感光性面上 形成圖案狀的照射部的掃描曝光方式。為了設(shè)計(jì)小型、廉價(jià)、并且壽命長、穩(wěn)定性高的裝置， 最優(yōu)選使用半導(dǎo)體激光器進(jìn)行曝光。
[0199][顯影處理]
[0200] 本實(shí)施方式中，在曝光乳劑層后，進(jìn)一步進(jìn)行顯影處理。顯影處理可以使用用于銀 鹽照片膠片、相紙、印刷制版用薄膜、光掩模用乳液掩模等中的通常的顯影處理的技術(shù)。對(duì) 于顯影液沒有特別限定，也可以使用PQ顯影液、MQ顯影液、MA顯影液等，在市售品中，例 如，可以使用富士膠片公司配方的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、PAPITOL、KODAK公司配方的 C-41、E-6、RA-4、D-19、D-72等顯影液、或其試劑盒中所含的顯影液。另外，也可以使用高反 差顯影液（U7現(xiàn)像液）。
[0201]作為高反差顯影液，可以使用KODAK公司配方的D85等。本發(fā)明中，通過進(jìn)行上述 曝光和顯影處理，在曝光部形成金屬銀部44、優(yōu)選形成圖案狀金屬銀部，同時(shí)在未曝光部形 成上述的透光部46。
[0202] 為了提高畫質(zhì)，顯影處理中使用的顯影液可以含有畫質(zhì)提高劑。作為畫質(zhì)提高劑， 例如可以舉出苯并三唑等含氮雜環(huán)化合物。另外，在利用高反差顯影液的情況下，尤其還優(yōu) 選使用聚乙二醇。
[0203]顯影處理后的曝光部中所含的金屬銀的質(zhì)量相對(duì)于曝光前的曝光部中所含的銀 的質(zhì)量，含有率優(yōu)選為50質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為80質(zhì)量％以上。若曝光部中所含的銀 的質(zhì)量相對(duì)于曝光前的曝光部中所含的銀的質(zhì)量為50質(zhì)量％以上，則能夠得到高導(dǎo)電性， 因此優(yōu)選。
[0204] 本實(shí)施方式中的顯影處理后的灰度沒有特別限定，優(yōu)選超過4.0。若顯影處理后的 灰度超過4.0,則能夠較高地保持透光部的透光性，同時(shí)能夠提高導(dǎo)電性金屬部的導(dǎo)電性。 作為使灰度為4. 0以上的方法，例如，可以舉出上述的銠離子、銥離子的摻雜。
[0205][物理顯影和鍍敷處理]
[0206] 本實(shí)施方式中，為了提高通過上述曝光和顯影處理而形成的金屬銀部44的導(dǎo)電 性，可以進(jìn)行用于使金屬銀部44負(fù)載導(dǎo)電性金屬顆粒的物理顯影和/或鍍敷處理。本實(shí)施 方式中，可以僅利用物理顯影或鍍敷處理中的任一者使金屬銀部44負(fù)載導(dǎo)電性金屬顆粒， 此外也可以組合物理顯影和鍍敷處理使金屬銀部44負(fù)載導(dǎo)電性金屬顆粒。
[0207][壓光處理]
[0208] 可以對(duì)顯影處理后的金屬銀部44(全面金屬銀部、金屬網(wǎng)孔圖案部或金屬布線圖 案部）實(shí)施壓光處理而使其平滑化。由此，金屬銀部44的導(dǎo)電性顯著增大。壓光處理可以 利用壓光輥進(jìn)行。壓光輥通常由一對(duì)輥構(gòu)成。
[0209] 作為壓光處理中使用的輥，使用環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺等的 塑料輥或金屬輥。尤其是，在兩面具有乳劑層的情況下，優(yōu)選在金屬輥彼此之間進(jìn)行處理。 在單面具有乳劑層的情況下，從防止褶皺的方面出發(fā)，可以為金屬輥與塑料輥的組合。線 壓力的下限值為1960N/cm(200kgf/cm，換算為面壓力為699. 4kgf/cm2)以上，進(jìn)一步優(yōu)選 為2940N/cm(300kgf/cm，換算為面壓力為935.8kgf/cm2)以上。線壓力的上限值為6880N/ cm(700kgf/cm)以下。
[0210] 以壓光輥為代表的平滑化處理的適用溫度優(yōu)選為KTC(無溫度調(diào)節(jié)）?KKTC， 雖然根據(jù)金屬網(wǎng)孔圖案、金屬布線圖案的掃描線密度或形狀、粘合劑種類而異，但更優(yōu)選的 溫度約在10°c(無溫度調(diào)節(jié)）?50°C的范圍。
[0211] [蒸氣接觸處理]
[0212] 若在即將進(jìn)行壓光處理前或剛進(jìn)行完壓光處理后與蒸氣接觸，則能夠進(jìn)一步提升 壓光處理所帶來的效果。即，能夠顯著提高導(dǎo)電性。所使用的蒸氣的溫度優(yōu)選為80°C以上， 進(jìn)一步優(yōu)選為l〇〇°C以上且140°C以下。與蒸氣接觸的時(shí)間優(yōu)選為10秒至5分鐘左右，進(jìn) 一步優(yōu)選為1分鐘至5分鐘。
[0213] 需要說明的是，本發(fā)明可以將下述表1和表2中記載的公開公報(bào)和國際公開小冊(cè) 子的技術(shù)適當(dāng)組合而使用。省略"日本特開"、"號(hào)公報(bào)"、"號(hào)小冊(cè)子"等表述。
[0214][表1]
[0215]

【權(quán)利要求】
1. 一種圖案形成方法，在該圖案形成方法中，使用計(jì)算機(jī)來形成構(gòu)成導(dǎo)電性薄膜中的 導(dǎo)電部的布線圖案，所述導(dǎo)電性薄膜在透明薄膜基材上具備導(dǎo)電部和開口部，其特征在于， 所述導(dǎo)電部具備主線路圖案和多個(gè)副線路，該主線路圖案由沿第1方向形成的多個(gè)波 狀線路在與所述第1方向垂直的第2方向上排列而成，該多個(gè)副線路將相鄰的波狀線路間 電連接， 該圖案形成方法包括以下步驟： 輸入初始函數(shù)的步驟； 第1步驟，在對(duì)所述初始函數(shù)的至少周期進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，在第1方向上形成波狀 線路的圖案； 第2步驟，對(duì)所描繪的所述波狀線路以及與該波狀線路相鄰的波狀線路在與所述第1 方向垂直的方向即第2方向上的間隔進(jìn)行隨機(jī)變更； 第3步驟，反復(fù)執(zhí)行所述第1步驟和第2步驟，形成沿所述第1方向形成的多個(gè)波狀線 路在與所述第1方向垂直的所述第2方向上排列而成的所述主線路圖案；以及 第4步驟，在將相鄰的波狀線路間定義為行間時(shí)，在所述主線路圖案中的各行間處，形 成2個(gè)以上的連接相鄰的波狀線路的副線路的圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，通過在所述第1步驟中在所述計(jì)算 機(jī)的圖像存儲(chǔ)器中描繪所述波狀線路的圖案，由此在所述第3步驟中在所述圖像存儲(chǔ)器中 描繪所述主線路圖案， 在所述第4步驟中，在所述圖像存儲(chǔ)器中描繪所述副線路的圖案， 在所述圖像存儲(chǔ)器中描繪所述布線圖案。
3. 如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于， 所述初始函數(shù)為正弦波函數(shù)， 在所述第1步驟中，在按照半周期對(duì)至少所述正弦波的周期進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形 成所述正弦波的半周期的波狀線，而形成所述波狀線路的圖案。
4. 如權(quán)利要求3所述的圖案形成方法，其特征在于， 在所述第1步驟中，在按照半周期對(duì)至少所述正弦波的周期和振幅進(jìn)行隨機(jī)變更的同 時(shí)，形成所述正弦波的半周期的波狀線，而形成所述波狀線路的圖案。
5. 如權(quán)利要求3所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述第1步驟中，在按照半周期 對(duì)至少所述正弦波的周期、振幅和相位進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述正弦波的半周期的 波狀線，而形成所述波狀線路的圖案。
6. 如權(quán)利要求3所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述第1步驟中，在按照半周期 對(duì)周期、振幅、相位和線寬進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述正弦波的半周期的波狀線，而形 成所述波狀線路的圖案。
7. 如權(quán)利要求3所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述第2步驟中，將一個(gè)波狀線 路中的所述波狀線的振幅的最大值限制在該波狀線路和與該波狀線路相鄰的另一個(gè)波狀 線路間的間隔的1/2以下來設(shè)定所述間隔。
8. 如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述第4步驟中，形成沿所述第 2方向的直線狀的所述副線路的圖案。
9. 如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，在所述第4步驟中，在各行間分別 對(duì)所述副線路的位置進(jìn)行隨機(jī)變更的同時(shí)，形成所述副線路的圖案。
10. 如權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述布線圖案中，被相鄰的波狀 線路的各中心線、和該相鄰的波狀線路間的相鄰的副線路的各中心線圍成的封閉區(qū)域的形 狀是四邊形， 所述封閉區(qū)域具有排列多個(gè)的形態(tài)。
11. 如權(quán)利要求10所述的圖案形成方法，其特征在于，各所述封閉區(qū)域的面積大致相 同。
12. 如權(quán)利要求10所述的圖案形成方法，其特征在于，各所述封閉區(qū)域的周長大致相 同。
13. 如權(quán)利要求10所述的圖案形成方法，其特征在于，在設(shè)第1邊的長度為L1、設(shè)第2 邊的長度為L2時(shí)，所述第1邊的長度L1與所述第2邊的長度L2之比L1/L2為5以上，其 中，所述第1邊基于構(gòu)成所述封閉區(qū)域的波狀線路的中心線，所述第2邊基于構(gòu)成所述封閉 區(qū)域的副線路的中心線。
【文檔編號(hào)】H05B3/84GK104392775SQ201410542373
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日:2010年3月29日
【發(fā)明者】巖見一央, 磴秀康 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社