本發(fā)明涉及覆銅板制造領(lǐng)域，特別是指一種高頻覆銅板制作工藝。

背景技術(shù)：

電路板產(chǎn)業(yè)中的軟性電路板已成為產(chǎn)業(yè)成長的主要推動(dòng)力，伴隨通訊行動(dòng)化的產(chǎn)業(yè)與技術(shù)趨勢，軟板正在迅速的蓬勃發(fā)展。從21世紀(jì)開始，進(jìn)入了高度信息化的社會(huì)，綜觀電子產(chǎn)品之發(fā)展走向，電子產(chǎn)品將朝向輕、薄、短、小以及單一機(jī)種多功能整合和以多媒體影音方式傳遞訊息。對于印刷電路板上的線路而言，將會(huì)朝高密度、高積集化發(fā)展、其所應(yīng)用的頻率及頻寬也隨之提升，但這樣會(huì)讓基板溫度急速升高，導(dǎo)致材料對于電氣特性以及耐熱性要求日益提高。

隨著信息科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)構(gòu)成的通信設(shè)備不斷出現(xiàn)，信息處理開始進(jìn)入高速化、信號傳輸高頻化的階段，為處理不斷增加的數(shù)據(jù)，電子設(shè)備的頻率變得越來越高，且不斷提出更高的技術(shù)要求，使得信號高頻化呈現(xiàn)出逐年快速發(fā)展的趨勢，進(jìn)而促進(jìn)高頻應(yīng)用技術(shù)不斷發(fā)展；加上應(yīng)用產(chǎn)品功能強(qiáng)化及整合，需求分辨率要越來越高、反應(yīng)速度必須越來越快、儲(chǔ)存容量要越來越大，所以在軟板技術(shù)也必須做出因應(yīng)的搭配，例如，手機(jī)整合越來越多的功能，除了一般的聲音及影像功能外，包括照相、藍(lán)芽、wifi、4g/5g上網(wǎng)、指紋辨識功能及未來無線充電裝置等，越來越多功能需要整合在一起，使得所需的頻寬是必須要增加，所謂高速、高頻及新一代軟板將會(huì)成為下一波市場成長的主力，可以想象在高階智能型手機(jī)、平板及智能型汽車等需求的推波助瀾下，高頻軟板的需求將會(huì)如火如荼的成長。

目前電子產(chǎn)品技術(shù)與移動(dòng)通信技術(shù)的緊密結(jié)合，已經(jīng)成為全世界戰(zhàn)略布局的趨勢，這類產(chǎn)品技術(shù)的發(fā)展，正快速的向著高速高頻化發(fā)展，故研發(fā)出高速高頻的基板用于pcb中是必然的趨勢。

隨著當(dāng)前信息、通信技術(shù)的進(jìn)步，使電子信息產(chǎn)品邁入了千兆赫茲的時(shí)代，且終端電子產(chǎn)品日漸要求高保密性與高傳輸質(zhì)量的強(qiáng)烈需求下，如移動(dòng)電話、汽車電話、無線通信，而高保密性和高傳輸質(zhì)量皆需要往高頻化方向發(fā)展，關(guān)于統(tǒng)計(jì)資料顯示，在電子元器件和電子產(chǎn)品在信號傳輸速度上，預(yù)測將在今后幾年內(nèi)增加十倍以上。

電路訊號傳輸?shù)母哳l化，基板材料將是主要的關(guān)鍵,特別是覆銅箔基板材料技術(shù)，現(xiàn)有pi之dk和df相對較高，即使通過改善線路設(shè)計(jì)也無法完全滿足所有高頻下的信號高速傳遞和信號完整之應(yīng)用需求，因?yàn)楦遜k會(huì)使信號傳遞速率變慢，高df會(huì)使信號部分轉(zhuǎn)化為熱能損耗在基板材料中，加上材料在板廠制造過程中容易吸濕而影響電性，慢慢地?zé)o法滿足終端廠商的需求，所以具備低吸濕性、低介電及低傳輸損耗的軟性覆銅箔基板材料，將成為這一波軟板高頻化的主要要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種高頻覆銅板制作工藝，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

高頻覆銅板制作工藝，步驟如下：a.準(zhǔn)備聚酰亞胺薄膜并對其進(jìn)行除濕除水工序；b.制備高功能聚合薄膜，將高功能聚合薄膜與聚酰亞胺薄膜通過壓合機(jī)假接著；c.將步驟b中的產(chǎn)品與銅箔疊加，通過五軸壓合機(jī)對其進(jìn)行壓合。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟a中聚酰亞胺經(jīng)過五軸壓合機(jī)預(yù)熱除濕，預(yù)熱溫度為150°～250°。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟b中壓合機(jī)的假接著張力為10～20n；假接著輥輪的溫度為150°～200°。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟c中五軸壓合機(jī)壓合的溫度為300°～350°；壓合的速度為1～1.5m/min。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，步驟b中的制備高功能聚合薄膜步驟包括：制備氟基團(tuán)溶液；溶液固化成膜；膜狀物浸入溶膠質(zhì)改性；烘干制得高功能聚合薄膜。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，制備氟基團(tuán)溶液的過程為，在聚四氟乙烯溶液中添加60％～70％體積數(shù)的含氟基團(tuán)。作為含氟基團(tuán)，例如可以舉出：全氟烷基、全氟烯基等，作為親油性基團(tuán)，例如可以舉出：烷基、苯基、硅氧烷基等中的1種或2種以上，作為親水性基團(tuán)，例如可以舉出：環(huán)氧乙烷、氨基、酮基、羧基、磺酸基等中的1種或2種以上。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，溶液固化成膜過程為：在氟基團(tuán)溶液內(nèi)添加1％～3.8％質(zhì)量的固化劑，將添加固化劑的溶液覆于玻璃板上自然固化成膜，將膜狀物從玻璃板上揭下。本發(fā)明中使用的固化劑可以舉出：乙二胺、三亞乙基五胺、六亞甲基二胺、二聚酸改性乙二胺、n-乙基氨基哌嗪、異佛爾酮二胺等脂肪族胺類、間苯二胺、對苯二胺、3,3’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基醚等芳香族胺類、巰基丙酸酯、環(huán)氧樹脂的末端巰基化合物等硫醇類、雙酚a、雙酚f、雙酚ad、雙酚s、四甲基雙酚a、四甲基雙酚f、四甲基雙酚ad、四甲基雙酚s、四溴雙酚a、四氯雙酚a、四氟雙酚a、聯(lián)苯酚、二羥基萘、1,1,1-三(4-羥基苯基)甲烷、4,4’-(1-(4-(1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基)苯基)亞乙基)雙酚、苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、雙酚a酚醛清漆、溴化苯酚酚醛清漆、溴化雙酚a酚醛清漆等酚醛樹脂類、將這些酚醛樹脂類的芳香環(huán)氫化而成的多元醇類、聚壬二酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐、降冰片烷-2,3-二羧酸酐、甲基-5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐、甲基-降冰片烷-2,3-二羧酸酐等脂環(huán)式酸酐類、鄰苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐等芳香族酸酐類、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑等咪唑類和其鹽類、上述脂肪族胺類、芳香族胺類、和/或通過咪唑類與環(huán)氧樹脂的反應(yīng)得到的胺加合物類、己二酸二酰肼等肼類、二甲基芐基胺、1,8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]十一碳-7-烯等叔胺類、三苯基膦等有機(jī)膦類、雙氰胺等中的至少1種。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述溶膠質(zhì)為二氧化鈦溶膠、納米銀溶膠或氧化鋅溶膠中的一種。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，改性后的膜狀物放入烘干箱內(nèi)，烘干溫度為35°～45°，烘干時(shí)間為10～17小時(shí)。

高頻覆銅板，包括聚酰亞胺薄膜、高功能聚合薄膜和銅箔，三者疊加通過五軸壓合機(jī)壓合。

有益效果:

本發(fā)明提出了一種高頻覆銅板制作工藝，步驟如下：a.準(zhǔn)備聚酰亞胺薄膜并對其進(jìn)行除濕除水工序；b.高功能聚合薄膜與聚酰亞胺薄膜通過壓合機(jī)假接著；c.將步驟b中的產(chǎn)品與銅箔疊加，通過五軸壓合機(jī)對其進(jìn)行高溫壓合。使用高功能聚合薄膜(cffilm)替代熱塑性聚酰亞胺來降低材料吸濕所產(chǎn)生的影響，并利用高功能聚合薄膜(cffilm)低介電常數(shù)的特性與控制銅箔表面粗糙度進(jìn)行相互搭配，從而減小高頻信號的損耗，來保證基板材料良好的介電性能，由此提供一種能滿足高頻電路板使用的基板。另外，高功能聚合薄膜(cffilm)亦能有效解決液晶高分子(lcp)產(chǎn)能不足的問題，在市場上將可以被廣泛使用。

本項(xiàng)目所使用的新型高功能聚合薄膜(cffilm)本身為一種可塑性的含氟聚合物熔體，具備高耐熱、低吸水率、低介電常數(shù)、低介電損耗、良好的耐化學(xué)性和優(yōu)越之電氣性能等潛在特性，預(yù)期應(yīng)用于耐熱阻燃電子材料將極具發(fā)展?jié)摿Γ挥需b于此，使用高功能聚合薄膜(cffilm)替代熱塑性聚酰亞胺來降低材料吸濕所產(chǎn)生的影響，并利用高功能聚合薄膜(cffilm)低介電常數(shù)的特性與控制銅箔表面粗糙度進(jìn)行相互搭配，從而減小高頻信號的損耗，來保證基板材料良好的介電性能，由此提供一種能滿足高頻電路板使用的基板。另外，高功能聚合薄膜(cffilm)亦能有效解決液晶高分子(lcp)產(chǎn)能不足的問題，在市場上將可以被廣泛使用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，聚酰亞胺薄膜1，高功能聚合薄膜2，銅箔3。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例1

如圖1所示，高頻覆銅板，包括聚酰亞胺薄膜1、高功能聚合薄膜2和銅箔3，三者疊加通過五軸壓合機(jī)壓合。高功能聚合薄膜(cffilm)，氟基團(tuán)溶液可以通過常規(guī)熔融工藝進(jìn)行加工，使之固化成膜。

氟基團(tuán)溶液的特性:1.耐熱:良好的焊點(diǎn)回流電阻2.高粘合性:與pi和cu直接粘接3.化學(xué)抵抗:惰性對幾乎所有化學(xué)品4.電氣性能:非常低的介電常數(shù),非常低介質(zhì)損耗正切。(優(yōu)良的電氣絕緣材料)。壓合壓合的工藝技術(shù)：將cffilm與pi及低粗糙的金屬層采用五軸的高溫壓合方式進(jìn)行cu+cffilm+pi三明治式生產(chǎn)。

實(shí)施例2

第一階段，假接著工藝：先使用壓合機(jī)將高功能聚合薄膜(cffilm)與聚酰亞胺薄膜進(jìn)行假接著，使之高功能聚合薄膜(cffilm)與聚酰亞胺薄膜平整貼附。假接著張力介于10～20n，假接著溫度介于150～200度。

假接著過程，聚酰亞胺薄膜需先經(jīng)過壓合機(jī)預(yù)熱裝置除濕除水，再與高功能聚合薄膜(cffilm)假接著貼附。預(yù)熱溫度介于150～250度。

第二階段高溫貼合，將高功能聚合薄膜(cffilm)，聚酰亞胺薄膜假接著制品與銅箔進(jìn)行高溫貼合。

采用中低溫壓合方式,溫度介于300～350度。

低速貼合，速度介于1.0～1.5m/min，使之貼合制品穩(wěn)定性良好。

利用高功能聚合薄膜(cffilm)高耐熱、低吸水率、低介電常數(shù)、低介電損耗、良好的耐化學(xué)性和優(yōu)越之電氣性能等特性，使材料在高頻傳輸時(shí)具備低介電、低傳輸損耗的特性；

1、采用壓合的工藝技術(shù)使產(chǎn)品進(jìn)行連續(xù)生產(chǎn)且提高效率；

2、利用低粗糙銅箔與cffilm相結(jié)合的方式進(jìn)行搭配，減少高頻信號在傳輸過程中的損耗；

主要技術(shù)指標(biāo)

1)傳輸損耗(db/mm)，頻率達(dá)到25ghz時(shí)dk≤2.5，dk≤0.02；

2)低吸濕性，吸濕率<0.01％(依照astmd570規(guī)范)；

3)與極低粗糙銅箔(rz<1μm)具有良好的接著力，peelingstrength≧1.0kgf/cm；

4)耐熱性340℃≥10s；

5)良好的耐化學(xué)性

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。