一種藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐的制作方法
【專利摘要】藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐涉及一種藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐。主要是為解決現(xiàn)有的藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐生產(chǎn)的單晶藍(lán)寶石切片時(shí)浪費(fèi)大的問題而設(shè)計(jì)的。它包括爐體,爐體上有大爐蓋,電極裝在大爐蓋上,大爐蓋上有小爐蓋,單晶提拉機(jī)構(gòu)裝在固定柱上,固定柱固定在地面基礎(chǔ)上,單晶提拉機(jī)構(gòu)下面有單晶提拉桿,爐體內(nèi)的坩堝置于坩堝托盤上,坩堝托盤置于托盤頂柱上,托盤頂柱立在爐底上,坩堝上方有坩堝蓋,坩堝蓋上面有上隔熱屏,坩堝外面有發(fā)熱體,發(fā)熱體與大爐蓋上的電極連接,發(fā)熱體的下面和四周有下隔熱屏和側(cè)隔熱屏,所述的坩堝、發(fā)熱體、側(cè)隔熱屏均為橢圓形偏平狀。優(yōu)點(diǎn)是可生產(chǎn)出橢圓形偏平狀的藍(lán)寶石單晶體,切片時(shí)浪費(fèi)少。
【專利說明】一種藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐
【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本實(shí)用新型涉及一種藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐。
【背景技術(shù)】
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[0002]目前人工生產(chǎn)直徑超過10mm以上大尺寸、光學(xué)級(jí)藍(lán)寶石單晶的方法主要包括提拉法、泡生法、熱交換法,這些方法所生長的晶體形狀多為圓柱形、梨形,用戶使用時(shí)需根據(jù)要求將晶體坯料切割成各種不同的規(guī)格。
[0003]隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,軍民兩用市場對藍(lán)寶石單晶的尺寸要求越來越大,例如一些紅外窗口片的尺寸已經(jīng)超過400mm,即使民用的LED襯底片也向著8_12英寸方向發(fā)展。如果采用上述傳統(tǒng)提拉法、泡生法和熱交換法生長藍(lán)寶石單晶的設(shè)備,為了要獲得足夠大的藍(lán)寶石單晶窗口或襯底片,必須在三維空間上加大設(shè)備尺寸,然后將晶坯進(jìn)行切割來獲得相應(yīng)規(guī)格的窗口片、襯底片或其它形狀部件,在加工晶坯過程中,由于需要將并不規(guī)則的圓柱形(或梨形)晶坯加工成規(guī)則板狀部件,因此會(huì)產(chǎn)生大量的損耗。
[0004]綜上可見,為了獲得更大尺寸的窗口片或襯底片,確需要在三維空間上同時(shí)加大晶體的尺寸,這不但導(dǎo)致設(shè)備成本的增加,而且在晶體生長過程中需要消耗更多的電能來完成晶體的生長,同時(shí)在晶體加工過程中還會(huì)產(chǎn)生很大的材料損耗,所以損失浪費(fèi)大。
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種在對單晶藍(lán)寶石進(jìn)行切片時(shí),扔掉部分的體積小,浪費(fèi)少,藍(lán)寶石利用率高的藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐。
[0006]上述目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:它包括設(shè)有真空接口的爐體,爐體上有大爐蓋,電極裝在大爐蓋上,大爐蓋上裝有小爐蓋,單晶提拉機(jī)構(gòu)裝在固定柱上,固定柱固定在地面基礎(chǔ)上,單晶提拉機(jī)構(gòu)下面裝有單晶提拉桿,爐體內(nèi)有坩堝,坩堝置于坩堝托盤上,坩堝托盤置于托盤頂柱上,托盤頂柱立在爐底上,坩堝的上方有坩堝蓋,坩堝蓋上面有上隔熱屏,坩堝的外面有發(fā)熱體,發(fā)熱體與大爐蓋上的電極連接,發(fā)熱體的下面和四周有下隔熱屏和側(cè)隔熱屏,其特征是:所述的坩堝、發(fā)熱體、側(cè)隔熱屏均為橢圓形偏平狀。
[0007]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:由于藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐的坩堝、發(fā)熱體、側(cè)隔熱屏均為橢圓形偏平狀,所以可生產(chǎn)出橢圓形偏平狀的藍(lán)寶石單晶體。相對于目前的圓柱形或梨形晶體,該形態(tài)的晶體生長所消耗的電能可降低約30%,并且,用這種形狀的藍(lán)寶石單晶體切割同樣大小的窗口片時(shí),加工損耗要比現(xiàn)有的圓柱形或梨形藍(lán)寶石晶體降低約50%。
【專利附圖】
【附圖說明】
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[0008]圖1是本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖;
[0009]圖2是圖1的A-A視圖;
[0010]圖3是橢圓形扁平狀藍(lán)寶石單晶晶體與現(xiàn)有的圓柱形藍(lán)寶石單晶晶體切割時(shí),浪費(fèi)部分多少的對比。
【具體實(shí)施方式】
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[0011]參照圖1、2,它包括設(shè)有真空接口 15的爐體6,爐體上有大爐蓋5,電極4裝在大爐蓋上,大爐蓋上裝有小爐蓋3,單晶提拉機(jī)構(gòu)I裝在固定柱13上,固定柱固定在地面基礎(chǔ)上,單晶提拉機(jī)構(gòu)下面裝有單晶提拉桿2,爐體內(nèi)有坩堝9,坩堝置于坩堝托盤10上,坩堝托盤置于托盤頂柱12上,托盤頂柱立在爐底上,坩堝的上方有坩堝蓋16,坩堝蓋上面有上隔熱屏14,坩堝的外面有發(fā)熱體8,發(fā)熱體與大爐蓋上的電極連接,發(fā)熱體的下面和四周有下隔熱屏11和側(cè)隔熱屏7,其特征是:所述的坩堝、發(fā)熱體、側(cè)隔熱屏均為橢圓形偏平狀。
[0012]為了把問題說的更清楚,我們通過附圖3來展示一下,圖中A是用本實(shí)用新型生產(chǎn)出的橢圓形偏平狀藍(lán)寶石單晶晶體,B是現(xiàn)有的圓柱形藍(lán)寶石單晶晶體,C是切割得到的藍(lán)寶石單晶晶體窗口片,D是切割時(shí)用本實(shí)用新型生產(chǎn)出的橢圓形偏平狀藍(lán)寶石單晶晶體和現(xiàn)有的圓柱形藍(lán)寶石單晶晶體都要扔掉的部分,E是現(xiàn)有的圓柱形藍(lán)寶石單晶晶體比用本實(shí)用新型生產(chǎn)出的橢圓形偏平狀藍(lán)寶石單晶晶體多扔掉的部分。從展示圖圖3中可以看出,用本實(shí)用新型生產(chǎn)出的橢圓形型偏平狀藍(lán)寶石單晶晶體切割制作藍(lán)寶石單晶晶體切片可節(jié)省大量的藍(lán)寶石單晶晶體,而且可以提高加工效率;由于藍(lán)寶石單晶晶體特別昂貴,用于生產(chǎn)藍(lán)寶石單晶晶體的原材料由于其純度要求特別高,不僅奇缺而且昂貴,所以本實(shí)用新型在解決了人們長期生產(chǎn)的習(xí)慣性方式的同時(shí),帶來了巨大的經(jīng)濟(jì)效益和資源、人力、物力的節(jié)約。
【權(quán)利要求】
1.一種藍(lán)寶石單晶晶體長晶用真空爐,包括設(shè)有真空接口(15)的爐體(6),爐體上有大爐蓋(5),電極(4)裝在大爐蓋上,大爐蓋上裝有小爐蓋(3),單晶提拉機(jī)構(gòu)(I)裝在固定柱(13)上,固定柱固定在地面基礎(chǔ)上,單晶提拉機(jī)構(gòu)下面裝有單晶提拉桿(2),爐體內(nèi)有坩堝(9),坩堝置于坩堝托盤(10)上,坩堝托盤置于托盤頂柱(12)上,托盤頂柱立在爐底上,坩堝的上方有坩堝蓋(16),坩堝蓋上面有上隔熱屏(14),坩堝的外面有發(fā)熱體(8),發(fā)熱體與大爐蓋上的電極連接,發(fā)熱體的下面和四周有下隔熱屏(11)和側(cè)隔熱屏(7),其特征是:所述的坩堝、發(fā)熱體、側(cè)隔熱屏均為橢圓形偏平狀。
【文檔編號(hào)】C30B29/20GK203960396SQ201420338049
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月14日
【發(fā)明者】姚以力, 姚泰 申請人:姚以力