專利名稱：一種具有三層結構導線的顯示板及包括該顯示板的一種顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示板及該顯示板的一種裝配結構，特別地涉及構成液晶顯示裝置、EL(場致發(fā)光)顯示裝置和其他顯示裝置的顯示面板的一部分的一種顯示板，以及該顯示板的一種裝配結構。


圖1顯示了根據一般的裝配方法(驅動IC裝配方法)裝配的一矩陣形液晶顯示裝置。通過將液晶(未顯示)封裝在一下基板221和一上基板222之間組成一顯示板，構造成一LCD面板201。下基板221的周邊部位配備有許多導線206、207，這些導線206、207從含有象素的顯示區(qū)域203向外朝其邊緣伸展。在顯示板邊緣一側上的導線206、207的端部用作電極端(為了簡單起見，在本說明書中，假定該電極端包括在導線中)。圖2是沿圖1中的2-2線的一剖視圖。如圖2中所示，下基板221的導線206具有，例如二層結構，該二層結構包括厚度大約為3000 的由Ta(鉭)制成的薄膜209和置于該Ta薄膜之上的厚度大約為800 的由ITO(銦錫氧化物)制成的薄膜210(見，例如日本專利申請公開SHO 63195687)。如圖1中所示，在已裝配的情形下，設置有驅動IC224。225的軟性導線板204、205與下基板221的每一導線206、207連接。更詳細地說，如圖2中所示，軟性導線板204具有Cu制成的輸出端208，該輸出端位于導線板204的基膜即用聚酰亞胺樹脂制成的基底217上，并鍍有Sn、Au或類似物。下基板221的導線206的端部通過具有導電性的一連接材料211與軟性導線板204的輸出端208連接。在操作中，驅動IC 224輸出的一顯示信號經軟性導線板204的輸出端208。連接材料211以及下基板221的導線206提供給顯示區(qū)域。
圖3顯示了根據COG(Chip On Glass)方法裝配的一已有的矩陣形液晶顯示裝置。通過將液晶(未顯示)封裝在下一基板121和一上基板122之間組成一顯示板，構造成一LCD面板101。在下基板121的周邊部位，配備有許多導線126a和126b，以及127a和127b，這些導線從具有象素的一顯示區(qū)域123向外伸展。導線126a和126b，以及127a和127b的邊緣側的端部用作電極端。在導線126a、127a的基板的邊緣一側上，還配備有與導線126a、127a隔開的導線126b、127b。這些導線126b、127b向基板的邊緣伸展。圖4是沿圖3中的4-4線的一剖視圖。如圖4中所示，下基板121的導線126a和導線126b均具有兩層結構，該兩層結構包括厚度為大約3000 的一Ta薄膜129和置于該Ta薄膜129上的厚度為大約800 的-ITO薄膜130。如圖3中所示，在裝配狀態(tài)下，驅動IC 124、125設置于下基板121上，位于導線126a、127a與導線126b、127b之間，軟性導線板133、134分別與導線126b、127b連接。更詳細地，如圖4中所示，驅動IC 124具有一輸出側隆起(bump)電極128a和一輸入側隆起電極128b。該輸出側隆起電極128a和輸入側隆起電極128b通過一具有導電性的連接材料131分別與導線126a和導線126b連接。同時，軟性導線板133在其用聚酰胺樹脂制成的基底137的一表面上具有鍍Sn、Au或類似物的由Cu制成的輸出端135。該輸出端135經一具有導電性的連接材料136與下基板121的導線126b的端部連接。在操作中，經軟性導線板133的輸出端135、連接材料136、導線126b、連接材料131以及輸入側隆起電極128b，一電源和一輸入信號提供給驅動IC 124。然后，經輸出側隆起電極128a、連接材料131。以及導線126a，從驅動IC124輸出的一顯示信號提供給該顯示區(qū)域。
在上述的兩種液晶顯示裝置中，導線206、207(圖1和2中所示)以及導線126a和126b;127a和127b(圖3和4中所示)具有由Ta薄膜(下薄膜)和ITO薄膜(上薄膜)組成的兩層結構。由于Ta薄膜的表面(Sheet)電阻率大約為3Ω/□，而ITO薄膜的表面(Sheet)電阻率大約為50Ω/□，因此，從顯示板的周邊提供給顯示區(qū)域的電源及信號主要經過Ta薄膜，即下層。在此兩層結構中，由于Ta薄膜上存在ITO薄膜，所以在顯示板的構造完成以后，可以防止Ta薄膜表面的氧化。
然而，在具有由Ta薄膜和ITO薄膜組成的兩層結構的導線206、207(如圖1和2中所示)以及導線126a和126b;127a和127b(圖3和4中所示)中，下層即Ta薄膜的表面在ITO薄膜形成期間氧化。另外，在ITO薄膜上制作布線圖案的過程中進行再加工時，Ta薄膜受到用于ITO薄膜的蝕刻劑(氯化鐵溶液)的腐蝕，并且性質發(fā)生改變。因而，ITO薄膜和Ta薄膜之間連接處的電阻率顯著地改變，導致流量減少。根據一實驗，由于在顯示板裝配過程中不穩(wěn)定因素的影響，ITO薄膜和Ta薄膜之間連接處的電阻率在大約2×104-107Ω·μm2范圍里。當Ta薄膜的表面被氧化而其性質發(fā)生改變，并且Ta薄膜與ITO薄膜之間連接處的電阻率增加時，從驅動IC到顯示區(qū)域的電阻率增加，從而顯示信號失真，導致圖像顯示質量下降。當相應于圖像顯示較好的導線206、207(圖1和2中所示)以及導線126a和126b;127a和127b(圖3和4中所示)的面積減小時，這個問題變得很嚴重。例如，導線126a的面積在COG裝配系統(tǒng)中比在一般裝配系統(tǒng)(驅動IC裝配系統(tǒng))中小很多。從而，電阻率極大地增加，而電阻率的這種極大增加導致對圖象顯示質量產生顯著的影響。同時，雖然導線126b具有比導線126a大的面積，但導線電阻率的增加對于電源的提供是致命的，即使這種增加很小，它會顯著地降低驅動IC的操作條件。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種顯示板以及該顯示板的一種裝配結構，即顯示裝置，它們不受制造過程中的變化的影響，并提供高的流量和好的顯示質量。
為了達到上述目的，本發(fā)明提供一種顯示板，該顯示板在其一表面上具有導線，以用于將從該顯示板的周邊部位的外側接收到的信號傳給該顯示板的一個顯示區(qū)域，其中每一導線包括一個用第一材料制成的第一導電薄膜，置于顯示板的表面上;
一個用第二材料制成的第二導電薄膜，該種材料滿足第二導電薄膜的表面較之第一導電薄膜的表面不容易氧化的條件，并置于第一導電薄膜的一部分之上;以及一個透明導電薄膜，該薄膜為氧化膜，并至少置于第二導電薄膜之上，該第一導電薄膜，第二導電薄膜和透明薄膜構成導線的三層結構部分。
在具有上述結構的顯示板中，因為透明導電薄膜不是直接形成在第一導電薄膜上，而且第二導電薄膜形成在第一導電薄膜和透明導電薄膜之間，所以，不同于常規(guī)的例子，在形成透明導電薄膜的過程中，第一導電薄膜的表面不受腐蝕。另外，由于第二導電薄膜較之第一導電薄膜不易于氧化，因此，在形成透明導電薄膜的過程中第二導電薄膜的氧化程度比常規(guī)例子中在形成透明導電薄膜的過程中第一導電薄膜的表面的氧化程度要輕。因此，根據本發(fā)明，第一導電薄膜的表面和第二導電薄膜的表面的氧化可以抑制。
另外，由于具有上述配置，與常規(guī)的例子相比較，在第一導電薄膜和第二導電薄膜間的連接處的層間電阻率以及在第二導電薄膜和透明導電薄膜間的連接處的層間電阻率不易受過程中的變化的影響，并且該電阻率較低和更穩(wěn)定。因而，顯示板具有高的產量，并且在裝配過程以后，保證好的顯示質量。該顯示板還可以應付未來的使圖像顯示更精細的需要。
在本發(fā)明的一實施例中，除了用作一電極端的一端部，導線的部分包括三層結構部分用一絕緣保護薄膜覆蓋。在每一導線的端部處，透明導電薄膜在第一導電薄膜上形成。換句話說，覆蓋導線的絕緣保護薄膜具有一開口部分以露出每一導線的端部，而三層結構部分不在絕緣保護薄膜的開口部位處。利用此配置，在通過蝕刻形成絕緣保護薄膜的開口部位中，可以防止第二導電薄膜受蝕刻劑的腐蝕。因此，可以防止第二導電薄膜由于該蝕刻劑而消失。具體地說，可以防止第二導電薄膜下的第一導電薄膜暴露出來。更特別地，可以防止較第二導電薄膜更易受氧化的第一導電薄膜暴露出來。從而，防止第一導電薄膜的表面氧化，并進而防止導線的電阻增加。
結果是，導線上具有絕緣保護薄膜的顯示板可具有高產量，在裝配過程以后，保證了良好的顯示質量。
在一實施例中，在每一導線的端部處，第二導電薄膜圍繞著形成在第一導電薄膜上的透明導電薄膜。在此情形下，經多種不同路徑，一電流可以從圍繞透明導電薄膜的第二導電薄膜導向由第二導電薄膜圍繞的透明導電薄膜，反之亦然。
對于第一材料，Ta或主要成分為Ta的合金可以使用，對于第二材料，Ti或主要成分為Ti的合金可以使用?？蛇x擇地，第一材料和第二材料可以從Al或主要成分為Al的合金、Mo或主要成分為Mo的合金、Cr或主要成分為Cr的合金、W或主要成分為W的合金，以及Au或主要成分為Au的合金這樣一族中進行選擇。
另一方面，透明導電薄膜可以用銦錫氧化物(ITO)制造。
當第一導電薄膜是Ta薄膜，第二導電薄膜是Ti薄膜，而透明導電薄膜是ITO薄膜時，在Ta薄膜上形成Ti薄膜以構成導線的過程中，Ta薄膜的表面不被氧化。另外，在Ti薄膜上形成ITO薄膜的過程中Ti薄膜的表面的氧化程度遠低于在Ta薄膜上形成ITO薄膜的過程中Ta薄膜的表面的氧化程度。另外，Ti薄膜不受用于ITO薄膜的蝕刻劑(氯化鐵溶液)的腐蝕。因而，與常規(guī)的情形相比，在Ta薄膜和Ti薄膜間的連接處的層間電阻率以及在Ti薄膜和ITO薄膜間的連接處的層間電阻率不易受處理過程中的變化的影響，該電阻率變低并且穩(wěn)定。由此，顯示板具有高的產量，并且在裝配過程以后保證良好的顯示質量。該顯示板還可以應付未來的使圖像顯示更精細的需要。
在包括上述顯示板的一顯示裝置中，導線與一軟性導線板的輸出端相連，該軟性導線板上設置有一驅動電路以產生傳送給顯示區(qū)域的信號。在此顯示裝置中，由于Ta薄膜和Ti薄膜間以及Ti薄膜和ITO薄膜間的層間電阻率低，與常規(guī)的情形相比，與從軟性導線板的輸出端伸向顯示區(qū)域的導線相關的電阻(包括端部處的電阻)處于低而穩(wěn)定的狀態(tài)。從而，可以得到良好的顯示質量。
在一顯示裝置中，導線包括第一導線和第二導線，該第一導線從顯示區(qū)域朝外伸向顯示板的周邊，該第二導線配備在第一導線的板邊側緣上，并且向顯示板的邊緣伸展。在此情形下，用于產生傳送給顯示區(qū)域的信號的一驅動電路配備在顯示板的第一導線和第二導線之間，該驅動電路的輸入側電極與第二導線的顯示區(qū)域側端部相連，該驅動電路的輸出側電極與第一導線的板邊側緣端部相連，而用于將一信號提供給驅動電路的一軟性導線板的輸出端與第二導線的板邊側緣端部相連。在此顯示裝置中，由于導線薄膜間的層間電阻率低，與常規(guī)情形相比，與從軟性導線板的輸出端向驅動電路的輸入側端伸展的第二導線相關的電阻(包括端部處的電阻)以及與從驅動電路的輸出側端向顯示區(qū)域伸展的第一導線相關的電阻(包括端部處電阻)處于低而穩(wěn)定的狀態(tài)。從而，可以得到良好的顯示質量。
如果各第一和第二導線的透明導電薄膜是銦錫氧化物薄膜，則第一和第二導線的銦錫氧化物薄膜與驅動電路的相應電極由一個各向異性電薄膜相連。在此情形下，驅動電路或驅動IC(片)的下表面由該各向異性的導電薄膜保護。從而，不用樹脂層封裝驅動IC，可以達到一高可靠性。
在另一實施例中，在各第一導線的板邊側緣端部處和各第二導線的顯示區(qū)域側端部處形成有一Mo(鉬)薄膜。在此情形下，由于該鉬薄膜的出現，導線與驅動IC的輸出側電極和輸入側電極(一般用Au制成)的接觸電阻進一步降低。從而，與從軟性導線板的輸出端向驅動電路的輸入側電極伸展的第二導線相關的電阻(包括端部處的電阻)以及與從驅動電路的輸出側電極向顯示區(qū)域伸展的第一導線相關的電阻(包括端部處的電阻)進一步降低。從而，可以達到良好的顯示質量，并且連接可靠性增加。
當每一第一和第二導線的Mo薄膜通過包括Ag或Ag的合金和Pd(鈀)作為導電粒子的涂料與驅動電路的相應電極相連時，每一導線與驅動電路的相應電極間的接觸電阻進一步降低。從而，與第一和第二導線相關的電阻(包括端部處電阻)進一步降低。由此，可以達到良好的顯示質量，并且連接的可靠性增加。
從下面給出的詳細描述和附圖可更完整地理解本發(fā)明，這些描述和附圖僅僅是作為說明給出，因此對本發(fā)明無限制性。
圖1是用普通裝配方法裝配的一常規(guī)液晶顯示裝置的平面圖。
圖2是沿圖1中的2-2線的剖視圖。
圖3是用COG方法裝配的一常規(guī)液晶顯示裝置的平面圖。
圖4是沿圖3中的4-4線的剖視圖。
圖5是包括根據本發(fā)明的第一實施例的一顯示板的液晶顯示裝置的概略平面圖。
圖6是沿圖5中6-6線的一剖視圖。
圖7是第一實施例的顯示板的下基板的局部平面圖，顯示了下基板上導線的平面排列。
圖8是圖6的一基本部分的放大的剖視圖。
圖9是第一實施例的顯示板中第二導線的平面圖。
圖10是包括根據本發(fā)明的第二實施例的一顯示板的液晶顯示裝置的基本部分的剖視圖。
圖11是第二實施例的顯示板的一下基板的局部平面圖，顯示了下基板上導線的平面排列。
圖12是圖10的一基本部分的放大的剖視圖。
圖13是第二實施例的顯示板中第二導線的平面圖。
圖14是第一實施例和第二實施例的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域的剖視圖。
圖15是根據本發(fā)明的第三實施例的一液晶顯示裝置的基本部分的剖視圖。
第一實施例圖5顯示了根據COG(Chip On Glaso)方法裝配的一液晶顯示裝置的概略平面圖，而圖6顯示了該裝置的基本部分的一剖視圖，其中，為了簡單一些部分未畫影線。此液晶顯示裝置配備有LCD面板1，驅動IC 24、25以及軟性導線板33、34。
該LCD面板1作為根據本發(fā)明的第一實施例的一顯示板，配備有一下基板21，一上基板22，以及封入下基板21與上基板22間的液晶。
如圖5-7所示，下基板21配備有多個第一導線46a、47a，多個第二導線46b、47b，以及用作一絕緣保護薄膜的SiN薄膜42。
下面將詳細地描述導線46a、46b。然而，很容易理解，下面的描述適用于導線47a、47b。
在下基板21上，第一導線46a從一顯示區(qū)域23向外伸展，在該顯示區(qū)域23中像素朝向其周邊部位形成。每一第一導線46a的端部46a-1用作一電極端。第二導線46b與第一導線46a分隔開地配備在第一導線46a的板邊側緣上，并且向基板21的周邊或邊緣伸展。用作絕緣保護薄膜的SiN薄膜42在導線46a和46b上形成，并具有大約3000A的厚度。在與導線46a和46b的端部46a-1、46b-1及46b-2相對的位置上，SiN薄膜42配備有開口部位X1、X2和X3。除了與開口部位X1、X2和X3相對的區(qū)域，導線46a和46b的整個區(qū)域幾乎均由SiN薄膜42覆蓋。
每一第一導線46a和第二導線46b具有形成在下基板21上作為第一導電薄膜的Ta(鉭)薄膜29，形成在Ta薄膜29上作為第二導電薄膜的Ti(鈦)薄膜40，以及形成在Ta薄膜29與Ti薄膜40上作為透明導電薄膜的ITO薄膜30。Ta薄膜29、Ti薄膜40、及ITO薄膜30構成三層結構部分Z1和Z2，而Ta薄膜29與直接形成在其上的ITO薄膜30構成兩層結構部分Y1、Y2、Y3和Y4。三層結構部分Z1和Z2不與SiN薄膜42的開口部位X1、X2和X3相對。兩層結構部位Y2、Y3和Y4與SiN薄膜42的開口部位X1、X2和X3相對。兩層結構部位Y2、Y3和Y4與SiN薄膜42的開口部位X1、X2和X3相對。Ta薄膜29的厚度大約為3000 ，Ti薄膜40的厚度大約為3000 ，而ITO薄膜30的厚度大約為800 。Ta薄膜的表面電阻率大約為3Ω/□，ITO薄膜的表面電阻率大約為50Ω/□，而Ti薄膜的表面電阻率大約為3Ω/□。
第一實施例的下基板21的第一導線46a和第二導線46b具有前述的三層結構部位Z1和Z2。在制造該三層結構部位中，首先在Ta薄膜29上形成Ti薄膜，然后在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30。換句話說，ITO薄膜30不是直接形成的Ta薄膜29上。因此，包括在三層結構部位Z1和Z2中的Ta薄膜29的表面不氧化。由于Ti薄膜40較Ta薄膜29不易受氧化，因此由于在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30而引起的Ti薄膜40的表面的氧化程度，遠低于由于在Ta薄膜29上形成ITO薄膜30而引起的Ta薄膜29的表面的氧化程度。另外，Ti薄膜40不受用于蝕刻ITO薄膜30的蝕刻劑(氯化鐵溶液)的腐蝕。
從而，與常規(guī)情形相比，Ta薄膜29與Ti薄膜40間的連接處的電阻率以及Ti薄膜40與ITO薄膜30間的連接處的電阻率不易受過程中的變化的影響。其結果是，那些層間電阻率低且穩(wěn)定。因此，根據本實施例，可以得到好的顯示質量。另外，LCD面板1可具有高的流量，并能夠處理精細的圖像顯示。
在與SiN薄膜42的開口部位X1、X2和X3相對的區(qū)域處不配備Ti薄膜40。從而，Ti薄膜40不受在SiN薄膜42制作布線圖案中使用的蝕刻劑(緩沖氫氟酸)的腐蝕。如果在與開口X1、X2和X3相對的區(qū)域處配備Ti薄膜40，該蝕刻劑(緩沖氫氟酸)將穿透厚度較小的ITO薄膜30而腐蝕下面的Ti薄膜40。這將導致Ti薄膜40受腐蝕，并與上面的ITO薄膜30一起消失。其結果是，只有易受氧化的Ta薄膜29保留在端部46a-1，46b-1和46b-2，而Ta薄膜29的表面變得顯示地不穩(wěn)定。通過使用SiF4(四氟化硅)等離子體用于蝕刻方法進行SiN薄膜42的蝕刻，由于蝕刻而引起的Ti薄膜40和ITO薄膜30的可能的消失可以避免。然而對于干蝕刻，產生了一個問題，這就是需要大量的初始投資。
根據本實施例，因為在與開口部位X1、X2和X3相對的區(qū)域處沒有配備Ti薄膜40，所以不需要大量的初始投資，可以避免用于SiN薄膜42的蝕刻劑引起的Ti薄膜40的消失。從而，比Ti薄膜40更易受氧化的Ti薄膜40下的Ta薄膜29可以避免被暴露。由此，可以防止Ta薄膜29的表面受氧化，并從而防止第一導線46a和第二導線46b的電阻增加。因此，根據本實施例，由于采用干蝕刻，不需要大的初始投資，LCD面板1可以具有高的流量。另外，本實施例可以處理未來的使圖像顯示更精細的需要。
驅動IC24具有輸出側隆重起電極28a和輸入側隆起電極28b。該隆起電極28a和28b用鍍金形成。該隆起電極28a和28b設置在SiN薄膜42的開口部位X1和X2之上。軟性導線板33具有用聚酰亞胺樹脂制成的一基膜，即基板37，以及形成在基板37的一表面上、用Cu制成并鍍以Sn、Au或類似物的輸出端35。軟性導線板33的輸出端35設置在SiN薄膜42的開口部位X3之上。驅動IC25和軟性導線板34分別與驅動IC24和軟性導線板33類似。
在圖5和6中所示的裝配狀態(tài)中，驅動IC24設置在下基板21上，在第一導線46a和第二導線46b之間。更準確地說，經一連接材料制成的各向異性導電薄膜41，驅動IC24的輸出側隆起電極28a和輸入側隆起電極28b分別與導線46a的板邊側緣端部46a-1以及導線46b的顯示區(qū)域側端部46b-1相連。端部46a-1和46b-1用作第一導線46a和第二導線46b的電極端。
軟性導線板33與導線46b的端部46b-2相連。更準確地說，經一連接材料制成的各向異性導電薄膜36，軟性導線板33的輸出端35(只顯示了其中一個)與下基板21上的第二導線46b的板邊側緣端部46b-2相連。
通過施壓加熱該各向異性導電薄膜41和36，完成上述連接。
在操作中，一電源和一輸入信號從軟性導線板33的各輸出端35經各向異性導電薄膜36、導線46b、各向異性導電薄膜41以及輸入側隆起電極28b提供給驅動IC24。
驅動IC24輸出的一顯示信號經輸出側隆起電極28a、各向異性導電薄膜41以及導線46a提供給顯示區(qū)域。
由于Ti薄膜40配備在導線46a和46b的各布線圖案的一部分上，因此與常規(guī)的情形相比，與從軟性導線板33的輸出端35向驅動IC24的輸入側隆起電極28b伸展的導線46b相關的電阻(包括端部的電阻)以及與從驅動IC24的輸出側隆起電極28a向顯示區(qū)域23伸展的導線46a相關的電阻(包括端部的電阻)低而穩(wěn)定。從而，可以得到良好的顯示質量。另外，由于下基板21和驅動IC24經各向異性導電薄膜41相互連接，因此驅動IC(片)24的下表面受到各向異性導電薄膜41的保護。這使得可以不用樹脂封裝驅動IC24而得到一高的可靠性。
根據對一特定布線圖案中形成的第一導線46a和第二導線46b的實驗測試，Ta薄膜29與Ti薄膜40間連接處的電阻率為5×102～8×102Ω·μm2，而Ta薄膜40與ITO薄膜30間的連接處的電阻率為5×102～2×103Ω·μm2，即使當過程中發(fā)生變化時。因而，從Ta薄膜29經Ti薄膜40到ITO薄膜30的電阻率估計為1.0×103～2.8×103Ω·μm2，這是上述兩個電阻率的和。即，在第一實施例的顯示板的下基板21中，導線的電阻率較之沒有配備Ti薄膜40的常規(guī)例子的導線的電阻率值2×104～107Ω·μm2，能夠大大地降低。
第二導線46b的板邊側緣端部46b-2和顯示區(qū)域側端部46b-1以及第一導線46a的板邊側緣端部46a-1，分別相對SiN薄膜42的開口部位X3、X2以及X1而設置，并用作電極端。用作電極端的各端部46b-2、46b-1以及46a-1具有包括ITO薄膜30及配備在其下的Ta薄膜29的兩層結構。因而，在端部46b-2、46b-1及46a-1中，與前述的三層結構相比，由于過程中的變化引起的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處的電阻變化很大。
下面參考圖8和9描述在一電流從軟性導線板33的輸出端35經第二導線46b流向驅動IC24的輸入側隆起電極28b的情形中，第一實施例的電阻率減小功能。圖8顯示了第二導線46b及其鄰近區(qū)域的一放大的剖視圖，而圖9顯示了第二導線46b的俯視圖。在圖8中，為了簡單，一些部分的影線省去。
首先，圖8中所示路徑A是當第二導線46b的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處的電阻率處于一變化范圍中的相對低的值時，一電流流過的路徑。在此情形下，從軟性導線板33的輸出端35經各向異性導電薄膜36流向ITO薄膜30的電流流過具有比Ta薄膜29高的表面電阻率的ITO薄膜30。然后，該電流流過ITO薄膜30與Ta薄膜29間的一連接處S2，流入具有較低表面電阻率的Ta薄膜29。然后，該流入Ta薄膜29的電流在驅動IC24的輸入側隆起電極28b的下方再次流過Ta薄膜29與ITO薄膜30間的連接處S2，然后流過ITO薄膜30經各向異性導電薄膜41進入輸入側隆起電極28b。
同時，圖8中所示路徑B是當第二導線46b的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處的電阻率處于變化范圍中的相對高的值時，一電流流過的路徑。在此情形下，從軟性導線板33的輸出端35徑各向異性導電薄膜36流向ITO薄膜30的電流，不經過ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處S2而流入具有比Ta薄膜29高的表面電阻率的ITO薄膜30。然后，該電流流過與SiN薄膜42的開口部位X3相對的ITO薄膜30的一區(qū)域，接著流過ITO薄膜30與Ti薄膜40間的連接處S1，再后流入具有比ITO薄膜30表面電阻率低的Ti薄膜40或流入Ti薄膜下的Ta薄膜29，如圖8中的路徑B1或B2所示。上述的原因在于Ti薄膜40具有比ITO薄膜30低的表面電阻率，并且Ti薄膜40與ITO薄膜30間連接處S1的電阻率低于Ta薄膜29與ITO薄膜30間連接處S2的表面電阻率。要注意的是Ti薄膜40與Ta薄膜29間的連接處的電阻率低于連接處S1的電阻率。然后，上述電流在輸入側隆起電極28b一側上的Ti薄膜40的一端處再次經過ITO薄膜30與Ti薄膜40間的連接處S1，并流過ITO薄膜30和各向異性導電薄膜41進入輸入側隆起電極28b。
在不包括Ti薄膜40的常規(guī)導線結構中，電流的路徑限于路徑A，從而電流不得不經過具有比ITO薄膜30和Ti薄膜40間連接處S1電阻率高的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處S2。相反，在此第一實施例中，電流可以流經路徑B，即經過具有比連接處S2的電阻率低的連接處S1的一旁路。由于第一實施例具有電流流經的旁路，因此防止了第二導線46b具有高電阻，而使其保持低電阻。第一導線46a同樣如此。即，與常規(guī)例子相比，導線的電阻可以保持在一較低的值。從而，可以得到良好的顯示質量。
實際上，當Ti薄膜40的面積為104μm2時，與第二導線46b相關的電阻(包括端部電阻)為3-4Ω，該值表明，與沒有Ti薄膜的電阻為5-29Ω的導線相比，電阻及其變化能夠顯著地降低。
第二實施例本發(fā)明的第二實施例參考圖10-13進行描述。在圖10-13中，與圖6-9中所示類似的部分用同樣的參考符號來表示。圖10顯示了根據COG(Chip On Glass)方法裝配的一液晶顯示裝置的基本部分的剖視圖。本實施例的液晶顯示裝置具有與圖5中所示第一實施例基本相同的概略平面圖，因此圖5也用來描述第二實施例的液晶顯示裝置。本液晶顯示裝置配備有一LCD面板11，驅動IC24、25以及軟性導線板33、34。
LCD面板11配備有一下基板21，該下基板21是根據本發(fā)明的第二實施例的一顯示板，一個上基板(參考圖5中的22)，以及封裝在下基板21與上基板之間的液晶。
如圖10和11中所示，下基板21配備有多個第一導線96a，第二導線96b，以及用作絕緣保護膜的SiN薄膜42。
在下基板21上，第一導線96a從形成象素的一顯示區(qū)域(參考圖5中的23)向外朝其周邊部位伸展。每個第一導線96a的端部96a-1用作一電極端。第二導線96b配備在第一導線96a的板邊側緣上，與第一導線96a分開，并向基板21的周邊或邊緣伸展。用作絕緣保護膜的SiN薄膜42形成在導線96a和96b上，并且厚度大約為3000 。在與導線96a和96b的端部96a-1、96b-1及96b-2相對的位置處，SiN薄膜42配備有開口部分X10、X20及X30。除了與開口部分X10、X20及X30相對的區(qū)域以外，SiN薄膜42幾乎覆蓋了導線96a和96b的整個區(qū)域。
每個第一導線96a和第二導線96b具有形成在下基板21上作為第一導電薄膜的一層Ta薄膜29，形成在Ta薄膜29上作為第二導電薄膜的Ti薄膜40，以及形成在Ta薄膜29與Ti薄膜40上作為透明導電薄膜的ITO薄膜30。在與開口部分X10、X20及X30不相對的區(qū)域中，Ta薄膜29、Ti薄膜40和ITO薄膜30構成三層結構部分Z10和Z20。
在與三層結構部分Z10和Z20相鄰的區(qū)域，第一和第二導線96a與96b具有兩層結構部分Y10、Y20、Y30及Y40。兩層結構部分Y10-Y40包括Ta薄膜29及形成在其上的ITO薄膜30。
另外，在第二實施例中，在三層結構部分Z10和Z20中用作第二導電薄膜的Ti薄膜40包圍兩層結構部分Y20、Y30和Y40中的ITO薄膜30，如圖13中所示。
Ta薄膜29的厚度大約為3000 ，Ti薄膜40的厚度大約為3000 ，而ITO薄膜30的厚度大約為800 。Ta薄膜29的表面電阻率大約為3Ω/□，ITO薄膜30的表面電阻率大約為50Ω/□，而Ti薄膜40的表面電阻率約為3Ω/□。
在圖5和10所示的裝配狀態(tài)中，驅動IC24設置在下基板21上第一導線96a和第二導線96b之間。該驅動IC24具有輸出側隆起電極28a和輸入側隆起電極28b。隆起電極28a和28b通過鍍金形成。隆起電極28a和28b設置在開口部分X10和X20之上。軟性導線板33具有用聚酰亞胺樹脂制成的基膜或基板37，并具有形成在基板37的一表面上的用鍍Sn、Au或類似物的Cu材料制成的輸出端35。軟性導線板33的輸出端35設置在SiN薄膜42的開口部分X30之上。
驅動IC24的輸出側隆起電極28a和輸入側隆起電極28b經一各向異性導電薄膜41分別與第一導線96a的板邊側緣端部96a-1及第二導線96b的顯示區(qū)域側端部96b-1相連。這種連接通過施壓加熱各向異性導電薄膜41而實現。端部96a-1和96b-1用作第一導線96a和第二導線96b的電極端。
軟性導線板33與下基板21相連。更準確地說，軟性導線板33的輸出端35經一各向異性導電薄膜36與下基板21上的第二導線96b的板邊側緣端部96b-2相連。這種連接通過施壓加熱各向異性導電薄膜36而實現。
在操作中，一電源和一輸入信號從軟性導線板33的輸出端35經各向異性導電薄膜36、導線96b、各向異性導電薄膜41以及輸入側隆起電極28b提供給驅動IC24。
從驅動IC24輸出的一顯示信號經輸出側隆起電極28a、各向異性導電薄膜41及導線96a提供給顯示區(qū)域(見圖5中23)。
在下基板21上的第一和第二導線96a和96b的三層結構部分Z10和Z20的制造中，首先在Ta薄膜29上形成Ti薄膜40，然后在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30。換句話說，ITO薄膜30不是直接形成在Ta薄膜29上。相應地，包括在三層結構部分Z10和Z20中的Ta薄膜29的表面不被氧化。由于Ti薄膜40較Ta薄膜29不易于氧化，因此，由于在Ti薄膜40上形成ITO薄膜30而引起的Ti薄膜40的表面的氧化程度，遠遠低于由于在Ta薄膜29上形成ITO薄膜30而引起的Ta薄膜29的表面的氧化程度。另外，Ti薄膜40不受用于蝕刻ITO薄膜30的蝕刻劑(氯化鐵溶液)的腐蝕。
從而，與常規(guī)情形相比，Ta薄膜29與Ti薄膜40間的連接處的電阻率以及Ti薄膜40與ITO薄膜30間的連接處的電阻率不易受過程中的變化的影響。其結果是，那些層間電阻率低而穩(wěn)定。
在與SiN薄膜42的開口部分X10、X20及X30相對的區(qū)域上不配備Ti薄膜40。從而，Ti薄膜40不受在絕緣保護膜SiN薄膜42上形成布線圖案中使用的蝕刻劑(緩沖氫氟酸)的腐蝕。其結果是，避免了在蝕刻劑用于SiN薄膜42時Ti薄膜40的消失。因而，防止Ti薄膜40之下較Ti薄膜40更易于氧化的Ta薄膜29暴露出來。因此，可以防止Ta薄膜29的表面氧化，并從而防止第一導線96a和第二導線96b的電阻增加。從而，根據本實施例，LCD面板11可以具有高流量。另外，本實施例可以滿足未來的使得圖像顯示更精細的需要。
下面參考圖12和13，描述在一電流從軟性導線板33的輸出端35經第二導線96b流向驅動IC24的輸入側隆起電極28b的情形下，第二實施例的電阻降低功能。圖12顯示了第二導線96b及其鄰域的一放大剖視圖，而圖13顯示了第二導線96b的一俯視圖。在圖12中，為了簡單，一些部分的影線省略。
首先，圖12中所示路徑c是在第二導線96b的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處的電阻率處于變化范圍中的相對低的值時，一電流流過的路徑。在此情形下，從軟性導線板33的輸出端35經各向異性導電薄膜36流向ITO薄膜30的電流流過具有較Ta薄膜29高的表面電阻率的ITO薄膜30。然后，該電流流過ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處S20，并流入具有較低表面電阻率的Ta薄膜29。然后，流入Ta薄膜29的電流在驅動IC24的輸入側隆起電極28b的下方再次流過Ta薄膜29與ITO薄膜30間的連接處S20，并流過ITO薄膜30經各向異性導電薄膜41流入輸入側隆起電極28b。
同時，圖12中所示路徑D是在第二導線96b的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處的電阻率處于變化范圍中的相對高的值時，一電流流過的路徑。在此情形下，從軟性導線板33的輸出端35經各向異性導電薄膜36流向ITO薄膜30的電流不經過ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處S20而流入具有較Ta薄膜29高的表面電阻率的ITO薄膜30。然后該電流流過與SiN薄膜42的開口部分X30相對的ITO薄膜30的一區(qū)域，接著流過ITO薄膜30與Ti薄膜40間的連接處S10，然后流入具有較ITO薄膜30低的表面電阻率的Ti薄膜40或流入Ti薄膜40之下的Ta薄膜29中，如圖12中的路徑D1或D2所示。上述的原因在于，Ti薄膜40具有較ITO薄膜30低的表面電阻，而Ti薄膜40與ITO薄膜30間連接處S10的電阻率較Ta薄膜29與ITO薄膜30間連接處S20的表面電阻率為低。要注意的是，Ti薄膜40與Ta薄膜29間連接處的電阻率低于連接處S10的電阻率。然后上述電流在輸入側隆起電極28b的一側上Ti薄膜40的一端處再次流過ITO薄膜30與Ti薄膜40間的連接處S10，并流過ITO薄膜30和各向異性導電薄膜41進入輸入側隆起電極28b。
在不包括Ti薄膜40的常規(guī)導線結構中，電流路徑限于路徑C，從而，電流不得不經過具有比ITO薄膜30與Ti薄膜40間連接處S10的電阻率高的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處S20。相反地，在此第二實施例中，電流可以經過路徑D，即穿過具有較連接處S20電阻率低的連接處S10的一旁路。由于第二實施例具有用于電流流過的低電阻旁路，因此防止了第二導線96b作為一整體具有高電阻，并使其保持在一低電阻上。對于第一導線96a同樣如此。即，與常規(guī)例子相比，導線電阻可以保持在一較低的值上。
在第一實施例中，由于第二導線46b的Ti薄膜40只配備在開口部分X3的一側上(顯示區(qū)域側)，從開口部分X3到Ti薄膜40的電流路徑只有一個方向，如圖9中所示。相反，根據第二實施例，由于Ti薄膜40圍繞著與開口部分X30相對的ITO薄膜30，因此從ITO薄膜30到圍繞ITO薄膜30的Ti薄膜40，有多條不同電流路徑，如圖13中所示。另外，根據第二實施例，由于在輸入側隆起電極28b的鄰域中，圍繞SiN薄膜42的開口部分X20配備有Ti薄膜40，因此，從Ti薄膜40到與開口部分X20相對的ITO薄膜30，有多條不同的電流路徑，如圖13中所示。如上所述，由于在第二實施例中，Ti薄膜40圍繞著與開口部分X20和X30相對的ITO薄膜30，因此在Ti薄膜40與ITO薄膜30間的所有方向上配備有多條電流路徑。從而，與Ti薄膜40不圍繞ITO薄膜30的第一實施例相比，電流路徑中的電流密度可以降低。因此，導線的電阻可以比第一實施例進一步降低。
實際上，當Ti薄膜40的面積為3×104μm2時，與第二導線96b相關的電阻率(包括端部處的電阻率)為1.5-2Ω。從此值可以明顯看出，不僅與沒有Ti薄膜的常規(guī)導線的值5-29Ω相比，而且與第一實施例中的導線的值相比，第二實施例中導線的電阻率值及其變化顯著地降低。
要注意的是，在第一和第二實施例中，Ta薄膜29、Ti薄膜40、ITO薄膜30及SiN薄膜42不僅構成第一導線46a、96a以及第二導線46b、96b，而且構成LCD面板1和11的顯示區(qū)域23。更準確地說，Ta薄膜29構成顯示區(qū)域23的一TFT(薄膜晶體管)門電極302a，Ti薄膜40構成一源電極307及一漏電極308，ITO薄膜30構成一ITO透明導電薄膜309作為一象素，以及SiN薄膜42構成一保護膜310，如圖14中所示。
因此，根據第一和第二實施例，構成LCD面板的顯示區(qū)域的薄膜有效地用來降低導線的電阻，而不導致成本的增加。
下面參考圖14描述形成LCD面板的顯示區(qū)域23的過程。
首先，在一玻璃基板301上形成一Ta薄膜，然后通過光刻法形成一門電極302a、一門總線6未顯示)以及一引線電極(未顯示)圖案。其后，只有需要陽極氧化的門電極302a通過光刻法曝光，浸入酒石酸銨水溶液中，然后用于一形成過程。其后在6.5v的常壓下通過一形成過程，形成厚度為1000 的Ta2O3薄膜。結果，形成包括Ta的第一絕緣薄膜304。通過CVD方法，濺鍍(sputtering)方法或類似方法，在第一絕緣薄膜304上，層疊一厚度為1000A的Si3N4薄膜作為第二絕緣薄膜305。第二絕緣薄膜305可以用SiO、SiO2、Y2O3、Al2O3、MgF2或另一種不是Si3N4的材料制成。第二絕緣薄膜305具有保護陽極氧化的Ta2O3薄膜即第一絕緣薄膜304的功能。第一絕緣薄膜304與第二絕緣薄膜305構成一門絕緣薄膜。然后通過輝光放電，淀積厚度為3000 的一非晶硅層，作為一半導體層306。隨后，淀積厚度為3000 的Ti，作為一源電極307和一漏電極308。通過此方式，完成一個TFT(薄膜晶體管)。
然后，形成一厚度為300-1000A的ITO透明導電薄膜309，作為一象素。在TFT中，通過CVD方法淀積厚度為3000 的SiO3N4作為一保護膜310，以覆蓋半導體層306。保護膜310不僅保護非晶硅層，而且減少半導體層306的表面以減少TFT關斷狀態(tài)下的漏泄電流，從而顯著地改善TFT的特性。最后，通過聚酰亞胺樹脂的研磨、封裝及液晶的填充完成操作和取向處理步驟，并從而完成一個LCD面板。
在具有上述結構的顯示區(qū)域23中，因為門絕緣薄膜包括一陽極氧化的Ta薄膜的第一絕緣膜304，所以該TFT具有下面的極好特性(1)極好的絕緣質量(無氣孔)，高可靠性及高壓電阻;
(2)小游離離子密度;
(3)相對于半導體、小的接口層密度;
(4)作用于該半導體的大的場效應。
另外，在該顯示區(qū)域中，因為源電極307和漏電極308由Ti形成，在面板裝配過程中，該TFT的特性變化(由于金屬離子侵入TFT中)可以減少，從而達到增加可靠性的目的。
在第一和第二實施例中，緩沖氫氟酸作為蝕刻劑用于SiN薄膜42。從而在與SiN薄膜42的開口部分X1、X2、X3及X10、X20、X30相對的區(qū)域上不形成Ti薄膜40，使得緩沖氫氟酸不腐蝕Ti薄膜40。
然而，當SiN薄膜42的蝕刻通過例如用SiF4(四氟化硅)等離子體的干蝕刻方法進行時，Ti薄膜40不受蝕刻的腐蝕。從而，在這樣的情形下，在導線圖案的整個區(qū)域上形成Ti薄膜40更可取。當采用這種配置時，相對于由于過程中的變化引起的ITO薄膜30與Ta薄膜29間的連接處的層間電阻率的變化或耗散，可以保持端部的電阻在最低水平上。
另外，在上面的實施例中，Ta薄膜用作第一導電薄膜，而Ti薄膜用作第二導電薄膜。可選擇地，其主要成分為Ta的一合金薄膜可用作第一導電薄膜，而其主要成分為Ti的一合金薄膜可以用作第二導電薄膜。還有，只要滿足第二導電薄膜的表面較第一導電薄膜的表面不易于氧化這個條件，用于第一和第二導電薄膜的材料可以從下面一組材料中進行選擇，包括Al或Al作為主要成分的合金;Mo或Mo作為主要成分的合金;Cr或Cr作為主要成分的合金;W或W作為主要成分的合金;以及Au或Au作為主要成分的合金。
第三實施例圖15顯示了根據本發(fā)明的第三實施例的一液晶顯示裝置的基本部分。由于其平面圖類似于圖5中所示，因此圖5中的平面圖也用于描述本實施例。類似于第一和第二實施例的液晶顯示裝置，本液晶顯示裝置用COG方法裝配，并配備有一LCD面板111，驅動IC24，及軟性導線板33。為了簡單，與圖6中所示的同樣的部件在圖15中用同樣的參考符號來表示。由于驅動IC24和軟性導線板33與第一和第二實施例中的相同，因此不再進行描述。
通過在一作為顯示板的下基板21與一上基板22(見圖5)之間封裝液晶，構成LCD面板111。體現本發(fā)明的下基板21配備有多條第一導線66a，該導線從形成象素的一顯示區(qū)域23向外朝其周邊部位伸展。每條第一導線66a具有端部作為一電極端。在第一導線66a的板邊側緣配備有一第二導線66b，該第二導線與第一導線分開，也向板的周邊伸展。形成的導線66a和66b的圖案的每一個具有兩層的薄膜，包括與下基板21接觸的Ta薄膜29和一配備在Ta薄膜29上的ITO薄膜30。在形成的每條導線的圖案的至少一個區(qū)域中，一個Ti薄膜40設置于Ta薄膜29和ITO薄膜30之間。在第一導線66a的板邊側緣端部和第二導線66b的顯示區(qū)域側端部處的Ta薄膜29與ITO薄膜30上形成有一Mo薄膜60，第一導線66a和第二導線66b分別包括該Mo薄膜60。該Mo薄膜具有大約0.5Ω/□的表面電阻率。除了導線66a和66b的端部以外，一絕緣薄膜42覆蓋了下基板21的幾乎整個區(qū)域。
在下基板21的制造過程中，與常規(guī)的情形相比，Ta薄膜29與Ti薄膜40間連接處的層間電阻率以及Ti薄膜40與ITO薄膜30間連接處的層間電阻率不易受過程中的變化的影響，從而層間電阻率變得低而穩(wěn)定。因此，顯示板111可具有高流量。另外，該顯示板可以滿足未來的使得圖像顯示更精細的需要。Mo薄膜60只配備在第一導線66a的板邊側緣端部及第二導線66b的顯示區(qū)域側端部的原因是，Mo薄膜的耐潮性低，從而將受到從產生的絕緣薄膜42的間隔部位上的縫隙進入的濕氣的腐蝕。
在圖5和15中所示的裝配狀態(tài)中，驅動IC24設置在下基板21的第一導線66a與第二導線66b之間。同時，軟性導線板33與導線66b連接。更準確地說，驅動IC24的輸出側隆起電極28a與輸入側隆起電極28b經包括有Ag和Pd的合金的導電離子的Ag和Pd膠61(稱作“Ag/Pd膠”)分別與下基板21的導線66a的板邊側緣端部(電極端)及導線66b的顯示區(qū)域側端部相連。同時，軟性導線板33的輸出端35經一各向異性導電薄膜36與下基板21的導線66b的板邊側緣端部相連。驅動IC24與下基板21間的縫隙中充填有密封樹脂62。經Ag/Pd膠61的連接，通過將適量的Ag/Pd膠61輸送給驅動IC24的輸出側隆起電極28和輸入側隆起電極28b，將驅動IC定位，及加熱Ag/Pd膠61以對其進行固定而完成。經各向異性導電薄膜36的連接通過施壓加熱而完成。
在操作中，一電源和一輸入信號的從軟性導線板33的輸出端35經連接材料36、第二導線66b、連接材料61、及驅動IC24的輸入側隆起電極28b提供給驅動IC24。然后，驅動IC24輸出的一顯示信號經輸出側隆起電極28a、連接材料61及第一導線66a提供給顯示區(qū)域23。
與第一實施例類似，由于Ti薄膜40至少配備在導線66a和66b的每一圖案的一個區(qū)域上，因此與常規(guī)情形相比，與從軟性導線板33的輸出端35向驅動IC24的輸入側電極28b伸展的第二導線66b相關的電阻(包括端部處電阻)以及與從驅動IC24的輸出側電極28a向顯示區(qū)域23伸展的第一導線66a相關的電阻(包括端部處電阻)變得低而穩(wěn)定。從而，可以得到好的顯示質量。另外，借助于Mo薄膜60和Ag/Pd膠61，第一導線66a的板邊側緣端部與驅動IC24的輸出側隆起電極28a間以及第二導線66b的顯示區(qū)域側端部與驅動IC24的輸入側隆起電極28b間的接觸電阻，與第一實施例相反，可以大大降低。從而，與第一實施例相比，與第一導線66a相關的電阻(包括端部處電阻)以及與第二導線66b相關的電阻(包括端部處電阻)可以進一步降低。因此，可以得到一更好的顯示質量，并且連接的可靠性能夠增加。
實際上，當Ti薄膜40的面積為約4×104μm2時，與第二導線66b相關的導線電阻(包括端部電阻)為1.5-2.5Ω。顯然，與沒有Ti薄膜的導線中的值2-10Ω相比，包括Ti薄膜的導線中的電阻及電阻的變化或耗散顯著地降低。
要注意的是，配備在導線內或導線上的Ti薄膜和Mo薄膜一般地用于LCD面板的顯示區(qū)域，而不是只專門用于本發(fā)明的實施。從而，本發(fā)明的實施例不會導致成本的增加。
雖然由于在本實施例中的過程中的限制，Ti薄膜40只在每一導線圖案的區(qū)域上形成，但當在過程中沒有限制時，在導線圖案的整個區(qū)域上形成Ti薄膜40是更可取的。
盡管在前面的實施例中描述了根據COG方法裝配的液晶顯示裝置，但本發(fā)明的范圍當然不限于此。本發(fā)明可以用于通過普通裝配系統(tǒng)(驅動IC裝配方法)裝配的液晶顯示裝置。在上述情形下，與常規(guī)情形相比，從軟性導線板的輸出端向顯示區(qū)域伸展的導線的電阻可以低而穩(wěn)定，從而可以得到好的顯示質量。本發(fā)明可以廣泛地應用于任何其他平面型顯示裝置，如EL顯示裝置。
對本發(fā)明已進行了描述，顯然其具有許多變化方式。這樣的變化不看作脫離本發(fā)明的實質和范圍，并且所有對于本領域的技術人員為明顯的變型將包括在所附權利要求的范圍中。
權利要求
1.一種顯示板，該顯示板在其一表面上具有導線，以用于將從該顯示板的周邊部位的外面接收到的信號傳送給該顯示板的顯示區(qū)域，其中每一導線包括一個第一導電薄膜，該薄膜用第一材料形成，并置于所述顯示板的所述表面上；一個第二導電薄膜，該薄膜用第二材料形成，并滿足所述第二導電薄膜的表面較所述第一導電薄膜的表面不易于氧化這樣一個條件，而且該第二導電薄膜置于所述第一導電薄膜的一部分上；以及一個透明導電薄膜，該薄膜是一氧化物的薄膜，并且置于至少所述第二導電薄膜上，所述第一導電薄膜、第二導電薄膜及透明薄膜構成所述導線的一個三層結構部分。
2.如權利要求1所述的顯示板，其特征在于，除用作電極端的端部以外，包括所述三層結構部分，所述導線的部分用一絕緣保護薄膜覆蓋。
3.如權利要求2所述的顯示板，其特征在于，在用作電極端的每一導線的一個端部，所述透明導電薄膜形成在所述第一導電薄膜上。
4.如權利要求3所述的顯示板，其特征在于，所述第二導電薄膜圍繞著形成在所述第一導電薄膜上的透明導電薄膜。
5.如權利要求3所述的顯示板，其特征在于，所述導線包括，從該顯示區(qū)域向外朝該顯示板的周邊伸展的第一導線，以及配備在所述第一導線的板邊側緣上向該顯示板的周邊伸展的第二導線。
6.如權利要求1所述的顯示板，其特征在于，所述第一材料是Ta或主要成分為Ta的合金，而所述第二材料是Ti或主要成份為Ti的合金。
7.如權利要求1所述的顯示板，其特征在于，所述第一材料和第二材料從下面一組材料中選擇，包括Al或主要成分為Al的合金，Mo或主要成分為Mo的合金，Cr或主要成分為Cr的合金，W或主要成分為W的合金，以及Au或主要成分為Au的合金。
8.如權利要求1所述的顯示板，其特征在于，所述透明導電薄膜由銦錫氧化物制成。
9.如權利要求6所述的顯示板，其特征在于，所述透明導電薄膜由銦錫氧化物制成。
10.如權利要求9所述的顯示板，其特征在于，每一導線還包括一Mo薄膜，該Mo薄膜形成在包括在所述三層結構部分中的所述透明導電薄膜上。
11.如權利要求10所述的顯示板，其特征在于，在用作電極端的每一導線的一個端部，所述Mo薄膜還形成在所述第一導電薄膜上。
12.如權利要求11所述的顯示板，其特征在于，所述導線包括，從該顯示區(qū)域向外朝該顯示板的周邊伸展的第一導線，以及配備在所述第一導線的板邊側緣上并向該顯示板的周邊伸展的第二導線，所述Mo薄膜形成在每一第一導線的板邊側緣端部以及第一第二導線的顯示區(qū)域側端部。
13.一種顯示裝置，該裝置包括如權利要求1所述的顯示板，其特征在于，所述導線與一軟性導線板的輸出端相連，該軟性導線板上設置有一驅動電路以產生傳送給所述顯示區(qū)域的信號。
14.一種顯示裝置，該裝置包括如權利要求5所述的顯示板，其特征在于，在該顯示板的所述第一導線與第二導線之間配備有用于產生傳送給所述顯示區(qū)域的信號的一驅動電路，其中該驅動電路的輸入側電極與所述第二導線的顯示區(qū)域側端部相連，而該驅動電路的輸出側電極與所述第一導線的板邊側緣端部相連，以及其中，用于將信號提供給所述驅動電路的一軟性導線板的輸出端與所述第二導線的板邊側緣端部相連。
15.如權利要求14所述的顯示裝置，其特征在于，所述每一第一和第二導線的透明導電薄膜是一銦錫氧化物薄膜，而其中所述每一第一和第二導線的該銦錫氧化物薄膜通過各向異性導電薄膜與該驅動電路的相應電極相連。
16.一種顯示裝置，該裝置包括如權利要求12所述的顯示板，其特征在于，在該顯示板的所述第一導線與所述第二導線之間配備有用于產生傳送給所述顯示區(qū)域的信號的一驅動電路，其中該驅動電路的輸入側電極與所述第二導線的所述顯示區(qū)域側端部相連，而該驅動電路的輸出側電極與所述第一導線的所述板邊側緣端部相連，并且其中，用于將信號提供給所述驅動電路的一軟性導線板的輸出端與所述第二導線的板邊側緣端部相連。
17.如權利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，所述每一第一和第二導線的Mo薄膜通過包括Ag或者Ag和Pd的合金作為導電離子的膠與驅動電路的相應電極相連。
18.一種顯示板，該顯示板在其一表面上具有導線，以用于將從該顯示板的周邊部位處的外面接收到的一信號傳送給該顯示板的一顯示區(qū)域，其中每一導線包括一個鉭薄膜，形成在所述顯示板的所述表面上;一個鈦薄膜，形成在所述鉭薄膜的至少一部分上;以及一個銦錫氧化物薄膜，形成在至少所述鈦薄膜上。
19.如權利要求18所述的顯示板，其特征在于，所述銦錫氧化薄膜還在所述鉭薄膜的無鈦薄膜形成的部位上形成。
20.如權利要求19所述的顯示板，其特征在于，在每一導線的一個端部處，一Mo薄膜形成在所述銦錫氧化物薄膜上。
全文摘要
顯示板的一表面上有導線，用于將從顯示板的一周邊部位的外面接收的信號傳送給顯示板顯示區(qū)域。各導線有置于顯示板的表面上用第一材料制的第一導電薄膜，置于第一導電薄膜的一部分上用滿足下述條件第二材料制的第二導電薄膜，即第二導電薄膜表面較第一導電薄膜表面不易氧化，及透明導電薄膜，薄膜是一氧化膜并置于至少第二導電薄膜上。第一導電薄膜，第二導電薄膜以及透明薄膜構成導線的三層結構部分。
文檔編號H05K1/09GK1110819SQ9411279
公開日1995年10月25日 申請日期1994年12月7日 優(yōu)先權日1993年12月7日
發(fā)明者稻田紀世史, 鹽田素二, 吉田裕一, 田草康伸 申請人:夏普公司