本發(fā)明涉及在產(chǎn)業(yè)用x射線檢查裝置、醫(yī)療用x射線檢查裝置、或者利用了x射線的衍射、折射的各種x射線分析裝置、測(cè)定裝置等中使用的x射線發(fā)生裝置，更具體地，本發(fā)明涉及以沿著電子的行進(jìn)方向的方向?yàn)橹行?，將在真空容器?nèi)使電子碰撞靶材而產(chǎn)生的x射線取出至真空容器外的透過(guò)型的x射線發(fā)生裝置。

背景技術(shù)：

通過(guò)在真空容器內(nèi)將電子束照射在靶材上來(lái)產(chǎn)生x射線的類型的x射線發(fā)生裝置存在著以下兩種類型：使用沿與電子的行進(jìn)方向不同的方向取出x射線的反射型靶材的類型，以及使用沿與電子的行進(jìn)方向大致相同的方向取出x射線的透過(guò)型靶材的類型。在使用反射型靶材的類型中，其x射線焦點(diǎn)直徑(x射線產(chǎn)生區(qū)域的直徑)依存于照射到靶材上的電子束的焦點(diǎn)直徑(電子束向靶材表面照射的照射斑點(diǎn)直徑)以及相對(duì)于電子束的靶材的表面角度，與此相對(duì)地，在使用透過(guò)型靶材的類型中的x射線焦點(diǎn)直徑僅由照射到靶材上的電子束的焦點(diǎn)直徑來(lái)決定。

在圖8中以示意截面圖示出了使用透過(guò)型靶材的x射線發(fā)生裝置的構(gòu)成例。在真空容器100的一端部固定有x射線照射窗101，在該x射線照射窗101的下表面?zhèn)?容器內(nèi)表側(cè))層疊有x射線發(fā)生用的靶材102。這些x射線照射窗101和靶材102被一體化而為不可分割的構(gòu)件，構(gòu)成了靶材層疊結(jié)構(gòu)體103。在真空容器100內(nèi)，收納有具備電子源和電極群的電子槍104，經(jīng)由x射線照射窗101沿與電子束b的照射方向大致相同的方向取出通過(guò)使來(lái)自該電子槍104的進(jìn)行了加速并聚焦的電子束照射在靶材102上而產(chǎn)生的x射線。此外，x射線照射窗這樣的術(shù)語(yǔ)，是由于經(jīng)由該構(gòu)件從x射線發(fā)生裝置輻射x射線而使用的術(shù)語(yǔ)，但是從作為用于保持靶材的構(gòu)件的功能來(lái)看的話也能夠稱為靶材基板，或者僅稱為基板。在本說(shuō)明書(shū)中，主要使用這些術(shù)語(yǔ)中的x射線照射窗。

在圖9中，一并記載并示出了圖8中的照向靶材102的電子束b的照射區(qū)域附近的放大圖以及表示通過(guò)該構(gòu)成向外部輻射的x射線分布圖的圖表。x射線分布圖用橫軸為位置、縱軸為x射線強(qiáng)度的圖表表示。

如該圖9所示，相對(duì)于靶材102的電子束b的焦點(diǎn)直徑，即向靶材102的表面照射的電子束b的照射斑點(diǎn)直徑，成為x射線發(fā)生裝置中的x射線的焦點(diǎn)直徑。通過(guò)減小該x射線焦點(diǎn)直徑，例如由x射線透視裝置獲得的透視圖像的空間分辨率提高而成為更加清晰的圖像。

因此一直以來(lái)，在使用透過(guò)型靶材的x射線發(fā)生裝置中，為了減小x射線焦點(diǎn)直徑，采用將電子束縮小而照射到靶材上的方法。但是，由于縮小電子束的透鏡的像差的問(wèn)題，將來(lái)自電子源的具有擴(kuò)展的電子束縮小是極其困難的。作為其對(duì)策，經(jīng)常采用設(shè)置射束孔來(lái)降低像差的影響的方法，但是在將電子束縮小形成至亞微米級(jí)的情況下，會(huì)產(chǎn)生由于電子在靶材內(nèi)擴(kuò)散而導(dǎo)致x射線焦點(diǎn)直徑變大這樣的新的問(wèn)題。

在此，提出了如下這樣的技術(shù)：做成將一般來(lái)說(shuō)呈薄膜狀地層疊于x射線照射窗的一側(cè)表面的鎢等靶材設(shè)為細(xì)微的柱狀的金屬線，并將其埋設(shè)于輕金屬制的x射線照射窗中的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)1)，或者在x射線照射窗上形成細(xì)微的柱狀孔部，并在該孔部?jī)?nèi)堆積作為靶材材料的金屬(例如參照專利文獻(xiàn)2)，由此在不縮小朝向靶材而照射的電子束的焦點(diǎn)直徑的情況下，縮小x射線焦點(diǎn)。

即，提出了如下這樣的技術(shù)：如在圖10一并記載并示出的示意截面圖以及通過(guò)該靶材結(jié)構(gòu)向外部輻射的x射線分布圖的圖表那樣，通過(guò)在x射線照射窗201保持有細(xì)微的柱狀的靶材202的結(jié)構(gòu)，在限制x射線發(fā)生區(qū)域的同時(shí)，減少在靶材202內(nèi)的電子擴(kuò)散的影響，不縮小朝向靶材202而照射的電子束b的焦點(diǎn)直徑地減小x射線焦點(diǎn)直徑。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1:日本專利特開(kāi)2004-28845號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2:日本專利特開(kāi)2011-77027號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問(wèn)題

有時(shí)，根據(jù)上述的專利文獻(xiàn)1或2的技術(shù)，x射線分布圖的中心附近的強(qiáng)度變高，能夠改善相對(duì)于照射的電子束的焦點(diǎn)直徑的x射線焦點(diǎn)直徑。然而，也從使用了難以產(chǎn)生x射線的輕元素構(gòu)件的x射線照射窗通過(guò)電子束的照射產(chǎn)生x射線，另外，關(guān)于電子擴(kuò)散，輕元素構(gòu)件波及更加廣闊的區(qū)域。因此，結(jié)果出現(xiàn)了這樣的問(wèn)題：如果不與柱狀的靶材的大小相配合地使電子束縮小到某種程度的大小的話，則不能獲得所期望的小的x射線焦點(diǎn)直徑。

另外，與圖9所示的以往的靶材進(jìn)行比較的話，在提出的技術(shù)中，電子束擊中的地方需要為包含細(xì)微的柱狀的靶材的地方，對(duì)電子束的照射位置存在限制，因此，需要調(diào)整電子束的照射位置。為了減小x射線焦點(diǎn)直徑，需要將靶材的大小設(shè)為例如微米級(jí)乃至亞微米級(jí)，還產(chǎn)生了使用這樣細(xì)微的靶材高效地產(chǎn)生x射線的電子束照射范圍變得極其狹窄，直至尋找靶材為止的照射位置調(diào)整困難且極其繁雜這樣的問(wèn)題。

本發(fā)明鑒于這樣的實(shí)際情況而完成的，其目的在于，提供一種不依靠于相對(duì)于靶材的電子束的焦點(diǎn)直徑，能夠可靠地減小x射線焦點(diǎn)直徑的x射線發(fā)生裝置。

另外，除了上述之外，本發(fā)明的目的還在于，使朝向靶材上的電子束的照射位置的調(diào)整簡(jiǎn)單化。

解決問(wèn)題的技術(shù)手段

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的x射線發(fā)生裝置將通過(guò)對(duì)在真空容器內(nèi)配置的靶材照射電子束而產(chǎn)生的x射線經(jīng)由一體地層疊形成有上述靶材的x射線照射窗沿著電子束的照射方向的方向取出至外部，所述x射線發(fā)生裝置的特征在于，在由上述靶材和上述x射線照射窗構(gòu)成的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的上述電子束的照射區(qū)域內(nèi)，形成有朝向該電子束的照射方向的x射線吸收率局部地低的x射線低吸收率部位(技術(shù)方案1)。

在此，在本發(fā)明中，優(yōu)選地采用如下的構(gòu)成：在以上述x射線低吸收率部位為中心的至少規(guī)定區(qū)域中，越接近該x射線低吸收率部位，上述靶材層疊結(jié)構(gòu)體的朝向上述電子束的照射方向的x射線吸收率越連續(xù)地或者階段性地變低(技術(shù)方案2)。

另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選地使上述x射線低吸收率部位中的靶材厚度大于在該靶材內(nèi)的電子擴(kuò)散距離(技術(shù)方案3)。

在本發(fā)明中，能夠采用如下構(gòu)成：上述靶材層疊結(jié)構(gòu)體中的朝向上述電子束的照射方向的x射線吸收率的由于位置導(dǎo)致不同是由于上述靶材的厚度的不同而導(dǎo)致的(技術(shù)方案4)。

另外，在本發(fā)明中，也能夠采用如下構(gòu)成：上述靶材層疊結(jié)構(gòu)體中的朝向上述電子束的照射方向的x射線吸收率的由于位置導(dǎo)致不同是由于上述x射線照射窗的厚度的不同而導(dǎo)致的(技術(shù)方案5)。

進(jìn)而，在本發(fā)明中，也能夠采用如下構(gòu)成：上述靶材層疊結(jié)構(gòu)體中的朝向上述電子束的照射方向的x射線吸收率的由于位置導(dǎo)致不同是由于在該靶材層疊結(jié)構(gòu)體上層疊有用于使x射線吸收率不同的x射線吸收層而導(dǎo)致的(技術(shù)方案6)。

本發(fā)明想要通過(guò)根據(jù)靶材層疊在x射線照射窗而形成的靶材層疊結(jié)構(gòu)體自身的x射線吸收率的不同，僅將在電子束的照射區(qū)域中產(chǎn)生的x射線中的、來(lái)自該照射區(qū)域內(nèi)局部部位的x射線取出至外部來(lái)解決課題。

即，在針對(duì)靶材的電子束的照射區(qū)域內(nèi)，設(shè)置靶材層疊結(jié)構(gòu)體的x射線吸收率局部地低的x射線低吸收率部位，并增大與其他部分的差，由此經(jīng)由x射線吸收窗而取出至外部的x射線中，來(lái)自x射線低吸收率部位的部分成為主導(dǎo)，作為結(jié)果，x射線低吸收率部位成為實(shí)質(zhì)的x射線焦點(diǎn)。由此，能夠與電子束的焦點(diǎn)直徑無(wú)關(guān)地可靠地減小x射線焦點(diǎn)直徑。

另外，根據(jù)以上的本發(fā)明的構(gòu)成，需要x射線低吸收率部位位于電子束的照射區(qū)域內(nèi)，因此需要對(duì)x射線低吸收率部位和電子束的照射區(qū)域進(jìn)行位置調(diào)整，但是不需要如使用專利文獻(xiàn)1或2那樣的細(xì)微的柱狀的靶材的情況那樣，以照射到靶材上的部分以外的電子束直接地作用在x射線照射窗上而不產(chǎn)生x射線的方式縮小該電子束，能夠與此相應(yīng)地增大電子束的焦點(diǎn)直徑，因此，位置調(diào)整更加簡(jiǎn)單。

并且，該位置調(diào)整通過(guò)采用技術(shù)方案2所涉及的發(fā)明的構(gòu)成，因此更加容易化。即，在技術(shù)方案2所涉及的發(fā)明中，采用了如下構(gòu)成：以x射線低吸收率部位為中心，在其周邊的規(guī)定區(qū)域內(nèi)越接近該部位，靶材層疊結(jié)構(gòu)體的x射線吸收率越低。由此，在x射線低吸收率部位與電子束的照射區(qū)域的位置調(diào)整時(shí)，監(jiān)視產(chǎn)生的x射線強(qiáng)度，朝產(chǎn)生更強(qiáng)的x射線的方向使相對(duì)位置發(fā)生變化即可。

另外，通過(guò)使本發(fā)明中的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的x射線低吸收率部位中的靶材厚度比在該靶材內(nèi)的電子擴(kuò)散距離厚的技術(shù)方案3所涉及的發(fā)明的構(gòu)成，其他部位自不用說(shuō)，甚至在該x射線低吸收率部位中，被照射的電子也不會(huì)到達(dá)x射線照射窗，不會(huì)引起在x射線照射窗的電子擴(kuò)散以及x射線產(chǎn)生，能夠更加可靠地減小x射線焦點(diǎn)直徑。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，在一體地層疊有靶材和x射線照射窗的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束的照射區(qū)域內(nèi)，設(shè)置x射線吸收率局部地低的x射線低吸收率部位，僅將由于電子束的照射而產(chǎn)生的x射線中的、實(shí)質(zhì)地來(lái)自x射線低吸收率部位的x射線取出至外部，由此，不縮小照射到靶材上的電子束，就能夠可靠地獲得依存于x射線低吸收率部位的大小的x射線焦點(diǎn)直徑。

另外，通過(guò)使靶材層疊結(jié)構(gòu)體的x射線吸收率在x射線低吸收率部位的周邊越接近該部位越連續(xù)地或者階段地變低的構(gòu)成的采用，能夠使x射線低吸收率部位與電子束照射區(qū)域的對(duì)位容易化。

附圖說(shuō)明

圖1一并記載并示出本發(fā)明的實(shí)施方式的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束照射區(qū)域附近的示意截面圖和表示通過(guò)該構(gòu)成輻射至外部的x射線分布圖的圖表。

圖2為本發(fā)明的其他實(shí)施方式的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束照射區(qū)域附近閥示意截面圖。

圖3為本發(fā)明的另一個(gè)其他實(shí)施方式的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束照射區(qū)域附近的示意截面圖。

圖4為本發(fā)明的另一個(gè)其他實(shí)施方式的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束照射區(qū)域附近的示意截面圖。

圖5為具有使電子束的照射位置對(duì)位容易化的功能的本發(fā)明的實(shí)施方式的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束照射區(qū)域附近的示意截面圖。

圖6為具有使電子束的照射位置對(duì)位容易化的功能的本發(fā)明的其他實(shí)施方式的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束照射區(qū)域附近的示意截面圖。

圖7為具有使電子束的照射位置對(duì)位容易化的功能的本發(fā)明另一個(gè)其他實(shí)施方式的靶材層疊結(jié)構(gòu)體的電子束照射區(qū)域附近的示意截面圖。

圖8為表示使用透過(guò)型靶材的x射線發(fā)生裝置的構(gòu)成例的示意截面圖。

圖9一并記載并示出了圖8中的照向靶材的電子束的照射區(qū)域附近的放大圖以及表示通過(guò)該構(gòu)成而輻射至外部的x射線分布圖的圖表。

圖10一并記載并示出了在x射線照射窗保持有細(xì)微的柱狀靶材的結(jié)構(gòu)的以往的x射線發(fā)生裝置中的照向靶材的電子束的照射區(qū)域附近的示意截面圖以及表示通過(guò)該構(gòu)成輻射至外部的x射線分布圖的圖表。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

圖1一并記載并示出本發(fā)明的實(shí)施方式的主要部分的示意截面圖和表示通過(guò)該構(gòu)成輻射至外部的x射線的分布圖的圖表。該實(shí)施方式中的作為x射線發(fā)生裝置的基本構(gòu)成與圖8所示的構(gòu)成相同，最大的特征點(diǎn)為靶材層疊結(jié)構(gòu)體從圖9所示的形態(tài)變更為圖1所示的形態(tài)。

以封閉真空容器的一端部的方式固定的靶材層疊結(jié)構(gòu)體3與圖9的形態(tài)相同，由x射線照射窗1和層疊在該容器內(nèi)表面?zhèn)鹊陌胁?構(gòu)成，針對(duì)該靶材2照射從真空容器內(nèi)的電子槍加速并聚焦后的電子束b，從而產(chǎn)生x射線。作為靶材2的材料，一般能夠使用w、mo、cu等，作為x射線照射窗1，一般能夠使用al、be、或者鉆石等。另外，在從圖1到圖10中，電子束b中所記載的箭頭示出了電子束的照射方向。

在靶材層疊結(jié)構(gòu)體3中，在朝向靶材2的電子束b的照射區(qū)域內(nèi)，形成有朝向電子束b的照射方向(x射線取出方向)的x射線吸收率局部地低的x射線低吸收率部位3a。在該例子中的x射線低吸收率部位3a通過(guò)使靶材2的厚度變薄而形成。

構(gòu)成x射線照射窗1的元素相比于構(gòu)成靶材2的元素為輕元素，相比于通過(guò)x射線低吸收率部位3a內(nèi)的圖中箭頭a的x射線，通過(guò)其他部位的箭頭b的x射線受到更多的吸收而衰減。其結(jié)果，如圖1所示，經(jīng)由x射線照射窗1而輻射至外部的x射線的分布圖中，與x射線低吸收率部位3a的形成位置相對(duì)應(yīng)的中心附近的強(qiáng)度相對(duì)地增加。由此，相比于使用圖9所示的一樣厚度的靶材的情況，x射線焦點(diǎn)直徑變小。

根據(jù)該構(gòu)成，入射到x射線低吸收率部位3a的電子進(jìn)行擴(kuò)散并到達(dá)該部位以外的靶材2而產(chǎn)生的x射線也發(fā)生衰減，因此，特別適合獲得1μm以下的x射線焦點(diǎn)直徑。另外，通過(guò)入射到x射線低吸收率部位3a的電子束b而從此傾斜輻射的x射線、通過(guò)該x射線低吸收率部位3a以外的部位的x射線都同樣地衰減，因此，也適合減小x射線照射角的情況。

在以上的實(shí)施方式中，通過(guò)將靶材2的厚度局部地變薄，更具體地來(lái)說(shuō)通過(guò)在靶材2的接觸x射線照射窗1一側(cè)的表面設(shè)置凹部來(lái)形成x射線低吸收率部位3a，但是也能夠通過(guò)以下的圖2～圖4所示的結(jié)構(gòu)來(lái)形成x射線低吸收率部位。

在圖2所示的靶材層疊結(jié)構(gòu)體13中，通過(guò)在靶材12的與接觸x射線照射窗11的表面相反一側(cè)的表面，也就是在靶材12的電子束b照射一側(cè)的表面設(shè)置凹部來(lái)形成x射線低吸收率部位13a。

根據(jù)圖2所示例的結(jié)構(gòu)，不能夠減輕入射到x射線低吸收率部位13a的電子束b的向其他部位的電子擴(kuò)散所帶來(lái)的影響，但是適用于增大x射線照射角的情況。

在圖3所示的靶材層疊結(jié)構(gòu)體23中，在x射線照射窗21與靶材22之間層疊x射線吸收材料24，并通過(guò)在該x射線吸收材料24上設(shè)置孔來(lái)形成x射線吸收率相對(duì)低的x射線低吸收率部位23a。x射線吸收材料24的材質(zhì)優(yōu)選x射線吸收率比靶材22高的金屬，例如在靶材22使用w的情況下能夠使用pb作為x射線吸收材料24，在靶材22使用cu的情況下能夠使用w作為x射線吸收材料24。根據(jù)該圖3所示例的結(jié)構(gòu)，能夠取得與圖1所示例子同等的效果。

在圖4所示的靶材層疊結(jié)構(gòu)體33中，靶材32設(shè)為一樣的厚度，并且在x射線照射窗31中，部分地埋入了由相比于該x射線照射窗31的材質(zhì)x射線吸收率更低的材質(zhì)形成的x射線透過(guò)材料35，由此形成靶材層疊結(jié)構(gòu)體33中的x射線低吸收率部位33a。作為x射線透過(guò)材料35的材質(zhì)，例如在x射線照射窗31使用al或鉆石的情況下能夠使用be。通過(guò)該構(gòu)成也能夠獲得與圖1所示的例子同等的效果。

此外，也能夠采用不使用x射線透過(guò)材料35而在x射線照射窗31設(shè)置凹部的構(gòu)成，即能夠采用使用空氣作為x射線透過(guò)材料35的構(gòu)成。

在以上的各實(shí)施方式中，顯然需要x射線低吸收率部位位于對(duì)于靶材的電子束b的照射區(qū)域的內(nèi)側(cè)，但是在本發(fā)明中，能夠不縮小電子束地減小x射線焦點(diǎn)直徑，因此通過(guò)較寬地設(shè)定電子束的照射區(qū)域，也不需要特別地調(diào)整這兩者的位置。

但是，在增大x射線強(qiáng)度情況下，需要增大電子束密度。在擴(kuò)寬電子束的照射區(qū)域的狀態(tài)下增大電子束密度產(chǎn)生需要的電力增大、靶材的發(fā)熱量增加等其他的問(wèn)題。因此，電子束某種程度縮小從而使該照射區(qū)域變窄是有用的。在該情況下，需要使電子束的照射位置符合x(chóng)射線低吸收率部位的調(diào)整。以下敘述用于使這樣的電子束與x射線低吸收率部位的位置調(diào)整容易化的構(gòu)成。

在圖5所示的靶材層疊結(jié)構(gòu)體43中，構(gòu)成為，通過(guò)與圖1的例子同樣地在靶材42的x射線照射窗41側(cè)的表面形成凹部來(lái)形成x射線低吸收率部位43a，并且通過(guò)將該靶材42的相同一側(cè)的表面的x射線低吸收率部位43a的周邊以斜面46構(gòu)成，越接近x射線低吸收率部位43a，x射線吸收率逐漸變低。由此，在調(diào)整電子束b的照射位置時(shí)，僅向x射線強(qiáng)度變強(qiáng)的方向使電子束b的照射位置變化即可，使調(diào)整工作容易化。

在圖6所示的靶材層疊結(jié)構(gòu)體53中，在與上述同樣地形成的x射線低吸收率部位53a的周圍的靶材52的x射線照射窗51側(cè)的表面，形成有越接近x射線低吸收率部位53a靶材厚度越階梯地變薄這樣的階梯狀表面57。根據(jù)這樣的構(gòu)成，也能夠?qū)崿F(xiàn)與上述相同的效果。

如以上那樣越接近x射線低吸收率部位x射線吸收率越低的構(gòu)成，也能夠適用圖2～圖4所示的結(jié)構(gòu)的靶材層疊結(jié)構(gòu)體，在圖2的結(jié)構(gòu)中，在靶材12的電子束b的照射側(cè)的表面形成與圖5等同的斜面或者階梯狀表面即可，另外，在圖4的結(jié)構(gòu)中，向x射線照射窗31的厚度越向外側(cè)越厚的方向?qū)⑸媳砻嬖O(shè)為斜面或者階梯狀表面即可。進(jìn)而，在圖3的結(jié)構(gòu)中，如圖7所示，在x射線照射窗61與靶材62之間層疊有x射線吸收材料64的靶材層疊結(jié)構(gòu)體63中，使x射線吸收材料64的厚度越接近x射線低吸收率部位63a越薄即可。

在此，在以上的各實(shí)施方式中，x射線低吸收率部位的輪廓從電子束b的照射方向觀察的形狀沒(méi)有特別地限定，能夠?yàn)閳A形、四邊形、多邊形等任意形狀，另外，對(duì)于斜面、階梯狀表面，也能夠?yàn)閳A錐或圓形階梯狀、角錐或角形階梯狀等任意形狀。

另外，在以上的各實(shí)施方式中，優(yōu)選將x射線低吸收率部位中的靶材的厚度設(shè)為大于電子擴(kuò)散距離。由此，入射到x射線低吸收率部位的電子不會(huì)越過(guò)靶材而到達(dá)x射線照射窗，因此能夠防止電子在x射線照射窗內(nèi)廣泛地?cái)U(kuò)散，從而從不期望的比較寬的區(qū)域產(chǎn)生微弱的x射線的不良情況，并能夠使本發(fā)明的效果更加可靠。靶材中的電子擴(kuò)散距離由于根據(jù)其材質(zhì)、電子束的加速能量的不同而不同，因此與裝置規(guī)格相符地采用適宜的形態(tài)、尺寸即可。

產(chǎn)業(yè)上的利用可能性

本發(fā)明通過(guò)由透過(guò)型x射線發(fā)生裝置的靶材和x射線照射窗形成的靶材層疊結(jié)構(gòu)體自身來(lái)改善x射線焦點(diǎn)，與在x射線照射窗的外側(cè)配置遮蔽不需要方向的x射線的準(zhǔn)直器的技術(shù)不同，在本發(fā)明中在真空容器的外側(cè)不需要任何的結(jié)構(gòu)物，因此結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且小巧，并且能夠?qū)崿F(xiàn)所期望的作用效果。

符號(hào)說(shuō)明

1、11、21、31、41、51、61x射線照射窗

2，12，22，32，42，52，62靶材

3，13，23，33，43，53，63靶材層疊結(jié)構(gòu)體

3a，13a，23a，33a，43a，53a，63ax射線低吸收率部位

24，64x射線吸收材料

35x射線透過(guò)材料

46斜面

57階梯狀表面

100真空容器

101x射線照射窗

102靶材

103靶材層疊結(jié)構(gòu)體

104電子槍

b電子束。