本發(fā)明涉及一種紫外光照射裝置，特別涉及對流體照射紫外光的紫外光照射裝置。
背景技術(shù)：
：紫外光(紫外線)特別是波長約為200～350nm的深紫外光(深紫外線)具有分解有機物的作用，因此利用于殺菌、除臭、洗滌、凈水、光刻、照明等各種領(lǐng)域。以往，作為紫外光的光源，廣泛使用使水銀輝光放電的水銀燈(參照專利文獻1)。根據(jù)專利文獻1，利用從水銀燈發(fā)出的波長為254nm的深紫外光，能夠在不損害光學系統(tǒng)的情況下將附著于曝光裝置的掩模等的碳污染有效地分解并除去?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2012-146712號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的技術(shù)問題本發(fā)明提供一種能夠高效地對流體照射紫外光的紫外光照射裝置。用于解決問題的手段本發(fā)明的一個方式的紫外光照射裝置具備：具有主面的第1基體；位于上述第1基體的上述主面的多個電極；覆蓋上述多個電極的電介質(zhì)層；與上述電介質(zhì)層相向配置且包含透過紫外光的材料的第2基體；以在上述第1基體與上述第2基體之間形成密閉的放電空間的方式將上述第1基體與上述第2基體接合、并將上述放電空間與上述第1基體以及上述第2基體一起封住的密封材料；位于上述電介質(zhì)層的上方和/或上述第2基體的上述放電空間側(cè)的面的上方、并接受在上述放電空間內(nèi)產(chǎn)生的激發(fā)光而發(fā)出紫外光的發(fā)光層；和設(shè)置在上述第2基體的與上述放電空間側(cè)相反側(cè)的面的上方的反應槽。上述反應槽具備：筒狀結(jié)構(gòu)體、將從上述反應槽的外部流入的流體導向上述筒狀結(jié)構(gòu)體的內(nèi)部的導入通路、和將從上述筒狀結(jié)構(gòu)體的內(nèi)部流出的流體導向上述反應槽的外部的導出通路。將上述筒狀結(jié)構(gòu)體的內(nèi)部的底面的內(nèi)切圓的直徑設(shè)為ha、將上述筒狀結(jié)構(gòu)體的內(nèi)部的高度設(shè)為hc時，ha/hc為5以上且10以下。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)能夠高效地對流體照射紫外光的紫外光照射裝置。附圖說明圖1是表示實施方式1的紫外光照射裝置的構(gòu)成的示意截面圖。圖2是表示圖1所示的旋流結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示用于制造圖1所示的深紫外光發(fā)光元件的密封-排氣用加熱爐的概要的示意圖。圖4是表示圖3所示的密封-排氣用加熱爐的溫度分布的一個例子的圖。圖5是表示利用圖3所示的密封-排氣用加熱爐進行的密封工序中的放電空間中的氣體以及該氣體的流動的圖。圖6是表示由具備無紫外光濾波器的構(gòu)成和有紫外光濾波器的構(gòu)成的紫外光照射裝置所得到的發(fā)光光譜的比較圖。圖7是表示實施方式1的變形例的紫外光照射裝置的構(gòu)成的示意截面圖。圖8是表示水銀燈的發(fā)光光譜的圖。圖9是表示實施方式2的紫外光照射裝置的構(gòu)成的示意截面圖。圖10是表示圖9所示的反應槽的結(jié)構(gòu)的圖。圖11是表示實施方式3的紫外光照射裝置的構(gòu)成的示意截面圖。圖12是表示發(fā)光層的透過率、反射率以及膜厚的關(guān)系的圖表。符號說明2第1基體3、3a第2基體4、41、42、43發(fā)光層5保護層6電介質(zhì)層7電極8密封材料9、9a、9b排氣管10放電空間11、11a、11b貫通孔12紫外光(更特定而言為深紫外光)13錐狀結(jié)構(gòu)體13a蓋14筒狀結(jié)構(gòu)體15流入口15a流入通路16流出口16a流出通路17曲面壁30、30a、90、201紫外光照射裝置31、31a、31b深紫外光發(fā)光元件32紫外光濾波器33旋流結(jié)構(gòu)體33a反應槽51加熱器52加熱爐53、54配管61、63、64、65閥門62排氣閥66壓力計71干燥氣體供給裝置72排氣裝置73放電氣體供給裝置100密封-排氣用加熱爐200干燥氣體具體實施方式(作為本發(fā)明的基礎(chǔ)的見解)首先，對于作為本發(fā)明的基礎(chǔ)的見解進行說明。從環(huán)境負荷的觀點考慮，例如歐洲的WEEE&RoHS指令那樣對水銀等環(huán)境有害物質(zhì)的限制變得嚴格。因此，希望開發(fā)紫外光的光源來替代水銀燈。圖8表示水銀燈的發(fā)光光譜。從圖8可知，水銀燈的發(fā)光光譜可以看到185nm附近的波長的發(fā)光，這是產(chǎn)生臭氧的原因。這樣，使用水銀燈的紫外光照射裝置不僅利用紫外光，而且并用由臭氧產(chǎn)生的殺菌以及分解作用進行利用。因此，要想抑制臭氧的發(fā)生，可以考慮抑制水銀燈的輸出功率，但此時存在由紫外光產(chǎn)生的殺菌以及分解能力會降低的問題。另外，在以往的紫外光照射裝置中，還有不能高效地對流體照射紫外光的問題。這是由于大多情況下難以在作為照射紫外光的對象的流體的流路中安裝紫外光照射裝置，或者即使在流路中安裝了紫外光照射裝置的情況下，也難以確保對流體均等地僅照射所需時間的紫外光。以下，一邊參照附圖一邊說明實施方式的紫外光照射裝置。此外，以下說明的實施方式都是概括性地或具體地表示本發(fā)明的優(yōu)選的一個具體例子。以下的實施方式所示的數(shù)值、形狀、材料、構(gòu)成要素、構(gòu)成要素的配置位置及連接形態(tài)、步驟、步驟的順序等為一個例子，并不是限定本發(fā)明的主旨。另外，以下的實施方式的構(gòu)成要素中，對于表示最上位概念的獨立權(quán)利要求中沒有記載的構(gòu)成要素來說，作為構(gòu)成更優(yōu)選的形態(tài)的任意的構(gòu)成要素來說明。另外，即使為不同的附圖，對于相同的構(gòu)成要素也標注相同的符號，不進行重復說明。(實施方式1)圖1是表示實施方式1的紫外光照射裝置30的結(jié)構(gòu)的示意截面圖。紫外光照射裝置30為對流體(液體或氣體)照射紫外光(更特定而言為深紫外光)12的裝置，其具備深紫外光發(fā)光元件31、設(shè)置在深紫外光發(fā)光元件31之上的紫外光濾波器32以及設(shè)置在紫外光濾波器32之上的旋流結(jié)構(gòu)體33。深紫外光發(fā)光元件31為向上方(即設(shè)置有紫外光濾波器32及旋流結(jié)構(gòu)體33的方向)發(fā)出紫外光(更特定而言為深紫外光)的元件。深紫外光發(fā)光元件31作為主要的構(gòu)成要素具有：第1基體2、位于第1基體2的主面的多個電極7、覆蓋多個電極7的電介質(zhì)層6、與電介質(zhì)層6相向配置并包含透過紫外光的材料的第2基體3、和以在第1基體2與第2基體3之間形成密閉的放電空間10的方式將第1基體2與第2基體3接合并將放電空間10與第1基體2以及第2基體3一起封住的密封材料8。進而，深紫外光發(fā)光元件31具有位于電介質(zhì)層6的放電空間10側(cè)的面的上方和/或第2基體3的放電空間10側(cè)的面的上方并接受在放電空間10內(nèi)產(chǎn)生的激發(fā)光而發(fā)出紫外光的發(fā)光層4。紫外光濾波器32為設(shè)置在第2基體3與旋流結(jié)構(gòu)體33之間、吸收或反射波長為200nm以下的光的80％以上的濾波器。旋流結(jié)構(gòu)體33為形成照射紫外光12的流路的結(jié)構(gòu)物，其具有：設(shè)置在第2基體3的與放電空間10側(cè)相反側(cè)的面的上方且使從外部流入的流體旋轉(zhuǎn)的筒狀結(jié)構(gòu)體14、和按照使在筒狀結(jié)構(gòu)體14中旋轉(zhuǎn)的流體流出到外部的方式導向的錐狀結(jié)構(gòu)體13。通過這樣的構(gòu)成，波長為200nm以下的光得到抑制的紫外光(更特定而言為深紫外光)12被照射到旋流結(jié)構(gòu)體33內(nèi)的流體，因此與水銀燈不同，可對流體照射臭氧的發(fā)生被抑制的紫外光(更特定而言為深紫外光)。進而，在旋流結(jié)構(gòu)體33中，由于流體一邊旋轉(zhuǎn)一邊接受紫外光，所以能夠高效地接受紫外光，有機物的分解反應的實際有效的反應時間增加，有機物高效率地被分解。以下，對于深紫外光發(fā)光元件31、紫外光濾波器32以及旋流結(jié)構(gòu)體33更詳細地進行說明。[深紫外光發(fā)光元件31]深紫外光發(fā)光元件31作為整體具有方筒結(jié)構(gòu)(例如長度為5～10cm、寬度為5～10cm、高度為3～5cm)，具有介由密封材料8將第1基體2與第2基體3接合的構(gòu)成。在第1基體2上配設(shè)有為了在放電空間10內(nèi)發(fā)生放電而用于施加電壓的多個電極7，以覆蓋電極7的方式層疊有電介質(zhì)層6。在電介質(zhì)層6上的放電空間10側(cè)形成有保護電介質(zhì)層6不受離子沖擊的保護層5、和發(fā)出深紫外光的發(fā)光層4。此外，保護層5作為構(gòu)成要素并不是必需的，也可以不形成。第1基體2和第2基體3通過密封材料8等將外周部氣密密封。在通過氣密密封所形成的放電空間10中以規(guī)定的壓力封入有氙(Xe)、氯化氪(KrCl)、氟(F2)、氖(Ne)、氦(He)、一氧化碳(CO)、氮(N2)等放電氣體。此外，在發(fā)光層4使用后述的氧化鎂(MgO)的粉末的情況下，作為放電氣體，適用氖(Ne)和氙(Xe)的混合氣體。由于氧化鎂(MgO)的粉末為帶隙寬的材料，因此以波長在150nm附近的激發(fā)光最有效地發(fā)光。在使用氯化氪(KrCl)、氙(Xe)單質(zhì)的放電氣體的情況下，對于激發(fā)光的波長來說，比172nm長的波長的比例增多。另一方面，在氖(Ne)和氙(Xe)的混合氣體中，由于波長為147nm的激發(fā)光的比例高，因此在發(fā)光層4使用氧化鎂(MgO)的粉末的深紫外光發(fā)光元件中，優(yōu)選使用氖(Ne)和氙(Xe)的混合氣體作為放電氣體。對于第2基體3來說，為了將在發(fā)光層4內(nèi)產(chǎn)生的深紫外光導出到深紫外光發(fā)光元件31的外部(這里為上方)，由透過深紫外光的材料構(gòu)成。作為透過深紫外光的材料，可以列舉出容易透過紫外光的特殊玻璃、石英玻璃(SiO2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、氟化鋰(LiF)、藍寶石玻璃(Al2O3)等。這些材料中，可以使用熱膨脹系數(shù)與通常的玻璃、保護層5所用的MgO薄膜或CaO薄膜接近的藍寶石作為透過深紫外光的材料。在使用藍寶石作為第2基體3的材料的情況下，能夠防止保護層5和密封材料8的斷裂或龜裂。作為另一方的第1基體2的材料，可以是與第2基體3相同的材料，但也可以使用通常的高應變點玻璃。從發(fā)光效率和制作過程的容易性的觀點考慮，發(fā)光層4所用的材料使用發(fā)出深紫外光的熒光體。作為熒光體，有摻雜了稀土類的發(fā)光中心的YPO4：Pr、YPO4：Nd、LaPO4：Pr、LaPO4：Nd、YF3：Ce、SrB6O10：Ce、YOBr：Pr、LiSrAlF6：Ce、LiCaAlF6：Ce、LaF3：Ce、Li6Y(BO3)3：Pr、BaY2F8：Nd、YOCl：Pr、YF3：Nd、LiYF4：Nd、BaY2F8：Pr、K2YF5：Pr、LaF3：Nd或以晶體中的缺陷或帶隙發(fā)光的MgO、ZnO、AlN、金剛石、BN等。特別是氧化鎂(MgO)的粉末，如專利文獻2(日本特開2010-80440號公報)所公開的那樣，在波長為200nm到300nm之間具有發(fā)光強度的峰，具體而言，發(fā)出在波長為230nm附近具有峰的深紫外光，因此優(yōu)選作為發(fā)光層4的材料。進而，氧化鎂(MgO)為二次電子放出特性高的材料，因此通過發(fā)光層4使用摻雜有稀土類的發(fā)光中心的熒光體材料，能夠?qū)崿F(xiàn)低的放電開始電壓。進而，由于氧化鎂(MgO)耐離子沖擊高，所以可以認為由于離子沖擊造成的發(fā)光層4的變質(zhì)也小。因此，可以認為在深紫外光發(fā)光元件31中，發(fā)光層4使用氧化鎂(MgO)的粉末是非常有效的。此外，在使用粉末的膜作為發(fā)光層4的情況下，膜的密合性成為問題。因此，為了使成為發(fā)光層4的材料的粉末的膜形狀容易維持，可以在形成發(fā)光層4的面上設(shè)置凹凸。由此，能夠提高發(fā)光層4與基體(第1基體2及第2基體3)的密合性。另外，發(fā)光層4形成在覆蓋電極7的介質(zhì)層6上、或者形成在電介質(zhì)層6上所形成的保護層5上。然而，為了提高放電強度，不僅在第1基體2，也可以在第2基體3的放電空間10側(cè)、與放電空間10的相反側(cè)(第2基體3與紫外光濾波器32之間)形成。在發(fā)光層4的下層也可以設(shè)置由薄膜的氧化鎂層(MgO)、氧化鈣層(CaO)、氧化鋇層(BaO)、氧化鍶層(SrO)或它們的混相層等構(gòu)成的保護層5。特別是由于薄膜的氧化鎂(MgO)具有高的耐離子沖擊性，所以通過用作保護層5，能夠得到經(jīng)時的放電強度的降低非常小的深紫外光發(fā)光元件。電介質(zhì)層6是以氧化鉛(PbO)、氧化鉍(Bi2O3)或氧化磷(PO4)為主成分的低熔點玻璃通過絲網(wǎng)印刷法等以約30μm的膜厚形成的層。這里，主成分是指電介質(zhì)層6的材料整體的50重量％以上的成分。通過電介質(zhì)層6，電極7成為被絕緣材料被覆的構(gòu)成，放電的形態(tài)成為電介質(zhì)阻擋放電。電介質(zhì)阻擋放電由于電極7不直接暴露于離子，所以由連續(xù)點燈引起的經(jīng)時的發(fā)光強度的變化小，適合于連續(xù)點燈時間長的殺菌設(shè)備或光刻中的用途。另外，電介質(zhì)層6的膜厚影響對放電空間10施加的電場強度，因此能夠根據(jù)深紫外光發(fā)光元件31的尺寸和所要求的特性來進行變更。此外，也可以僅在電極7上形成電介質(zhì)層6。由此，能夠抑制被電介質(zhì)層6吸收的深紫外光，能夠高效地將由發(fā)光層4發(fā)生的深紫外光放出到深紫外光發(fā)光元件31的外部。作為以僅在電極7上形成電介質(zhì)層6的方式將電介質(zhì)層6布圖的方法，可以列舉出使用僅涂布電極區(qū)域的圖案的絲網(wǎng)掩模等、在電極上將以低熔點玻璃為主成分的糊料進行圖案涂布后進行燒成的方法。電極7由在第1基體2的主面中將2個帶狀(長條狀)的電極作為1對平行地分別配置有多對的電極的集合構(gòu)成。作為電極7使用的材料，可以列舉出Ag厚膜、Al薄膜、Cr/Cu/Cr疊層薄膜等。對各對電極7施加矩形波或正弦波等交流波形。通常對1對電極分別施加相位相反的電壓，因此能夠得到強的發(fā)光。另外，即使對1對之中的1個電極7施加矩形波的電壓，使另一個電極7接地，也能夠放電。電極7并不是必須以2個為1對，為了放電空間10的位置、形狀的變更或降低開始放電的電壓，有時也以多個為1對來構(gòu)成。密封材料8使用以Bi2O3、V2O5為主成分的玻璃料。作為以Bi2O3為主成分的玻璃料，例如可以列舉使用在Bi2O3-B2O3-RO-MO系(這里R為Ba、Sr、Ca、Mg中的任意一種，M為Cu、Sb、Fe中的任意一種)的玻璃材料中加入由Al2O3、SiO2、堇青石等氧化物構(gòu)成的填料而得到的物質(zhì)的材料。另外，作為以V2O5為主成分的玻璃料，例如能夠使用在V2O5-BaO-TeO-WO系的玻璃材料中加入由Al2O3、SiO2、堇青石等氧化物構(gòu)成的填料而得到的物質(zhì)。排氣管(exhausttube)9為利用密封材料8與第1基體2或第2基體3(這里僅為第1基體2)接合的管。另外，在接合的基體(這里為第1基體2)上以能夠封入放電氣體的方式設(shè)置貫通孔11。排氣管9在對放電空間10排氣時和在放電空間10中封入放電氣體時使用，在封入放電氣體后，以放電氣體不從放電空間10泄露的方式將前端加熱而封閉。此外，根據(jù)排氣和封入的工序也有設(shè)置多個排氣管9的情況。根據(jù)如上所述構(gòu)成的深紫外光發(fā)光元件31，通過對電極7施加電壓，紫外光(更特定而言為深紫外光)12從發(fā)光層4向著上方(紫外光濾波器32)發(fā)出。即，對于電極7來說，對相鄰的1對中的各個電極施加相位相反的矩形波或正弦波的電壓，由此，在2個電極間產(chǎn)生非常高的電場，填充在放電空間10中的放電氣體放電。放電氣體所含的氙(Xe)或氯化氪(KrCl)通過伴隨放電的激發(fā)，產(chǎn)生真空紫外光或深紫外光的激發(fā)光，通過該激發(fā)光照射到發(fā)光層4，從發(fā)光層4發(fā)出紫外光(更特定而言為深紫外光)12。來自發(fā)光層4的紫外光透過第2基體3。[紫外光濾波器32]紫外光濾波器32為設(shè)置在深紫外光發(fā)光元件31之上、吸收或反射波長為200nm以下的光的80％以上的濾波器。在本實施方式中，紫外光濾波器32在俯視(從圖的上方看下方時)時具有與深紫外光發(fā)光元件31(或者為第2基體3)大致相同的外形，以在深紫外光發(fā)光元件31(更嚴格來說為第2基體3)之上重疊的方式，使用與密封材料8相同的材料(密封材料)等與深紫外光發(fā)光元件31接合。作為該紫外光濾波器32的材料，通過使用含有鈦的玻璃，能夠使200nm以下的波長非常短的紫外光衰減，使臭氧的發(fā)生降低。[旋流結(jié)構(gòu)體33]旋流結(jié)構(gòu)體33為形成從深紫外光發(fā)光元件31透過了紫外光濾波器32的紫外光12所照射的流路的結(jié)構(gòu)物，其設(shè)置在紫外光濾波器32之上，例如由金屬(不銹鋼或鋁等)構(gòu)成。旋流結(jié)構(gòu)體33具有使從外部流入的流體旋轉(zhuǎn)的筒狀結(jié)構(gòu)體14、和按照使在筒狀結(jié)構(gòu)體14旋轉(zhuǎn)的流體流出到外部的方式導向的錐狀結(jié)構(gòu)體13。圖2是表示圖1所示的旋流結(jié)構(gòu)體33的結(jié)構(gòu)的圖，圖2的(a)是從上方觀察(即俯視)時的旋流結(jié)構(gòu)體33的外觀圖，圖2的(b)是對用包含圖1的2b-2b’線的面(即與紙面垂直的面)將旋流結(jié)構(gòu)體33切斷得到的切斷面進行俯視得到的圖。筒狀結(jié)構(gòu)體14在俯視時與深紫外光發(fā)光元件31以及紫外光濾波器32具有大致相同的外形，以在紫外光濾波器32之上重疊的方式，使用與密封材料8相同的材料(即密封材料)等與紫外光濾波器32接合，在本實施方式中，具有下表面(即底面)以及上表面開放的方筒結(jié)構(gòu)。在筒狀結(jié)構(gòu)體14上設(shè)置有用于將流體導入內(nèi)部的流入口15及在4個角部(即四角)設(shè)置有用于防止由流體的渦流導致的滯留的曲面的內(nèi)壁(即曲面壁17)。如圖1及圖2所示，流入口15由貫通筒狀結(jié)構(gòu)體14的側(cè)面的管構(gòu)成。曲面壁17由覆蓋4個角的內(nèi)壁的彎曲的板體構(gòu)成。錐狀結(jié)構(gòu)體13在俯視時與深紫外光發(fā)光元件31以及紫外光濾波器32具有的大致相同的外形，以在筒狀結(jié)構(gòu)體14之上重疊的方式通過焊接等與筒狀結(jié)構(gòu)體14接合，在本實施方式中，具有下表面(即底面)開放的四角錐結(jié)構(gòu)。在錐狀結(jié)構(gòu)體13的頂點設(shè)置有用于將流體排出到外部的流出口16。通過這樣的旋流結(jié)構(gòu)體33，在深紫外光發(fā)光元件31的上方(更嚴格來說在紫外光濾波器32之上)形成使進行殺菌、分解洗滌的空氣或水等流體通過的流路，通過使流體在旋流結(jié)構(gòu)體33內(nèi)停留的滯留時間增加，能夠使實際有效的紫外光照射時間增加。由此，能夠以較少的紫外光的輸出功率(量)高效地進行殺菌、分解洗滌。此外，由于流路成為旋流結(jié)構(gòu)，所以能夠使流體在旋流結(jié)構(gòu)體33的滯留時間與沒有形成流路時相比增加1位數(shù)以上。如果將筒狀結(jié)構(gòu)體14的底面的內(nèi)切圓的直徑設(shè)為ha、將高度設(shè)為hc，則其長徑比ha/hc為5以上且30以下，優(yōu)選為6以上且20以下，更優(yōu)選為7以上且10以下。另外，筒狀結(jié)構(gòu)體14的高度hc為2mm以上且30mm以下，優(yōu)選為4mm以上且20mm以下，更優(yōu)選為5mm以上且10mm以下。通過將筒狀結(jié)構(gòu)體14的高度hc設(shè)為2mm以上，能夠充分確保流體的流量，提高處理效率。另外，通過將筒狀結(jié)構(gòu)體14的高度hc設(shè)為30mm以下，即使在筒狀結(jié)構(gòu)體14的上部也能夠充分減小深紫外光的衰減而進行殺菌。另外，通過將長徑比ha/hc設(shè)為5以上，能夠縮短從深紫外光發(fā)光元件31到流體的距離，因此即使在圓錐部13的頂點附近也能夠減小深紫外光的衰減而進行殺菌。另外，通過將長徑比ha/hc設(shè)為30以下，能夠產(chǎn)生旋流結(jié)構(gòu)特有的旋轉(zhuǎn)流，均勻地對流體照射來自面發(fā)光的深紫外光發(fā)光元件31的紫外線，高效地對流體進行殺菌。接著，說明如上構(gòu)成的本實施方式的紫外光照射裝置30的制造方法。首先，在第1基體2上形成電極7。作為電極7的形成方法，通過曝光工藝、印刷工藝、蒸鍍工藝等公知的形成方法進行布圖來形成。接著，以覆蓋在第1基體2上形成的電極7的方式，通過模涂法等在第1基體2上涂布電介質(zhì)糊料來形成電介質(zhì)糊料(電介質(zhì)材料)層。在涂布電介質(zhì)糊料后，放置規(guī)定的時間，由此，涂布后的電介質(zhì)糊料層的表面流平成為平坦的表面。之后，通過將電介質(zhì)糊料層燒成固化，形成覆蓋電極7的電介質(zhì)層6。此外，電介質(zhì)糊料例如為包含玻璃粉末等電介質(zhì)材料、粘合劑及溶劑的涂料。接著，在電介質(zhì)層6之上設(shè)置發(fā)光層4。發(fā)光層4通過將包含發(fā)光材料的糊料涂布在任意的區(qū)域、進行干燥和燒成來形成。在第2基體3上，以比在第1基體2上形成的發(fā)光層的膜厚更薄的膜厚形成發(fā)光層4。形成方法可以與第1基體2的發(fā)光層4的形成方法相同。另外，根據(jù)需要，在電介質(zhì)層6與發(fā)光層4之間形成保護層5。保護層5具有降低形成放電的電壓(放電開始電壓)的作用、和保護電介質(zhì)層6或電極7不受伴隨放電的離子沖擊的作用。通常的保護層5通過以氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)及氧化鋇(BaO)的單獨材料的顆?；?qū)⑦@些材料混合得到的顆粒作為原料的薄膜成膜方法來形成。作為薄膜成膜方法，能夠應用電子束蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等公知的方法。作為一個例子，在濺射法時可以認為1Pa是實際上能夠獲得的壓力的上限，作為蒸鍍法的一個例子的電子束蒸鍍法時可以認為0.1Pa是實際上能夠獲得的壓力的上限。接著，在第1基體2或第2基體3的至少一方上涂布密封材料8，然后，為了除去密封材料的樹脂成分等，在350℃左右的溫度下預燒成。接著，將如上操作制作的第1基體2與第2基體3貼合并密封。對在這里的密封工序中使用的密封-排氣用加熱爐進行說明。圖3是表示制造實施方式1的深紫外光發(fā)光元件31的密封-排氣用加熱爐100的概要的示意圖。密封-排氣用加熱爐100具備在內(nèi)部具有加熱器51的加熱爐52。表示了在圖3的加熱爐52的內(nèi)部、在第2基體3之上重疊了具有預燒成后的密封材料8以及排氣管9(這里為多個排氣管9a、9b)的第1基體2的樣子。第1基體2與第2基體3、第1基體2與排氣管9a、9b分別為通過例如夾具等固定手段(未圖示)而固定的狀態(tài)。在排氣管9a處連接配管53，配管53介由閥門61與設(shè)置在加熱爐52的外部的干燥氣體供給裝置71連接。在配管53上設(shè)置有排氣閥62。在排氣管9b處連接配管54，配管54介由閥門63與設(shè)置在加熱爐52的外部的排氣裝置72連接。另外，配管54介由閥門64與設(shè)置在加熱爐52的外部的放電氣體供給裝置73連接。進而配管54介由閥門65還與配管53連接。而且在配管54上設(shè)置有壓力計66。圖4是表示圖3所示的密封-排氣用加熱爐100的溫度分布的一個例子的圖。密封工序以及其之后的排氣工序、放電氣體供給工序的概況的詳細情況依序在以下進行說明，但為了方便說明，從溫度的觀點考慮，將密封工序和及其之后的排氣工序、放電氣體供給工序分為以下的5個期間。即為：從室溫上升到軟化點的期間(期間1)、從軟化點上升到密封溫度的期間(期間2)、在密封溫度以上的溫度下保持一定時間后降低到軟化點的期間(期間3)(以上為密封工序)、在軟化點溫度附近或比其略低的溫度下保持一定時間后降低到室溫的期間(期間4：排氣工序)、以及降低到室溫后的期間(期間5：放電氣體供給工序)。這里，軟化點是指密封材料8軟化的溫度。例如氧化鉍(Bi2O3)系的密封材料的軟化點溫度為430℃左右。另外，密封溫度是指第1基體2與第2基體3通過密封材料8成為密閉的狀態(tài)的溫度，并且是指第1基體2與排氣管9通過密封材料(未圖示)成為密閉的狀態(tài)的溫度。本實施方式的密封溫度例如為490℃左右。此外，上述的密封溫度能夠如下操作來預先確認。即，將第1基體2與第2基體3重合，關(guān)閉閥門61、64、65，僅打開閥門63，一邊利用排氣裝置72介由排氣管9b對放電空間10排氣，一邊使加熱器51為開的狀態(tài)使加熱爐52內(nèi)部的溫度上升。這樣，在某個溫度下在壓力計66中所確認的放電空間10的壓力以階梯狀減少，且即使關(guān)閉閥門63，放電空間10的壓力也不大幅上升。此時的溫度為放電空間10被密封的密封溫度。這里，使用圖5對密封工序的詳細情況進行說明。圖5的(a)～圖5的(e)分別為表示上述的期間1～期間5中的放電空間10的氣體及其流向的圖。首先，將第1基體2和第2基體3位置確定并重合。然后如圖5的(a)所示，打開閥門61和閥門65，一邊將干燥氣體從兩方的貫通孔11(11a及11b)吹入放電空間10，一邊打開加熱器51使加熱爐52內(nèi)部的溫度上升到密封材料8的軟化點溫度。此時，被吹入放電空間10的干燥氣體如圖示的干燥氣體200那樣，成為經(jīng)由第1基體2或第2基體3與在其上形成的密封材料8之間的間隙從放電空間10漏出到外部的狀態(tài)。此外，作為干燥氣體，使用露點為-45℃以下的干燥氮氣，其流量一般為5L/min(期間1)。接著，如果加熱爐52內(nèi)部的溫度為密封用玻璃料的軟化點溫度以上，則如圖5的(b)所示，將閥門65關(guān)閉的同時調(diào)節(jié)閥門61，使干燥氣體的流量為期間1中的流量的一半以下的2L/min。然后打開排氣閥62，使放電空間10的壓力相比于加熱爐52內(nèi)部的壓力略微呈正壓。然后使加熱爐52內(nèi)部的溫度上升到密封溫度(期間2)。接著，加熱爐52內(nèi)部的溫度達到密封溫度以上的溫度，密封材料8熔融，進行第1基體2與第2基體3的密封以及第1基體2與排氣管9a、9b的接合，則如圖5的(c)所示，使排氣裝置72工作，調(diào)整閥門63，使放電空間10的壓力略微呈負壓，例如為8.0×104Pa。這樣操作，從排氣管9a供給干燥氣體的同時從排氣管9b排放干燥氣體，由此一邊將放電空間10的壓力保持為略微負壓，一邊對放電空間10持續(xù)流動干燥的氮氣。然后控制加熱器51將加熱爐52內(nèi)部的溫度保持在密封溫度以上的溫度約30分鐘。在此期間熔融的密封材料略微流動，放電空間10的壓力被保持在略微負壓，因此能夠高精度地進行第1基體2與第2基體3的密封、以及第1基體2與排氣管9a、9b的接合。然后，使加熱器51為關(guān)閉狀態(tài)，使加熱爐52的溫度下降到軟化點以下的溫度(期間3)。(排氣工序)排氣工序為排放放電空間10的氣體的工序。如果加熱爐52內(nèi)部的溫度達到軟化點溫度以下，則如圖5的(d)所示，關(guān)閉閥門61，打開閥門63以及閥門65，從多個貫通孔11(11a及11b)通過排氣管9a、9b對放電空間10進行排氣。然后一邊控制加熱器51保持加熱爐52內(nèi)部的溫度規(guī)定的時間，一邊繼續(xù)進行排氣。然后，使加熱器51為關(guān)閉狀態(tài)，使加熱爐52內(nèi)部的溫度降低到室溫。在此期間也繼續(xù)進行排氣(期間4)。(放電氣體供給工序)放電氣體供給工序是對真空排氣后的放電空間10供給以氖(Ne)及氙(Xe)等為主成分的放電氣體的工序。將加熱爐52內(nèi)部的溫度降低到室溫后，如圖5的(e)所示，關(guān)閉閥門63，打開閥門64以及閥門65，按照達到規(guī)定的壓力的方式從排氣管9a、9b通過多個貫通孔11(11a及11b)供給放電氣體。然后，加熱與排氣管9a、9b的前端(分別為配管53、54)連接的部位進行封閉。如上操作，將具備規(guī)定的構(gòu)成部件的第1基體2與第2基體3進行固定，將其周圍用密封材料8密封，在放電空間10中封入包含氙(Xe)和氖(Ne)等的放電氣體，完成深紫外光發(fā)光元件31。最后，在完成的深紫外光發(fā)光元件31之上，使用與密封材料8相同的材料(密封材料)等接合紫外光濾波器32，進而在紫外光濾波器32之上，使用與密封材料8相同的材料(密封材料)等接合旋流結(jié)構(gòu)體33。通過上述工序，完成紫外光照射裝置30。實施例接著，試制根據(jù)以上的實施方式1構(gòu)成的紫外光照射裝置30和比較例的深紫外光發(fā)光元件，進行比較特性的實驗，因此作為實施例進行說明。試制的紫外光照射裝置的制作方法如上所述。試制的紫外光照射裝置的結(jié)構(gòu)如圖1所示。第2基體3使用透過深紫外光的藍寶石玻璃，在第2基體3的放電空間10側(cè)的面上設(shè)置發(fā)光層4。藍寶石玻璃僅單面進行研磨，將形成發(fā)光層4的第2基體3的放電空間10側(cè)的面設(shè)為未研磨面，由此使發(fā)光層4的膜對第2基體3的密合性提高。在第2基體3的藍寶石玻璃上配置含鈦玻璃作為紫外光濾波器32，再在其上部設(shè)置旋流結(jié)構(gòu)體33作為流路。在深紫外光發(fā)光元件31的放電空間10中將Ne95％和Xe5％的混合氣體以10kPa封入作為放電氣體。關(guān)于電介質(zhì)層6上的保護層5，將氧化鎂(MgO)用電子束真空蒸鍍法以1μm的厚度制膜。對電極7施加的電壓使用30kHz的矩形波。對1對電極7分別施加相反相位的矩形波的電壓。作為測定方法，首先，將施加于電極7的矩形波的電壓提高至950V，使深紫外光發(fā)光元件31發(fā)光。然后，將電壓下降至0V，暫時使深紫外光發(fā)光元件31整體的發(fā)光消失，再次提高電壓，測定放電擴展到放電空間10整體的電壓作為放電開始電壓。發(fā)光光譜在配置旋流結(jié)構(gòu)體33之前，用多通道分光器(浜松Photonics制C10027-01)測定第2基體3上的最表面，以無紫外光濾波器32的情況和有紫外光濾波器32的情況進行比較。圖6表示無紫外光濾波器32的情況和有紫外光濾波器32的情況的發(fā)光光譜的比較圖。可知：可以在230nm附近觀察到來自氧化鎂(MgO)的深紫外光的發(fā)光，通過進入紫外光濾波器32，從而200nm附近的發(fā)光強度降低。為了測定紫外光照射裝置的有機物分解能力并進行比較，在流路或旋流結(jié)構(gòu)體33中流通氣體量為12升/min的含臭氣成分的空氣(被處理氣體)，實施除臭試驗。臭氣成分的濃度設(shè)為硫化氫為10ppm、甲硫醇為0.5ppm以及氨為2ppm。臭氧濃度在不流通臭氣成分的空白的條件下，在無濾波器時為30ppm。表1表示本實施例中試制的4種紫外光照射裝置的構(gòu)成(比較例1、2、實施例1、2)。[表1]紫外光濾波器旋流結(jié)構(gòu)體曲面壁比較例1無無無比較例2有無無實施例1有有無實施例2有有有表2表示本實驗中所得到的各紫外光照射裝置的排氣口處的臭氣成分的分解率。[表2]硫化氫甲硫醇氨臭氧比較例176％78％45％22ppm比較例27％8％4％3ppm實施例191％94％60％1ppm實施例296％98％64％0ppm從表2可知，相對于沒有紫外光濾波器的比較例1，具備紫外光濾波器的比較例2的排氣口處的臭氧的濃度降低1位數(shù)，但伴隨與此，臭氣成分的分解率也降低約1位數(shù)。另一方面可知，在實施例1中，雖然相對于比較例1，排氣口處的臭氧的濃度減少到20分之1，但是臭氣的分解率提高2成左右，分解反應進行。此外，在筒狀結(jié)構(gòu)體的四角的內(nèi)壁設(shè)置有曲面壁的實施例2中，雖然在排氣口處沒有觀察到臭氧的存在，但是硫化氫和甲硫醇幾乎完全被分解，氨也被分解60％以上，分解率大幅提高?？梢哉J為這是由于旋流流路內(nèi)的壁面處的空氣阻力被降低，旋轉(zhuǎn)流的轉(zhuǎn)動力矩增加，因此旋流流路內(nèi)的滯留時間增加，反應被促進。從以上的結(jié)果可知，通過使用本實施方式的實施例1以及2的構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)在抑制對人體有害的臭氧的發(fā)生的同時、分解臭氣成分的效果非常高的紫外光照射裝置。此外，在上述實施方式1的紫外光照射裝置30中，作為分別的結(jié)構(gòu)物的第2基體3與紫外光濾波器32貼合，但它們也可以一體地形成。圖7是表示第2基體與紫外光濾波器一體地形成的實施方式1的變形例的紫外光照射裝置30a的結(jié)構(gòu)的示意截面圖。紫外光照射裝置30a在具備具有作為紫外光濾波器的功能的第2基體3a來代替上述實施方式1的第2基體3和紫外光濾波器32的方面，與上述實施方式1的紫外光照射裝置30不同。即，本變形例的深紫外光發(fā)光元件31a具備第2基體3a。關(guān)于其他構(gòu)成要素，與上述實施方式1的紫外光照射裝置30相同。本變形例的第2基體3a為發(fā)揮作為上述實施方式1中的第2基體3和紫外光濾波器的作用的結(jié)構(gòu)物。即，第2基體3a為吸收或反射波長為200nm以下的光的80％以上并且容易透過深紫外光的結(jié)構(gòu)物。第2基體3a由含有鈦、且容易透過紫外光的特殊玻璃、石英玻璃(SiO2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)氟化鋰(LiF)、藍寶石玻璃(Al2O3)等形成。通過這樣的變形例，第2基體與紫外光濾波器被一體化，發(fā)揮與上述實施方式1的紫外光照射裝置30相同的效果，且可以實現(xiàn)具有更簡易結(jié)構(gòu)的紫外光照射裝置30a。(實施方式2)圖9是表示實施方式2的紫外光照射裝置90的構(gòu)成的示意截面圖。在上述的實施方式1及其變形例中，旋流結(jié)構(gòu)體33作為用于對從外部流入的流體照射紫外線的反應槽使用。實施方式2的紫外光照射裝置90在具備反應槽33a來代替旋流結(jié)構(gòu)體33的方面，與實施方式1的紫外光照射裝置30不同。實施方式2的紫外光照射裝置90的其他構(gòu)成與實施方式1相同。在本實施方式中，對于與實施方式1同樣的部分標注相同的符號，有省略其說明的情況。反應槽33a為了對從外部流入的流體照射紫外線，具備筒狀結(jié)構(gòu)體14、流入通路15a、流出通路16a和蓋13a。筒狀結(jié)構(gòu)體14的上表面被蓋13a封住。蓋13a可以與筒狀結(jié)構(gòu)體14一體地形成。筒狀結(jié)構(gòu)體14的下表面被紫外光濾波器32封住。流入通路15a以及流出通路16a由貫通筒狀結(jié)構(gòu)體14的側(cè)面的管構(gòu)成。流入通路15a將從反應槽33a的外部流入的流體導向筒狀結(jié)構(gòu)體14的內(nèi)部。流出通路16a將從筒狀結(jié)構(gòu)體14的內(nèi)部流出的流體導向反應槽33a的外部。通過該構(gòu)成，從外部流入的流體在筒狀結(jié)構(gòu)體14內(nèi)部滯留充分的時間。對滯留的流體、介由紫外光濾波器32照射紫外線。為了照射更長時間紫外線，也可以將流入通路15a以及流出通路16a配置在筒狀結(jié)構(gòu)體14的體對角處(參照圖9以及10)。(實施方式3)以下，利用圖11對本發(fā)明的實施方式3的紫外光發(fā)光元件201的構(gòu)成進行說明。圖11是表示本實施方式的紫外光發(fā)光元件201的構(gòu)成的截面圖。在本實施方式中，對于與實施方式1同樣的部分標注相同的符號，有省略其詳細說明的情況。本實施方式的紫外光發(fā)光元件201與實施方式1的紫外光發(fā)光元件30的不同點為：位于包括電極7的正上方的區(qū)域的至少一部分的區(qū)域46的第1發(fā)光層41的膜厚比位于與區(qū)域46不同的區(qū)域47的第2發(fā)光層42的膜厚更薄。例如，第1發(fā)光層41的膜厚低于10μm，第2發(fā)光層42的膜厚約為20μm～30μm。在第2基板3上也可以有第3發(fā)光層43。以下，對于本實施方式的紫外光發(fā)光元件201說明其特征及效果。在電極的正上方向設(shè)置有發(fā)光層的紫外光發(fā)光元件中，存在使其連續(xù)點燈時發(fā)光強度經(jīng)時地降低的課題。本發(fā)明的發(fā)明者們新發(fā)現(xiàn)該課題的主要原因在于以下兩者同時發(fā)生，這兩者為由于放電發(fā)生的離子沖擊而電極的正上方向的發(fā)光層的發(fā)光強度降低，以及電極的正上方向的發(fā)光層的二次電子放出特性變化而放電強度變小。作為該課題的解決方法，本實施方式的紫外光發(fā)光元件201具備：具有第1主面以及第1主面的相反側(cè)的第2主面的第1基體2、與第1基體2的第1主面相向配置的第2基體3、位于第1基體2的第1主面上的多個電極7、位于第1基體2的第1主面上且覆蓋多個電極7的電介質(zhì)層6、位于電介質(zhì)層6上保護電介質(zhì)層6的保護層5、和發(fā)出紫外光的第1～第3發(fā)光層41、42及43。第1發(fā)光層41位于在保護層5上包括多個電極7的正上方的區(qū)域的至少一部分的區(qū)域46。第2發(fā)光層42位于在保護層5上與區(qū)域46不同的區(qū)域47。第1發(fā)光層41比第2發(fā)光層42薄。由此，第1及第2發(fā)光層41及42在放電空間10側(cè)形成凹凸形狀。第3發(fā)光層43位于第2基體3的第1基體2側(cè)的表面。在第1基體2與第2基體3之間的放電空間10中填充規(guī)定的氣體，第1～第3發(fā)光層40、41及42通過氣體中的多個電極7間的放電而發(fā)出紫外光。由此，由于多個電極7的正上方的區(qū)域中的第1發(fā)光層41薄，所以能夠減小紫外光發(fā)光元件31b整體的發(fā)光強度中多個電極7的正上方的區(qū)域的發(fā)光強度所占的比例。因此，即使多個電極7的正上方的區(qū)域中的第1發(fā)光層41的發(fā)光強度經(jīng)時地降低，也能夠減小對紫外光發(fā)光元件31b整體的發(fā)光強度的影響。即，能夠抑制紫外光發(fā)光元件31b中紫外光的發(fā)光強度的經(jīng)時降低。另外，由于多個電極7的正上方的區(qū)域中的第1發(fā)光層41薄，所以電介質(zhì)層6或保護層5上的被發(fā)光層被覆的被覆率下降。因此，放電開始電壓容易受到位于發(fā)光層41的下層的電介質(zhì)層6或保護層5的二次電子放出特性的影響。與第1發(fā)光層41相比，電介質(zhì)層6或保護層5的二次電子放出特性的經(jīng)時變化更小。因此，由于連續(xù)點燈帶來的二次電子放出特性的變化也小，從而還能夠抑制放電強度的降低。另外，在本實施方式中，在多個電極7的正上方的區(qū)域，由于發(fā)光層41薄，所以容易受到第1發(fā)光層41的下層的二次電子放出特性的影響。因此，如圖11所示，在第1發(fā)光層41之下設(shè)置保護層5是非常有效的。作為保護層5，可以使用具有高的二次電子放出特性和耐離子沖擊性的材料。例如，薄膜的MgO穩(wěn)定且具有高的耐離子沖擊性，因此能夠得到經(jīng)時的放電強度的變化非常小、發(fā)光強度高的紫外光發(fā)光元件。另外，在使用粉末的發(fā)光材料作為第1發(fā)光層41的情況下，多個電極7的正上方向的區(qū)域中的第1發(fā)光層41的膜厚也可以低于10μm。圖12是表示在發(fā)光層40使用粉末狀的MgO時的透過率與反射率的膜厚依賴性的圖表。如圖12所示可知，如果膜厚低于10μm，則透過率急劇變高。因此，在第1發(fā)光層41為10μm以下的膜厚時，在第1發(fā)光層41的表面發(fā)生的紫外光的一部分透過到電極7側(cè)，在電介質(zhì)層6開始吸收。因此，能夠進一步減小紫外光發(fā)光元件31b發(fā)出的紫外光的強度中的多個電極7的正上方向的區(qū)域的發(fā)光強度所占的比例。第1及第2發(fā)光層41及42能夠使用掩模制作。詳細而言，首先，在保護層5整體上的制作與第1發(fā)光層41相同膜厚的發(fā)光層。接著，在第1區(qū)域46形成掩模，在第2區(qū)域47制成第2發(fā)光層42，然后將掩模除去。上述中雖然設(shè)置了保護層5，但保護層5并不是必需的，可以省略。另外，在圖11中，第1區(qū)域46的俯視與多個電極7的俯視一致，但第1區(qū)域46可以為比多個電極7更寬的范圍，也可以為更窄的范圍。另外，也可以不在第1區(qū)域46設(shè)置第1發(fā)光層41，而使保護層5或電介質(zhì)層6露出至放電空間10。由此，能夠進一步抑制紫外光發(fā)光元件31b的紫外光的發(fā)光強度的經(jīng)時降低。另外，也可以第2區(qū)域47不被電介質(zhì)層6以及保護層5覆蓋，而與第1基板2直接接觸地設(shè)置第2發(fā)光層42。由此，在第1基體2透過紫外光的情況下，能夠從紫外光發(fā)光元件31b的兩面射出紫外光。此時，紫外光照射裝置201還可以在第1基體2的第2主面上具備旋流結(jié)構(gòu)體33以及紫外光濾波器32。以上，基于實施方式1～3以及變形例說明了一個或多個方式的紫外光照射裝置，但本發(fā)明并不限定于這些實施方式1～3以及變形例。只要不脫離本發(fā)明的主旨，在本實施方式或變形例中實施本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的各種變形后的方式、和組合構(gòu)筑不同的實施方式以及變形例中的構(gòu)成要素的方式也可以包括在一個或多個方式的范圍內(nèi)。例如，實施方式2以及3的紫外光照射裝置90以及201可以分別具備實施方式1的變形例的第2基體3a來代替第2基體3以及紫外光濾波器32。另外，實施方式2的紫外光照射裝置90可以具備實施方式3的深紫外光發(fā)光元件31b來代替深紫外光發(fā)光元件31。另外，例如，在上述實施方式1～3以及變形例中放電氣體使用了氖(Ne)和氙(Xe)的混合氣體，但不限于此，也可以使用氙(Xe)的單質(zhì)氣體或氯化氪(KrCl)等其他的鹵素稀有氣體。另外，在上述實施方式1～3中，紫外光濾波器32并不是必需的構(gòu)成要素，紫外光照射裝置中也可以不具備紫外光濾波器32。上述實施方式中，作為紫外光的光源，使用通過放電空間10中產(chǎn)生的激發(fā)光而發(fā)出深紫外光的發(fā)光層4。因此，即使是不具備紫外光濾波器32的紫外光照射裝置，也如圖6的“無紫外光濾波器”的圖表所示，與水銀燈相比可抑制185nm附近的波長的發(fā)光，因此可以抑制對人體有害的臭氧的發(fā)生。即，在上述實施方式的紫外光照射裝置中，即使不具備紫外光濾波器，也可以實現(xiàn)與使用水銀燈的裝置相比抑制臭氧的發(fā)生且能夠高效地對流體照射紫外光的紫外光照射裝置。另外，在上述實施方式1～3以及變形例中，筒狀結(jié)構(gòu)體14及其內(nèi)部為四棱柱狀，且其俯視為正方形狀。但是，筒狀結(jié)構(gòu)體14及其內(nèi)部的形狀不限定于此。例如，也可以筒狀結(jié)構(gòu)體14及其內(nèi)部為四棱柱狀，其俯視為長方形狀或其他的四邊形狀。另外，筒狀結(jié)構(gòu)體14及其內(nèi)部也可以為其他的多棱柱狀，其俯視為其他的多邊形狀。另外，筒狀結(jié)構(gòu)體14及其內(nèi)部可以為圓柱狀，其俯視為圓形狀或橢圓形狀。在該說明書中多邊形為具有三個以上的邊的形狀。另外，該說明書中正方形狀、長方形狀、四邊形狀以及多邊形狀包括角部為曲線的正方形、長方形、四邊形以及多邊形。另外，在該說明書中，四棱柱狀以及多棱柱狀包括角部為曲面的四棱柱以及多棱柱。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明作為紫外光照射裝置、特別是作為抑制臭氧的發(fā)生且能夠高效地對流體照射紫外光的紫外光照射裝置、例如作為用深紫外光分解有機物的處理裝置、具體而言作為用于殺菌、除臭、洗滌、凈水、光刻、照明等用途的處理裝置是有用的。當前第1頁1 2 3