曲面電路板制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種曲面電路板制作工藝，所述曲面電路板制作工藝包括以下步驟：提供一曲面絕緣基體；在所述曲面絕緣基體上刻出與所需電路一致的凹槽；在所述曲面絕緣基體表面鍍上銅層；去除所述曲面絕緣基體表面的所述銅層。本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝解決了只能生產(chǎn)平面電路板，限制了電子產(chǎn)品應(yīng)用范圍的技術(shù)問題。
【專利說明】曲面電路板制作工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板制作領(lǐng)域，特別涉及曲面電路板制作工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]電路板是電子產(chǎn)品中重要的部件，是各電子元器件的連接件。電路板制作過程中需要將一種保護(hù)層印刷在電路板上，以保護(hù)鍍層，防止需要保留的鍍層被蝕刻掉。但現(xiàn)有技術(shù)的保護(hù)層印刷只能在平面上進(jìn)行，導(dǎo)致只能生產(chǎn)平面電路板，限制了電子產(chǎn)品的應(yīng)用范圍?，F(xiàn)有的柔性電路板技術(shù)雖然可以作為曲面電路板，但工藝復(fù)雜，成本過高，沒有從根本上解決只能生產(chǎn)平面電路板的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決只能生產(chǎn)平面電路板，限制了電子產(chǎn)品應(yīng)用范圍的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種曲面電路板制作工藝。
[0004]所述曲面電路板制作工藝，包括以下步驟:
[0005]步驟S1:提供一曲面絕緣基體；
[0006]步驟S2:在所述曲面絕緣基體上刻出與所需電路一致的凹槽；
[0007]步驟S3:在所述曲面絕緣基體表面鍍上銅層；
[0008]步驟S4:去除所述曲面絕緣基體表面的所述銅層。
[0009]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述凹槽深度小于所述曲面絕緣基體厚度，所述銅層厚度大于所述凹槽深度。
[0010]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述步驟S2還包括以下步驟:
[0011]步驟S21:提供一激光刻槽裝置；
[0012]步驟S22:設(shè)計(jì)所述激光刻槽裝置的激光照射在所述曲面絕緣基體上的路徑；
[0013]步驟S23:所述激光刻槽裝置發(fā)射激光，照射所述曲面絕緣基體；
[0014]步驟S24:所述曲面絕緣基體的受灼燒部位形成所述凹槽；
[0015]步驟S25:重復(fù)所述步驟S21至所述步驟S24，形成多個(gè)所述凹槽。
[0016]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述步驟S21中所述激光刻槽裝置包括控制系統(tǒng)、三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)和激光器，所述控制系統(tǒng)連接所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)和所述激光器，所述激光器設(shè)于所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)豎直上方。
[0017]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述控制系統(tǒng)控制所述激光器的開關(guān)與所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)的運(yùn)動(dòng)。
[0018]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述步驟S3還包括以下步驟:
[0019]步驟S31:去除所述曲面絕緣基體表面油污，對(duì)所述曲面絕緣基體進(jìn)行極性調(diào)整；
[0020]步驟S32:去除所述曲面絕緣基體表面氧化物，粗化所述曲面絕緣基體表面；
[0021]步驟S33:活化劑處理所述曲面絕緣基體，所述曲面絕緣基體表面吸附上一層膠體鈀粒子；
[0022]步驟S34:去除所述膠體鈀粒子外面包圍的亞錫離子，所述膠體鈀粒子中的鈀核暴露出來；
[0023]步驟S35:沉銅反應(yīng)啟動(dòng)，所述曲面絕緣基體表面鍍上銅層。
[0024]步驟S36:將陽極和所述曲面絕緣基體置于電鍍液中進(jìn)行電鍍，加厚所述曲面絕緣基體表面銅層。
[0025]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述步驟S3還包括步驟S37:在所述沉銅反應(yīng)后的廢液中加入銅粉。
[0026]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述步驟S4還包括以下步驟:
[0027]步驟S41:提供一打磨裝置；
[0028]步驟S42:通過所述打磨裝置打磨所述曲面絕緣基體；
[0029]步驟S43:去除所述曲面絕緣基體表面的銅層。
[0030]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述打磨裝置使用柔性打磨頭。
[0031]在本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的一種較佳實(shí)施例中，所述曲面電路板制作工藝還包括步驟S5:重復(fù)所述步驟SI至所述步驟S4。
[0032]現(xiàn)有技術(shù)的電路板制作工藝只能生產(chǎn)平面電路板，限制了電子產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝可在曲面、球面等多種表面上制作電路板，解決了只能生產(chǎn)平面電路板的問題，擴(kuò)展了電子產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。
[0033]現(xiàn)有技術(shù)的激光刻槽裝置大都通過移動(dòng)激光器或使用激光振鏡偏轉(zhuǎn)激光來刻槽，但激光器體積較大，移動(dòng)困難，而使用激光振鏡又存在對(duì)焦不準(zhǔn)的問題。本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝中所述激光刻槽裝置通過移動(dòng)工件來實(shí)現(xiàn)激光與工件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，解決了激光器體積較大，移動(dòng)困難和激光振鏡對(duì)焦不準(zhǔn)的問題。
[0034]現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)鍍銅工藝加工完成后會(huì)產(chǎn)生大量廢液，既污染環(huán)境又浪費(fèi)銅離子。本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝中的化學(xué)鍍銅工藝充分利用了廢液中的銅離子，保護(hù)環(huán)境的同時(shí)降低了加工成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
[0036]圖1是本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的工藝流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0038]請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝的工藝流程圖。
[0039]所述曲面電路板制作工藝，包括以下步驟:
[0040]步驟S1:提供一曲面絕緣基體I，所述絕緣基體I應(yīng)根據(jù)需求設(shè)計(jì)為適合產(chǎn)品形狀的尺寸。
[0041]步驟S2:在所述曲面絕緣基體I上刻出與所需電路一致的凹槽2:
[0042]步驟S21:提供一激光刻槽裝置；
[0043]步驟S22:設(shè)計(jì)所述激光刻槽裝置的激光照射在所述曲面絕緣基體I上的路徑；
[0044]步驟S23:所述激光刻槽裝置發(fā)射激光，照射所述曲面絕緣基體I ;
[0045]步驟S24:所述曲面絕緣基體I的受灼燒部位形成所述凹槽2 ;
[0046]步驟S25:重復(fù)所述步驟S21至所述步驟S24，形成多個(gè)所述凹槽。
[0047]步驟S3:步驟S31:去除所述曲面絕緣基體I表面的油污，并且對(duì)所述曲面絕緣基體I進(jìn)行極性調(diào)整；
[0048]步驟S32:去除所述曲面絕緣基體I表面的氧化物，粗化所述曲面絕緣基體I表面；
[0049]步驟S33:使用活化劑處理所述曲面絕緣基體I表面，使所述曲面絕緣基體I表面吸附上一層膠體鈀粒子；
[0050]步驟S34:去除所述膠體鈀粒子外面包圍的亞錫離子，使所述膠體鈀粒子中的鈀核暴露出來；
[0051]步驟S35:沉銅反應(yīng)啟動(dòng)，所述曲面絕緣基體I表面鍍上銅層。
[0052]步驟S36:將陽極和所述曲面絕緣基體置于電鍍液中進(jìn)行電鍍，加厚所述曲面絕緣基體表面銅層。
[0053]步驟S37:在所述沉銅反應(yīng)完成后的廢液中撒入銅粉。
[0054]步驟S4:步驟S41:提供一打磨裝置；
[0055]步驟S42:通過所述打磨裝置打磨所述曲面絕緣基體；
[0056]步驟S43:去除所述曲面絕緣基體表面的銅層。
[0057]步驟S5:重復(fù)所述步驟SI至所述步驟S4。
[0058]所述步驟S21中所述激光刻槽裝置包括控制系統(tǒng)、三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)和激光器，所述控制系統(tǒng)連接所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)與所述激光器，所述激光器設(shè)于所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)豎直上方。所述控制系統(tǒng)控制所述激光器的開關(guān)與所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)的運(yùn)動(dòng)。
[0059]工作時(shí)，將所述曲面絕緣基體I置于所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)，在所述控制系統(tǒng)中輸入設(shè)計(jì)好的所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)的運(yùn)動(dòng)模式，同時(shí)啟動(dòng)所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)和所述激光器，所述激光器發(fā)射的激光在所述曲面絕緣基體I上刻出所述凹槽2。
[0060]所述步驟S35中所述沉銅反應(yīng)完成后剩余有大量廢液，廢液不僅污染環(huán)境而且浪費(fèi)了大量銅離子。將銅粉撒入廢液可利用銅粉作為催化劑再次啟動(dòng)所述沉銅反應(yīng)，充分消耗掉廢液中的銅離子。
[0061]所述曲面絕緣基體I表面為曲面，且較為輕薄，不能通過一般的打磨方式打磨，因此所述步驟S41中所述打磨裝置使用柔性打磨頭。所述柔性打磨頭為一橡膠質(zhì)地的充氣圓筒固定連接于磨頭主軸上，能適應(yīng)起伏較大的表面的打磨工作。
[0062]在實(shí)施所述步驟S22時(shí)，應(yīng)注意同時(shí)在所述控制系統(tǒng)中設(shè)計(jì)好所述激光刻槽裝置的激光照射在所述曲面絕緣基體I上的時(shí)間，避免所述激光刻槽裝置的激光燒穿所述曲面絕緣基體1，保證所述凹槽2深度小于所述曲面絕緣基體I的厚度，多層電路板之間相互絕緣。
[0063]在實(shí)施所述步驟S36時(shí)，應(yīng)注意控制好鍍銅時(shí)間，保證所述銅層厚度大于所述凹槽深度，從而保證加工后的電路板表面平整無缺陷。
[0064]現(xiàn)有技術(shù)的電路板制作工藝只能生產(chǎn)平面電路板，限制了電子產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝可在曲面、球面等多種表面上制作電路板，解決了只能生產(chǎn)平面電路板的問題，擴(kuò)展了電子產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。
[0065]現(xiàn)有技術(shù)的激光刻槽裝置大都通過移動(dòng)激光器或使用激光振鏡偏轉(zhuǎn)激光來刻槽，但激光器體積較大，移動(dòng)困難，而使用激光振鏡又存在對(duì)焦不準(zhǔn)的問題。本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝中所述激光刻槽裝置通過移動(dòng)工件來實(shí)現(xiàn)激光與工件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，解決了激光器體積較大，移動(dòng)困難和激光振鏡對(duì)焦不準(zhǔn)的問題。
[0066]現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)鍍銅工藝加工完成后會(huì)產(chǎn)生大量廢液，既污染環(huán)境又浪費(fèi)銅離子。本發(fā)明提供的曲面電路板制作工藝中化學(xué)鍍銅工藝充分利用了廢液中的銅離子，保護(hù)環(huán)境的同時(shí)降低了加工成本。
[0067]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種曲面電路板制作工藝，其特征在于，包括以下步驟: 步驟S1:提供一曲面絕緣基體； 步驟S2:在所述曲面絕緣基體上刻出與所需電路一致的凹槽； 步驟S3:在所述曲面絕緣基體表面鍍上銅層； 步驟S4:去除所述曲面絕緣基體表面的所述銅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述凹槽深度小于所述曲面絕緣基體厚度，所述銅層厚度大于所述凹槽深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述步驟S2具體包括以下步驟: 步驟S21:提供一激光刻槽裝置； 步驟S22:設(shè)計(jì)所述激光刻槽裝置的激光照射在所述曲面絕緣基體上的路徑； 步驟S23:所述激光刻槽裝置發(fā)射激光，照射所述曲面絕緣基體； 步驟S24:所述曲面絕緣基體的受灼燒部位形成所述凹槽； 步驟S25:重復(fù)所述步驟S21至所述步驟S24，形成多個(gè)所述凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述步驟S21中所述激光刻槽裝置包括控制系統(tǒng)、三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)和激光器，所述控制系統(tǒng)連接所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)和所述激光器，所述激光器設(shè)于所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)豎直上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述控制系統(tǒng)控制所述激光器的開關(guān)與所述三軸聯(lián)動(dòng)工作臺(tái)的運(yùn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述步驟S3具體包括以下步驟: 步驟S31:去除所述曲面絕緣基體表面油污，對(duì)所述曲面絕緣基體進(jìn)行極性調(diào)整。 步驟S32:去除所述曲面絕緣基體表面氧化物，粗化所述曲面絕緣基體表面。 步驟S33:活化劑處理所述曲面絕緣基體，所述曲面絕緣基體表面吸附上一層膠體鈀粒子。 步驟S34:去除所述膠體鈀粒子外面包圍的亞錫離子，所述膠體鈀粒子中的鈀核暴露出來。 步驟S35:沉銅反應(yīng)啟動(dòng)，所述曲面絕緣基體表面鍍上銅層。 步驟S36:將陽極和所述曲面絕緣基體置于電鍍液中進(jìn)行電鍍，加厚所述曲面絕緣基體表面銅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述步驟S3還包括步驟S37:在所述沉銅反應(yīng)后的廢液中加入銅粉。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述步驟S4具體包括以下步驟: 步驟S41:提供一打磨裝置； 步驟S42:通過所述打磨裝置打磨所述曲面絕緣基體； 步驟S43:去除所述曲面絕緣基體表面的銅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述打磨裝置使用柔性打磨頭。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曲面電路板制作工藝，其特征在于:所述曲面電路板制作工藝還包括步驟S5:重復(fù)所述步驟SI至所述步驟S4。
【文檔編號(hào)】H05K3/04GK104519670SQ201410795513
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月18日
【發(fā)明者】徐學(xué)軍 申請(qǐng)人:深圳市五株科技股份有限公司