同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局的制作方法
【專利摘要】同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，涉及一種高頻線圈，本實(shí)用新型通過在高頻線圈(2)的拉制孔或化料孔(4)的外部設(shè)置七個(gè)或八個(gè)或九個(gè)或十個(gè)或十一個(gè)或十二個(gè)或十三個(gè)環(huán)繞的拉制孔(3)，形成一次能同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單，制造方便等特點(diǎn)，特別適合在多晶硅行業(yè)推廣實(shí)施。
【專利說明】同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及高頻線圈【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及可同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局。
【【背景技術(shù)】】
[0002]已知的，由于硅芯的后續(xù)產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于太陽能發(fā)電、半導(dǎo)體、軍工等領(lǐng)域，所以硅芯的需求量非常巨大；而原來的硅芯在生產(chǎn)過程中，大多使用的是一種一次拉制五根或六根硅芯的高頻線圈，其工作原理是:工作時(shí)通過給高頻線圈通入高頻電流，使高頻線圈對原料棒進(jìn)行感應(yīng)加熱，加熱后的原料棒上端頭形成融化區(qū)，然后利用籽晶夾頭帶動籽晶穿過高頻線圈的拉制孔后插入原料棒上端的熔化區(qū)，待籽晶的端頭與熔液熔為一體后，然后慢慢提升籽晶，熔化后的原料就會跟隨籽晶上升進(jìn)而形成新的柱形晶體，該柱形晶體便是硅芯的制成品。
[0003]發(fā)明人劉朝軒在先申請了多項(xiàng)涉及硅芯拉制的高頻線圈，但對一次同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局一直是空白。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]鑒于【背景技術(shù)】中存在的不足，本實(shí)用新型公開了同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，本實(shí)用新型在拉制孔或化料孔的外部設(shè)置七個(gè)或八個(gè)或九個(gè)或十個(gè)或
i個(gè)或十二個(gè)或十三個(gè)環(huán)繞的拉制孔3,形成一次能同時(shí)拉制七根至十四根娃芯的高頻線圈拉制孔布局，本實(shí)用 新型具有結(jié)構(gòu)簡單，加工方便等特點(diǎn)。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈、進(jìn)水管路、出水管路、連接座和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈的上部面中部設(shè)有向下凹陷面，在高頻線圈的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階，在高頻線圈的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路，所述冷卻介質(zhì)通路的兩端分別形成進(jìn)水管路和出水管路，所述進(jìn)水管路和出水管路外端分別設(shè)有連接座，在進(jìn)水管路和出水管路之間的高頻線圈上設(shè)有自高頻線圈外緣貫通至拉制孔或化料孔的開口，所述拉制孔或化料孔設(shè)置在高頻線圈的中部，在拉制孔或化料孔外部的高頻線圈上設(shè)置七個(gè)或八個(gè)或九個(gè)或十個(gè)或十一個(gè)或十二個(gè)或十三個(gè)環(huán)繞的拉制孔，在高頻線圈的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)。
[0007]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述開口設(shè)置為直開口或“U”形開口或“V”形開口或“》”形開口或斜開口。
[0008]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述拉制孔設(shè)置為圓形拉制孔；或設(shè)置為方形拉制孔；或設(shè)置為方形內(nèi)角倒圓拉制孔；或設(shè)置為長方形拉制孔；或設(shè)置為長方形內(nèi)角倒圓拉制孔；或設(shè)置為三角形拉制孔；或設(shè)置為三角形內(nèi)角倒圓拉制孔；或設(shè)置為多邊形拉制孔；或設(shè)置為不規(guī)則多邊形拉制孔；或設(shè)置為菱形拉制孔；或設(shè)置為菱形內(nèi)角倒圓拉制孔；或設(shè)置為梯形拉制孔；或設(shè)置為梯形內(nèi)角倒圓拉制孔；或設(shè)置為長圓形拉制孔；或設(shè)置為橢圓形拉制孔。
[0009]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述拉制孔的朝向拉制孔或化料孔一側(cè)設(shè)有旋切口 ；或朝向拉制孔或化料孔一側(cè)設(shè)置引流槽；或朝向拉制孔或化料孔一側(cè)設(shè)置“V”形豁口 ；或朝向拉制孔或化料孔一側(cè)部分設(shè)置為引流槽其余的設(shè)置為“V”形豁口 ；或朝向拉制孔或化料孔一側(cè)部分設(shè)置為引流槽其余的設(shè)置為旋切口 ；或朝向拉制孔或化料孔一側(cè)部分設(shè)置為旋切口其余的設(shè)置為“V”形豁口，所述引流槽的端部以及“V”形豁口的尖端與拉制孔或化料孔留有間距。
[0010]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述引流槽的外端頭設(shè)有引流槽端部擴(kuò)口。
[0011]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述引流槽端部設(shè)置為“V”形角或圓弧形，引流槽與拉制孔的連接一端設(shè)置為弧形過渡或角過渡。
[0012]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述連接座為多角形連接座或雙半圓形連接座或橢圓形連接座。
[0013]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，在高頻線圈外部環(huán)繞設(shè)置的冷卻介質(zhì)通路結(jié)構(gòu)為:在高頻線圈的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將所述冷卻介質(zhì)通路環(huán)埋在高頻線圈內(nèi)；或在高頻線圈的外緣面通過釬焊或銅焊或銀焊焊接冷卻介質(zhì)通路，使冷卻介質(zhì)通路與高頻線圈形成一體。
[0014]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述冷卻介質(zhì)通路的另一替換結(jié)構(gòu)為，在高頻線圈的外緣面開槽，然后直接利用管道封閉所述槽，由所述槽形成冷卻介質(zhì)通路。
[0015]所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，所述地線連接機(jī)構(gòu)為在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有接線板，或在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線形成地線連接機(jī)構(gòu)。
[0016]由于采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0017]本實(shí)用新型所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，本實(shí)用新型在拉制孔或化料孔的外部設(shè)置七個(gè)或八個(gè)或九個(gè)或十個(gè)或十一個(gè)或十二個(gè)或十三個(gè)環(huán)繞的拉制孔，形成一次能同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單，制造方便等特點(diǎn)，特別適合在多晶硅行業(yè)推廣實(shí)施。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0018]圖1是本實(shí)用新型同時(shí)拉制七根或八根硅芯的高頻線圈拉制孔布局示意圖；
[0019]圖2是本實(shí)用新型同時(shí)拉制七根或八根硅芯的高頻線圈拉制孔另一布局示意圖；
[0020]圖3是本實(shí)用新型同時(shí)拉制八根或九根硅芯的高頻線圈拉制孔布局示意圖；
[0021]圖4是本實(shí)用新型同時(shí)拉制八根或九根硅芯的高頻線圈拉制孔另一布局示意圖；
[0022]圖5是本實(shí)用新型同時(shí)拉制九根或十根硅芯的高頻線圈拉制孔布局示意圖；
[0023]圖6是本實(shí)用新型同時(shí)拉制九根或十根硅芯的高頻線圈拉制孔另一布局示意圖；
[0024]圖7是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十根或十一根硅芯的高頻線圈拉制孔布局示意圖；
[0025]圖8是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十根或十一根硅芯的高頻線圈拉制孔另一布局示意圖；[0026]圖9是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十一根或十二根硅芯的高頻線圈拉制孔布局示意圖；
[0027]圖10是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十一根或十二根硅芯的高頻線圈拉制孔另一布局示意圖；
[0028]圖11是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十二根或十三根硅芯的高頻線圈拉制孔布局示意圖；
[0029]圖12是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十二根或十三根硅芯的高頻線圈拉制孔另一布局示意圖；
[0030]圖13是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十三根或十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局示意圖；
[0031]圖14是本實(shí)用新型同時(shí)拉制十三根或十四根硅芯的高頻線圈拉制孔另一布局示意圖；
[0032]圖15是本實(shí)用新型的向下凹陷面和向上凹陷臺階的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖16是本實(shí)用新型的上部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖17是本實(shí)用新型的拉制孔與“V”形豁口形成的水滴形拉制孔結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖18是本實(shí)用新型的拉制孔與引流槽形成的球拍形拉制孔結(jié)構(gòu)示意圖； [0036]圖19是本實(shí)用新型的球拍形拉制孔的引流槽與拉制孔連接部位設(shè)置為圓弧形過渡結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖20是本實(shí)用新型的球拍形拉制孔的引流槽端部設(shè)置為尖角結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖21是本實(shí)用新型的球拍形拉制孔的引流槽端部設(shè)置為引流槽端部擴(kuò)口結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖22是本實(shí)用新型的開口設(shè)置為斜開口的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖23是本實(shí)用新型的開口設(shè)置為直開口結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖24是本實(shí)用新型的開口設(shè)置為“U”形開口結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖25是本實(shí)用新型的開口設(shè)置為“V”形開口結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖26是本實(shí)用新型的開口設(shè)置為“》”形開口結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖27是本實(shí)用新型的連接座長方形直立結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖28是本實(shí)用新型的連接座長方形平躺結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖29是本實(shí)用新型的連接座雙半圓立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖30是本實(shí)用新型的在拉制孔上設(shè)置旋切口的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]在圖中:1、接線板；2、聞?lì)l線圈；3、拉制孔；4、拉制孔或化料孔；5、開口 ；6、進(jìn)水管路；7、連接座；8、出水管路；9、向下凹陷面；10、冷卻介質(zhì)通路；11、環(huán)形臺階；12、環(huán)形倒角；13、“V”形豁口 ；14、引流槽；15、引流槽端部擴(kuò)口 ；16、安裝孔；17、旋切口。
【【具體實(shí)施方式】】
[0049]下面結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的說明；下面的實(shí)施例并不是對于本實(shí)用新型的限定，僅作為支持實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的方式，在本實(shí)用新型所公開的技術(shù)框架內(nèi)的任意等同結(jié)構(gòu)替換，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍；
[0050]結(jié)合附圖1、2和15中所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈2、進(jìn)水管路6、出水管路8、連接座7和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈2的上部面中部設(shè)有向下凹陷面9,在聞?lì)l線圈2的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階11，在聞?lì)l線圈2的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路10，所述冷卻介質(zhì)通路10的兩端分別形成進(jìn)水管路6和出水管路8,所述進(jìn)水管路6和出水管路8外端分別設(shè)有連接座7,在進(jìn)水管路6和出水管路8之間的高頻線圈2上設(shè)有自高頻線圈2外緣貫通至拉制孔或化料孔4的開口 5，所述拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈2的中部，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈2上設(shè)置七個(gè)環(huán)繞的拉制孔3，在高頻線圈2的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)形成一次能同時(shí)拉制七根或八根娃芯的聞?lì)l線圈拉制孔布局；
[0051]結(jié)合附圖3、4和15中所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈2、進(jìn)水管路6、出水管路8、連接座7和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈2的上部面中部設(shè)有向下凹陷面9,在聞?lì)l線圈2的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階11，在聞?lì)l線圈2的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路10，所述冷卻介質(zhì)通路10的兩端分別形成進(jìn)水管路6和出水管路8,所述進(jìn)水管路6和出水管路8外端分別設(shè)有連接座7,在進(jìn)水管路6和出水管路8之間的高頻線圈2上設(shè)有自高頻線圈2外緣貫通至拉制孔或化料孔4的開口 5，所述拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈2的中部，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈2上設(shè)置八個(gè)環(huán)繞的拉制孔3，在高頻線圈2的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)形成一次能同時(shí)拉制八根或九根娃芯的聞?lì)l線圈拉制孔布局；
[0052]結(jié)合附圖5、6和15中所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈2、進(jìn)水管路6、出水管路8、連接座7和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈2的上部面中部設(shè)有向下凹陷面9,在聞?lì)l線圈2的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階11，在聞?lì)l線圈2的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路10，所述冷卻介質(zhì)通路10的兩端分別形成進(jìn)水管路6和出水管路8,所述進(jìn)水管路6和出水管路8外端分別設(shè)有連接座7,在進(jìn)水管路6和出水管路8之間的高頻線圈2上設(shè)有自高頻線圈2外緣貫通至拉制孔或化料孔4的開口 5，所述拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈2的中部，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈2上設(shè)置九個(gè)環(huán)繞的拉制孔3，在高頻線圈2的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)形成一次能同時(shí)拉制九根或十根娃芯的聞?lì)l線圈拉制孔布局；
[0053]結(jié)合附圖7、8和15中所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈2、進(jìn)水管路6、出水管路8、連接座7和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈2的上部面中部設(shè)有向下凹陷面9,在聞?lì)l線圈2的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階11，在聞?lì)l線圈
2的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路10，所述冷卻介質(zhì)通路10的兩端分別形成進(jìn)水管路6和出水管路8,所述進(jìn)水管路6和出水管路8外端分別設(shè)有連接座7,在進(jìn)水管路6和出水管路8之間的高頻線圈2上設(shè)有自高頻線圈2外緣貫通至拉制孔或化料孔4的開口 5，所述拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈2的中部，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈2上設(shè)置十個(gè)環(huán)繞的拉制孔3，在高頻線圈2的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)形成一次能同時(shí)拉制十根或十一根娃芯的聞?lì)l線圈拉制孔布局；
[0054]結(jié)合附圖9、10和15中所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈2、進(jìn)水管路6、出水管路8、連接座7和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈2的上部面中部設(shè)有向下凹陷面9，在高頻線圈2的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階11，在高頻線圈2的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路10，所述冷卻介質(zhì)通路10的兩端分別形成進(jìn)水管路6和出水管路8,所述進(jìn)水管路6和出水管路8外端分別設(shè)有連接座7,在進(jìn)水管路6和出水管路8之間的高頻線圈2上設(shè)有自高頻線圈2外緣貫通至拉制孔或化料孔4的開口 5，所述拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈2的中部，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈2上設(shè)置十一個(gè)環(huán)繞的拉制孔3，在高頻線圈2的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)形成一次能同時(shí)拉制十一根或十二根硅芯的高頻線圈拉制孔布局；
[0055]結(jié)合附圖11、12和15中所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈2、進(jìn)水管路6、出水管路8、連接座7和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈2的上部面中部設(shè)有向下凹陷面9，在高頻線圈2的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階11，在高頻線圈2的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路10，所述冷卻介質(zhì)通路10的兩端分別形成進(jìn)水管路6和出水管路8,所述進(jìn)水管路6和出水管路8外端分別設(shè)有連接座7,在進(jìn)水管路6和出水管路8之間的高頻線圈2上設(shè)有自高頻線圈2外緣貫通至拉制孔或化料孔4的開口 5，所述拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈2的中部，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈2上設(shè)置十二個(gè)環(huán)繞的拉制孔3，在高頻線圈2的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)形成一次能同時(shí)拉制十二根或十三根硅芯的高頻線圈拉制孔布局；
[0056]結(jié)合附圖13、14和15中所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈2、進(jìn)水管路6、出水管路8、連接座7和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈2的上部面中部設(shè)有向下凹陷面9，在高頻線圈2的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階11，在高頻線圈2的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路10，所述冷卻介質(zhì)通路10的兩端分別形成進(jìn)水管路6和出水管路8,所述進(jìn)水管路6和出水管路8外端分別設(shè)有連接座7,在進(jìn)水管路6和出水管路8之間的高頻線圈2上設(shè)有自高頻線圈2外緣貫通至拉制孔或化料孔4的開口 5，所述拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈2的中部，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈2上設(shè)置十三個(gè)環(huán)繞的拉制孔3，在高頻線圈2的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)形成一次能同時(shí)拉制十三根或十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局；
[0057]結(jié)合附圖16，本實(shí)用新型所述的拉制孔3上設(shè)有使拉制孔3刃口減薄的環(huán)形倒角12 ；
[0058]本實(shí)用新型所述拉制孔3設(shè)置為圓形拉制孔3 ;或設(shè)置為方形拉制孔3 ;或設(shè)置為方形內(nèi)角倒圓拉制孔3 ;或設(shè)置為長方形拉制孔3 ;或設(shè)置為長方形內(nèi)角倒圓拉制孔3 ;或設(shè)置為三角形拉制孔3 ;或設(shè)置為三角形內(nèi)角倒圓拉制孔3 ;或設(shè)置為多邊形拉制孔3 ;或設(shè)置為不規(guī)則多邊形拉制孔3 ;或設(shè)置為菱形拉制孔3 ;或設(shè)置為菱形內(nèi)角倒圓拉制孔3 ;或設(shè)置為梯形拉制孔3 ;或設(shè)置為梯形內(nèi)角倒圓拉制孔3 ;或設(shè)置為長圓形拉制孔3 ;或設(shè)置為橢圓形拉制孔3 ;其中以圓形拉制孔3為例，結(jié)合附圖17、18、19、20、21和30，在拉制孔3的朝向拉制孔或化料孔4 一側(cè)設(shè)有旋切口 17 ;或朝向拉制孔或化料孔4 一側(cè)設(shè)置引流槽14 ;或朝向拉制孔或化料孔4 一側(cè)設(shè)置“V”形豁口 13 ;或朝向拉制孔或化料孔4 一側(cè)部分設(shè)置為引流槽14其余的設(shè)置為“V”形豁口 13 ;或朝向拉制孔或化料孔4 一側(cè)部分設(shè)置為引流槽14其余的設(shè)置為旋切口 17 ;或朝向拉制孔或化料孔4 一側(cè)部分設(shè)置為旋切口 17其余的設(shè)置為“V”形豁口 13，所述引流槽14的端部以及“V”形豁口 13的尖端與拉制孔或化料孔4留有間距；其中所述引流槽14的外端頭設(shè)有引流槽端部擴(kuò)口 15 ;所述引流槽14端部設(shè)置為“V”形角或圓弧形，引流槽14與拉制孔3的連接一端設(shè)置為弧形過渡或角過渡；
[0059]結(jié)合附圖22、23、24、25和26本實(shí)用新型所述開口 5設(shè)置為直開口或“U”形開口5或“V”形開口 5或“》”形開口 5或斜開口 5;[0060]結(jié)合附圖27、28和29本實(shí)用新型所述連接座7為多角形連接座7或雙半圓形連接座7或橢圓形連接座7 ；
[0061]其中本實(shí)用新型所述的在高頻線圈2外部環(huán)繞設(shè)置的冷卻介質(zhì)通路10結(jié)構(gòu)為:在高頻線圈2的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將所述冷卻介質(zhì)通路10環(huán)埋在高頻線圈2內(nèi)；或在高頻線圈2的外緣面通過釬焊或銅焊或銀焊焊接冷卻介質(zhì)通路10，使冷卻介質(zhì)通路10與高頻線圈2形成一體；
[0062]為了更好的實(shí)施本實(shí)用新型，本實(shí)用新型所述冷卻介質(zhì)通路10的另一替換結(jié)構(gòu)為，在高頻線圈2的外緣面開槽，然后直接利用管道封閉所述槽，由所述槽形成冷卻介質(zhì)通路10 ；
[0063]其中本實(shí)用新型所述地線連接機(jī)構(gòu)為在高頻線圈2的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有接線板1，或在高頻線圈2的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線形成地線連接機(jī)構(gòu)。
[0064]實(shí)施本實(shí)用新型所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，通過實(shí)驗(yàn)，證明了本實(shí)用新型其中中部的拉制孔或化料孔4也可作為化料孔，作用僅僅加熱原料棒形成生產(chǎn)多硅芯的高頻線圈，或中部的拉制孔或化料孔4也作為拉制孔，形成生產(chǎn)多硅芯的高頻線圈；本實(shí)用新型提高能量利用率，降低生產(chǎn)成本、大量節(jié)約能源、減少設(shè)備投資及人工綜合成本可有效降低等優(yōu)點(diǎn)，易于在多晶硅行業(yè)推廣實(shí)施。
[0065]結(jié)合附圖1?14，高頻線圈2使用過程如下所述:首先將原料棒送至高頻線圈2下部，所述高頻線圈2下部為環(huán)形臺階11，原料棒距高頻線圈2越近越好，但是不得與高頻線圈2底部面接觸，然后在高頻線圈2上的進(jìn)水管路6通電送水及出水管路8通電排水，經(jīng)過通電排水后的高頻線圈2上高頻電流促使高頻線圈2產(chǎn)生強(qiáng)大的磁力線，使原料棒上端頭靠近高頻線圈2的部分利用磁力線進(jìn)行感應(yīng)加熱，高頻線圈2通過冷卻介質(zhì)通路10內(nèi)的冷卻介質(zhì)進(jìn)行降溫，待原料棒的端頭靠近高頻線圈2下面的部位融化后，籽晶夾頭帶著籽晶下降，使籽晶通過拉制孔3后插入原料棒的熔化區(qū)，然后提升籽晶，原料棒上部的熔化液體會跟隨籽晶上升，其原料棒下部的下軸也相應(yīng)跟隨同步緩慢上升，但是其原料棒不得與高頻線圈2接觸；因?yàn)樵习舻亩瞬靠赡懿惶秸?，高頻線圈2下面設(shè)計(jì)為臺階面，其作用在于盡可能的使原料硅棒多靠近高頻線圈2的下部面，并且臺階面的向上凹陷也同步具有加熱環(huán)的作用；所述高頻線圈2上面設(shè)計(jì)為向下凹陷面，其作用是可以減少高頻電流過于在中部的集中，使其在高頻線圈2上均勻分布，以實(shí)現(xiàn)受熱均勻的效果和克服肌膚效應(yīng)；原料棒上部的熔化區(qū)在籽晶的粘和帶動并通過高頻線圈2拉制孔3后，由于磁力線的減弱而冷凝，便形成一個(gè)新的柱型晶體，其籽晶夾頭夾帶籽晶緩慢上升，便可形成所需長度的成品娃芯。
[0066]本實(shí)用新型未詳述部分為現(xiàn)有技術(shù)。
[0067]為了公開本實(shí)用新型的目的而在本文中選用的實(shí)施例，當(dāng)前認(rèn)為是適宜的，但是，應(yīng)了解的是，本實(shí)用新型旨在包括一切屬于本構(gòu)思和發(fā)明范圍內(nèi)的實(shí)施例的所有變化和改進(jìn)。
【權(quán)利要求】
1.同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，包括高頻線圈(2)、進(jìn)水管路(6)、出水管路(8)、連接座(7)和地線連接機(jī)構(gòu)，其特征是:在高頻線圈(2)的上部面中部設(shè)有向下凹陷面(9)，在高頻線圈(2)的下部面中部設(shè)有向上的環(huán)形臺階(11)，在高頻線圈(2)的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻介質(zhì)通路(10)，所述冷卻介質(zhì)通路(10)的兩端分別形成進(jìn)水管路(6)和出水管路(8)，所述進(jìn)水管路(6)和出水管路⑶外端分別設(shè)有連接座(7)，在進(jìn)水管路(6)和出水管路(8)之間的高頻線圈(2)上設(shè)有自高頻線圈(2)外緣貫通至拉制孔或化料孔⑷的開口(5)，所述拉制孔或化料孔(4)設(shè)置在高頻線圈(2)的中部，在拉制孔或化料孔(4)外部的高頻線圈(2)上設(shè)置七個(gè)或八個(gè)或九個(gè)或十個(gè)或十一個(gè)或十二個(gè)或十三個(gè)環(huán)繞的拉制孔(3)，在高頻線圈(2)的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述開口(5)設(shè)置為直開口(5)或“U”形開口(5)或“V”形開口(5)或“》”形開口(5)或斜開口(5)。
3.如權(quán)利要求1所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述拉制孔(3)設(shè)置為圓形拉制孔(3);或設(shè)置為方形拉制孔(3);或設(shè)置為方形內(nèi)角倒圓拉制孔(3);或設(shè)置為長方形拉制孔(3);或設(shè)置為長方形內(nèi)角倒圓拉制孔(3);或設(shè)置為三角形拉制孔(3);或設(shè)置為三角形內(nèi)角倒圓拉制孔(3);或設(shè)置為多邊形拉制孔(3)；或設(shè)置為不規(guī)則多邊形拉制孔(3);或設(shè)置為菱形拉制孔(3);或設(shè)置為菱形內(nèi)角倒圓拉制孔(3);或設(shè)置為梯形拉制孔(3);或設(shè)置為梯形內(nèi)角倒圓拉制孔(3);或設(shè)置為長圓形拉制孔⑶；或設(shè)置為橢圓形拉制孔(3)。
4.如權(quán)利要求1所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述拉制孔⑶的朝向拉制孔或化料孔⑷一側(cè)設(shè)有旋切口(17);或朝向拉制孔或化料孔⑷一側(cè)設(shè)置引流槽(14);或朝向拉制孔或化料孔⑷一側(cè)設(shè)置“V”形豁口(13);或朝向拉制孔或化料孔(4) 一側(cè)部分設(shè)置為引流槽(14)其余的設(shè)置為“V”形豁口(13);或朝向拉制孔或化料孔(4) 一側(cè)部分設(shè)置為引流槽(14)其余的設(shè)置為旋切口(17);或朝向拉制孔或化料孔(4) 一側(cè)部分設(shè)置為旋切口(17)其余的設(shè)置為“V”形豁口(13)，所述引流槽(14)的端部以及“V”形豁口(13)的尖端與拉制孔或化料孔⑷留有間距。
5.如權(quán)利要求4所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述引流槽(14)的外端頭設(shè)有引流槽端部擴(kuò)口(15)。
6.如權(quán)利要求4所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述引流槽(14)端部設(shè)置為“V”形角或圓弧形，引流槽(14)與拉制孔(3)的連接一端設(shè)置為弧形過渡或角過渡。
7.如權(quán)利要求1所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述連接座(7)為多角形連接座(7)或雙半圓形連接座(7)或橢圓形連接座(7)。
8.如權(quán)利要求1所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:在高頻線圈(2)外部環(huán)繞設(shè)置的冷卻介質(zhì)通路(10)結(jié)構(gòu)為:在高頻線圈(2)的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將所述冷卻介質(zhì)通路(10)環(huán)埋在高頻線圈(2)內(nèi)；或在高頻線圈(2)的外緣面通過釬焊或銅焊或銀焊焊接冷卻介質(zhì)通路(10)，使冷卻介質(zhì)通路(10)與高頻線圈(2)形成一體。
9.如權(quán)利要求1所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述冷卻介質(zhì)通路(10)的另一替換結(jié)構(gòu)為，在高頻線圈(2)的外緣面開槽，然后直接利用管道封閉所述槽，由所述槽形成冷卻介質(zhì)通路(10)。
10.如權(quán)利要求1所述的同時(shí)拉制七根至十四根硅芯的高頻線圈拉制孔布局，其特征是:所述地線連接機(jī)構(gòu)為在高頻線圈(2)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有接線板(1)，或在高頻線圈(2)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線形成地線連接機(jī) 構(gòu)。
【文檔編號】C30B15/14GK203820920SQ201420217341
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】劉朝軒 申請人:洛陽金諾機(jī)械工程有限公司