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氘通量自持發(fā)熱方法及裝置的制作方法

文檔序號:63629閱讀:933來源:國知局
專利名稱:氘通量自持發(fā)熱方法及裝置的制作方法
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及一種氘通量自持發(fā)熱方法及裝置,尤其是涉及一種不引起污染的可產(chǎn)生非化學能源的氘通量自持發(fā)熱方法及裝置,屬于能源技術(shù)領域
。
近十幾年來,世界各國也提出了關于氘-鈀系統(tǒng)發(fā)熱的技術(shù)方案,但在現(xiàn)有的方案中,存在著三方面的缺點(1)沒有意識到氘通量的重要性,氘氣的氣源往往是依靠電解重水時充入鈀內(nèi)的氘離子。因此氘通量的出現(xiàn)有賴于鈀體放氣。一旦放出氘氣,氣源就沒有保證;參見文獻M.H.Miles,et al.,“Thermal Behavior of Polarized Pd/D Electrodes Preparedby Co-Deposition”,Proceedings of ICCF-9,May 19-24,Beijing,CHINA,edited by XingZ.Li,Tsinghua University Press(2003)p.250.。(2)沒有意識到鈀內(nèi)溫度分布的重要性,在通常的量熱學實驗中往往追求“等溫”。力求使被測量的對象處于同一個溫度,才能進行量熱學的標定。這種“等溫”不利于“溫度梯度”的反轉(zhuǎn),不利于實現(xiàn)“自持發(fā)熱”,參見文獻Y.Fukai,“The Metal-Hydrogen System,basic bulk properties”,Springer-Verlag(Berlin,Heideberg,1993)Printed in USA,p.214);(3)沒有意識到鈀內(nèi)自身發(fā)熱來形成溫度分布的重要性,在通常的電解重水量熱學實驗中,電解電流決定了溫度場。鈀內(nèi)自身發(fā)熱往往只是輸入功率的10%,難以利用自身發(fā)熱中的負反饋效應來保持有利的溫度分布。
本發(fā)明提出的氘通量自持發(fā)熱方法,它采用氣態(tài)充氘法,其特征在于所述方法是在鈀片兩側(cè)保持一定的氘氣壓力差,利用氘通量在特定溫度處出現(xiàn)的峰形分布,再加上氘通量的發(fā)熱效應,使鈀片在升溫接近氘通量取峰值的溫度時,通過正反饋,使鈀片上的溫度迅速升溫,讓大部分鈀片的溫度高于氘通量峰值溫度,進入氘通量峰值的高溫側(cè),由于高溫側(cè)是負反饋運行區(qū),即此區(qū)內(nèi)鈀片溫度變低時,發(fā)熱自動增強,在鈀片上形成自持的溫度分布,使鈀片保持在自持發(fā)熱的運行狀態(tài),實現(xiàn)高強度的熱源。
在上述氘通量自持發(fā)熱方法中,所述鈀片兩側(cè)的壓力差為0.6~2.0大氣壓;所述氘通量的發(fā)熱效應是指透過鈀片的氘通量與放出的熱量相關聯(lián),即氘通量變大時,放出的熱量也變大;所述鈀片的溫度在120℃~150℃之間存在一個氘通量的峰形分布;所述鈀片的厚度為0.08~0.12毫米。
本發(fā)明的目的之二在于提供一種實現(xiàn)氘通量自持發(fā)熱方法的氘通量自持發(fā)熱裝置。
本發(fā)明提出的氘通量自持發(fā)熱裝置,其特征在于,它含有氘氣室1位于所述裝置的上方,它提供了一個穩(wěn)定的氘氣源;鈀片座2位于鈀片5和絕熱環(huán)3之外,用于支撐鈀片和絕熱環(huán);絕熱環(huán)3用于減少鈀片與鈀片座兩者之間的熱傳導;可伐聯(lián)接4用于連接絕熱環(huán)3和鈀片5;鈀片5將所述裝置分成氘氣室1和真空室6上下兩室,它為發(fā)熱體;真空室6位于所述裝置的下方,被抽成真空以保持鈀片上、下方有一定的壓力差;加熱套7纏繞加熱元件;加熱元件8位于鈀片5周圍的加熱套7上,它可使鈀片周邊的溫度首先升高,然后帶動鈀片中心的溫度也跟著升高;測控儀表9用于測量、記錄、控制氣壓、真空度和鈀片溫度;紅外線觀測窗10設在氘氣室1上方和真空室6的下方,用于觀測鈀片的溫度分布;離子槍11設在氘氣室1上方,用于鈀片表面改性,以提高鈀片的發(fā)熱效率和壽命;真空機組12用于抽走透過鈀片的氘氣。
由于本發(fā)明是利用氘通量與熱流的關聯(lián),使鈀片在氘通量峰值的低溫側(cè),通過正反饋,使鈀片上的“溫度梯度”反轉(zhuǎn),讓大部分鈀片進入氘通量峰值的高溫側(cè)的負反饋運行區(qū)。從而可以保持在一個“自持發(fā)熱”的運行狀態(tài)。實現(xiàn)了高強度的熱源,每立方厘米100瓦以上,達到或超過了熱中子裂變堆的功率密度。本發(fā)明提供的技術(shù)方案可行,重復性好。特別是燃料來源于海水,既豐富,又遍布全球,無污染,是一種理想的能源。
本發(fā)明所提供的氘通量自持發(fā)熱裝置,結(jié)構(gòu)簡單,總發(fā)熱功率大小可調(diào),適于各種產(chǎn)業(yè)化的規(guī)模。
圖2為本發(fā)明氘通量自持發(fā)熱裝置中發(fā)熱室部分圖。
圖3為本發(fā)明氘通量透鈀實驗中的氘通量與發(fā)熱量的關聯(lián)圖。
圖4為本發(fā)明氘通量透鈀實驗中升溫和降溫階段不同的溫度分布示意圖。
圖5為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為本發(fā)明實施例的系統(tǒng)溫度與加熱功率的關系圖
具體實施方式
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的首先在理論上證明了在低能共振隧穿庫倫位壘的條件下,核能本來就不一定有中子或伽瑪輻射。
在實驗中,本發(fā)明者注意到“重復性不好”不能泛泛而論。就低強度的熱源而言,實驗的重復性還是很好的。但是要實現(xiàn)高強度的熱源就很難重復,首先必須找到實現(xiàn)高強度的熱源的方法。本發(fā)明提出的氘通量自持發(fā)熱方法就是一種實現(xiàn)高強度熱源的有效方案。
本發(fā)明在實現(xiàn)高強度熱源的方法中有四項技術(shù)創(chuàng)新(1)用氣態(tài)充氘法而不用電解重水法充氘。因此,才有可能發(fā)現(xiàn)在重水沸點以上的異?,F(xiàn)象。
(2)在氣態(tài)充氘法中發(fā)現(xiàn)在120℃-150℃處,氘氣穿透鈀片的通量出現(xiàn)了異常。氘通量在特定溫度處出現(xiàn)了峰值。這是通常的擴散理論所不能解釋的。通常的擴散理論認為氘通量是溫度的單調(diào)函數(shù)。
(3)在出現(xiàn)氘通量的同時必定出現(xiàn)一股熱流,而且熱流也隨著氘通量的起伏而起伏,即氘通量與熱流的關聯(lián)。
(4)利用氘通量與熱流的關聯(lián),實現(xiàn)了鈀片上“溫度梯度”的反轉(zhuǎn)。正是這“溫度梯度”的反轉(zhuǎn)才有可能使鈀片進入了自持發(fā)熱的狀態(tài)。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步說明請見
圖1和圖2。圖2中的鈀片5將裝置分成上、下兩室。裝置的上室是氘氣室1,它提供了一個穩(wěn)定的氘氣源,裝置的下室是真空室6,被抽成真空以保持鈀片上、下方有一定的壓力差。這穩(wěn)定的壓力差使得透過鈀片5的氘通量只是溫度的函數(shù)。在圖2中,鈀片周圍的加熱套7中裝有加熱元件8,它可使鈀片周邊的溫度首先升高,然后帶動鈀片中心的溫度也跟著升高。當鈀片周邊的溫度超過120℃時,氘通量明顯增加,由于氘通量與熱流的關聯(lián),相應的熱流也增加,鈀片周邊的溫度便迅速增加。這就帶動鈀片中心的溫度也跟著升高,超過120℃。于是,鈀片上又有了更多的表面進入發(fā)熱狀態(tài)。這是一種正反饋過程。它使鈀片的溫度迅速全面超過120℃。由于鈀片中心有了熱源,鈀片中心的溫度就會高于鈀片周邊的溫度,實現(xiàn)了鈀片上“溫度梯度”的反轉(zhuǎn)即起初是鈀片周邊的溫度高于鈀片中心的溫度,反而變成了鈀片中心的溫度高于鈀片周邊的溫度。而且,鈀片中心的溫度會一直升到高于氘通量取峰值的溫度才停止。這時,鈀片中心的溫度已經(jīng)到了高溫側(cè),也就是氘通量要隨溫度升高而下降的那一側(cè)。正反饋變成了負反饋。因為這時候,溫度升高會導致發(fā)熱效應下降。這就制止了溫度升高的趨勢,達到一個穩(wěn)定的定態(tài)。這時,如果慢慢地減小加熱套7上的加熱功率,鈀片周邊的溫度隨著減低,卻不能帶動鈀片中心的溫度也跟著減低。即使鈀片周邊的溫度已低于120℃,鈀片中心的溫度卻仍然高于氘通量取峰值的溫度。因為負反饋過程要制止鈀片中心溫度下降的趨勢。在絕熱環(huán)3隔離下,即使加熱套上的加熱功率為零,依靠鈀片自身的發(fā)熱效應,鈀片中心的溫度卻仍能維持在高于氘通量取峰值的溫度。這就是自持發(fā)熱的狀態(tài)。圖1中的右側(cè)設有真空機組12,用于抽走透過鈀片的氘氣。在氘氣室1上方設有離子槍11,用于鈀片表面改性,以提高鈀片的發(fā)熱效率和壽命。在氘氣室1上方和真空室6的下方設有紅外線觀測窗10,用于觀測鈀片的溫度分布。測控儀表9可以通過計算機測量、記錄、控制氣壓、真空度、和鈀片溫度。在鈀片5與鈀片座2之間有絕熱環(huán)3,以減少兩者之間的熱傳導。鈀片5通過可伐4連接到絕熱環(huán)3。
圖3為氘通量透鈀實驗中的氘通量與發(fā)熱量的關聯(lián)圖。圖3上方多刺的曲線顯示透過鈀片的氘通量(右縱軸),光滑的曲線顯示鈀片上發(fā)出的熱流(左縱軸)。下方的曲線顯示鈀片的溫度隨時間逐漸下降。按照傳統(tǒng)的擴散理論,透過鈀片的氘通量也應該隨溫度單調(diào)下降??墒牵瑢嶒瀰s顯示在降到150℃以下時,氘通量出現(xiàn)了兩個異常的峰,而且伴隨著兩個異常的熱流峰。正是這兩個異常的氘通量峰,和與之相關聯(lián)的熱流峰造就了高溫側(cè)的負反饋運行區(qū),才有可能使鈀片進入自持發(fā)熱的狀態(tài)。
圖4為氘通量透鈀實驗中升溫和降溫階段不同的溫度分布示意圖。從圖中可看到“溫度梯度”的反轉(zhuǎn)。(鈀片中心從低溫區(qū)(白色)轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷貐^(qū)(紅色))。中間的溫度曲線表明升溫階段,是中間向下凹的溫度曲線;隨著加熱套功率增加,邊緣的溫度首先升到發(fā)熱區(qū)。由于在此低溫側(cè)的正反饋效應,發(fā)熱區(qū)迅速向中間延伸,直到形成中間高,圓周上溫度低的凸形溫度分布曲線。此時,如果降低加熱功率,雖然,周圍的溫度可能低于發(fā)熱區(qū)間(120℃~150℃),鈀片中心的溫度卻一直保持在發(fā)熱區(qū)的高溫側(cè)。由于負反饋效應,中間的溫度會一直維持下去,直到發(fā)熱功率擋不住周圍的散熱效應為止。
下面介紹本發(fā)明的實施例圖5為本發(fā)明一個實施例的簡單結(jié)構(gòu)示意圖。1—氘氣室,2—鈀片,3—真空室,4—內(nèi)有加熱元件的加熱套。在一個圓柱形不銹鋼管的中部加入一片圓形的鈀片(直徑2厘米,厚0.01厘米,純度優(yōu)于99.9%),左側(cè)是氘氣室(約80千帕),右側(cè)用機械泵抽成真空(~280帕)。即使沒有紅外線成像儀,對鈀片的溫度分布進行測量,只能用鉑電阻溫度計或熱電偶測量鈀片圓周邊緣上的溫度;即使沒有對系統(tǒng)進行良好的熱絕緣(未能與環(huán)境充分隔離),仍能看到圖6所示的鈀片2邊緣上的溫度與加熱功率的關系圖。可以看到(1)升溫與降溫的不對稱性;(2)在120℃附近,系統(tǒng)溫度的突變;(3)當加熱功率降到零,系統(tǒng)溫度仍能維持高于室溫相當長的一段時間。只要進一步改善系統(tǒng)的熱絕緣,系統(tǒng)就會進入自持發(fā)熱狀態(tài)。用銅片或鋁片替換鈀片作同樣實驗就看不到這三點異常。簡單的積分計算表明,在圖6所示的結(jié)果中,鈀片在9小時的實驗中放出了約19萬焦耳的熱能,相當于每克分子鈀放出了50多兆焦耳的熱能。遠遠超出任何已知的化學能。它可以為一個實用的能源裝置,而不伴隨著中子和伽瑪輻射。
權(quán)利要求
1.氘通量自持發(fā)熱方法,它采用氣態(tài)充氘法,其特征在于所述方法是在鈀片兩側(cè)保持一定的氘氣壓力差,利用氘通量在特定溫度處出現(xiàn)的峰形分布,再加上氘通量的發(fā)熱效應,使鈀片在升溫接近氘通量取峰值的溫度時,通過正反饋,使鈀片上的溫度迅速升溫,讓大部分鈀片的溫度高于氘通量峰值溫度,進入氘通量峰值的高溫側(cè),由于高溫側(cè)是負反饋運行區(qū),即此區(qū)內(nèi)鈀片溫度變低時,發(fā)熱自動增強,在鈀片上形成自持的溫度分布,使鈀片保持在自持發(fā)熱的運行狀態(tài),實現(xiàn)高強度的熱源。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的氘通量自持發(fā)熱方法,其特征在于所述鈀片兩側(cè)的壓力差為0.6~2.0大氣壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的氘通量自持發(fā)熱方法,其特征在于所述氘通量的發(fā)熱效應是指透過鈀片的氘通量與放出的熱量相關聯(lián),即氘通量變大時,放出的熱量也變大。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的氘通量自持發(fā)熱方法,其特征在于所述鈀片的溫度在120℃~150℃之間存在一個氘通量的峰形分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的氘通量自持發(fā)熱方法,其特征在于所述鈀片的厚度為0.08~0.12毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的氘通量自持發(fā)熱方法而提出的發(fā)熱裝置,其特征在于,它含有氘氣室(1)位于所述裝置的上方,它提供了一個穩(wěn)定的氘氣源;鈀片座(2)位于鈀片(5)和絕熱環(huán)(3)之外,用于支撐鈀片和絕熱環(huán);絕熱環(huán)(3)用于減少鈀片與鈀片座兩者之間的熱傳導;可伐聯(lián)接(4)用于連接絕熱環(huán)(3)和鈀片(5);鈀片(5)將所述裝置分成氘氣室(1)和真空室(6)上下兩室,它為發(fā)熱體;真空室(6)位于所述裝置的下方,被抽成真空以保持鈀片上、下方有一定的壓力差;加熱套(7)纏繞加熱元件;加熱元件(8)位于鈀片(5)周圍的加熱套(7)上,它可使鈀片周邊的溫度首先升高,然后帶動鈀片中心的溫度也跟著升高;測控儀表(9)用于測量、記錄、控制氣壓、真空度和鈀片溫度;紅外線觀測窗(10)設在氘氣室(1)上方和真空室(6)的下方,用于觀測鈀片的溫度分布;離子槍(11)設在氘氣室(1)上方,用于鈀片表面改性,以提高鈀片的發(fā)熱效率和壽命;真空機組(12)用于抽走透過鈀片的氘氣。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種屬于能源技術(shù)領域
的氘通量自持發(fā)熱方法及裝置。所述方法是在鈀片兩側(cè)保持氘氣壓力差,利用氘通量在特定溫度處出現(xiàn)的峰形分布,再加上氘通量的發(fā)熱效應,使鈀片在升溫接近氘通量取峰值的溫度時,通過正反饋使鈀片上的溫度迅速升溫,讓大部分鈀片的溫度高于氘通量峰值溫度,進入氘通量峰值的高溫側(cè),由于高溫側(cè)是負反饋運行區(qū),使鈀片保持在自持發(fā)熱的運行狀態(tài),實現(xiàn)高強度的熱源。其裝置主要含有穩(wěn)定氘氣源氘氣室,發(fā)熱體鈀片,真空室及加熱元件,測控儀表,紅外線觀測窗,真空機組。本發(fā)明的技術(shù)方案可行,特別是燃料來源于海水,豐富而無污染。其裝置結(jié)構(gòu)簡單,總發(fā)熱功率大小可調(diào),適于各種產(chǎn)業(yè)化的規(guī)模。
文檔編號G21H1/00GKCN1461013SQ03137691
公開日2003年12月10日 申請日期2003年6月20日
發(fā)明者李興中 申請人:清華大學導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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