技術(shù)特征：
1.一種低輻射板，包括：基片；反射層，被形成在所述基片上；和頂部介質(zhì)層，被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述頂部介質(zhì)層和所述基片之間，所述頂部介質(zhì)層包括鋅錫鋁氧化物，其中，所述頂部介質(zhì)層中的鋅對(duì)錫的原子比為0.67-1.5，所述頂部介質(zhì)層實(shí)質(zhì)上是無(wú)定形的。2.如權(quán)利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質(zhì)層中鋁濃度的原子百分比為1％-15％。3.如權(quán)利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質(zhì)層中鋁濃度的原子百分比為2％-10％。4.如權(quán)利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質(zhì)層具有3eV-6eV的帶隙。5.如權(quán)利要求1所述的低輻射板，其中，對(duì)于400nm-2500n的波長(zhǎng)范圍，所述頂部介質(zhì)層的吸收系數(shù)為0。6.如權(quán)利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質(zhì)層的厚度為10nm-50nm。7.如權(quán)利要求1所述的低輻射板，進(jìn)一步包括：阻擋層，被形成在所述頂部介質(zhì)層和所述反射層之間，所述阻擋層包含部分氧化的至少鎳、鈦、和鈮的合金。8.如權(quán)利要求7所述的低輻射板，進(jìn)一步包括：頂部擴(kuò)散層，被形成在所述頂部介質(zhì)層上，從而所述頂部介質(zhì)層被形成在所述頂部擴(kuò)散層和所述阻擋層之間，所述頂部擴(kuò)散層包含氮化硅。9.如權(quán)利要求8所述的低輻射板，進(jìn)一步包括：底部擴(kuò)散層，被形成在所述基片和所述反射層之間；底部介質(zhì)層，被形成在所述底部擴(kuò)散層和所述基片的之間；和種子層，被形成在所述底部介質(zhì)層和所述反射層之間。10.一種形成低輻射板的方法，其步驟包括：提供部分裝配板，所述部分裝配板包括基片，反射層被形成在所述基片上，且阻擋層被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述基片和所述阻擋層之間；且在含有氧氣的環(huán)境使用反應(yīng)濺射法，在所述阻擋層上形成頂部介質(zhì)層，所述阻擋層包括部分氧化的三種或者多種金屬的合金，所述頂部介質(zhì)層包括鋅錫鋁氧化物，其中，所述頂部介質(zhì)層中的鋅對(duì)錫的原子比為0.67-1.5，所述頂部介質(zhì)層實(shí)質(zhì)上是無(wú)定形的。11.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括：熱處理具有所述頂部介質(zhì)層的所述部分裝配板。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在響應(yīng)于熱處理的應(yīng)用中，所述低輻射板的透射率到可見(jiàn)光的變化小于3％。13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述頂部介質(zhì)層中鋁濃度的原子百分比為1％-15％。14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述頂部介質(zhì)層中鋁濃度的原子百分比為2％-10％。15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述頂部介質(zhì)層具有3eV-6eV的帶隙。16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述頂部介質(zhì)層的厚度為10nm-50nm。17.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括：在所述頂部介質(zhì)層上形成頂部擴(kuò)散層，所述頂部擴(kuò)散層包括氮化鈦。18.形成低輻射板的方法，其步驟包括：提供基片；底部擴(kuò)散層，形成在所述基片上；底部介質(zhì)層，形成在所述底部擴(kuò)散層上；種子層，形成在所述底部介質(zhì)層上；反射層，形成在所述種子層上；阻擋層，形成在所述反射層上；及頂部介質(zhì)層，形成在所述阻擋層上，且所述阻擋層包括部分氧化的三個(gè)或多個(gè)金屬的合金，所述頂部介質(zhì)層包括鋅錫鋁氧化物，其中，所述頂部介質(zhì)層中的鋅對(duì)錫的原子比為0.67-1.5，所述頂部介質(zhì)層實(shí)質(zhì)上是無(wú)定形的，所述頂部介質(zhì)層用反應(yīng)濺射法，在含有氧氣的環(huán)境被形成。