變頻器母排結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種變頻器母排結構，其包括母排一、母排二、母排三、絕緣紙、電解電容及IGBT模塊；所述母排一與母排二及母排三上下平行設置，所述母排二與母排三位于同一水平面上；所述絕緣紙設置在母排一與母排二及母排一與母排三之間；所述電解電容為一對以上，其中一個位于母排三上，另一個連接母排二及母排三；所述IGBT模塊設置在母排二上；所述母排一上設置有與電解電容及IGBT模塊配合的通孔；所述母排一、母排二及母排三均為導電材質制成。優(yōu)點是：本實用新型的母排一、母排二及母排三采用導電材質制成，而無需再用電線連接，這樣能有效降低電壓尖峰的產生，防止其對IGBT模塊造成損壞。
【專利說明】變頻器母排結構
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于變頻器內部部件【技術領域】，尤其是涉及一種變頻器母排結構。
【背景技術】
[0002]目前，電解電容與IGBT模塊為變頻器上的重要電器元件；現有的變頻器線路板上的電解電容及IGBT模塊都是通過走線結構來進行連接的，這種走線結構會讓母線P端和N端產生電感，容易產生相當大的電壓尖峰，電壓尖峰過大會對IGBT模塊造成損壞；還有就是這種走線結構散熱性較差，容易對元件的工作造成影響；因此有必要予以改進。
【發(fā)明內容】
[0003]本實用新型的目的是針對上述現有技術存在的不足，提供一種變頻器母排結構，它具有結構簡單、在工作過程中不會產生過大的電壓尖峰讓模塊能穩(wěn)定的工作且散熱效果也較佳的特點。
[0004]為了實現上述目的，本實用新型所采用的技術方案是:一種變頻器母排結構，其包括母排一、母排二、母排三、絕緣紙、電解電容及IGBT模塊；所述母排一與母排二及母排三上下平行設置，所述母排二與母排三位于同一水平面上；所述絕緣紙設置在母排一與母排二及母排一與母排三之間；所述電解電容為一對以上，其中一個位于母排三上，另一個連接母排二及母排三；所述IGBT模塊設置在母排二上；所述母排一上設置有與電解電容及IGBT模塊配合的通孔；所述母排一、母排二及母排三均為導電材質制成。
[0005]所述制成母排一、母排二及母排三的導電材質為銅。
[0006]所述絕緣紙為一體式結構。
[0007]采用上述結構后，本實用新型和現有技術相比所具有的優(yōu)點是:本實用新型的結構簡單，母排一、母排二及母排三采用導電材質制成，這樣在電解電容及IGBT設置好后即能進行電傳遞，而無需再用電線連接，這樣能有效降低電壓尖峰的產生，防止其對IGBT模塊造成損壞；而且采用這種母排結構相比原有的走線結構其散熱效果更佳，提高工作穩(wěn)定性；絕緣紙能絕緣電解電容的正負極，防止短路現象的發(fā)生。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1是本實用新型的平面結構剖視圖。
[0009]圖2是本實用新型的母排一的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0010]以下所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不因此而限定本實用新型的保護范圍，下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0011]實施例，見圖1和圖2所示:一種變頻器母排結構，其包括母排一 10、母排二 20、母排三30、絕緣紙40、電解電容50及IGBT模塊60。母排一 10上設置有與電解電容50及IGBT模塊60配合的通孔11，便于安裝；母排一 10、母排二 20及母排三30均采用具有導電功能的銅材制成，當然了，也可以采用其它具有導電性能的金屬材質來制成，比如鋁，其同樣能達到相似的效果。母排一 10與母排二 20及母排三30上下平行設置，母排二 20與母排三30位于同一水平面上，這種結構設置方便電氣元件的安裝。所述的電解電容50為一對以上，一般情況下采用兩對；每對中的其中一個位于母排三30上，另一個連接母排二 20及母排三30 ;而絕緣紙40設置在母排一 10與母排二 20及母排一 10與母排三30之間，且絕緣紙40為一體式結構；所述的IGBT模塊60設置在母排二 20上；這種結構設置能讓電解電容50及IGBT模塊60無需走線連接，不但有效降低電壓尖峰的產生，而且還具有良好的散熱效果，達到保護IGBT模塊60的效果；而絕緣紙40能絕緣電解電容50的正負極，防止短路現象的發(fā)生。
【權利要求】
1.一種變頻器母排結構，其特征在于:包括母排一(10)、母排二(20)、母排三(30)、絕緣紙(40)、電解電容(50)及IGBT模塊(60);所述母排一(10)與母排二(20)及母排三(30)上下平行設置，所述母排二(20)與母排三(30)位于同一水平面上；所述絕緣紙(40)設置在母排一(10)與母排二(20)及母排一(10)與母排三(30)之間；所述電解電容(50)為一對以上，其中一個位于母排三(30)上，另一個連接母排二(20)及母排三(30);所述IGBT模塊(60)設置在母排二(20)上；所述母排一(10)上設置有與電解電容(50)及IGBT模塊(60)配合的通孔(11);所述母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)均為導電材質制成。
2.根據權利要求1所述的變頻器母排結構，其特征在于:所述制成母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)的導電材質為銅。
3.根據權利要求1或2所述的變頻器母排結構，其特征在于:所述絕緣紙(40)為一體式結構。
【文檔編號】H05K7/20GK204258647SQ201420732456
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年11月27日 優(yōu)先權日:2014年11月27日
【發(fā)明者】彭華斌 申請人:浙江德弗電氣技術有限公司