專利名稱：：摻釹和鈰的釔鋁石榴石激光晶體的生長技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及摻釹和鈰的釔鋁石榴石[(Nd，Ce)∶YAG]激光晶體的引上生長方法。直到目前為止(Nd∶YAG)單晶仍然是性能優(yōu)良而且廣泛應(yīng)用的激光晶體。但這種晶體的激光效率不高，為了提高效率，許多科技工作者進(jìn)行了大量研究。通常采用的也是比較成功的方法是在Nd∶YAG晶體中摻入所謂的敏化離子。利用敏化離子到Nd3+的能量轉(zhuǎn)移來提高泵浦光源的利用率，從而提高Nd∶YAG晶體的激光效率。目前公認(rèn)的最佳敏化離子是Cr3+，但在YAG晶體中，Cr3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移效率不高，而且轉(zhuǎn)移時(shí)間太長，因此Cr3+的敏化效果不好。特別是在脈沖操作中幾乎無明顯效果。尋求Nd∶YAG晶體的更佳敏化離子是激光晶體研究中的一個(gè)重要課題。Holloway(1)等最早觀察到Y(jié)AG晶體中Ce3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象。但只是一個(gè)現(xiàn)象的觀察，并未說明使用樣品的情況，對能量轉(zhuǎn)移的機(jī)理也未進(jìn)行討論。КОВАЛеВА等(2)在1977年的報(bào)導(dǎo)中指出，從Nd3+的熒光激發(fā)譜看，對于所用的兩個(gè)樣品而言，摻Ce3+后Nd3+的總熒光強(qiáng)度比Nd∶YAG晶體提高一倍和二倍，因而可以用Ce來敏化Nd∶YAG。但КОВАЛеВА所用的樣品是熔體中自發(fā)結(jié)晶生長的片狀單晶，而單晶的尺寸未加說明。其樣品的Nd濃度分別為1.4和1.7(wt)%，Ce的濃度分別為0.4和0.8(wt)%。顯然КОВАЛеВА所用的摻雜濃度遠(yuǎn)大于一般激光晶體中的Nd濃度。Mares(3)在其幾篇報(bào)導(dǎo)中對YAG晶體中Ce3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移進(jìn)行了仔細(xì)的研究。所用樣品的Nd濃度為0.96(at)%，Ce的濃度為1.4×10-3～2.8×10-2(at)%(據(jù)Mares自稱，所用樣品由Kvapil提供)。Mares指出，Ce與Nd間既存在輻射能量轉(zhuǎn)移，也存在無輻射能量轉(zhuǎn)移。輻射能量轉(zhuǎn)移的效率為14.2%，無輻射能量轉(zhuǎn)移是通過偶極-偶極作用和偶極-四極作用進(jìn)行的，由于這一過程的發(fā)生，Ce3+的熒光壽命從Ce∶YAG的60ns降到雙摻的32～39ns。Mares還指出，在低Ce3+濃度情況下，(Ce3+→Ce3+)n→Nd3+的多階過程產(chǎn)生的可能性不大，但Ce3+濃度高時(shí)，有產(chǎn)生這種多階過程的可能。不過，按Jacobs(4)的報(bào)導(dǎo)，在高濃度時(shí)可能出現(xiàn)Ce3+的激發(fā)態(tài)吸收。Kvapil(5)等曾利用摻Ce來改進(jìn)Nd∶YAG的激光性能。他們認(rèn)為，雖然在YAG晶體中有Ce3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移，可以用來提高激光效率，但能量轉(zhuǎn)移的效率不高，而且大量的Ce摻入會象摻Cr3+一樣嚴(yán)重降低晶體的光學(xué)質(zhì)量。因此摻大量的Ce3+來敏化Nd3+的總體使用效益不高?；谶@一觀點(diǎn)，他們摻Ce3+的目的不是利用Ce3+的敏化作用，而是利用少量Ce3+來抑制Nd∶YAG晶體的瞬時(shí)色心和加強(qiáng)不等效晶位Nd3+間的能量轉(zhuǎn)移，從而提高激光效率。Kvapil指出，少量Cr3+摻入，特別是同時(shí)摻入少量Ce3+，可以有效地抑制瞬時(shí)色心的形成，從而提高連續(xù)激光輸出，但當(dāng)Cr3+和Ce3+的濃度高于10-2(at)%時(shí)，這種抑制瞬時(shí)色心形成的作用減弱和消失。對于脈沖激光輸出，摻Ce和Cr的Nd∶YAG與(Nd，Ti)∶YAG類似。Kvapil報(bào)導(dǎo)的(Nd，Ce)∶YAG中Nd的濃度為0.6～0.7(wt)%，Ce的濃度為8×10-4(wt)%、3×10-3(wt)%和2×10-2(at)%。在(Nd，Cr，Ce)∶YAG中Nd和Ce的濃度也是如此。在〔5〕中沒有關(guān)于晶體生長的詳細(xì)報(bào)導(dǎo)，但從Kvapil(6)的其他工作看，他們用的是鎢加熱器，鉬鍋系統(tǒng)進(jìn)行引上生長的。在這些報(bào)導(dǎo)中，均未說明生長界面的形狀，但從對激光棒的選取和加工看，他們的生長界面是凸向熔體的。生長時(shí)的保護(hù)氣氛是98%的Ar和2%的H2。從Kvapil(5)和Mares(3)所給出的激光檢測數(shù)據(jù)看，其(Nd，Ce)∶YAG的連續(xù)輸出與Nd∶YAG相比無明顯改進(jìn);而(Nd，Cr，Ce)∶YAG的連續(xù)輸出比Nd，YAG提高10%左右。如上所述，在Nd∶YAG中摻Ce可以利用Ce3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移來提高激光效率，但另一方面，摻Ce也會嚴(yán)重影響晶體的光學(xué)質(zhì)量。本發(fā)明的目的就是找出一種恰當(dāng)?shù)纳L(Nd，Ce)∶YAG晶體的方法，使Ce的敏化作用得以充分利用，又可消除或盡量減輕Ce對光學(xué)均勻性的損害。從而使(Nd，Ce)∶YAG晶體成為激光性能優(yōu)于Nd∶YAG而且價(jià)格低廉，能廣泛推廣的實(shí)用激光晶體。本發(fā)明是一種(Nd，Ce)∶YAG激光晶體的引上生長法。其中包括粉料的灼燒，配制，混合和成型，然后于坩鍋中加熱至熔和下籽晶進(jìn)行旋轉(zhuǎn)引上生長。其特征為按化學(xué)式Y(jié)3-x-yNdxCeyAl5O12配料;其中x＝0.0～0.27，y＝5×10-3～0.15;籽晶方向?yàn)?amp;lt;111>，<110>或<211>，晶體直徑與坩鍋內(nèi)徑比小于1/2;晶體轉(zhuǎn)速為10～150r/min;提拉速度為0.3～3mm/h;保護(hù)氣氛為還原性或中性氣氛?，F(xiàn)將本發(fā)明詳述如下如文獻(xiàn)[1-3]所述，在YAG晶體中有Ce3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移。КОВАЛеВА[2]從Nd的熒光激發(fā)譜的測量結(jié)果中估計(jì)，對所用的熔體自發(fā)結(jié)晶的樣品而言，摻Ce后Nd的熒光強(qiáng)度為不摻Ce晶體的2～3倍。而Mares[3]從Ce熒光中Nd3+的吸收而產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)估計(jì)Ce3+→Nd3+的輻射能量轉(zhuǎn)移效率約為14.2%。除有輻射能量轉(zhuǎn)移外，Mares指出也有Ce3+→Nd3+的無輻射能量轉(zhuǎn)移過程，甚至在Ce濃度高時(shí)，還有(Ce3+→Ce3+)n→Nd3+的多價(jià)能量轉(zhuǎn)移過程。由這些結(jié)果不難看到在YAG中，Ce3+→Nd3+的總能量轉(zhuǎn)移效率可能與Ce3+的濃度有關(guān)。另一方面，正如Kvapil[5]所指出，大量的Ce摻入會嚴(yán)重?fù)p害晶體的光學(xué)質(zhì)量，其主要原因之一是Ce3+的離子半徑比Y3+大，同時(shí)也比Nd3+大，因此，在Nd∶YAG中摻入大量Ce，自然會增大應(yīng)力從而損害晶體的光學(xué)質(zhì)量?？傊?，從提高能量轉(zhuǎn)移效率而言，希望Ce的濃度高，而從Ce對光學(xué)質(zhì)量的影響看，則要求Ce的濃度愈低愈好。我們認(rèn)為能量轉(zhuǎn)移效率與光學(xué)質(zhì)量的最佳折衷是與Ce3+/Nd3+的濃度比有關(guān)。因此，尋找最佳濃度比是既能充分利用Ce3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移，又能消除或盡量減輕Ce的危害的重要途徑。這也是本發(fā)明的一個(gè)重要內(nèi)容。如所周知，在引上生長中，晶體轉(zhuǎn)速和拉速等生長參數(shù)對晶體質(zhì)量有嚴(yán)重影響。而這些生長參數(shù)的最佳值則與熔體組份、加熱方式、所用熱場、坩鍋尺寸及晶體直徑等因素有關(guān)。例如，拉速過快會產(chǎn)生組份過冷，過慢則由于熔體中的溫度振蕩使晶體處于過度和過于頻繁的生長-回熔-再生長狀態(tài)下生長而影響晶體質(zhì)量。對一定系統(tǒng)而言，生長不同直徑的晶體拉速也應(yīng)有相應(yīng)的調(diào)整。因此，不難想到對于一定的生長系統(tǒng)，不同組份的熔體，也應(yīng)相應(yīng)地調(diào)整生長參數(shù)。例如，高Nd濃度和高Ce濃度的熔體，拉速應(yīng)適當(dāng)放慢?？傊瑢ふ易罴焉L參數(shù)是本發(fā)明的另一重要內(nèi)容。使用的原料最好是高純的，氧化釔和氧化釹的純度不低于99.99%，氧化鋁的純度不低于99.95%分析純，氧化鈰的純度不低于分析純，最好是用光譜純。在稱量前，所有原料均需經(jīng)干燥處理。經(jīng)干燥處理的原料按化學(xué)式Y(jié)3-x-yNdxCeyAl5O12，稱量配制。在確定x和y值時(shí)，必須考慮Nd和Ce在YAG中的分凝系數(shù)，按實(shí)測或文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的Nd分凝系數(shù)(0.15～0.20)和Ce的分凝系數(shù)(0.124)以及所希望的晶體中Nd和Ce的濃度來確定x和y的大小。x一般為0～0.27，對具體使用來說較佳值為0.09～0.18;y一般為5×10-3～0.15甚至還可以更大些，但從總體效果看，較佳值為0.006～0.04。稱好的原料經(jīng)研磨混合預(yù)壓成型，再經(jīng)1100～1600℃灼燒(也可以不經(jīng)灼燒)。應(yīng)該指出，在配料，研磨混合及成型過程中必須嚴(yán)防混入鐵和其它雜質(zhì)。利用一般引上生長系統(tǒng)進(jìn)行晶體生長。加熱方式可以用電阻加熱或感應(yīng)加熱。在使用石墨或鎢電阻加熱法時(shí)，其熱場結(jié)構(gòu)的示意圖如附圖1所示。圖中1是鉬籽晶桿，2是籽晶，3是晶體，4是熔體，5、6、7是鉬上保溫屏，8是鉬坩鍋，9是鉬鍋托，10、11、12是鉬側(cè)保溫屏、13是內(nèi)屏蔽筒、14是電阻加熱器、15是托盤、16是電極板、17是鉬臺罩、18是連接件、19是氧化鋁墊片。在使用感應(yīng)加熱時(shí)，其熱場結(jié)構(gòu)的示意圖如附圖2所示。圖中1是觀察孔，2是拉晶孔，3是籽晶桿，4是籽晶，5是二氧化鋯保溫罩，6是晶體，7是熔體，8是銥坩鍋，9是感應(yīng)線圈，10是二氧化鋯保溫沙，11是陶瓷保溫筒，12是托盤。將預(yù)壓成型的原料置于坩鍋中緩慢加熱至熔。在利用電阻加熱時(shí)，使用鉬或鎢坩鍋;在利用感應(yīng)加熱時(shí)，使用銥坩鍋。待原料充分熔化后，逐漸下降籽晶。籽晶方向是<111>，也可使用<110>、<211>或其它方向的籽晶，但最好是<111>±5°的籽晶。待籽晶接觸熔體并穩(wěn)定后，開始提拉生長。在下籽晶過程中，熔體溫度需適當(dāng)調(diào)整。在生長的最初階段和一般引上生長一樣，需經(jīng)收頸和放肩過程。轉(zhuǎn)入等徑生長后，晶體的直徑應(yīng)控制到小于坩鍋內(nèi)直徑的1/2，一般為1/2.5～1/4，最好在1/3～1/3.5范圍內(nèi)。如所周知，引上生長Nd∶YAG晶體時(shí)，轉(zhuǎn)速和拉速等生長參數(shù)選用得當(dāng)與否，對晶體的性能有很大影響。由于Ce3+的離子半徑比Nd3+和Y3+都大，因此，在生長(Nd，Ce)∶YAG時(shí)，生長參數(shù)的選用更為重要。例如，轉(zhuǎn)速的大小及其穩(wěn)定度對晶體生長界面的形狀和光學(xué)均勻性都有很大影響。本發(fā)明所使用的轉(zhuǎn)速在10～150r/min范圍內(nèi)，通過轉(zhuǎn)速的選擇，可使晶體生長以凸向熔體的凸界面生長;也可以平界面生長。當(dāng)選用凸界面生長時(shí)，轉(zhuǎn)速一般低于45r/min，如用電阻加熱，其較佳值為10～30r/min;用感應(yīng)加熱，其較佳值為10～40r/min。當(dāng)選用平界面生長時(shí)，電阻加熱的較佳轉(zhuǎn)速為50～120r/min，感應(yīng)加熱的較佳轉(zhuǎn)速為50～100r/min。至于轉(zhuǎn)速的最佳數(shù)值，不僅和生長界面的形狀有關(guān)，而且與坩鍋尺寸和晶體直徑有關(guān)。一般說來，晶體直徑與坩鍋直徑的比大，轉(zhuǎn)速應(yīng)低些;比值小轉(zhuǎn)速應(yīng)高些。應(yīng)該指出，轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定性也是一個(gè)重要因素，特別是平界面生長時(shí)，轉(zhuǎn)速的瞬時(shí)起伏不得超過±0.5r/min。提拉速度是另一個(gè)重要生長參數(shù)。拉速過大會產(chǎn)生組份過冷使晶體報(bào)廢，拉速過小可能使晶體在過于頻繁的生長-回熔-再生長過程中生長，會加重生長條紋應(yīng)力。拉速的選用應(yīng)根據(jù)所使用的熱場情況，摻雜濃度，界面形狀和晶體的直徑等因素決定。本發(fā)明所用的拉速范圍是0.3～3.0mm/h，在凸界面生長時(shí)，電阻加熱的較佳拉速為0.8～1.4mm/h，感應(yīng)加熱的較佳拉速為0.5～1.2mm/h。在平界面生長時(shí)，電阻加熱的較佳拉速為1.1～2.2mm/h，感應(yīng)加熱的較佳拉速為0.6～1.5mm/h。一般說來，晶體的直徑大或摻雜濃度高，拉速應(yīng)慢;反之，拉速可適當(dāng)加塊。另一個(gè)需要特別說明是生長時(shí)的保護(hù)氣氛。由于摻入Ce，Ce離子可能是三價(jià)，也可能是四價(jià)，而且四價(jià)態(tài)更為穩(wěn)定。具有敏化作用的是三價(jià)Ce，因此，生長時(shí)的保護(hù)氣氛應(yīng)是中性的，但最好是還原性的。本發(fā)明用的保護(hù)氣氛是純度為4N的Ar，也可用N2或Ar+H2和Ar+N2。在引上生長中，溫度控制的重要性是大家熟知的，本發(fā)明要求控溫精度不低于±0.5℃。實(shí)例1.按化學(xué)式Y(jié)3-x-yNdxCeyAl5O12配稱原料，其中x＝0.12，y＝0.06。原料總重為300克。配好的原料置于瑪瑙缽中混合1小時(shí)，然后裝入特制乳膠袋內(nèi)(共用四層)，置于油壓機(jī)內(nèi)預(yù)壓成型。壓制好的料塊置于附圖1所示的坩鍋中，坩鍋為鉬片沖壓而成的φ60×30mm坩鍋，封閉爐門，按通常生長Nd∶YAG晶體的方法抽真空，充Ar氣。利用石墨電阻加熱元件(如附圖1中的14)緩慢加熱至完全熔化。逐漸降下籽晶，籽晶方向?yàn)?amp;lt;111>±5°。在籽晶下降到液面時(shí)，需調(diào)整熔體溫度使其適于進(jìn)行引上生長。待籽晶接觸熔體后，穩(wěn)定1小時(shí)，然后開始提拉生長。在生長過程中，轉(zhuǎn)速為80r/min，拉速為2mm/h。等徑部分的直徑控制為20～23mm?？販鼐炔坏陀凇?.5℃。結(jié)束生長時(shí)，人工提起晶體使其剛好脫離液面。然后停止提拉并緩慢降溫，用10小時(shí)的時(shí)間降至600℃，斷電隨爐冷至室溫，從而結(jié)束整個(gè)生長過程。實(shí)例2原料的配制和生長過程與實(shí)例1相同，所不同的是轉(zhuǎn)速為15r/min，拉速為1.2mm/h。其它實(shí)例中的原料組份，加熱方式，坩鍋情況以及生長參數(shù)均列于表1中。其它過程與方法和實(shí)例1或?qū)嵗?相同。應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)生長的(Nd，Ce)∶YAG晶體，可充分地利用Ce3+→Nd3+的能量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象，而且避免或減弱了Ce3+對晶體光學(xué)質(zhì)量的影響。避開小面生長區(qū)加工成的φ3～φ6的激光棒的消光比大于25dB的超過90%，而且其中絕大部分超過30dB。僅有極少數(shù)激光棒的消光比低于20dB〔而且這是由于沒有完全避開小面區(qū)所致〕。除了在光學(xué)均勻性方面能完全滿足實(shí)用要求外，本發(fā)明生長的(Nd，Ce)∶YAG晶體還具有以下優(yōu)點(diǎn)(Nd，Ce)∶YAG晶體的激光效率高。就已達(dá)到的結(jié)果看，在10焦耳輸入時(shí)，其靜態(tài)效率可比1986年全國Nd∶YAG晶體制量評比的獲獎(jiǎng)棒高70%以上，而且在輸入5～6焦耳時(shí)約提高一倍。附圖3是部分(Nd，Ce)YAG晶體的靜態(tài)脈沖輸出與86年全國質(zhì)量評比獲獎(jiǎng)的NdYAG(評比編號H510)在同樣測試條件下的對比。測試使用的聚光腔為橢圓(2a＝24，2b＝21mm)，腔長70mm，氙燈為φ5.3×60mm，輸出鏡反射率為45%，使用的能量計(jì)為美國Boulder公司365型。附圖3中曲線1～5是(Nd，Ce)∶YAG的靜態(tài)脈沖輸出曲線。激光棒的尺寸1～3是φ5×80mm，4是φ5×65mm，5是φ4×50mm。曲線6是1986年全國Nd∶YAG質(zhì)量評比獲獎(jiǎng)的Nd∶YAG的輸出曲線(評比編號為H510)，棒的尺寸為φ5×76mm。由圖可見，曲線1和2在10焦耳輸入時(shí)比6的輸出高70%以上。(Nd，Ce)∶YAG晶體的激光閾值明顯地低于現(xiàn)在的優(yōu)質(zhì)Nd∶YAG棒。從附圖3可以看到，(Nd，Ce)∶YAG晶體的激光閾值降低了0.5～1.0焦耳。(Nd，Ce)∶YAG晶體具有較強(qiáng)的抗紫外輻照能力。利用這種晶體的激光器不需要濾紫外措施。這一特性不僅避免了濾光液等帶來的污染，簡化了器件，而且可使光源的340nm附近的紫外光能得到有效的利用。(Nd，Ce)∶YAG晶體沒有通常Nd∶YAG晶體的輸出衰減現(xiàn)象。我們在19.2焦耳的輸入下，以每5秒一次的重復(fù)頻率連續(xù)長時(shí)間工作，其每次輸出的能量是穩(wěn)定的。而Nd∶YAG晶體常有明顯的逐漸降低現(xiàn)象，嚴(yán)重時(shí)可降低20%以上。(Nd，Ce)∶YAG晶體在重復(fù)頻率工作下的特性明顯優(yōu)于Nd∶YAG晶體。在簡單的風(fēng)冷條件下，(Nd，Ce)∶YAG晶體的脈沖激光輸出隨重復(fù)頻率而下降的速度明顯慢于Nd∶YAG晶體。表2是(Nd，Ce)∶YAG晶體與86年全國Nd∶YAG棒質(zhì)量評比的獲獎(jiǎng)棒在不同重復(fù)頻率下輸出能量的比較。表2.(Nd，Ce)∶YAG棒與Nd∶YAG在重復(fù)頻率下激光輸出對比</tables>(Nd，Ce)∶YAG晶體激光輸出時(shí)環(huán)境溫度的穩(wěn)定性強(qiáng)。在強(qiáng)迫閉合風(fēng)冷條件下，以10次/秒的重復(fù)頻率工作，當(dāng)環(huán)境溫度從30℃上升到100℃時(shí)，(Nd，Ce)∶YAG晶體的激光輸出能量僅下降5～6%，并可長時(shí)間(10分鐘以上)工作，在環(huán)境溫度升到150℃時(shí)仍能正常工作。而Nd∶YAG在同樣工作條件下，在50℃的環(huán)境中工作90秒后就幾乎無激光輸出。參考文獻(xiàn)[1]W.W.Hollowayet.al.，J.Opt.Soc.Am.V59，60，(1969)[2]Н.С.Ковалеваи.др.，Ж.Прик、Спект.Т27，546(1977)[3]J.A.Marěs;Czech，J.Phyz.B35883(1985);B36，1079(1986);Rev.Phyz.Appl，V22，145，(1987)[4]R.R.Jacobset.al.，Appl.Phyz.Lett.V33，410(1978)[5]J.Kvapilet.al.，Czech.J.Phyz.B34581(1984)B.Perneret.al.，捷克專利，240641[6]J.Kvapilet.al.，ibid.B291282(1979)[7]J.Kvapilet.al.，ibid.B23817(1982)權(quán)利要求1.一種(Nd，Ce)∶YAG激光晶體的引上生長方法，其中包括粉料的灼燒、配制、混合與成型，然后于坩鍋中加熱至熔和下籽晶，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)引上生長。其特征為按化學(xué)式Y(jié)3-x-yNdxCeyAl5O12配料，其中x=0～0.27，y=5×10-3～0.15；籽晶方向?yàn)?amp;lt;111>、<110>或<211>；晶體直徑與坩鍋內(nèi)直徑比小于1/2；晶體轉(zhuǎn)速為10～150r/min，拉速為0.3～3mm/h；保護(hù)氣氛為還原性或中性氣氛。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征為化學(xué)式Y(jié)3-x-yNdxCeyAl5O12中x＝0.09～0.18，y＝0.006～0.04;晶體中Nd濃度為0.6(at)%～1.2(at)%，Ce的濃度為2.5×10-2(at)%～0.16(at)%。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法，采用石墨電阻加熱和鉬坩鍋，以凸界面進(jìn)行生長，轉(zhuǎn)速為10～40r/min，提拉速度為0.8～1.4mm/h。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，以平界面進(jìn)行生長，轉(zhuǎn)速為50～120r/min，提拉速度為1.0～2.2mm/h。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法，采用感應(yīng)加熱和銥坩鍋，并以凸界面進(jìn)行生長，轉(zhuǎn)速為10～40r/min，提拉速度為0.5～1.5mm/h。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，以平界面進(jìn)行生長，轉(zhuǎn)速為50～100r/min，提拉速度為0.6～1.5mm/h。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法，采用鎢電阻加熱和鉬坩鍋或鎢坩鍋，以凸界面進(jìn)行生長，轉(zhuǎn)速為10～40r/min，提拉速度為0.8～1.4mm/h。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述方法，以平界面進(jìn)行生長，轉(zhuǎn)速為60～120r/min，提拉速度1.0～2.2mm/h。9.根據(jù)上述任一項(xiàng)權(quán)力要求所述方法，其中籽晶方向?yàn)?amp;lt;111>±5°，<110>±5°或<211>±5°。10.根據(jù)上述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述方法，其中粉料充分研磨均勻，配料前在1000～1350℃下灼燒2～8小時(shí)。全文摘要本發(fā)明涉及摻釹和鈰的釔鋁石榴石[(Nd，Ce):YAG]激光晶體的引上生長方法，包括組份、加熱方法及轉(zhuǎn)速和拉速等生長參數(shù)的選取等方面。本發(fā)明在不損害晶體光學(xué)質(zhì)量的條件下有效地利用了Ce文檔編號C30B29/28GK1030798SQ8810265公開日1989年2月1日申請日期1988年5月9日優(yōu)先權(quán)日1988年5月9日發(fā)明者翟清永,張思遠(yuǎn),王慶元,陳朝元,應(yīng)佐慶,羅魏良,姚光華,肖宗朝,梁澤榮,武士學(xué),孫洪建,石全州,黃昌明,張生秀申請人:西南技術(shù)物理研究所