本發(fā)明涉及具有出色的電磁波吸收能力以及透視識別性的近場電磁波吸收膜。
背景技術(shù)：
：在便攜式電話、智能手機、無線lan等通信設(shè)備、計算機等電子設(shè)備中，使用防止電磁波的泄露以及進入的電磁波吸收片。當前廣泛使用的電磁波吸收片由金屬片或者網(wǎng)構(gòu)成，但最近也提出了在塑料片形成金屬蒸鍍膜的電磁波吸收片。例如jp9-148782a提出了以下電磁波吸收片，該電磁波吸收片由塑料膜和在其兩面形成的第一以及第二鋁蒸鍍膜構(gòu)成，第一鋁蒸鍍膜被蝕刻成非導(dǎo)通的線狀圖案，第二鋁蒸鍍膜被蝕刻成網(wǎng)眼狀的導(dǎo)通圖案。此外，wo2010/093027公開了以下復(fù)合膜，該復(fù)合膜在設(shè)置于塑料膜的至少一個面的單層或者多層的金屬薄膜中以不規(guī)則的寬度以及間隔在多個方向上形成很多實質(zhì)上平行且斷續(xù)的線狀痕跡，由此使電磁波吸收能力的各向異性減輕。在jp9-148782a的電磁波吸收片以及wo2010/093027的帶有線狀痕跡的金屬薄膜-塑料復(fù)合膜中，利用線狀圖案或者線狀痕跡來得到電磁波吸收能力，但也期望通過將激光束穿孔洞形成為圖案狀從而高效地得到具有出色的電磁波吸收能力的電磁波吸收膜。進一步地，也存在針對透明的電磁波吸收膜的需求，提出了具有ito薄膜或者cnt薄膜的電磁波吸收膜，并使用于etc等中。但是，etc中使用的電磁波吸收膜是遠場電磁波吸收膜，不作為近場電磁波吸收膜來使用。這是因為適于近場的阻抗控制很難的緣故。因此，期望具有有電磁波吸收能力的不透明的層并且具有能夠通過該不透明的層以視覺來識別所面向的一側(cè)的物體的性質(zhì)(稱作“透視識別性”)的近場電磁波吸收膜。技術(shù)實現(xiàn)要素：因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種具有出色的電磁波吸收能力以及透視識別性的近場電磁波吸收膜。用于解決課題的手段針對上述目的專心研究的結(jié)果，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)通過(a)在形成于塑料膜的金屬薄膜的整個面以50μm以下的間隔形成直徑200μm以下的激光束穿孔洞，并且(b)部分地形成能得到透視識別性的程度的大小的多個開口部，從而能夠得到具有出色的電磁波吸收能力以及透視識別性的近場電磁波吸收膜，并想到了本發(fā)明。即，本發(fā)明的近場電磁波吸收膜具有塑料膜和設(shè)置于該塑料膜的一面的單層或者多層的金屬薄膜，該近場電磁波吸收膜的特征在于，上述金屬薄膜在整個面以50μm以下的間隔具有直徑200μm以下的激光束穿孔洞，并且部分地具有能得到透視識別性的程度的大小的多個開口部。上述激光束穿孔洞的直徑優(yōu)選為100μn以下，更優(yōu)選為20～100μm。優(yōu)選上述激光束穿孔洞的間隔為20μm以下。優(yōu)選形成于上述金屬薄膜的上述開口部排列在至少兩個方向上。優(yōu)選上述金屬薄膜中的開口部的面積率為15～60％。優(yōu)選上述金屬薄膜的厚度為10～300nm。優(yōu)選上述金屬薄膜由從鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻以及它們的合金所構(gòu)成的組中選擇出的至少一種金屬構(gòu)成。附圖說明圖1(a)是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的微細的激光束穿孔洞的排列的一例的部分放大俯視圖。圖1(b)是圖1的a-a截面圖。圖1(c)是圖1的部分放大圖。圖2是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的微細的激光束穿孔洞的排列的其他例子的部分放大俯視圖。圖3是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的開口部的排列的一例的俯視圖。圖4是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的開口部的排列的其他例子的俯視圖。圖5是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的開口部的排列的另外其他例子的俯視圖。圖6是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的開口部的排列的另外其他例子的俯視圖。圖7是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的開口部的排列的另外其他例子的俯視圖。圖8是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的開口部的排列的另外其他例子的俯視圖。圖9是表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的開口部的排列的另外其他例子的俯視圖。圖10(a)是表示測定近場電磁波吸收膜的電阻值的裝置的立體圖。圖10(b)是表示使用圖10(a)的裝置來測定近場電磁波吸收膜的電阻值的情形的俯視圖。圖10(c)是圖10(b)的b-b截面圖。圖11(a)是表示對近場電磁波吸收膜的電磁波吸收能力進行評價的系統(tǒng)的俯視圖。圖11(b)是表示對近場電磁波吸收膜的電磁波吸收能力進行評價的系統(tǒng)的部分截面主視圖。圖12是表示參考例1的穿孔復(fù)合膜的顯微鏡照片。圖13是表示比較例1的穿孔復(fù)合膜的顯微鏡照片。圖14是表示比較例2的穿孔復(fù)合膜的顯微鏡照片。圖15是針對參考例1以及比較例1和2的穿孔復(fù)合膜表示s11和入射電波的頻率的關(guān)系的曲線圖。圖16是針對參考例1以及比較例1和2的穿孔復(fù)合膜表示傳輸衰減率rtp和入射電波的頻率的關(guān)系的曲線圖。圖17是表示參考例1的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的ploss/pin的曲線圖。圖18是表示參考例2的穿孔復(fù)合膜的顯微鏡照片。圖19是表示參考例2的穿孔復(fù)合膜的0.1～6ghz下的ploss/pin的曲線圖。圖20是表示實施例1的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的s11、s21以及rtp的曲線圖。圖21是表示實施例1的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的ploss/pin的曲線圖。圖22是表示實施例2的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的s11、s21以及rtp的曲線圖。圖23是表示實施例2的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的ploss/pin的曲線圖。圖24是表示實施例3的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的s11、s21以及rtp的曲線圖。圖25是表示實施例3的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的ploss/pin的曲線圖。圖26是表示實施例4的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的s11、s21以及rtp的曲線圖。圖27是表示實施例4的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的ploss/pin的曲線圖。圖28是表示實施例5的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的s11、s21以及rtp的曲線圖。圖29是表示實施例5的近場電磁波吸收膜的0.1～6ghz下的ploss/pin的曲線圖。符號說明1…穿孔金屬薄膜10…塑料膜11…金屬薄膜11a…殘留金屬薄膜部12…激光束穿孔洞12a、12b…激光束穿孔洞列13…主要殘留部14…橋部20…近場電磁波吸收膜21…開口部22…開口后殘留部120…電極121…電極主體部122…電極延長部130…透明丙烯酸板140…圓柱狀重物220…絕緣基板221…接地電極222…導(dǎo)電性銷223…同軸電纜d…激光束穿孔洞的直徑w…橋部的寬度t…相鄰激光束穿孔洞列的中心線間距離tp1、tp2…近場電磁波吸收膜的試驗片msl…微波傳輸帶線na…網(wǎng)絡(luò)分析儀具體實施方式參照附圖對本發(fā)明的實施方式詳細地進行說明，如果沒有特別事先告知則與一個實施方式相關(guān)的說明也能適用于其他實施方式。此外，下述說明并不是限定性的，也可在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)進行各種變更。[1]穿孔金屬薄膜圖1(a)～圖1(c)表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的微細的激光束穿孔洞的排列的一例。以下，將形成了很多微細的激光束穿孔洞的金屬薄膜稱作“穿孔金屬薄膜”。該穿孔金屬薄膜1通過在形成于塑料膜10的一面的單層或者多層的金屬薄膜11以激光束將洞12形成為交叉的兩列而得到。(1)塑料膜形成塑料膜10的樹脂只要具有絕緣性并且具有足夠的強度、撓性以及加工性就沒有特別限制，可舉出例如聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚亞芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。從強度以及成本的觀點來看，優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二酯(pet)。塑料膜10的厚度為10～100μm程度即可。(2)金屬薄膜形成金屬薄膜11的金屬只要具有導(dǎo)電性就沒有特別限定，但從耐蝕性以及成本的觀點出發(fā)，優(yōu)選鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻以及它們的合金，特別優(yōu)選鋁、銅、鎳以及它們的合金。金屬薄膜的厚度優(yōu)選10～300nm，更優(yōu)選20～200nm，最優(yōu)選30～150nm。金屬薄膜11能通過蒸鍍法(真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理蒸鍍法、或者等離子cvd法、熱cvd法、光cvd法等化學氣相蒸鍍法)、鍍敷法或者箔接合法來形成。在金屬薄膜11為單層的情況下，從導(dǎo)電性、耐蝕性以及成本的觀點出發(fā)，優(yōu)選金屬薄膜11由鋁或者鎳構(gòu)成。此外，在金屬薄膜11為多層的情況下，也可由非磁性金屬形成一方，由磁性金屬形成另一方。作為非磁性金屬，可舉出鋁、銅、銀、錫或者它們的合金，作為磁性金屬，可舉出鎳、鈷、鉻或者它們的合金。只要總計的厚度在上述范圍內(nèi)，非磁性金屬層的厚度以及磁性金屬層的厚度就不特別是限定性的。(3)激光束穿孔洞如圖1(a)～圖1(c)所示，各激光束穿孔洞12是通過對金屬薄膜11照射激光束從而使金屬蒸發(fā)而形成的大致圓形的開口部，但塑料膜10不開口。各激光束穿孔洞12的直徑d為200μm以下。如果直徑d超過200μm，則按每單位面積形成的激光束穿孔洞12的數(shù)量會過少，激光束穿孔洞12之間的金屬薄膜11的殘留部分就會過大，因此那些殘留部分作為反射膜起作用，無法得到足夠的電磁波吸收能力。各激光束穿孔洞12的直徑d優(yōu)選為100μm以下，更優(yōu)選為20～100μm。在圖示的例子中，在金屬薄膜11，激光束穿孔洞12排列成相交叉的兩列。借助相交叉的激光束穿孔洞列12a、12b而被隔開的金屬薄膜11成為各個主要殘留部13。激光束穿孔洞12至少部分地空開間隔，因此間隔部分的金屬薄膜11作為寬度窄的橋部14而殘留。因而，在激光束穿孔洞12形成后殘留的金屬薄膜部分(殘留金屬薄膜部)11a由主要殘留部13以及寬度窄的橋部14構(gòu)成。激光束穿孔洞12的間隙優(yōu)選在兩列12a、12b存在。激光束穿孔洞12的間隔(橋部14的寬度)w為50μm以下。如果間隔w超過50μm，則穿孔金屬薄膜1不具有期望的電阻值。激光束穿孔洞12的間隔(橋部14的寬度)w優(yōu)選為20μm以下，更優(yōu)選在1～15μm的范圍內(nèi)。因此，橋部14的最大寬度wmax為50μm，優(yōu)選為20μm。此外，橋部14的平均寬度wav為3～30μm，優(yōu)選為5～20μm。激光束點本身為圓形，但因激光束而蒸發(fā)的金屬薄膜1的區(qū)域并不會成為完全的圓形，由于與相鄰的激光束穿孔洞12之間的干擾而存在具有稍微不規(guī)則的輪廓的傾向。例如，在與相鄰的激光束穿孔洞12之間不存在間隙的情況下，有時兩激光束穿孔洞12、12并不會接合，而是形成極小寬度的橋部14。這種情況被認為是由于在相鄰的激光束點之間蒸發(fā)的金屬凝固，成為寬度窄的橋部14的緣故。這樣，即使以相同的間隔來排列激光束點，因金屬薄膜11的蒸發(fā)而實際所形成的激光束穿孔洞12的間隔并不會相同，因此橋部14在50μm以下的范圍內(nèi)具有不同的寬度w。因此，本發(fā)明的近場電磁波吸收膜相對于大范圍的頻率具有出色的電磁波吸收能力。激光束穿孔洞列12a、12b以45～90°的交叉角θ交叉。由此，不僅得到高的電磁波吸收能力，而且電磁波吸收能力的各向異性也降低。如果交叉角θ小于45°，則電磁波吸收能力得不到充分發(fā)揮。在交叉角θ為90°時，電磁波吸收能力成為最大。交叉角θ的優(yōu)選范圍為60～90°。相鄰激光束穿孔洞列12a、12b的中心線間距離t對主要殘留部13的大小有影響。主要殘留部13的大小對近場電磁波吸收膜20的電阻值(因而對電磁波吸收能力)有影響，因此為了得到期望的電阻值，需要對相鄰激光束穿孔洞列12a、12b的中心線間距離t進行設(shè)定。具體來說，相鄰激光束穿孔洞列12a、12b的中心線間距離t優(yōu)選為100～400μm，更優(yōu)選為150～300μm。圖2表示用于形成本發(fā)明的近場電磁波吸收膜的微細的激光束穿孔洞的排列的其他例子。該穿孔金屬薄膜1’以上下左右大致相同的間隔w排列有多個激光束穿孔洞12。與上述的例子相同，間隔w為50μm以下，優(yōu)選為20μm以下，更優(yōu)選為1～15μm的范圍內(nèi)。(4)開口部在穿孔金屬薄膜部分地形成能得到透視識別性的程度的大小的多個開口部，成為近場電磁波吸收膜。開口部的形狀以及排列只要確保足夠的電磁波吸收能力并能得到必要的透視識別性就不被特別限定。開口部的大小也只要確保足夠的電磁波吸收能力并能得到必要的透視識別性就不被特別限定，但例如圖2所示那樣在圓形的情況下優(yōu)選具有數(shù)mm～數(shù)十mm的直徑。一般，優(yōu)選開口部的大小是直徑或者寬度為2～20mm。圖3～圖9表示開口部的形狀、大小以及排列的例子。開口部也可在1個方向上排列，但優(yōu)選至少在2個方向上排列。在圖3所示的近場電磁波吸收膜20中，在穿孔金屬薄膜1形成平行的多個狹縫狀開口部21。形成了狹縫狀開口部21后的金屬薄膜殘留部(開口后殘留部)22為帶狀。在圖4所示的近場電磁波吸收膜20中，在穿孔金屬薄膜1縱橫平行地形成多個長方形狀開口部21。形成了長方形狀開口部21后的金屬薄膜殘留部(開口后殘留部)22為格子狀。在圖5所示的近場電磁波吸收膜20中，在穿孔金屬薄膜1縱橫平行地形成多個正方形狀開口部21。形成了正方形狀開口部21后的金屬薄膜殘留部(開口后殘留部)22為格子狀。在圖6所示的近場電磁波吸收膜20中，在穿孔金屬薄膜1縱橫平行地形成多個圓形狀開口部21。形成了圓形狀開口部21后的金屬薄膜殘留部(開口后殘留部)22為發(fā)生了變形的格子狀。在圖7所示的近場電磁波吸收膜20中，在穿孔金屬薄膜1縱橫平行地形成多個三角形狀開口部21。形成了三角形狀開口部21后的金屬薄膜殘留部(開口后殘留部)22為發(fā)生了變形的格子狀。在圖8所示的近場電磁波吸收膜20中，在穿孔金屬薄膜1縱橫平行地形成多個菱形狀開口部21。形成了菱形狀開口部21后的金屬薄膜殘留部(開口后殘留部)22為發(fā)生了變形的格子狀。在圖9所示的近場電磁波吸收膜20中，在穿孔金屬薄膜1縱橫平行地形成多對三角形狀開口部21。形成了三角形狀開口部21后的金屬薄膜殘留部(開口后殘留部)22為發(fā)生了變形的格子狀。如圖3～圖9所示，開口后殘留部22需要至少在一個方向上連結(jié)，優(yōu)選至少在兩個方向上連結(jié)。此外，開口部21相對于穿孔金屬薄膜1的面積率[100×開口部21的總面積/(開口部21的總面積+開口后殘留部22的總面積)]優(yōu)選為15～60％，更優(yōu)選為20～50％。如果開口部21的面積率小于15％，則無法得到充分的透視識別性。另一方面，如果開口部21的面積率超過60％，則不能確保足夠的電磁波吸收能力。(4)電阻值近場電磁波吸收膜20的電磁波吸收能力基本上由穿孔金屬薄膜1的電磁波吸收能力決定。專心研究的結(jié)果，可知穿孔金屬薄膜1的電磁波吸收能力依賴于在激光束穿孔洞12形成后殘留的穿孔金屬薄膜部11a(殘留穿孔金屬薄膜部11a＝穿孔主要殘留部13+穿孔橋部14)的大小以及電阻。在穿孔金屬薄膜1的電阻值為50～300ω/100cm2的情況下，相對于大范圍的頻率的電磁波具有出色的吸收能力。將在塑料膜10的一面具有穿孔金屬薄膜1的復(fù)合膜的試驗片tp1設(shè)置于圖10(a)～圖10(c)所示的裝置，通過加壓下的直流二端子法(簡稱為“加壓二端子法”)來測定穿孔金屬薄膜1的電阻值。具體來說，在按照將穿孔金屬薄膜1置于上方的方式載置在硬質(zhì)的絕緣性平坦面上的10cm×10cm的正方形試驗片tp1的對置邊部，載置由長度10cm×寬度1cm×厚度0.5mm的電極主體部121和從電極主體部121的中央側(cè)部延伸的寬度1cm×厚度0.5mm的電極延長部122構(gòu)成的一對電極120、120，在試驗片tp1和兩電極120、120之上以完全覆蓋試驗片tp1和兩電極120、120的方式放置10cm×10cm×厚度5mm的透明丙烯酸板130，在透明丙烯酸板130之上放置直徑10cm的圓柱狀重物140(3.85kg)，之后，根據(jù)在兩電極延長部222、222間流動的電流來求取電阻值。采用“ω/100cm2”的單位表示在上述條件下測定的電阻值。穿孔金屬薄膜1(近場電磁波吸收膜20)的電阻值需要處于50～300ω/100cm2的范圍內(nèi)。如果電阻值小于50ω/100cm2或者超過300ω/100cm2，則近場電磁波吸收膜20不具有足夠的電磁波吸收能力。近場電磁波吸收膜20的電阻值優(yōu)選為60～250ω/100cm2，更優(yōu)選為80～200ω/100cm2。(5)保護層為了保護穿孔金屬薄膜1，優(yōu)選在其表面形成塑料保護層(未圖示)。塑料保護層用的塑料膜也可與塑料膜10相同。塑料保護層的厚度優(yōu)選為10～100μm程度。為了防止脫離，優(yōu)選通過將塑料膜熱層壓到近場電磁波吸收膜20來形成塑料保護層。在保護塑料膜為pet膜的情況下，熱層壓溫度為110～150℃即可。保護層用塑料膜通常在將激光束穿孔洞以及開口部形成于塑料膜10的金屬薄膜11之后粘貼到近場電磁波吸收膜20，但如果在保護塑料膜預(yù)先形成很多微細孔，則能在將保護塑料膜粘貼到金屬薄膜11之后，形成激光束穿孔洞以及開口部。對保護塑料膜形成微細孔能夠通過jp專利第2063411號中記載的方法來進行。[2]近場電磁波吸收膜的電磁波吸收能力(1)傳輸衰減率如圖11(a)以及圖11(b)所示，使用由50ω的微波傳輸帶線msl(64.4mm×4.4mm)、支撐微波傳輸帶線msl的絕緣基板220、與絕緣基板220的下表面接合的接地電極221、與微波傳輸帶線msl的兩端連接的導(dǎo)電性銷222、222、網(wǎng)絡(luò)分析儀na、和將網(wǎng)絡(luò)分析儀na與導(dǎo)電性銷222、222連接的同軸電纜223、223構(gòu)成的系統(tǒng)，利用粘合劑將近場電磁波吸收膜20的試驗片tp2粘貼到微波傳輸帶線msl，相對于0.1～6ghz的入射波，測定反射波功率s11以及透射波功率s21，并通過下述式(1)來求取傳輸衰減率rtp：rtp＝-10×log[10s21/10/(1-10s11/10)]…(1)(2)噪聲吸收率在圖11(a)以及圖11(b)所示的系統(tǒng)中，入射的功率pin＝反射波功率s11+透射波功率s21+被吸收的功率(功率損耗)ploss成立。因此，通過從入射的功率pin減去反射波功率s11以及透射波功率s21，從而求取功率損耗ploss，通過以入射功率pin除ploss來求取噪聲吸收率ploss/pin。[3]近場電磁波吸收膜的制造方法在通過蒸鍍法等形成于塑料膜10的一個面的金屬薄膜11的整個面，首先以50μm以下的間隔形成直徑200μm以下的激光束穿孔洞12。對于所得到的穿孔金屬薄膜1，部分地形成能得到透視識別性的程度的大小的多個開口部21。開口部21也能通過激光束的照射來形成。在該情況下，能夠以一次激光束照射工序來形成激光束穿孔洞12和開口部21，但以兩個階段來進行激光束穿孔洞12的形成工序和開口部21的形成工序能高效地制造近場電磁波吸收膜20。此外，也可采用光刻法來形成開口部21。通過以下的實施例進一步詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些情況。參考例1、比較例1以及2對于通過真空蒸鍍法在厚度16μm的pet膜10形成的厚度50nm的ni薄膜11，利用3-axis混合激光標記器(株式會社奇恩斯(キ一エンス)制的md-x1000)將直徑60μm的激光束穿孔洞12形成為相交叉的兩列，制作具有圖12～圖14所示的穿孔ni薄膜1的復(fù)合膜。對于從各復(fù)合膜切取的正方形的試驗片tp1(10cm×10cm)，通過段落[1]的(4)中記載的方法測定電阻值。將結(jié)果示于表1?！颈?】項目參考例1比較例1比較例2對應(yīng)圖圖12圖13圖14交叉角θ(1)(°)909090最大寬度wmax(μm)15600平均寬度wav(μm)7500電阻值(ω/100cm2)606∞注：(1)激光束穿孔洞列的交叉角θ。(2)橋部的寬度w。利用粘合劑將從各復(fù)合膜切取的試驗片tp2(55.2mm×4.7mm)粘貼到圖11(a)以及圖11(b)所示的系統(tǒng)的微波傳輸帶線msl，通過段落[2]的(1)以及(2)記載的方法，測定相對于0.1～6ghz的頻率范圍的入射功率pin的反射波功率s11以及透射波功率s21，求取到0.1～6ghz的頻率范圍下的傳輸衰減率rtp以及噪聲吸收率ploss/pin。圖15示出0.1～6ghz的頻率范圍下的s11，圖16示出傳輸衰減率rtp，圖17示出噪聲吸收率ploss/pin。根據(jù)圖15可以明確：激光束穿孔洞12過少(電阻值過小)的比較例1的反射波s11多。此外，根據(jù)圖16可以明確：激光束穿孔洞12過剩(電阻值過大)的比較例2的傳輸衰減率rtp低。進一步地，根據(jù)圖17可以明確：參考例1的復(fù)合膜表現(xiàn)出出色的噪聲吸收率ploss/pin。參考例2對于通過真空蒸鍍法在厚度16μm的pet膜10形成的厚度80nm的al薄膜11，利用3-axis混合激光器標記器(株式會社奇恩斯(キ一エンス)制的md-x1000)將直徑80μm的激光束穿孔洞12形成為相交叉的兩列，制作具有圖18所示的穿孔al薄膜1的復(fù)合膜。激光束穿孔洞12的間隔w為約20μm。通過與參考例1相同的方法，測定各復(fù)合膜的電阻值，為60～80ω/100cm2。與參考例1同樣地測定復(fù)合膜的0.1～6ghz的頻率范圍下的反射波功率s11以及透射波功率s21，求取到噪聲吸收率ploss/pin。圖19示出0.1～6ghz的頻率范圍下的噪聲吸收率ploss/pin。根據(jù)圖19可以明確：激光束穿孔洞12以及電阻值滿足本發(fā)明的必要條件的參考例2的復(fù)合膜表現(xiàn)出高的噪聲吸收率ploss/pin。實施例1～5如下述表2所示，對于參考例1以及2的復(fù)合膜，形成圖3～6以及9的任一個的開口部21，制作近場電磁波吸收膜。針對各近場電磁波吸收膜的試驗片tp2，與參考例1同樣地測定相對于0.1～6ghz的頻率范圍的入射功率pin的反射波功率s11以及透射波功率s21，求取到0.1～6ghz的頻率范圍下的傳輸衰減率rtp以及噪聲吸收率ploss/pin。針對實施例1～5的每一個，圖20、圖22、圖24、圖26以及圖28示出0.1～6ghz的頻率范圍下的s11、s21以及rtp，圖21、圖23、圖25、圖27以及圖29示出0.1～6ghz的頻率范圍下的ploss/pin。【表2】根據(jù)圖20～圖29可明確：對于實施例1～5的近場電磁波吸收膜來說，反射波s11都少，傳輸衰減率rtp以及噪聲吸收率ploss/pin都高。此外，實施例1～5的近場電磁波吸收膜具有15～60％的開口部面積率，具有良好的透視識別性。發(fā)明的效果本發(fā)明的近場電磁波吸收膜具有整體地形成的很多微細的激光束穿孔洞和能得到透視識別性的程度的大小的多個開口部，因此具有出色的電磁波吸收能力以及良好的透視識別性。具有這種特征的本發(fā)明的近場電磁波吸收膜適于能透視內(nèi)部的所謂骨架(skeleton)結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備，例如便攜式電話、智能手機、機器人、游戲設(shè)備等。當前第1頁12