發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置制造方法
【專利摘要】本新型系一種發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其包含一具有一控制訊號(hào)輸出端的微處理器、一具有一積體電路的恒流控制電路及至少一具有一MOSFET的調(diào)光電路；該積體電路系具有一LED輸出正端以電連接至一LED模組的正極及一LED輸出負(fù)端電連接至該MOSFET的源極；該MOSFET的汲極系電連接至該LED模組的負(fù)極；該微處理器的訊號(hào)輸出端系電連接至該MOSFET的閘極，以輸出一控制訊號(hào)，控制該LED模組的導(dǎo)通與否，藉以調(diào)整該LED模組的工作周期來達(dá)到調(diào)光至目的，故本新型可選用不具有PWM功能的積體電路來降低制作成本。
【專利說明】發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本創(chuàng)作涉及一種發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，尤其涉及一種采用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;M0SFET)調(diào)光的發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)參閱圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極體(Light-Emitting D1de; LED)驅(qū)動(dòng)裝置系包含有一微處理器50、一恒流控制電路60及一訊號(hào)放大電路70。該微處理器50系具有一脈沖寬度調(diào)變(Pulse-Width Modulat1n;PWM)調(diào)光訊號(hào)輸出端RE，以輸出一 PWM調(diào)光訊號(hào)。該恒流控制電路60系包含有一積體電路61,而該積體電路61系具有一 PWM調(diào)光訊號(hào)輸入端DM、一 LED輸出正端SW及一 LED輸出負(fù)端CS。該微處理器50的PWM調(diào)光訊號(hào)輸出端RE系透過訊號(hào)放大電路70將該P(yáng)WM調(diào)光訊號(hào)放大后輸入至該積體電路61的PWM調(diào)光訊號(hào)輸入端DIM。該訊號(hào)放大電路70系一 PNP型的共集極放大器(common collectoramplifier)。該積體電路61的LED輸出正端SW系透過一電感L電連接至一 LED模組80的正極，而該LED輸出負(fù)端CS系電連接至該LED模組80的負(fù)極，且與該LED輸出正端SW之間透過一電容C電連接，并透過一電阻R電連接接地。
[0003]該恒流控制電路60系接收該P(yáng)WM調(diào)光訊號(hào)，控制該LED輸出正端的輸出電流，藉以輸出一固定的恒流電流讓該LED模組80發(fā)光，并保護(hù)該LED模組80不因高電流而燒毀，且根據(jù)該P(yáng)WM調(diào)光訊號(hào)利用控制該LED模組80的工作周期(Duty cycle)對(duì)該LED模組80進(jìn)行調(diào)光。
[0004]但現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置中系利用該微處理器50輸出該P(yáng)WM調(diào)光訊號(hào)進(jìn)行調(diào)光功能，而所采用的該積體電路61勢(shì)必要同時(shí)具有能解析該P(yáng)WM調(diào)光訊號(hào)的功能及輸出恒流電流的功能，而同時(shí)具有此二功能的積體電路的制作成本高昂。舉例來說，該微處理器50的型號(hào)系為PIC16FF1934，而該積體電路61的型號(hào)系為LM304。且該微處理器50也勢(shì)必要具有內(nèi)置的PWM功能，而具有PWM功能的微處理器也價(jià)格不斐。為此，若發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置采用具有PWM功能的微處理器及能同時(shí)解析PWM調(diào)光訊號(hào)及輸出恒流電流的機(jī)體電路，其制作成本對(duì)于制造商而言，勢(shì)必將成為沉重的負(fù)擔(dān)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]有鑒于現(xiàn)有的發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置中必須采用具有PWM調(diào)光功能的微處理器及積體電路產(chǎn)生過高的制造成本的問題，本創(chuàng)作的主要目的系提供一種采用MOS來調(diào)光的發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，故無須采用具有PWM調(diào)光功能的微處理器及機(jī)體電路，以節(jié)省制造成本。
[0006]為達(dá)上述目的所采用的主要技術(shù)手段系令該發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置包含有:
[0007]—微處理器,系具有至少一控制訊號(hào)輸出端，以輸出一控制訊號(hào)；
[0008]〖亙流控制電路,系具有一積體電路，其包含有一 LED輸出正端及一 LED輸出負(fù)端，該LED輸出正端系連接至一 LED模組的正極，并輸出一恒流電流；及
[0009]至少一調(diào)光電路，系包含有一 M0SFET，該MOSFET的閘極系電連接至該控制訊號(hào)輸出端，其汲極系電連接至該LED模組的負(fù)極，而其源極系電連接至該積體電路的LED輸出負(fù)端，并根據(jù)該微處理器輸出的控制訊號(hào)，控制該MOSFET的汲極及源極之間的導(dǎo)通與否，以調(diào)整該LED模組的工作周期。
[0010]本創(chuàng)作系藉由該調(diào)光電路，根據(jù)該微處理器輸出的控制訊號(hào)控制該LED模組的導(dǎo)通與否，藉以來調(diào)整該LED模組的導(dǎo)通時(shí)間，也就是該LED模組的工作周期，對(duì)該LED模組進(jìn)行調(diào)光。且該恒流控制電路的積體電路系用以輸出該恒流電流給該LED模組，使該LED模組利用恒流電流發(fā)光，并避免該LED模組受到大電流而損毀。為此，本創(chuàng)作的發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置中無須采用具有PWM功能的微處理器及同時(shí)具有恒流控制跟PWM功能的積體電路，只須采用一般的微處理器及單具有恒流控制功能的積體電路即可，故大幅降低發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)電路的制作成本，同時(shí)還兼具有調(diào)光功能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本創(chuàng)作之功能方塊圖。
[0012]圖2為本創(chuàng)作之詳細(xì)電路圖。
[0013]圖3為現(xiàn)有發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)電路之詳細(xì)電路圖。
[0014]符號(hào)說明
[0015]10微處理器
[0016]20恒流控制電路21積體電路
[0017]30 調(diào)光電路 31 MOSFET
[0018]31a 第一 MOSFET 31b 第二 MOSFET
[0019]40 LED 模組 40a 第一 LED 模組
[0020]40b 第二 LED 模組
[0021]50微處理器
[0022]60恒流控制電路61積體電路
[0023]70訊號(hào)放大電路
[0024]80 LED 模組。

【具體實(shí)施方式】
[0025]請(qǐng)參閱圖1所示，本創(chuàng)作系一發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)電路，其包含有一微處理器10、一恒流控制電路20及至少一調(diào)光電路30。該微處理器10系具有至少一控制訊號(hào)輸出端RA4，以輸出一控制訊號(hào)。該恒流控制電路20系具有一積體電路21,該積體電路21系包含有一LED輸出正端SW及一 LED輸出負(fù)端CS，該LED輸出正端SW系電連接至一 LED模組40的正極，并輸出一恒流電流至該LED模組40，使該LED模組40利用該恒流電流發(fā)光。在本較佳實(shí)施例中，該恒流電流的最大電流值系I安培。
[0026]請(qǐng)一并參閱圖2所示，該調(diào)光電路30系包含有一 MOSFET 31，該MOSFET 31的閘極系電連接至該控制訊號(hào)輸出端RA4，其汲極系電連接至該LED模組40的負(fù)極，而其源極系電連接至該積體電路21的LED輸出負(fù)端CS，而該調(diào)光電路30系根據(jù)該控制訊號(hào)控制該LED模組的導(dǎo)通與否。
[0027]本創(chuàng)作系藉由該調(diào)光電路30的MOSFET 31控制該LED模組40的導(dǎo)通與否，來調(diào)整該LED模組40的工作周期，藉以調(diào)整該LED的亮度，達(dá)到調(diào)光功能的目的。且該恒流控制電路20的積體電路21的LED輸出正端SW系輸出該恒流電流至該LED模組40，使該LED模組40發(fā)光，并避免該LED模組40受到大電流而損毀。故本創(chuàng)作無需采用具有PWM調(diào)光功能的積體電路，亦可透過該調(diào)光電路30進(jìn)行調(diào)光及透過該積體電路21輸出恒流電流。在本較佳實(shí)施例中，該MOSFET 31系一 N通道增強(qiáng)型M0SFET，該積體電路的型號(hào)系MT7933。
[0028]進(jìn)一步而言，該恒流控制電路20還包含有一電感L、一電容C及一電阻R。該積體電路21的LED輸出正端SW系透過該電感L電連接至該LED模組40的正極，而該LED輸出正端SW及該LED輸出負(fù)端CS之間系電連接有該電容C。該LED輸出負(fù)端CS還透過該電阻R電連接接地。該微處理器10的控制訊號(hào)輸出端RA4系透過串聯(lián)的一第一電阻Rl及一第二電阻R2電連接接地，而該MOSFET 31的閘極系直接電連接至該第一電阻Rl及該第二電阻R2串聯(lián)的連接點(diǎn)。即該第一電阻Rl之一端系電連接至該控制訊號(hào)輸出端RA4，而另一端系與該第二電阻R2之一端及該MOSFET 31的閘極電連接，該第二電阻R2的另一端系電連接接地。藉由該第一電阻Rl及該第二電阻R2將該微處理器10控制訊號(hào)輸出端RA4輸出的控制訊號(hào)進(jìn)行分壓，來產(chǎn)生合適的控制訊號(hào)對(duì)該MOSFET 31進(jìn)行導(dǎo)通控制。在本較佳實(shí)施例中，該微處理器10控制訊號(hào)輸出端RA4輸出的控制訊號(hào)系數(shù)位訊號(hào)，舉例來說，數(shù)位訊號(hào)中的I代表5伏特的電壓值，而數(shù)位訊號(hào)中的O代表O伏特的電壓值，并透過該第一電阻Rl及該第二電阻R2進(jìn)行分壓，產(chǎn)生合適該MOSFET 31閘極的控制電壓對(duì)該MOSFET進(jìn)行控制，來達(dá)到調(diào)光的目的。
[0029]舉例來說，當(dāng)該控制訊號(hào)系1，即5伏特時(shí)，該MOSFET 31的汲極及源極之間導(dǎo)通，使該LED模組40導(dǎo)通而發(fā)光。而當(dāng)該控制訊號(hào)系0，即O伏特時(shí)，該MOSFET 31的汲極及源極之間系開路，使該LED模組40無法導(dǎo)通而不發(fā)光。藉由該數(shù)位訊號(hào)來調(diào)整該LED模組的工作周期，達(dá)到調(diào)光的目的。假設(shè)該LED模組系以該數(shù)位訊號(hào)輸出Sbit為一工作周期，若該數(shù)位訊號(hào)系11111100時(shí)，即為75%的工作周期，此時(shí)較亮；若該數(shù)位訊號(hào)系11000000時(shí)，即為25%的工作周期，此時(shí)較暗；若該數(shù)位訊號(hào)系00000000時(shí)，即為0%的工作周期，此時(shí)為該LED模組40關(guān)閉。
[0030]此外，請(qǐng)參閱圖2所示，本創(chuàng)作可同時(shí)對(duì)復(fù)數(shù)組LED模組進(jìn)行調(diào)光，舉例來說，可同時(shí)控制一第一 LED模組40a及一第二 LED模組40b。而該發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置系包含有二個(gè)調(diào)光電路30。該第一 LED模組40a及該第二 LED模組40b的正極系同樣地電連接至該恒流控制電路20積體電路21的LED輸出正端SW。而該微處理器10系具有二個(gè)控制訊號(hào)輸出端RA4、RA5，分別電連接至其中一條光電路30的第一 MOSFET 31a及另一調(diào)光電路30的第二 MOSFET 31b的閘極。該第一 MOSFET 31a系與該第一 LED模組40a配對(duì)設(shè)置，即其汲極系電連接至該第一 LED模組40a的負(fù)極。該第二 MOSFET 31b系與該第二 LED模組40b配對(duì)設(shè)置，即其汲極系電連接至該第二 LED模組40b的負(fù)極。該第一、第二 MOSFET 31a、31b的源極系電連接至該LED輸出負(fù)端CS。該微處理器10系透過該二控制訊號(hào)輸出端RA4、RA5分別輸出一控制訊號(hào)來分別對(duì)該第一 LED模組40a及該第二 LED模組40b進(jìn)行調(diào)光控制。該第一 LED模組40a系一藍(lán)光LED模組，而該第二 LED模組40b系一紅光LED模組。
[0031]總上所述，本創(chuàng)作系將恒流控制功能及調(diào)光功能分別用不同電路實(shí)現(xiàn)，采用只具有恒流控制功能而不具有PWM功能的積體電路進(jìn)行恒流控制，并采用該調(diào)光電路對(duì)LED模組進(jìn)行調(diào)光，而未具有PWM功能的恒流控制積體電路的價(jià)格較具有PWM功能的恒流控制積體電路低廉，故能選用價(jià)格相對(duì)低廉的積體電路來制作本創(chuàng)作的發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)電路，且該調(diào)光電路系采用MOSFET制作，亦不會(huì)有高額的制作費(fèi)用產(chǎn)生。進(jìn)一步而言，本創(chuàng)作還可同時(shí)對(duì)二組以上的LED模組分別進(jìn)行不同的調(diào)光控制，讓使用者能有更大的調(diào)光控制彈性，以調(diào)整出使用者理想的光源。
[0032]以上所述僅是本創(chuàng)作的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本創(chuàng)作做任何形式上的限制，雖然本創(chuàng)作已較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本創(chuàng)作，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本創(chuàng)作技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本創(chuàng)作技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本創(chuàng)作的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本創(chuàng)作技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，包含有: 一微處理器，系具有至少一控制訊號(hào)輸出端，以輸出一控制訊號(hào)； 一恒流控制電路，系具有一積體電路，其包含有一發(fā)光二極體(Light-EmittingD1de; LED)輸出正端及一 LED輸出負(fù)端，該LED輸出正端系連接至一 LED模組的正極，并輸出一恒流電流；及 至少一調(diào)光電路，系包含有一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ;M0SFET),該MOSFET 的閘極系電連接至該控制訊號(hào)輸出端，其汲極系電連接至該LED模組的負(fù)極，而其源極系電連接至該積體電路的LED輸出負(fù)端，并根據(jù)該微處理器輸出的控制訊號(hào)，控制該MOSFET的汲極及源極之間的導(dǎo)通與否，以調(diào)整該LED模組的工作周期。
2.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述恒流控制電路系進(jìn)一步包含有: 一電感，其中該積體電路的LED輸出正端系透過該電感電連接至該LED模組的正極； 一電容，其中該LED輸出正端及該LED輸出負(fù)端之間系電連接有該電容；及 一電阻，其中該LED輸出負(fù)端系透過該電阻R電連接接地。
3.如權(quán)利要求1或2所述發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述恒流控制電路輸出的恒流電流的最大值系I安培。
4.如權(quán)利要求1或2所述發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述調(diào)光電路系進(jìn)一步包含有: 一第一電阻，其一端系電連接至該控制訊號(hào)輸出端；及 一第二電阻，其一端系電連接至該第一電阻之另一端及該MOSFET的閘極，而該第二電阻之另一端系電連接接地。
5.如權(quán)利要求1或2所述發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:其包含有二調(diào)光電路，分別具有一第一 MOSFET及一第二 M0SFET，該第一、第二 MOSFET的汲極系分別電連接至一第一、一第二 LED模組的負(fù)極，而第一、第二 MOSFET的源極系電連接至該積體電路的LED輸出負(fù)端 '及 其中該微處理器系包含有二個(gè)控制訊號(hào)輸出端，且分別電連接至該第一、第二 MOSFET的閘極。
6.如權(quán)利要求3所述發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:所述調(diào)光電路系進(jìn)一步包含有: 一第一電阻，其一端系電連接至該控制訊號(hào)輸出端；及 一第二電阻，其一端系電連接至該第一電阻之另一端及該MOSFET的閘極，而該第二電阻之另一端系電連接接地。
7.如權(quán)利要求3所述發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:其包含有二調(diào)光電路，分別具有一第一 MOSFET及一第二 M0SFET，該第一、第二 MOSFET的汲極系分別電連接至一第一、一第二 LED模組的負(fù)極，而第一、第二 MOSFET的源極系電連接至該積體電路的LED輸出負(fù)端；及 其中該微處理器系包含有二個(gè)控制訊號(hào)輸出端，且分別電連接至該第一、第二 MOSFET的閘極。
8.如權(quán)利要求4所述發(fā)光二極體驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于:其包含有二調(diào)光電路，分別具有一第一 MOSFET及一第二 M0SFET，該第一、第二 MOSFET的汲極系分別電連接至一第一、一第二 LED模組的負(fù)極，而第一、第二 MOSFET的源極系電連接至該積體電路的LED輸出負(fù)端；及 其中該微處理器系包含有二個(gè)控制訊號(hào)輸出端，且分別電連接至該第一、第二 MOSFET的閘極。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK203934066SQ201420320564
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月17日
【發(fā)明者】周國華, 李繼周, 袁吉順, 王慧娟 申請(qǐng)人:連展科技電子（昆山）有限公司