專利名稱：半導(dǎo)體器件的運(yùn)送處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適合半導(dǎo)體器件的運(yùn)送處理裝置(通常稱為IC處理器)，比如在以半導(dǎo)體器件為代表的半導(dǎo)體集成電路元件(以下稱為IC)測試的試驗(yàn)裝置(通常稱為IC測試)中，把IC運(yùn)送到用于測試的測試部，并且把測試完的IC從測試部運(yùn)出、分類處理；尤其是涉及把將要接受測試的半導(dǎo)體器件能在充分長時(shí)間內(nèi)暴露在一定的溫度環(huán)境下的半導(dǎo)體器件的運(yùn)送處理裝置。
圖6表示稱之為現(xiàn)有技術(shù)的水平運(yùn)送方式的半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置(以下稱為IC處理)一例的大致結(jié)構(gòu)圖。在成為基座的臺架1圖中，配置了沿著下側(cè)1A存放IC的多個托盤群2。各托盤群2A～2E分別由在垂直方向使多個托盤堆迭構(gòu)成，在圖中，最左側(cè)的托盤群2A位于裝載器部。在裝載器部的托盤群2A上放置了將要接受測試的IC(受測IC)。
從堆迭配置的托盤群2A最上層的托盤，運(yùn)送臂3把IC運(yùn)送到稱為吸取載物臺(ソ-クステ-ジ)的轉(zhuǎn)臺4上，在該例中是一個個地輸送IC。在轉(zhuǎn)臺4上為了限定接受IC的位置，用向上傾斜面圍起的大體正方形四邊的定位用凹部5以等角間隔成同心圓狀形成一列，轉(zhuǎn)臺4例如在圖中所示例子沿順時(shí)鐘方向每轉(zhuǎn)動一個間距，則運(yùn)送臂3把一個IC落入各定位用凹部5上。
標(biāo)號6表示轉(zhuǎn)臺4運(yùn)來的IC被送往測試部7的接觸臂。接觸臂6從轉(zhuǎn)臺4各定位凹部5吸附取出一個IC，并將該IC運(yùn)送到測試部7。接觸臂6有三個臂，其三個臂旋轉(zhuǎn)，依次把IC送至測試部7和把在測試部7終了的IC傳遞給出口側(cè)的運(yùn)送臂8。此外，轉(zhuǎn)臺4、接觸臂6和測試部7裝在恒溫室(chamber)9內(nèi)，其構(gòu)成應(yīng)該是使受測IC在該恒溫室9內(nèi)以保持一定溫度的狀態(tài)進(jìn)行測試。即恒溫室9內(nèi)被控制在高溫或低溫的適當(dāng)溫度下，對受測IC可施加一定的溫度測試。
由出口側(cè)運(yùn)送臂8取出的IC根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果分別被裝在配置有卸載器部的在本例中為三個托盤群2C、2D、2E的任一個中。例如，IC次品裝在最右側(cè)托盤群2E的托盤上，IC合格品裝在其左側(cè)托盤群2D的托盤上，必須重作試驗(yàn)的IC再放置在左側(cè)托盤群2C的托盤上。這些分別由轉(zhuǎn)運(yùn)臂10、11進(jìn)行。此外，左側(cè)第二托盤群2B表示用裝載器部收容空著的托盤的緩沖部上配置的空閑托盤群。一旦卸載器部各托盤群2C、2D、2E堆迭的最上層托盤裝滿，則該空閑的托盤群運(yùn)至其托盤群之上，被用于IC的存放。
圖6所示的上述IC處理機(jī)為限定接受IC的位置的定位凹部5，在轉(zhuǎn)臺4上以等角間隔同心圓狀形成一列，轉(zhuǎn)臺4按順時(shí)針方向每轉(zhuǎn)動一個間距，則運(yùn)送臂3把一個IC落入各定位凹部5，雖然上述IC處理機(jī)是如此構(gòu)成的，但如圖7所示，在轉(zhuǎn)臺4上以等角度間隔成同心圓地形成二列定位凹部5，由運(yùn)送臂3從裝載器部每次運(yùn)送兩個受測IC，轉(zhuǎn)臺4每轉(zhuǎn)動一個間距經(jīng)運(yùn)送臂3使IC兩個兩個地落入轉(zhuǎn)臺4兩列的兩個定位凹部5上，上述構(gòu)成的IC處理機(jī)也是實(shí)用的。該圖7所示的IC處理機(jī)，其構(gòu)成是接觸臂6、出口側(cè)運(yùn)送臂8及轉(zhuǎn)運(yùn)臂10相同，一次可運(yùn)兩個IC，并且在測試部7中除一次可測兩個受測IC的構(gòu)成以外，其余與上述圖6所示的IC處理機(jī)的構(gòu)成相同，所以相應(yīng)的部分標(biāo)以相同的符號，那些方面的說明從略。
然而，在圖6所示的IC處理機(jī)中，受測IC在轉(zhuǎn)臺4的角度位置A被放置在轉(zhuǎn)臺4上，在角度位置B由接觸臂6從轉(zhuǎn)臺4送入測試部7。這期間搭載在轉(zhuǎn)臺4之上約移動240°的角度范圍，這期間使IC的溫度在恒溫室9內(nèi)上升(或下降)。
通常，在轉(zhuǎn)臺4上以約12°的間距(角度間隔)成同心圓狀形成定位凹部5，所以在240°范圍內(nèi)排列20個定位凹部5。測試部7的IC測試時(shí)間短至僅數(shù)秒，由于從角度位置A至B的移動距離短，一旦與測試部7的測試周期同步地旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)臺4，則在尺寸大的IC情況下，在從角度位置A移至B時(shí)間內(nèi)，存在無法達(dá)到所要求的恒溫室9內(nèi)溫度的情況。因此，雖然測試部7的測試結(jié)束，但必須使IC等待到上升(或下降)至一定的溫度，其結(jié)果，測試用時(shí)增加了，這就是缺點(diǎn)所在。
另一方面，在圖7所示的IC處理機(jī)情況下，受測IC在轉(zhuǎn)臺4的角度位置A被放置在轉(zhuǎn)臺4上，由于在角度位置B從轉(zhuǎn)臺4送入測試部7，所以這期間被搭置在轉(zhuǎn)臺4上也移動約240°范圍。轉(zhuǎn)臺4上兩列同心圓狀定位凹部5同樣用約12°間距形成，所以在240°范圍中排列20個定位凹部5。因此，與圖6的IC處理機(jī)一樣，因從角度位置A至B移動距離短，在大尺寸IC情況下，存在從角度位置A移至B的時(shí)間內(nèi)達(dá)不到目標(biāo)溫度的情況，盡管測試部7的測試工作終了，但I(xiàn)C必須等待達(dá)到升至(或下降)規(guī)定溫度，其結(jié)果對于測試所需時(shí)間加長了，這就是缺點(diǎn)所在。
本發(fā)明目的在于提供一種這樣的半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，使將要接受試驗(yàn)的半導(dǎo)體器件在充分長的時(shí)間期間暴露在溫度環(huán)境下，從而，與測試部的測試周期同步地使轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)動，在測試部的測試周期中使受測半導(dǎo)體器件的測試可反復(fù)進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明提供的第一種半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其構(gòu)成是，在轉(zhuǎn)臺上以同心圓狀形成N列(N為大于2的整數(shù))定位凹部，從最外周或最內(nèi)周至少一個定位凹部列開始堆入受測半導(dǎo)體器件，被堆入的各受測半導(dǎo)體器件轉(zhuǎn)一周回到原來位置時(shí)，在其位置改換成其他定位凹部，各受測半導(dǎo)體器件旋轉(zhuǎn)至少一周之后，從上述替換位置按到達(dá)測試部一定角度移動受測半導(dǎo)體器件并選入測試部。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的運(yùn)送處理裝置，受測半導(dǎo)體器件放置在轉(zhuǎn)臺上轉(zhuǎn)至少一周，其后移動一定角度進(jìn)入測試部。從而，在到達(dá)測試部的一定角度的移動時(shí)間上加轉(zhuǎn)至少一周的移動時(shí)間可用于給受測半導(dǎo)體器件分配一定的溫度應(yīng)力。這相加的旋轉(zhuǎn)至少一周的移動時(shí)間比到達(dá)測試部的一定角度的移動時(shí)間要長，所以與已有裝置比較兩倍以上的時(shí)間可用于使受測半導(dǎo)體上升或下降到一定的溫度。所以為能給受測半導(dǎo)體器件充分的冷卻或加熱時(shí)間，跟蹤測試部的測試周期，使轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)也完全不發(fā)生問題。從而，能縮短受測半導(dǎo)體器件的測試時(shí)間。
根據(jù)本發(fā)明提供的第二種半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其構(gòu)成是，在轉(zhuǎn)臺上形成的圖形排列的各定位凹部深度，應(yīng)深至能容納多個受測半導(dǎo)體器件，與此同時(shí)，在各定位凹部的底部設(shè)置可使堆迭放置的受測半導(dǎo)體器件上下移動的升降臺；設(shè)置驅(qū)動部，在把上述受測半導(dǎo)體器件堆入上述轉(zhuǎn)臺的定位凹部的位置及把受測半導(dǎo)體器件由上述轉(zhuǎn)臺定位凹部送至測試部的位置上，分別在與半導(dǎo)體器件堆迭數(shù)量對應(yīng)的數(shù)量位置中可間歇地驅(qū)動上述上升降臺；在把上述受測半導(dǎo)體器件堆入上述定位凹部的位置中，由上述驅(qū)動部使上述升降臺上升至一定位置，維持受測半導(dǎo)體器件的下落距離(落差)，在把受測半導(dǎo)體器件從上述定位凹部向測試部送出的位置中，上述驅(qū)動部驅(qū)動上述升降臺，在定位凹部上堆迭了的最上層半導(dǎo)體器件位置，通常吸附部可吸附半導(dǎo)體器件。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的運(yùn)送處理裝置，在各定位凹部上因收容運(yùn)送多個受測半導(dǎo)體器件，直到把全部半導(dǎo)體器件從定位凹部運(yùn)送到測試部為止，轉(zhuǎn)臺才停下，所以可使轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)速設(shè)慢為與在一個定位凹部可容納的半導(dǎo)體器件的個數(shù)相同。結(jié)果，能延長從把受測半導(dǎo)體器件堆入轉(zhuǎn)臺后到在測試部附近落下時(shí)的時(shí)間。從而，給受測半導(dǎo)體器件施加充分長的時(shí)間的熱應(yīng)力，在到達(dá)測試部期間，可使受測半導(dǎo)體器件的溫度充分地達(dá)到予期值。
附圖的簡要說明

圖1是用于說明本發(fā)明IC處理機(jī)第一實(shí)施例大致結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2是用于說明圖1所示的第一實(shí)施例主要部分結(jié)構(gòu)的放大剖視圖；圖3是用于說明本發(fā)明IC處理機(jī)第二實(shí)施例主要部分結(jié)構(gòu)的放大剖視圖；圖4是用于說明本發(fā)明IC處理機(jī)第二實(shí)施例主要部分結(jié)構(gòu)的放大剖視圖；圖5是用于說明本發(fā)明IC處理機(jī)第二實(shí)施例主要部分結(jié)構(gòu)的放大剖視圖；圖6是用于說明已有的水平運(yùn)送方式的IC處理機(jī)一例的簡要構(gòu)成平面圖；圖7是用于說明已有的水平運(yùn)送方式的IC處理機(jī)另一例的簡要構(gòu)成平面圖。
下面參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明最佳實(shí)施例。另外，在下面實(shí)施例中雖然以作為半導(dǎo)體器件代表例的IC為例進(jìn)行說明，但顯然也適用于運(yùn)送、處理IC以外半導(dǎo)體器件的裝置。
圖1是表示本發(fā)明IC處理機(jī)第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)簡圖。在試驗(yàn)實(shí)施例中，雖然展示了以等角度間隔同心圓狀在轉(zhuǎn)臺4上形成兩列用于多個定位的凹部5，但是也可以作為兩列以上定位用凹部5的圓形排列。在同心地形成兩列圓形排列多個定位用凹部情況下，相應(yīng)于定位用凹部圓形排列的數(shù)量，在運(yùn)送臂3上安裝兩個吸頭。即在該實(shí)施例中設(shè)置運(yùn)送臂3的前端側(cè)和近旁側(cè)各一個，比如用真空吸附吸住受測IC并運(yùn)送的吸頭3R和3F。當(dāng)定位用凹部圓形排列多于兩列情況下，在運(yùn)送臂3上可以設(shè)置相應(yīng)于形成的排列數(shù)的數(shù)量的吸頭。
利用近旁側(cè)設(shè)置的吸頭3F一個個地從裝載器部的托盤群2A最上部的托盤拾起受測IC，在作為IC堆入位置的轉(zhuǎn)臺4上的角度位置A中，落入受測IC，該IC原來吸附保持在以同心圓形成于轉(zhuǎn)臺4上的兩列定位用凹部圓形排列內(nèi)的外側(cè)排列5A中一個定位用凹部5中。另外，當(dāng)吸頭3F從托盤群2A最上部的托盤拾起受測IC時(shí)，運(yùn)送臂3在靜止?fàn)顟B(tài)下使吸頭3F向下移動，接近受測IC吸住其吸附面，并且，在堆入位置A中使吸住的受測IC落入定位用凹部5時(shí)，運(yùn)送臂3也在靜止?fàn)顟B(tài)下使吸頭3F向下移動，接近定位用凹部5底面，放受測IC。其他吸頭3R的動作也一樣。
轉(zhuǎn)臺4轉(zhuǎn)一周，在整個外側(cè)定位用凹部排列5A的定位用凹部5上，一旦載放受測IC(即滿員)，則其后吸頭3F與到目前為止一樣從托盤群2A拾起受測IC，隨著空閑狀態(tài)的吸頭3R移動到轉(zhuǎn)臺4的IC堆入位置A，但首先在空閑吸頭3R上吸住從外側(cè)定位用凹部排列5A轉(zhuǎn)一周過來的受測IC，接著使吸住保持該受測IC的吸頭3R移到內(nèi)側(cè)定位用凹部排列5B的定位用凹部5之上。這時(shí)，保持來自托盤群2A的受測IC的吸頭3F移動到外側(cè)凹部排列5A目前空閑的定位用凹部5之上。
如圖2所示吸頭3R和3F，以與同心凹部排列5A和5B直徑方向間隔PY一致的間隔被配置在運(yùn)送臂3中。從而，前端側(cè)吸頭3R位于內(nèi)側(cè)凹部排列5B定位用凹部5的上部；近旁側(cè)吸頭3F位于外側(cè)凹部排列5A定位用凹部5上部，使處于受測件IC可落入各個定位用凹部5上。但是，吸頭3R和3F的間隔可不一定與同心凹部排列5A和5B直徑方向間隔PY一致。當(dāng)吸頭3R和3F的間隔比間隔PY大時(shí)，在空閑的吸頭3R上吸住自外側(cè)定位用凹部排列5A轉(zhuǎn)一同過來的受測IC，接著，使吸住新的受測IC的吸頭3F移動到外側(cè)定位用凹部排列5A的定位用凹部5之上，落入受測IC，接著使吸住來自外側(cè)定位用凹部排列5A的受測IC的吸頭3R移動到內(nèi)側(cè)定位用凹部排列5B的定位用凹部5之上，可使受測IC落入。
受測IC分別落入各定位5之后，運(yùn)送臂3又返回托盤群2A最上部的托盤上，從盤群2A使一個受測IC吸在吸頭3F上。其后，運(yùn)送頭3使空閑吸頭3R向轉(zhuǎn)臺4上的外側(cè)凹部排列5A的定位凹部5的上面移動。這期間轉(zhuǎn)臺4轉(zhuǎn)動一個間距，所以當(dāng)空閑吸頭3R回到位于外側(cè)凹部排列5A的IC堆入位置A的定位凹部5之上時(shí)，在該空閑吸頭3R的下面把轉(zhuǎn)一周過來的下一個IC放置在轉(zhuǎn)臺4上。
從而，吸頭3R吸著該受測IC，使吸住來自托盤群2A的受測IC的吸頭3F僅以PY間距前進(jìn)，內(nèi)側(cè)和外側(cè)的凹部排列5B和5A的定位凹部5上使分別保持的IC落入(圖2狀態(tài))。重復(fù)該動作，從外側(cè)的凹部排列到5A將受測IC依次移換放置在內(nèi)側(cè)的凹部排列5B上。
移換到內(nèi)側(cè)凹部排列5B的受測IC的前頭一旦使受測IC達(dá)到向測試部7送出的角度位置B，則接觸臂6從內(nèi)側(cè)凹部排列5B拾起受測IC，把其吸著保持的受測IC運(yùn)送到測試部7。把測試部7測試終了的受測過的IC傳送到運(yùn)送臂8，根據(jù)測試結(jié)果數(shù)據(jù)從運(yùn)送臂8通過轉(zhuǎn)運(yùn)臂10、11被分到卸載器部的托盤群2C、2D、2E存好。
如圖2所示，轉(zhuǎn)臺4內(nèi)側(cè)的圓形凹部排列5B的定位用凹部5的構(gòu)形要比外側(cè)圓形凹部排列5A的定位凹部5來得深。從托盤群2A吸住受測IC的吸頭3F如圖2所示在距托盤4表面一定高度距離位置停止，使吸住的受測IC落入外側(cè)排列5A的定位凹部5內(nèi)。上述動作若受測IC不是距一定高度自然落下，則由于不能正確定位，所以當(dāng)吸頭3F過分接近定位凹部5，則受測IC引線(端子)會因觸到凹部5的斜狀壁而變形或損壞。另一方面從操作性來看，吸頭3F、3R的升降距離較短為佳，并且，為了控制簡單，最好升降距離一樣。因此，在本實(shí)施例中，設(shè)定吸頭3F的升降距離與從裝載器部的托盤群2A吸住受測IC時(shí)的升降距離一樣。
對此，如上所述，吸頭3R從外側(cè)排列5A拾起轉(zhuǎn)過一周的受測IC，再把吸住的IC落入內(nèi)側(cè)排列5B的定位凹部5內(nèi)。當(dāng)吸頭3R從外側(cè)排列5A拾起IC情況下，因吸頭3R前端下降到定位凹部5內(nèi)的IC表面附近進(jìn)行吸附，所以從圖2可了解到，吸頭3R大致下降到轉(zhuǎn)臺4的表面位置才吸住受測IC。即，吸頭3F降至比使受測IC落入外側(cè)排列5A的定位凹部5內(nèi)的位置還要低。這時(shí)，吸頭3R升降距離短的好，并且與吸頭3F的升降距離一樣便于控制，所以在本實(shí)施例中，吸頭3R要這樣安裝在運(yùn)送臂3上，即對應(yīng)圖2所示下降位置之差的距離僅此吸頭3F的低，自然以和吸頭3F同樣短的升降距離從外側(cè)排列5A的定位凹部5可吸住受測IC。并且，與吸頭3F的升降距離相同地設(shè)定吸頭3R的升降距離。
像這樣，與吸頭3F的升降距離同樣地設(shè)定吸頭3R的升降距離，由于距離變短，所以若內(nèi)側(cè)排列5B的定位凹部5與外側(cè)排列5A的定位凹部5的深度相同，則由圖2可知，吸頭3R吸住的受測IC落入內(nèi)側(cè)排列5B的定位凹部5時(shí)的距離非常短，這時(shí)不僅不能使受測IC正確地定位，而且使受測IC的引線(端子)接觸凹部5的斜狀壁而變形、或被損壞。因此，要使內(nèi)側(cè)排列5B的定位凹部5比外側(cè)排列5A的定位凹部5更深，人下降到比吸頭3F低的位置的吸頭3R放開受測IC時(shí)，與落向外側(cè)排列5A的定位凹部5內(nèi)時(shí)的距離一樣，受測IC自然落下。從而，在該實(shí)施例中，內(nèi)側(cè)排列5B的定位凹部5的構(gòu)成對應(yīng)于上述這些頭的安裝位置之差距離僅比外側(cè)排列5A的定位凹部5的要深。
另外，與受測IC比較由于轉(zhuǎn)盤4是在恒溫室9內(nèi)保溫的大熱源或冷卻源，所以對于裝在轉(zhuǎn)臺4內(nèi)側(cè)排列5B的深定位凹部5上的受測IC，該轉(zhuǎn)盤4的冷熱傳導(dǎo)良好。因此，其優(yōu)點(diǎn)是把受測IC深深地裝在轉(zhuǎn)盤4的定位凹部5上，能可靠地按既定溫度加熱或冷卻。
并且在上述實(shí)施例中，雖然展示了使圓形定位凹部排列同心地形成兩列的情況，但圓形凹部排列可作成2以上的N列(N為2以上的整數(shù))。在把圓形凹部排列作成N列情況下只要在運(yùn)送臂3上設(shè)置N個吸頭就行。比如，如圖7所示，一次運(yùn)送兩個IC的結(jié)構(gòu)的處理機(jī)情況下，使圓形定位凹部排列同心四列，在運(yùn)送臂3上安裝四個吸頭，由該運(yùn)送臂3以裝載器部的托盤群2A把受測IC每次兩個地堆入例如外側(cè)兩列凹部排列上，堆入的受測IC轉(zhuǎn)一圈之后，把受測IC從外側(cè)兩列凹部排列移換到內(nèi)側(cè)兩列的凹部排列，同時(shí)把兩個受測IC從裝載器部的托盤群2A堆入外側(cè)兩列的凹部排列上，只要把內(nèi)側(cè)的兩列凹部排列的受測IC送至測試部就行。
并且，在上述實(shí)施例中，開始時(shí)把來自裝載器部的受測IC堆入外側(cè)的凹部排列5A，各受測IC轉(zhuǎn)一圈之后，從對外側(cè)凹部排列5A把受測IC移換到內(nèi)側(cè)的凹部排列5B，送往測試部，但在開始，把來自裝載器部的受測IC堆入內(nèi)側(cè)凹部排列5B上，各受測IC轉(zhuǎn)一圈之后，從內(nèi)側(cè)的凹部排列5B把受測IC移換到外側(cè)的凹部排列5A，也可使其送往測試部。
根據(jù)上述第一實(shí)施例，受測IC在作為IC堆入位置的角度A中，被放置在轉(zhuǎn)臺4的各定位凹部5內(nèi)之后旋轉(zhuǎn)N-1圈，其后移動從角度位置A至作為送往測試部位置的角度位置B的規(guī)定角度(約240°)，送入測試部7。從而，在到達(dá)測試部7的一定角度的移動時(shí)向上相加N-1圈的移動時(shí)間的期間內(nèi)，使受測IC達(dá)到恒溫9中的溫度，施加規(guī)定的熱應(yīng)力。由于該相加了的N-1圈的移動時(shí)間比到達(dá)測試部7的規(guī)定角度的移動時(shí)間還要長，所以與已有的IC處理機(jī)比較，兩倍以上的時(shí)間能用于使受測IC的溫度按一定要求上升或下降。所以，為了能給受測IC以充分的吸熱或散熱時(shí)間，所以跟蹤測試部7的測試周期，使轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，完全不會發(fā)生問題。因此，能縮短受測IC的測試時(shí)間。
下面，參照圖3至圖5說明本發(fā)明的IC處理機(jī)的第二實(shí)施例。該第二實(shí)施例在圖7所示的結(jié)構(gòu)的IC處理機(jī)中應(yīng)用了本發(fā)明，所以在與圖7相應(yīng)的部分標(biāo)注相同符號，只要是非必要部分，說明從略。
圖3是表示在作為操作第二實(shí)施例的主要部分的轉(zhuǎn)盤4上形成的定位凹部5的一個放大剖視圖。從圖7了解到，在轉(zhuǎn)臺4上雖然形成同心圓狀兩列定位凹部排列，這些定位凹部排列以等角度間隔或圓形排列許多定位凹部5，但由于在轉(zhuǎn)臺4上形成的定位凹部5其結(jié)構(gòu)、形狀完全相同，所以在圖3中作為代表例、轉(zhuǎn)動到作為轉(zhuǎn)臺4的受測IC的堆入位置的角度位置A，表示處于從裝載器部的托盤群2A由運(yùn)送臂3運(yùn)送來的受測IC接受狀態(tài)的定位凹部5。
在該第二實(shí)施例中，在轉(zhuǎn)臺4上以等角度間距形成比已有的定位凹部深度要深的定位凹部5。并且，在各定位凹部5的底部上設(shè)置升降臺20。在該實(shí)施例中，因在各定位凹部5上要能夠兩個兩個地裝入受測IC，所以各定位凹部5的深度具有能深至收容兩個受測IC的程度。升降臺20能上下(垂直方向)移動地安裝在定位凹部5的底部，受測IC載于升降臺20的上面。
在本實(shí)施例中，升降臺20具有在圓柱體20A的兩端形成凸緣20B的結(jié)構(gòu)，該圓柱體20A插在形成于定位凹部5底面上的通孔中，隨著圓柱體20A的上下移動，通過兩端凸緣20B靠定在定位凹部5的底面上，來限止升降臺20上下分向移動距離。
另一方面，在轉(zhuǎn)臺4的角度位置A和B(見圖7)上設(shè)置使升降臺20升降的驅(qū)動部12。在該實(shí)施例中，由于在轉(zhuǎn)盤4上同心地形成兩列圓形定位凹部排列，所以驅(qū)動部12在各角度位置A和B上各設(shè)置兩臺。作為驅(qū)動升降臺20的驅(qū)動部12，在本實(shí)施例中雖然使用了汽壓缸，當(dāng)然也使用其他驅(qū)動設(shè)備。
驅(qū)動部12裝在恒溫室9的外側(cè)。例如像圖中所示，把驅(qū)動部12的汽壓缸部分裝在構(gòu)成恒溫室的隔熱壁(底壁)13的外側(cè)，驅(qū)動部12的活動桿(活塞)14穿過恒溫9的隔熱壁13延伸至接近轉(zhuǎn)盤4的底面。這時(shí)，最好這樣配置驅(qū)動部12，通常由于升降臺20靠其自重(重力)處于向下側(cè)降落狀態(tài)，所以當(dāng)驅(qū)動部12的活塞14處于后退位置時(shí)，活塞14的前端位于比處于向下側(cè)降落狀態(tài)的升降臺20底面稍微向下方的位置上。
通過轉(zhuǎn)臺4的轉(zhuǎn)動，定位凹部5以及升降臺20一旦到達(dá)角度位置A及B，則驅(qū)動部12的活塞14前端處在位于升降臺20的底面附近狀態(tài)。在該狀態(tài)下，向上驅(qū)動驅(qū)動部12使活塞14前進(jìn)，升降臺20上升到圖1所示的高水平位置，從位上升位置向下驅(qū)動驅(qū)動部12，使活塞14后退，則升降臺20在圖4及5所示的低水平位置，即由自重向下降落的位置上停止。
像這樣，其構(gòu)成是升降臺20可取得高低兩個水平位置，所以位于圖3所示的轉(zhuǎn)臺4的角度位置A的升降臺20，首先由驅(qū)動部12上升至高水平位置，在支撐該高水平位置的狀態(tài)下通過運(yùn)送臂3的吸頭15接受第一個受測IC。一旦取得第一個IC，則向下驅(qū)動驅(qū)動部12，因據(jù)此使活塞20后退，所以升降臺20如圖4所示移動至低水平位置停止，在該位置中通過運(yùn)送臂3的吸頭15在前頭取得的受測IC上接受第二個受測IC(參照圖5)。在此，如圖4所示，設(shè)定使升降臺20的升降行程S與IC厚度T相等，則通過吸頭15接受第一個IC時(shí)的落差D1(圖3)與通過吸頭15接受第二個IC時(shí)的落差D2變得一樣。因此，可用同樣條件(同一落差)使任意的受測IC落入全部定位凹部5上。
此外，安裝在運(yùn)送臂3上的吸頭15與圖7所示的現(xiàn)有例一樣，由運(yùn)送臂3向下移動通過真空吸引力吸住保持。在圖3～5上雖然展示了一個吸頭15，但實(shí)際上在運(yùn)送臂3上裝有兩個吸頭，同時(shí)可運(yùn)送兩個受測IC。
如圖5所示，在堆入轉(zhuǎn)盤4的受測IC的角度位置A中，在圓形排列的兩列各定位凹部5上，每次容納兩個受測IC把受測IC移至作為送往測試部7的位置的轉(zhuǎn)盤4的角度位置B。在該角度位置A到角度位置B的運(yùn)送過程中，使受測IC達(dá)到恒溫室9內(nèi)溫度。
在角度位置B中，在接觸臂6上安裝的兩個吸頭吸住裝在外側(cè)及內(nèi)側(cè)各個定位凹部5上的受測IC，送往測試部7。在各定位凹部5上由于以重迭狀態(tài)裝著兩個受測IC，所以接觸臂6的兩個吸頭首先吸住位于外側(cè)及內(nèi)側(cè)的兩個定位凹部的各上側(cè)的受測IC，運(yùn)送測試部7。其次，向上推動驅(qū)動部12，使升降臺20上升到圖3所示的高水平位置。在該狀態(tài)下，接觸臂6的兩個吸頭，這回位于外側(cè)及內(nèi)側(cè)兩定位凹部的各自下側(cè)(目前上側(cè)位置)的受測IC被吸住運(yùn)往測試部7。一旦在外側(cè)及內(nèi)側(cè)兩定位凹部上每收容的兩個受測IC被送往測試部7，則向下推動驅(qū)動部12，升降臺20下降到圖4或5所示的低水平位置。這期間轉(zhuǎn)盤4保持停運(yùn)。
像這樣，由于轉(zhuǎn)盤4處于在測試部7測試兩個IC的停運(yùn)期間，所以在該實(shí)施例中，使轉(zhuǎn)臺4移動一個間距的時(shí)間間隔為測試部7的測試周期的兩倍。即是說，可使轉(zhuǎn)臺4的旋轉(zhuǎn)速度減慢。因此，可讓由轉(zhuǎn)臺4運(yùn)送的受測IC充分地暴露在恒溫室9內(nèi)的溫度中，可對受測IC給予可靠的既定熱應(yīng)力。另一方面，因受測IC的測試周期與圖7所示的已有的IC處理機(jī)一樣，所以每單位時(shí)間的受測IC的測試個數(shù)既不下降，測試時(shí)間也不延長。
當(dāng)升降臺20位于高水平位置，因各定凹部下側(cè)的受測IC之位置等于在兩個受測IC重迭狀態(tài)收納時(shí)的上側(cè)受測IC的位置，所以接觸臂6的兩個吸頭以與吸附上側(cè)受測IC時(shí)同樣的行程吸附下側(cè)受測IC運(yùn)送到測試部7。因而，對吸頭的控制變易，并且能可靠吸附受測IC。
在上述第二實(shí)施例中，雖然就有關(guān)把有收容兩個IC深度的定位凹部5形成在轉(zhuǎn)盤4上的情況作了說明，但是要收容兩個以上也行。將一個定位凹部5的收容個數(shù)設(shè)為N個(N為大于2的整數(shù))時(shí)，使升降臺20升降的驅(qū)動部12使用具有在N個臺階上具有停止位置的結(jié)構(gòu)也行。作為像這樣的驅(qū)動部，比如由步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動，例如可由齒輪、齒條組成的直線運(yùn)動裝置或采用絲桿送進(jìn)機(jī)構(gòu)的直線運(yùn)動裝置等構(gòu)成。
并且，本發(fā)明不僅應(yīng)用于在轉(zhuǎn)盤4上以同心圓狀形成兩列定位凹部的圓形排列的IC處理機(jī)，而且也可應(yīng)用于備置具有圖6所示一列圓形排列的定位凹部的轉(zhuǎn)盤的IC處理機(jī)和備置了具有三列以上圓形排列位凹部的轉(zhuǎn)盤的IC處理機(jī)，當(dāng)然具有同樣的作用效果。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一點(diǎn)，在轉(zhuǎn)盤上同心圓地成N列形成圓形定位凹部排列，在該N列定位凹部排列的至少一個上在受測IC堆入角度位置上堆入受測IC，把轉(zhuǎn)一周回到上述堆入角度位置上來的受測IC移換在其他定位凹部排列，其后在送出受測IC角度位置上，把受測IC送往測試部。由于是這樣的構(gòu)成，所以受測IC放在轉(zhuǎn)臺上至少轉(zhuǎn)一周后，因在從受測IC的堆入角度位置到送出角度位置之間移動，所以至少多給受測IC至少一周的移動時(shí)間。因此，因在受測IC上可充分吸收恒溫室內(nèi)溫度，所以使轉(zhuǎn)盤與測試部的測試周期同步、既使每轉(zhuǎn)一個間距也能使受測IC達(dá)到以充分加熱或冷卻為目的的溫度。這樣，可增加每單位時(shí)間可處理的IC數(shù)，并且有顯著的縮短在試驗(yàn)中所需要的時(shí)間之效果。
另外，根據(jù)本發(fā)明的第二點(diǎn)，其構(gòu)成是，在轉(zhuǎn)盤上形成的各個圓形排列定位凹部上容納N個受測IC而被運(yùn)送，所以轉(zhuǎn)盤在測試部測試N個IC的時(shí)間之間停運(yùn)。從而，可把使轉(zhuǎn)盤移動一個間距的時(shí)間間隔作為測試周期的N倍。另一方面，因受測IC的測試周期與現(xiàn)有的一樣，所以每單位時(shí)間的受測IC的測試個數(shù)不下降，測試時(shí)間也不增加。并且，由于轉(zhuǎn)盤的轉(zhuǎn)速減慢，所以使由轉(zhuǎn)盤運(yùn)送的受測IC能充分地暴露在恒定的溫度下。因此能可靠地給受測IC施加規(guī)定的溫度應(yīng)力，效果顯著。
此外，在上述實(shí)施例中，雖然以半導(dǎo)體器件的代表例IC為例子作了說明，但本發(fā)明也適用于對IC以外的其他半導(dǎo)體器件的運(yùn)送處理的半導(dǎo)體處理裝置中，當(dāng)然對此也有同樣的效果。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其構(gòu)成是在半導(dǎo)體器件堆入位置中，依次把放在托盤上的受測半導(dǎo)體器件換置在轉(zhuǎn)盤上形成的圓形排列的定位凹部中，通過該轉(zhuǎn)盤的轉(zhuǎn)動把搭載在所述定位凹部上的受測半導(dǎo)體器件運(yùn)送到測試部附近，該轉(zhuǎn)盤運(yùn)送時(shí)，給受測半導(dǎo)體器件施加一定的熱應(yīng)力，在所述測試部的附近，把所述轉(zhuǎn)臺上的受測半導(dǎo)體器件送入測試部，對半導(dǎo)體器件進(jìn)行測試，其特征在于，在所述轉(zhuǎn)盤上同心呈N列(N為2以上整數(shù))地形成圓形排列的定位凹部，該半導(dǎo)體器件堆入位置中，依次把受測半導(dǎo)體器件從所述托盤送入該N列定位凹部排列內(nèi)至少一個排列的定位凹部上，裝在各定位凹部上的受測半導(dǎo)體器件由所述轉(zhuǎn)盤每轉(zhuǎn)一周，把所述受測半導(dǎo)體器件移換到在所述半導(dǎo)體器件堆入位置上以空閑狀態(tài)到達(dá)的其他排列定位凹部上，利用這器件的替換，依次把新的受測半導(dǎo)體器件從所述托盤送入空閑的定位凹部位，至少轉(zhuǎn)一周的受測半導(dǎo)體器件被運(yùn)送到所述測試部附近時(shí)，送進(jìn)所述測試部。
2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其特征在于，在所述轉(zhuǎn)盤上同心形成的圓形定位凹部排列數(shù)為2，依次把受測半導(dǎo)體器件送入該兩列內(nèi)外側(cè)排列的定位凹部上，裝在各定位凹部上的受測半導(dǎo)體器件由所述轉(zhuǎn)盤每轉(zhuǎn)一周，把所述受測半導(dǎo)體器件移換至內(nèi)側(cè)排列的定位凹部上，經(jīng)這種移換，依次把新的受測半導(dǎo)體器件送入成為空閑的外側(cè)排列定位凹部上，同時(shí)把在所述內(nèi)側(cè)排列的定位凹部上移換的受測半導(dǎo)體器件移動到所述測試部附近，并送入所述測試部。
3.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其特征在于，所述內(nèi)側(cè)排列的定位凹部的形成深度比所述外側(cè)排列的定位凹部的形成深度要深。
4.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其特征在于，所述各排列的定位凹部以約12°的角度間隔形成，依次把受測半導(dǎo)體器件送入所述轉(zhuǎn)盤上定位凹部上的角度位置和把由所述轉(zhuǎn)盤移動的受測半導(dǎo)體器件依次送出的角度位置之間間隔約240°。
5.一種半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其構(gòu)成是，依次把放在托盤上的受測半導(dǎo)體器件換置在轉(zhuǎn)盤上形成的圓形排列的定位凹部中，通過該轉(zhuǎn)盤的轉(zhuǎn)動把搭載在所述定位凹部上的受測半導(dǎo)體器件運(yùn)送到測試部附近，用該轉(zhuǎn)盤運(yùn)送時(shí)施加給受測半導(dǎo)體器件一定的熱應(yīng)力，在所述測試部的附近，把所述轉(zhuǎn)臺上的受測半導(dǎo)體器件送入測試部，對半導(dǎo)體器件進(jìn)行測試，其特征在于，所述各定位凹部的深度形成能堆入容納多個受測半導(dǎo)體器件的深度，同時(shí)，在各定位凹部的底部都設(shè)置使堆入容納半導(dǎo)體器件可作上下移動的升降臺，在所述受測半導(dǎo)體器件被堆入所述轉(zhuǎn)臺定位凹部上的位置及從所述轉(zhuǎn)臺的定位凹部向測試部送出受測半導(dǎo)體器件的位置上，分別在對應(yīng)于半導(dǎo)體器件堆入數(shù)的數(shù)量位置設(shè)置可停運(yùn)的驅(qū)動部，在把所述受測半導(dǎo)體器件堆入所述定位凹部的位置上，經(jīng)驅(qū)動部使升降臺升至規(guī)定位置，使受測半導(dǎo)體器件保持下降一定距離，在把受測半導(dǎo)體器件從所述定位凹部送至測試部的位置上，所述升降臺被所述驅(qū)動部驅(qū)動，使得在定位凹部上堆入的最上層半導(dǎo)體器件的位置上，吸附部能常吸住半導(dǎo)體器件。
6.如權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其特征在于，所述各定位凹部深度具有可堆迭容納兩個受測半導(dǎo)體器件的深度，所述升降臺被安裝在各定位凹部的底部，使得能夠沿上下方向在高水平位置和低水位置兩個位置之間移動，所述驅(qū)動部在堆入所述定位凹部的位置中，開始驅(qū)動所述升降臺到所述高水平位置，一旦第一個半導(dǎo)體器件放入定位凹部，則使所述升降臺降在所述低水平位置，在把受測半導(dǎo)體器件從所述定位凹部向測試部送出的位置中，取出定位凹部內(nèi)上側(cè)的半導(dǎo)體器件之后，使所述升降臺驅(qū)動到所述高水平位置。
7.如權(quán)利要求6所述半導(dǎo)體器件運(yùn)送處理裝置，其特征在于，所述升降臺從所述高水平位置向所述低水平位置下降時(shí)，不用所述驅(qū)動部驅(qū)動而是靠自重下降。
全文摘要
一種能使受測IC有充分長的吸熱散熱時(shí)間的IC處理機(jī)。在轉(zhuǎn)臺上同心圓狀呈N列形成圓形排列的定位凹部，依次把受測IC供給最外周或最內(nèi)周定位凹部排列的定位凹部，隨著轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)，受測IC每轉(zhuǎn)一周，則移換到其他定位凹部排列的定位凹部，受測IC轉(zhuǎn)N-1周之后，移換到最后剩下的定位凹部排列的定位凹部，再從該移換位置移動到送往測試部的位置的角度范圍，送進(jìn)測試部。
文檔編號H05K13/04GK1158814SQ9612118
公開日1997年9月10日 申請日期1996年10月27日 優(yōu)先權(quán)日1995年10月27日
發(fā)明者清川敏之, 村山孝夫 申請人:株式會社愛德萬測試