專利名稱:一種中子防護體插塞的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種中子防護體插塞，具體來說是涉及一種核電廠反應(yīng)堆堆腔底部測量腔的孔內(nèi)插塞，主要作用是對中子輻射進行屏蔽。
背景技術(shù)：
核電廠反應(yīng)堆堆腔底部均設(shè)有測量腔以方便測量、檢修工作。與測量腔的園孔配合的插塞要同時具備一定的受壓強度、受拉強度、使用溫度及屏蔽中子輻射等條件，因此， 插塞的形狀和材料質(zhì)量是防護中子射線外漏的關(guān)鍵?，F(xiàn)有技術(shù)是采用聚乙烯、聚氯醚、聚酯樹脂、氧化鋁、硬硼鈣石為原材料，經(jīng)過配料、捏合、擠出、注塑成型等工序生產(chǎn)出塑料制品作為中子防護體插塞；其存在的缺陷是原材料中聚氯醚因為生產(chǎn)工藝復(fù)雜而難以生產(chǎn)， 原料非常緊缺。聚酯樹脂熔融溫度太高導(dǎo)致加工成型溫度高而不利于生產(chǎn)。由于現(xiàn)有插塞為整體圓柱體，加工成型時不但模具大造成注塑壓力大，而且整體圓柱體又不容易與測量腔配合。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種中子防護體插塞。使其能夠有效吸收屏蔽中子射線產(chǎn)生的輻射，具有在熱中子輻射下的穩(wěn)定性和良好的機械強度，插塞采用小塊拼圖形式組合而成，不但降低了注塑成型的工作壓力，而且更容易與測量腔配合，同時方便檢修與更換。
本實用新型實現(xiàn)上述目的采取的技術(shù)方案是一種中子防護體插塞由上、下兩層形狀對稱的前后塊、左右塊和中間塊組成，其中，上、下兩層的前后塊、左右塊的外圓均為圓弧曲面，中間塊均為四棱柱體形狀，組合后形成圓柱體結(jié)構(gòu)，在上、下兩層前后塊的圓弧曲面上分別加工有寬度相同、但深度不同的凹槽，使上、下兩層組合后凹槽正好銜接連接。
本實用新型插塞采用小塊拼圖形式組合而成，不但降低了注塑成型的工作壓力， 而且更容易與測量腔配合，同時方便檢修與更換。本實用新型經(jīng)過配料、捏合、擠出、注塑成型等工序生產(chǎn)出塑料制品作為中子防護體插塞，具有在熱中子輻射下的穩(wěn)定性和良好的機械強度，能夠有效吸收屏蔽中子射線產(chǎn)生的輻射。


圖1是本實用新型中子防護體插塞的下層結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型中子防護體插塞的上層結(jié)構(gòu)示意圖。
圖巾1.下層右側(cè)塊，2.下層左側(cè)塊，3.下層前側(cè)塊，4.下層后側(cè)塊，5.下層中間塊，6.上層右側(cè)塊，7.上層左側(cè)塊，8.上層前側(cè)塊，9.上層后側(cè)塊，10.上層中間塊。
具體實施方式
本實用新型以下將結(jié)合實施例做進一步描述，但本實用新型不局限以下實施例。
如圖1-2所示，本實用新型所述的中子防護體插塞為圓柱體形狀，由直徑相同的上下兩層拼放在一起組合為上下兩段圓柱體。其中下層包括下層右側(cè)塊1、下層左側(cè)塊2、下層前側(cè)塊3、下層后側(cè)塊4、下層中間塊5 (如圖1所示)，上層包括上層右側(cè)塊6、上層左側(cè)塊7、上層前側(cè)塊8、上層后側(cè)塊9、上層中間塊10 (如圖2所示)。為了方便更換和生產(chǎn)， 下層的下層右側(cè)塊1、下層左側(cè)塊2與上層的上層右側(cè)塊6、上層左側(cè)塊7的形狀對稱，下層的下層前側(cè)塊3、下層后側(cè)塊4和上層的上層前側(cè)塊8、上層后側(cè)塊9形狀對稱，每塊的外圓均為圓弧曲面，組合后形成圓柱體結(jié)構(gòu)。下層的下層中間塊5和上層的上層中間塊10形狀對稱，均為四棱柱體形狀。在下層前側(cè)塊3、下層后側(cè)塊4和上層前側(cè)塊8、上層后側(cè)塊9的的圓弧曲面中心分別加工有寬度相同、但深度不同的凹槽，下層的下層右側(cè)塊1、下層左側(cè)塊2、下層前側(cè)塊3、下層后 側(cè)塊4、下層中間塊5與上層的上層右側(cè)塊6、上層左側(cè)塊7、上層前側(cè)塊8、上層后側(cè)塊9、上層中間塊10對應(yīng)部分的大小均不相同，由此避免上下塊之間的組合縫隙不出現(xiàn)重合現(xiàn)象，從而更好防止射線泄露。將下層的下層右側(cè)塊1、下層左側(cè)塊2、 下層前側(cè)塊3、下層后側(cè)塊4、下層中間塊5靠緊組合成下半截圓柱體，上層右側(cè)塊6、上層左側(cè)塊7、上層前側(cè)塊8、上層后側(cè)塊9、上層中間塊10靠緊組合成上半截圓柱體，下半截圓柱體與上半截圓柱體連接后上下凹槽正好銜接。
權(quán)利要求
1.一種中子防護體插塞，其特征在于由上、下兩層形狀對稱的前后塊(3、4、8、9)、左右塊(1、2、6、7)和中間塊(5、10)組成，其中，上、下兩層的前后塊、左右塊的外圓均為圓弧曲面，中間塊均為四棱柱體形狀，組合后形成圓柱體結(jié)構(gòu)，在上、下兩層前后塊的圓弧曲面上分別加工有寬度相同、但深度不同的凹槽，使上、下兩層組合后凹槽正好銜接連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的中子防護體插塞，其特征在于所述下層的下層右側(cè)塊(1)、 下層左側(cè)塊(2)、下層前側(cè)塊(3)、下層后側(cè)塊(4)、下層中間塊(5)與上層的上層右側(cè)塊 (6)、上層左側(cè)塊(7)、上層前側(cè)塊(8)、上層后側(cè)塊(9)、上層中間塊(10)對應(yīng)部分的大小均不相同。
專利摘要
本實用新型公開的中子防護體插塞由上、下兩層形狀對稱的前后塊(3、4、8、9)、左右塊(1、2、6、7)和中間塊(5、10)組成，其中，上、下兩層的前后塊、左右塊的外圓均為圓弧曲面，中間塊均為四棱柱體形狀，組合后形成圓柱體結(jié)構(gòu)，在上、下兩層前后塊的圓弧曲面上分別加工有寬度相同、但深度不同的凹槽，使上、下兩層組合后凹槽正好銜接連接。本實用新型能夠有效吸收屏蔽中子射線產(chǎn)生的輻射，具有在熱中子輻射下的穩(wěn)定性和良好的機械強度，插塞采用小塊拼圖形式組合而成，不但降低了注塑成型的工作壓力，而且更容易與測量腔配合，同時方便檢修與更換。
文檔編號G21F3/00GKCN202076013SQ201120026109
公開日2011年12月14日 申請日期2011年1月27日
發(fā)明者楊大濤, 王堂釗, 翟彥利, 賈進營, 陳耀峰 申請人:鄭州雙輻射線防護器材有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan