技術(shù)特征：
1.GaN肖特基結(jié)型核電池，其特征在于其從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層、n+GaN層、n-GaN層、肖特基金屬層、歐姆接觸層和放射性同位素層；藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層和n+GaN層的尺寸相同，n-GaN層和肖特基金屬層是在藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層、n+GaN層上刻蝕出兩個(gè)電極窗口，歐姆接觸層將電極窗口填滿；所述藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層和n+GaN層的尺寸為(0.3μm×0.3μm)～(3mm×3mm)；所述n+GaN層的厚度為1～3μm；所述n-GaN層的厚度為0.3～1μm；所述電極窗口的尺寸為200μm×200μm。2.如權(quán)利要求1所述GaN肖特基結(jié)型核電池，其特征在于所述放射性同位素層采用放射源Ni-63或Pm-147；放射性同位素層直接用電鍍的方法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)耦合，或先將放射源電鍍在金屬薄片上，再將其覆蓋在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上。3.如權(quán)利要求1所述GaN肖特基結(jié)型核電池，其特征在于所述n+GaN層的摻雜濃度為1×1018～1×1019/cm3；所述n-GaN層的摻雜濃度為1×1016～1×1017/cm3；所述肖特基金屬層為5～30nm的Au，或5～30nm的Ni和5～30nm的Au；所述歐姆接觸為10～20nm/100～200nm/10～50nm/100～200nm的Ti/Al/Ti/Au合金。4.如權(quán)利要求1所述GaN肖特基結(jié)型核電池的制備方法，其特征在于包括以下步驟：1)在藍(lán)寶石襯底上生長GaN緩沖層；2)在GaN緩沖層上繼續(xù)生長n+GaN層；3)在n+GaN層上繼續(xù)生長n-GaN層；4)在n-GaN層上通過光刻和刻蝕的方法得到兩個(gè)暴露出n+GaN層的窗口；5)通過光刻和濺射的方法得到肖特基金屬層；6)通過光刻和濺射的步驟得到歐姆接觸層，在400～700℃的溫度下退火，得到良好的歐姆接觸；7)加上放射性同位素層以形成核電池。5.GaN肖特基結(jié)型核電池，其特征在于其從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層、n+GaN層、n-GaN層、肖特基金屬層、SiO2保護(hù)層、歐姆接觸層和放射性同位素層；藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層和n+GaN層的尺寸相同，n-GaN層和肖特基金屬層是在藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層、n+GaN層上刻蝕出兩個(gè)電極窗口，SiO2保護(hù)層、歐姆接觸層將電極窗口填滿；所述藍(lán)寶石襯底層、GaN緩沖層和n+GaN層的尺寸為(0.3μm×0.3μm)～(3mm×3mm)；所述n+GaN層的厚度為1～3μm；所述n-GaN層的厚度為0.3～1μm；SiO2保護(hù)層的厚度為0.3～1μm；所述電極窗口的尺寸為200μm×200μm。6.如權(quán)利要求5所述GaN肖特基結(jié)型核電池，其特征在于所述放射性同位素層采用放射源Ni-63或Pm-147；放射性同位素層直接用電鍍的方法與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)耦合，或先將放射源電鍍在金屬薄片上，再將其覆蓋在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上。7.如權(quán)利要求5所述GaN肖特基結(jié)型核電池，其特征在于所述n+GaN層的摻雜濃度為1×1018～1×1019/cm3；所述n-GaN層的摻雜濃度為1×1016～1×1017/cm3；所述肖特基金屬層為5～30nm的Au，或5～30nm的Ni和5～30nm的Au；所述歐姆接觸層為10～20nm/100～200nm/10～50nm/100～200nm的Ti/Al/Ti/Au合金。8.如權(quán)利要求5所述GaN肖特基結(jié)型核電池的制備方法，其特征在于包括以下步驟：1)在藍(lán)寶石襯底上生長GaN緩沖層；2)在GaN緩沖層上繼續(xù)生長n+GaN層；3)在n+GaN層上繼續(xù)生長n-GaN層；4)在n-GaN層上通過光刻和刻蝕的方法得到兩個(gè)暴露出n+GaN層的窗口；5)在整個(gè)器件的上表面采用PECVD的方法生長SiO2保護(hù)層；6)采用光刻和HF腐蝕的方法在SiO2保護(hù)層上腐蝕出用于肖特基接觸的窗口；7)通過光刻和濺射的方法得到肖特基金屬層；8)光刻并腐蝕出用于歐姆接觸的窗口；9)通過光刻和濺射的步驟得到歐姆接觸層，在400～700℃的溫度下退火，得到良好的歐姆接觸，SiO2保護(hù)層在此過程中起到保護(hù)的作用；10)加上放射性同位素層以形成核電池。