本發(fā)明屬于核工業(yè)放射性廢水處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及利用溶膠-凝膠法制備用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜的方法。

背景技術(shù)：

我國“核電站中長期發(fā)展規(guī)劃”提出，至2020年核電站裝機(jī)容量將達(dá)到4000萬千瓦，核電占全部電力裝機(jī)容量的比重從現(xiàn)在的不到2％提高到4％，核電年發(fā)電量達(dá)到2600～2800億千瓦時(shí)；目前一批核電站正在建設(shè)或論證中。然而，隨著核電技術(shù)的迅猛發(fā)展，核電安全更加引人關(guān)注。特別是日本福島核事故給我們敲響了警鐘，如何安全、經(jīng)濟(jì)和妥善地處理中低濃度放射性廢水，已成為我國核電工業(yè)可持續(xù)發(fā)展必須解決的重點(diǎn)問題之一。因此，采用新技術(shù)、新方法處理核電工業(yè)放射性廢水成為目前迫切需要解決的核電發(fā)展與環(huán)境保護(hù)及公眾安全等環(huán)境污染治理方面的關(guān)鍵科學(xué)難題，社會需求緊迫。

據(jù)報(bào)道，目前國內(nèi)核電站液體流出物的主要核素為⁹⁰Sr(β射線)、¹³⁷Cs(β和γ射線)、⁶⁰Co(β和γ射線)等。核素鍶是主要放射性污染源之一，如果處置不當(dāng)會對環(huán)境及人類健康造成嚴(yán)重危害，所以研究含鍶放射性廢水中鍶離子的脫除具有積極的理論意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

中國專利申請201410009260.5提出的一種放射性含鍶廢水的處理方法及裝置，采用放射性廢水中的鍶離子與碳酸鈣、碳酸鈉進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，從而使碳酸鍶在碳酸鈣晶種表面沉積，形成大粒徑密實(shí)的晶體顆粒物快速沉淀到水力旋流底部，以去除部分放射性鍶離子；小顆粒的碳酸鍶和晶種隨上清液進(jìn)入膜分離器，并與氯化鐵反應(yīng)，顆粒物經(jīng)中空纖維膜分離后進(jìn)一步去除放射性鍶離子，使出水的放射性大幅度降低；該方法主要是以化學(xué)物質(zhì)來沉淀鍶離子，存在處理步驟較多，操作過程繁雜，化學(xué)沉積試劑使用較多，鍶離子處理不徹底、膜污染嚴(yán)重等缺點(diǎn)，其應(yīng)用價(jià)值有限，難以滿足大規(guī)模工業(yè)化放射性廢水處理的實(shí)際需求。

中國專利申請201210539412.3提出的吸附分離鍶離子的酵母模板中空硅基材料表面印跡吸附劑的制備方法及其應(yīng)用，以酵母模板中空硅基材料為基質(zhì)材料，二價(jià)鍶離子為模板離子，殼聚糖為功能單體，γ-(2，3環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷為交聯(lián)劑，利用懸浮聚合法進(jìn)行離子印跡聚合改性制備而得到印跡吸附劑；該方法存在酵母/硅復(fù)合物包覆不完整，模板分子易脫落及熱穩(wěn)定性差等缺點(diǎn)，其應(yīng)用價(jià)值有限，難以滿足大規(guī)模工業(yè)化放射性廢水處理的實(shí)際需求。

中國專利申請201610141746.3提出的一種利用蒙脫石-尿素分解菌聯(lián)合治理鍶離子污染的方法，采用從自然環(huán)境中分離得到一株尿素分解菌，將該菌接入液體培養(yǎng)基，然后將蒙脫石加入到含鍶離子的土壤或水體中；再將尿素以及蛋白胨和所獲得的尿素菌液加入到受污染物中，由此來去除污染物中的鍶離子；該方法主要是以尿素分解菌來吸附鍶離子，存在處理步驟較多，二次污染嚴(yán)重、尿素分解菌受環(huán)境溫度影響大、使用時(shí)受到南北地域溫差大的限制等缺點(diǎn)，應(yīng)用價(jià)值有限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提出一種用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜的制備方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)上的缺陷，為含鍶放射性廢水中鍶離子的脫除和凈化提供一條新途徑。

為實(shí)現(xiàn)該目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案：

一種用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜的制備方法，其特征是步驟如下：

①、殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物的制備

將質(zhì)量百分濃度為2～6％的醋酸溶液加入到殼聚糖(CTS)中，不斷攪拌，當(dāng)殼聚糖完全溶解后再加入環(huán)氧氯丙烷(ECH)，其加入量以質(zhì)量比計(jì)CTS：ECH＝1：0.1～10，交聯(lián)反應(yīng)1～24h，至得到殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物；

②、金屬鈦基前驅(qū)體的制備

按質(zhì)量比計(jì)CTS：TBT：乙酰丙酮＝8～15：0.6～1.0：0.1～0.2先將鈦酸四丁酯(TBT)用適量正丁醇溶解，再加入乙酰丙酮，不斷攪拌使其混合均勻，室溫再繼續(xù)攪拌1～6h，得到含有鈦酸四丁酯和乙酰丙酮的金屬鈦基前驅(qū)體；

③、涂膜液的制備

按質(zhì)量比計(jì)CTS：PVA＝8～15：2～5制備5％聚乙烯醇(PVA)水溶液，將①得到的殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物加入到該5％聚乙烯醇(PVA)水溶液中，室溫?cái)嚢?～3h，得到混合產(chǎn)物；再將②得到的金屬鈦基前驅(qū)體加入到該混合產(chǎn)物中，溶膠-凝膠反應(yīng)1～24h，得到無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體，將所得到的無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體靜置脫泡1～24h得到涂膜液；

或者，按質(zhì)量比計(jì)CTS：PVA＝8～15：2～5制備5％聚乙烯醇(PVA)水溶液，先將①得到的殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物與②所得到的金屬鈦基前驅(qū)體進(jìn)行混合，室溫?cái)嚢?～3h，再將所得到的物質(zhì)加入到5％的聚乙烯醇(PVA)水溶液中，溶膠-凝膠反應(yīng)1～24h，得到無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體，將所得到的無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體靜置脫泡1～24h得到涂膜液；

④、雜化膜的制備

將上述靜置脫泡后的涂膜液直接在支撐體上涂膜至得到膜片，室溫下放置1～48h，將膜片與支撐體分離，然后再將膜片在0～100℃條件下干燥1～48h，冷卻后即得到不帶有支撐體的可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜；

或者，將靜置脫泡后的涂膜液直接在支撐體上涂膜至得到膜片，然后在0～100℃條件下，將膜片和支撐體一起共同干燥1～48h，膜片和支撐體不分離即得到帶有支撐體的可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

或者，將上述靜置脫泡所得到的涂膜液先用溶劑溶解，然后將所得到的物質(zhì)在支撐體上涂膜至得到膜片，接著將膜片和支撐體共同在10～100℃條件下干燥1～48h，膜片和支撐體不分離即得到帶有支撐體的可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜；或干燥后將膜片與支撐體分離，即得到不帶有支撐體的可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

所述溶劑選自N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、四氫呋喃、二甲亞砜、N-甲基吡咯烷酮、甲醇、乙醇、異丁醇、正丁醇、丙酮或它們的混合物。

所述涂膜采用流動(dòng)涂膜、刮膜、噴灑涂膜、浸漬涂膜或旋轉(zhuǎn)涂膜。

所述支撐體選用聚四氟乙烯板(Teflon板)、Al₂0₃陶瓷、二氧化硅陶瓷、二氧化鈦陶瓷、二氧化鋯陶瓷、聚乙烯膜、玻璃板、滌綸布、錦綸布、玻璃纖維布、尼龍布或無紡布。

所述干燥選用真空干燥、對流干燥、傳導(dǎo)干燥、紫外線干燥、紅外線干燥、微波干燥、冷凍干燥、化學(xué)吸濕干燥或機(jī)械脫水干燥。

本發(fā)明的有益效果表現(xiàn)在：

1)、制備的雜化膜既可以帶有支撐體，也可以不帶有支撐體；它對水中鍶離子(Sr²⁺)具有較強(qiáng)的吸附脫除能力，既可以用于含鍶放射性廢水中鍶離子的吸附脫除，也可以用于其它含鍶非放射性廢水中鍶離子的吸附分離，消除其對環(huán)境和人類的危害。

2)、與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明采用溶膠-凝膠法制備用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜，其突出特點(diǎn)是借助殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物上含有的功能基團(tuán)與水溶液中鍶離子之間的絡(luò)合反應(yīng)來增加雜化膜對鍶離子的脫除效果；借助金屬鈦基前驅(qū)體增加雜化膜的熱穩(wěn)定性和抗輻射性能，由于本發(fā)明方法制備得到的雜化膜可以制成工業(yè)膜分離裝置用于放射性廢水中低濃度鍶離子的吸附去除以及吸附后剩余液的過濾等，所以能夠滿足核電工業(yè)大規(guī)模脫除低濃度放射性廢水中鍶離子的實(shí)際需求。

與中國專利申請201410009260.5中采用鍶離子與碳酸鹽進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，使碳酸鍶和晶種隨上清液進(jìn)入膜分離器，進(jìn)行膜分離除去放射性鍶離子的方法相比，采用本發(fā)明方法制備的雜化膜吸附劑呈膜片狀，該制備方法步驟少，而且鍶離子的吸附和吸附后剩余液的膜分離可以同步進(jìn)行，操作過程簡便，對低濃度放射性廢水中鍶離子有較強(qiáng)的吸附脫除能力。

與中國專利申請201210539412.3中以酵母模板中空硅基材料為基質(zhì)材料，二價(jià)鍶離子為模板離子，利用懸浮聚合法進(jìn)行離子印跡聚合改性來制備吸附分離鍶離子的酵母模板中空硅基材料表面印跡吸附劑的方法相比，采用本發(fā)明方法制備的雜化膜均勻穩(wěn)定，不易脫落，鍶離子的吸附和吸附后剩余液的膜分離可以同步進(jìn)行，而且可以制成工業(yè)膜分離裝置用于大規(guī)模工業(yè)低濃度放射性廢水處理。

與中國專利申請201610141746.3提出的一種利用蒙脫石-尿素分解菌聯(lián)合治理鍶離子污染的方法相比，采用本發(fā)明方法制備的雜化膜均勻穩(wěn)定，膜制備過程簡單，沒有二次污染，而且雜化膜受環(huán)境溫度的影響較小，不受南北地域溫差使用限制，可用于大規(guī)模工業(yè)低濃度放射性廢水處理。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1中雜化膜的TGA和DrTGA熱分析圖。

圖2為實(shí)施例1中雜化膜未吸附鍶離子前的表面SEM圖，圖3為實(shí)施例1中雜化膜吸附了鍶離子后的表面SEM圖。

圖4為實(shí)施例1中雜化膜未吸附鍶離子前的表面能譜圖(EDS)，圖5為實(shí)施例1中雜化膜吸附了鍶離子后的表面能譜圖(EDS)。

具體實(shí)施方式

以下通過具體實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的一種用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜的制備方法。

目前的研究表明：放射性同位素與不具有放射性的穩(wěn)定同位素元素間原子的外層電子數(shù)相同，只是原子中所含的中子數(shù)不同，而元素的化學(xué)性質(zhì)是由原子中的外層電子數(shù)所決定的，因此放射性同位素和不具有放射性的穩(wěn)定同位素在化學(xué)反應(yīng)過程中都遵循同樣的規(guī)律。所以可以使用不具有放射性的穩(wěn)定同位素(如，Co²⁺,Sr²⁺等)來模擬具有放射性的同位素(如，⁶⁰Co,⁹⁰Sr等)，研究廢水模擬液中不具有放射性的穩(wěn)定同位素的吸附脫除效果，獲得不具有放射性的穩(wěn)定同位素吸附脫除的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。因此，從安全角度考慮，雜化膜的吸附實(shí)驗(yàn)選用低濃度放射性廢水模擬液進(jìn)行研究。

實(shí)施例1

一種去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜的制備方法，具體步驟如下：

(1)5％的PVA水溶液的配制：

向裝有攪拌器的250mL容器中加入50g平均聚合度為1750±50的聚乙烯醇(PVA)，再添加適量的去離子水，在空氣中，在92℃溫度條件下，不斷攪拌容器中的PVA和水的混合物直至PVA完全溶解，繼續(xù)攪拌2h至得到溶液，冷卻后將該溶液轉(zhuǎn)移至1000mL容量瓶中，添加一定量的去離子水，震蕩均勻，再添加適量的去離子水至溶液達(dá)到容量瓶的滿刻度為止，再震蕩均勻，由此配制1000g質(zhì)量百分濃度為5％的PVA水溶液。

(2)殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物的制備：

將質(zhì)量百分濃度為2％的醋酸溶液加入到10g殼聚糖(CTS)中，不斷攪拌，當(dāng)殼聚糖完全溶解后再加入5g的環(huán)氧氯丙烷(ECH)(其加入量以反應(yīng)物質(zhì)量比計(jì)CTS：ECH＝1：0.5)，在酸性條件下，殼聚糖與環(huán)氧氯丙烷進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)，室溫繼續(xù)攪拌2h，得到殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物；

(3)金屬鈦基前驅(qū)體的制備：

將0.8g的鈦酸四丁酯(TBT)用30mL的正丁醇溶解，再加入0.16g的乙酰丙酮(其加入量以反應(yīng)物質(zhì)量比計(jì)TBT：乙酰丙酮＝1：0.2)，不斷攪拌使其混合均勻，室溫再繼續(xù)攪拌1h，得到含有鈦酸四丁酯的金屬鈦基前驅(qū)體；由于乙酰丙酮的加入，鈦酸四丁酯的水解速度可以得到有效控制；

(4)涂膜液的制備：

將②得到的殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物加入到60g的5％聚乙烯醇(PVA)中(其加入量按質(zhì)量比計(jì)CTS：PVA＝10：3)，室溫?cái)嚢?h，得到混合產(chǎn)物；再將③得到的金屬鈦基前驅(qū)體加入到該混合產(chǎn)物中(其加入量以反應(yīng)物質(zhì)量比計(jì)CTS：TBT：乙酰丙酮＝10：0.8：0.16)，進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)，溶膠-凝膠反應(yīng)12h后得到無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體，將所得到的無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體靜置脫泡6h得到涂膜液；

(5)雜化膜的制備：

將上述靜置脫泡后的涂膜液緩慢地傾倒在潔凈、干燥的聚四氟乙烯板(Teflon板)上進(jìn)行流動(dòng)涂膜，室溫靜置12h后得到膜片，將膜片從Teflon板上剝離下來，然后再將膜片置入鼓風(fēng)干燥箱中于100℃對流干燥6h，冷卻后即得到不帶有支撐體的雜化膜。

由于該膜片中既含有無機(jī)的金屬鈦的成分，又含有殼聚糖和環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物等有機(jī)組分，它們進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)后得到無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體，該無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體中無機(jī)組分與有機(jī)組分不斷融合，形成無機(jī)-有機(jī)雜化網(wǎng)絡(luò)，所以由它們制備得到的膜片可以稱之為無機(jī)-有機(jī)雜化膜，簡稱為雜化膜；該雜化膜可用于去除放射性廢水中的鍶離子。

雜化膜的熱分析表征：

將上述制備得到的不帶有支撐體的雜化膜進(jìn)行TGA和DrTGA的熱分析測試，由此來確定其耐溫性，結(jié)果如圖1所示。由圖1可以看出，該雜化膜的熱穩(wěn)定性可以達(dá)到350℃左右，說明它的耐溫性較高，可以承受一定的放射性輻射。

鍶離子吸附實(shí)驗(yàn)：

將上述制備得到的雜化膜放在放射性廢水模擬液氯化鍶(SrCl₂)水溶液中進(jìn)行吸附鍶離子(Sr²⁺)的實(shí)驗(yàn)。具體實(shí)驗(yàn)過程如下：稱取1g上述制備得到的雜化膜置于250mL錐形瓶中，然后移取0.4g/L氯化鍶(SrCl₂)溶液40mL對其進(jìn)行靜態(tài)吸附24h，然后用漏斗將樣品從錐形瓶中濾出，收集濾液。通過原子吸收光譜儀(型號PE900T)檢測吸附前原始溶液的濃度和吸附后剩余溶液的濃度，由此即可計(jì)算出Sr²⁺在雜化膜上的吸附量(單位用mg/g表示)。

吸附實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在25℃、pH＝5的條件下，雜化膜對Sr²⁺吸附量為4.29mg/g，由此可見該雜化膜能夠吸附水溶液中的鍶離子。由于氯化鍶溶液中的鍶離子與具有放射性的同位素⁹⁰Sr的外層電子數(shù)相同，它們遵循同樣的吸附規(guī)律，因此本發(fā)明制備得到的雜化膜能夠用于吸附放射性廢水中的鍶離子，滿足核電工業(yè)放射性廢水處理的急需。

圖2和3分別給出了本實(shí)施例中所制備得到的雜化膜吸附鍶離子前、后表面的SEM圖，將圖2與圖3進(jìn)行對比可以看出：未吸附鍶離子前雜化膜表面凹凸不平，而吸附了鍶離子后雜化膜表面較為平整致密，凹凸不平區(qū)域明顯消失，這表明雜化膜表面凹凸不平區(qū)域被吸附物質(zhì)完全覆蓋，這種表面外觀的差異性說明本實(shí)施例中制備得到的雜化膜確實(shí)能夠吸附水中的Sr²⁺，并沉積在雜化膜的表面上。

為進(jìn)一步證實(shí)該雜化膜表面上的物質(zhì)就是鍶離子，又進(jìn)行了表面能譜EDS分析，結(jié)果如圖4和圖5所示。圖4為實(shí)施例1中吸附鍶離子之前雜化膜的表面EDS圖，圖5為實(shí)施例1中吸附鍶離子后雜化膜的表面EDS圖。將圖4與圖5進(jìn)行對比可以看出：吸附了鍶離子后雜化膜的表面EDS圖上有比較明顯的Sr元素的峰，而未吸附鍶離子前雜化膜的表面EDS圖上沒有出現(xiàn)Sr元素的峰，這種元素峰的差異性進(jìn)一步證實(shí)本實(shí)施例中制備得到的雜化膜確實(shí)能夠吸附水中的鍶離子(Sr²⁺)。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于去除水溶液中鍶離子的不帶有支撐體的雜化膜，該雜化膜耐熱溫度高，對放射性廢水中的鍶離子也具有一定的吸附能力，可用于核電工業(yè)低濃度含鍶放射性廢水中鍶離子的脫除。

實(shí)施例2

采用與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟以及相同的配料比，將無紡布浸入到上述靜置脫泡后的涂膜液中，在支撐體無紡布上浸漬涂膜至得到膜片，將該膜片與無紡布共同在室溫條件下放置24h，然后再將它們在60℃的條件下對流干燥6h，冷卻后膜片和支撐體不分離即得到帶有支撐體無紡布的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附0.4g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明：在25℃、pH＝3的條件下，該雜化膜對Sr²⁺吸附量為2.81mg/g；可見該雜化膜能夠用于吸附去除含鍶水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于去除水溶液中鍶離子的帶有支撐體的雜化膜。

實(shí)施例3

采用與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟以及相同的配料比，先將涂膜液用30mL的正丁醇溶解，然后將所得到的物質(zhì)在支撐體玻璃板上噴灑涂膜至得到膜片，再在80℃條件下真空干燥3h，室溫下冷卻6h，然后將膜片與支撐體玻璃板分離，即得到不帶有支撐體的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附0.1g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明：在45℃、pH＝5的條件下，該雜化膜對Sr²⁺吸附量為2.64mg/g；可見該雜化膜能夠采用吸附法用于去除水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

實(shí)施例4

采用與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟以及相同的配料比，先將③得到的金屬鈦基前驅(qū)體加入到②得到的殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物中，室溫?cái)嚢?h，然后將所得到的物質(zhì)加入到60g的5％PVA中，進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)，溶膠-凝膠反應(yīng)24h后得到無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體，將所得到的無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體靜置脫泡24h得到涂膜液；將上述靜置脫泡后的涂膜液緩慢地傾倒在潔凈、干燥的玻璃板上進(jìn)行流動(dòng)涂膜，室溫靜置12h后得到膜片，將膜片從玻璃板上剝離下來，然后再將膜片置入鼓風(fēng)干燥箱中于70℃對流干燥10h，冷卻后即得到不帶有支撐體的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附0.1g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明：在65℃、pH＝5的條件下，該雜化膜對Sr²⁺吸附量為2.61mg/g；可見該雜化膜能夠吸附水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

實(shí)施例5

采用與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟以及相同的配料比，先將②得到的殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物加入到③得到的金屬鈦基前驅(qū)體中，室溫?cái)嚢?h，再將所得到的物質(zhì)加入到60g的5％PVA中，進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)，溶膠-凝膠反應(yīng)24h后得到無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體，將所得到的無機(jī)-有機(jī)雜化前驅(qū)體靜置脫泡12h得到涂膜液；然后將Al₂0₃陶瓷片浸入到上述靜置脫泡后的涂膜液中，在支撐體Al₂0₃陶瓷片上浸漬涂膜至得到膜片，室溫靜置，在空氣中自然干燥24h，然后機(jī)械脫水干燥6h，再在90℃條件下將其鼓風(fēng)干燥12h，冷卻后即得到帶有支撐體的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附0.3g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明：在25℃、pH＝5的條件下，該雜化膜對Sr²⁺吸附量為2.13mg/g；可見該雜化膜可以吸附水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

實(shí)施例6

采用與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟以及相同的配料比，先將涂膜液用40mL的異丁醇和正丁醇混合溶劑溶解(其中異丁醇與正丁醇的體積比為1：1)，然后將所得到的物質(zhì)在支撐體二氧化硅陶瓷片上噴灑涂膜至得到膜片，在室溫下放置24h，然后在60℃條件下將其共同微波干燥6h，冷卻后膜片和支撐體不分離即得到帶有支撐體的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附0.4g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明：在25℃、pH＝2的條件下，該雜化膜對Sr²⁺吸附量為2.08mg/g；可見該雜化膜能夠用于吸附水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

實(shí)施例7

采用與實(shí)施例1同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟，將質(zhì)量百分濃度為5％的醋酸溶液加入到8g殼聚糖(CTS)中，按照反應(yīng)物質(zhì)量比計(jì)CTS：ECH＝1：1的配料比制備殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物，然后在60g的5％PVA水溶液中加入該殼聚糖-環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)產(chǎn)物(其加入量按質(zhì)量比計(jì)CTS：PVA＝8：3)，再加入金屬鈦基前驅(qū)體(其加入量以反應(yīng)物質(zhì)量比計(jì)CTS：TBT：乙酰丙酮＝8：1：0.2)，攪拌均勻，制備涂膜液，然后將支撐體無紡布浸入到所制備得到的涂膜液中，在無紡布上浸漬涂膜至得到膜片，將該膜片與無紡布共同放置在70℃的條件中紫外線干燥6h，冷卻后膜片和支撐體不分離即得到帶有支撐體無紡布的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附濃度為0.4g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在25℃、pH＝3的條件下，該雜化膜對Sr²⁺吸附量為1.26mg/g；可見該雜化膜能夠用于吸附去除含鍶水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于脫除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

實(shí)施例8

采用與實(shí)施例5同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟以及相同的配料比，將上述制備得到的涂膜液直接在聚乙烯膜上噴灑涂膜至得到膜片，室溫放置24h，然后將其共同放置在80℃的環(huán)境中進(jìn)行機(jī)械脫水干燥3h，室溫冷卻24h，然后將膜片從聚乙烯膜上剝離下來，即得到不帶有支撐體的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附濃度為0.1g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在65℃、pH＝5的條件下，該雜化膜對Sr²⁺吸附量為2.40mg/g；可見該雜化膜能夠用于吸附去除含鍶水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于脫除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

實(shí)施例9

采用與實(shí)施例5同樣的實(shí)驗(yàn)裝置、操作步驟以及相同的配料比，將上述制備得到的涂膜液放在旋轉(zhuǎn)涂膜機(jī)上以200r/min的速度旋轉(zhuǎn)涂膜，得到的膜片在70℃下對流干燥6h，冷卻后即得到不含支撐體的雜化膜。

將本實(shí)施例中制備得到的雜化膜進(jìn)行吸附濃度為0.2g/L的SrCl₂溶液中鍶離子的實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在25℃、pH＝3的條件下，該雜化膜對Sr²⁺的吸附量為1.68mg/g；可見該雜化膜能夠用于吸附去除含鍶水溶液中的鍶離子。

綜上所述：本實(shí)施例制備了可用于去除放射性廢水中鍶離子的雜化膜。

需要指出的是，本發(fā)明不僅僅限于以上列舉的實(shí)施例，凡是能從本發(fā)明內(nèi)容直接導(dǎo)出或啟示聯(lián)想得到的相關(guān)技術(shù)均應(yīng)屬于本發(fā)明涵蓋保護(hù)的范圍。