一種超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽的制作方法
【專利摘要】本實用新型一種超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽，包括兩對接的左屏蔽塊及右屏蔽塊，兩屏蔽塊對接側(cè)均設(shè)有尺寸相同的凹槽，兩凹槽對接形成用于穿過心柱的通孔，所述的凹槽包括底壁和兩側(cè)壁，兩側(cè)壁為臺階狀結(jié)構(gòu)。本實用新型整體結(jié)構(gòu)簡單制作工藝易實現(xiàn)，整體結(jié)構(gòu)簡單，減少了線圈與鐵心間的漏磁量，保證大量漏磁通進(jìn)入磁屏蔽，從而引導(dǎo)至上下軛疊厚的端部方向，避免鐵軛過熱。同時本結(jié)構(gòu)采用多種不同長度硅鋼片按照“凹”字豎直打疊，然后滲膠制作，所有硅鋼片經(jīng)過膠粘后形成統(tǒng)一的整體，保證了磁屏蔽的機(jī)械強(qiáng)度。
【專利說明】一種超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種電抗器磁屏蔽結(jié)構(gòu)，具體涉及一種超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽。

【背景技術(shù)】
[0002]油浸式并聯(lián)電抗器普遍只有單線圈，且超、特高壓電抗器一般容量也非常大，因此電抗器的漏磁通非常大。心柱與線圈之間的空道為漏磁最大區(qū)域。超、特高壓電抗器的漏磁通占總磁通的40%左右，如果漏磁通不經(jīng)過磁屏蔽引導(dǎo)至上下軛疊厚端部方向而直接進(jìn)入上下軛的話，將有可能引起上下軛的局部飽和，從而導(dǎo)致鐵心過熱。目前常用的磁屏蔽方式是加設(shè)兩片L型磁屏蔽片，只能減少部分漏磁量使用效果差。同時由于超、特高壓電抗器鐵心直徑非常大，所以磁屏蔽的長度達(dá)到1.5米以上，寬度達(dá)到0.4米以上；電抗器本體振動非常大，必須保證磁屏蔽在100HZ頻率下的動穩(wěn)定性。因此如何將所有硅鋼片連接為一個整體，保證磁屏蔽的機(jī)械強(qiáng)度是制作的最大困難。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述問題，本實用新型提供一種減少漏磁通、提高磁屏蔽機(jī)械強(qiáng)度的超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽。
[0004]為解決上述問題，本實用新型采取的技術(shù)方案為:一種超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽，包括兩對接的左屏蔽塊及右屏蔽塊，兩屏蔽塊對接側(cè)均設(shè)有尺寸相同的凹槽，兩凹槽對接形成用于穿過心柱的通孔，所述的凹槽包括底壁和兩側(cè)壁，兩側(cè)壁為臺階狀結(jié)構(gòu)。屏蔽塊凹槽內(nèi)壁增加臺階狀結(jié)構(gòu)，最大可能覆蓋線圈與鐵心間空道的面積，保證大量漏磁通進(jìn)入磁屏蔽，從而引導(dǎo)至上下軛疊厚的端部方向，避免鐵軛過熱。
[0005]進(jìn)一步，兩屏蔽塊由不同長度的硅鋼片沿心柱徑向打疊并形成中間凹槽的臺階狀側(cè)壁。之后采用滲膠制作，將所有硅鋼片膠粘后形成統(tǒng)一的整體，保證了磁屏蔽的機(jī)械強(qiáng)度。所形成的臺階的尺寸及數(shù)量可根據(jù)電抗器的容量來設(shè)置，要保證盡可能大的覆蓋線圈與心柱間的空道面積，減少線圈與鐵心間的漏磁量，優(yōu)選的，每個臺階棱邊與相對的心柱壁的距離為20mm至40mm。
[0006]本實用新型整體結(jié)構(gòu)簡單制作工藝易實現(xiàn)，整體結(jié)構(gòu)簡單，臺階狀結(jié)構(gòu)增大了磁屏蔽的覆蓋面積，減少了線圈與鐵心間的漏磁量，保證大量漏磁通進(jìn)入磁屏蔽，從而引導(dǎo)至上下軛疊厚的端部方向，避免鐵軛過熱。同時本結(jié)構(gòu)采用多種不同長度硅鋼片按照“凹”字豎直打疊，然后滲膠制作，所有硅鋼片經(jīng)過膠粘后形成統(tǒng)一的整體，保證了磁屏蔽的機(jī)械強(qiáng)度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2為現(xiàn)有磁屏蔽的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]其中，1、左屏蔽塊，2、右屏蔽塊，3、心柱，4、底壁，5、側(cè)壁。

【具體實施方式】
[0010]如圖1所示，一種超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽，包括兩對接的左屏蔽塊I及右屏蔽塊2，兩屏蔽塊對接側(cè)均設(shè)有尺寸相同的凹槽，兩凹槽對接形成用于穿過心柱3的通孔，所述的凹槽包括底壁4和兩側(cè)壁5，兩側(cè)壁5為臺階狀結(jié)構(gòu)。兩屏蔽塊中間凹槽的臺階狀側(cè)壁5由不同長度的硅鋼片沿心柱3徑向打疊形成。每個臺階棱邊與相對的心柱壁的距離為20mm 至 40mm η
【權(quán)利要求】
1.一種超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽，包括兩對接的左屏蔽塊(I)及右屏蔽塊(2)，兩屏蔽塊對接側(cè)均設(shè)有尺寸相同的凹槽，兩凹槽對接形成用于穿過心柱(3)的通孔，其特征在于:所述的凹槽包括底壁(4)和兩側(cè)壁(5)，兩側(cè)壁(5)為臺階狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽，其特征在于:兩屏蔽塊由不同長度的硅鋼片沿心柱(3)徑向打疊并形成中間凹槽的臺階狀側(cè)壁(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超、特高壓并聯(lián)電抗器磁屏蔽，其特征在于:每個臺階棱邊與相對的心柱壁的距離為20mm至40mm。
【文檔編號】H05K9/00GK204088033SQ201420558355
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月26日
【發(fā)明者】葛德馨, 徐曉明, 俎德舒, 李學(xué)成, 李科文, 程軍衛(wèi) 申請人:山東電力設(shè)備有限公司