單晶體的生長方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種α-NaYF4單晶體的生長方法，特點是其經(jīng)過步驟(1)～(4)后得到α-NaYF4單晶體，且在步驟(1)中加入KF作為助溶劑，在步驟(2)中對原料進(jìn)行780～800℃高溫HF處理1～5小時，在步驟(3)中對Pt坩堝進(jìn)行密封Pt坩堝，在步驟(4)中用助溶劑坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數(shù)為：將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數(shù)為：爐體溫度為950～980℃，接種溫度為820～860℃，固液界面的溫度梯度為50～90℃/cm，坩鍋下降速度為0.2～2.0mm/h，在晶體生長結(jié)束后，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，這樣能得到較大和質(zhì)量較高的α-NaYF4單晶體，優(yōu)點是該晶體在200～8700nm波段的透過率均在80％以上，因此α-NaYF4晶體在中紅外光學(xué)器件中將有較大的應(yīng)用前景。
【專利說明】—種Ct-NaYF4單晶體的生長方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶體生長，具體涉及一種立方相氟化釔鈉(a -NaYF4)單晶體的生長方法。

【背景技術(shù)】
[0002]NaYF4是近幾十年發(fā)現(xiàn)的一種優(yōu)秀光學(xué)基質(zhì)材料，它具有聲子能量低、摻雜稀土離子發(fā)光效率高、可見與紅外波段的透過率高、物化性能穩(wěn)定等特點。在NaYF4基質(zhì)中摻入稀土離子，可以把NaYF4的優(yōu)良光學(xué)特性與稀土活性離子的特異性相結(jié)合，獲得具有許多優(yōu)異特性的新型材料。在常態(tài)下，它有立方相U-NaYF4)與六方相(P-NaYF4)兩種晶體結(jié)構(gòu)。t匕如，以六方相β -NaYF4為基質(zhì)，Yb與Er共摻雜的β -NaYF4材料是迄今為止上轉(zhuǎn)換效率最高的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料之一。因此NaYF4在高靈敏的生物分子熒光、三位立體顯示、紅外探測、固體激光器、防偽等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]到目前為止，有關(guān)NaYF4材料的報道都集中于微晶態(tài)材料，如
【發(fā)明者】夏海平, 楊碩, 姜永章, 張加忠, 符立, 董艷明, 李珊珊, 張約品 申請人:寧波大學(xué)