專利名稱：淀積雙軸結(jié)構(gòu)涂層的方法與設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及雙軸結(jié)構(gòu)涂層的淀積方法，其中雙軸結(jié)構(gòu)是在淀積期間高能粒子以特定控制的角度轟擊造成的。
雙軸結(jié)構(gòu)涂層是一種相鄰晶粒中兩個結(jié)晶方向平行的涂層。眾所周知，淀積期間，相對于襯底表面以大于90度的角度引導(dǎo)高能粒子流，可在涂后中形成雙軸結(jié)構(gòu)。人們還知道，根據(jù)待淀積材料的晶體結(jié)構(gòu)，高能粒子能導(dǎo)致最高程度雙軸結(jié)構(gòu)有一最佳入射角，具體情況可參閱以下作者的文獻(xiàn)L.S.Yu，U.M.Harper，J.J.Cuomo與D.A.Smith，J.Vac.Sci.Technol.A4(3)，P.443，1986；R.P.Reade，P.Berdahl，R.E.Russo，S.M.Garrison，Appl.Phys.Lett.61(18)，p，2231，1992；N.Sonuenberg，A.S.Longo，N.J.Cima，B.P.Chang，K.G.Ressler，P.C.McIntyre，Y.P.Liu，J.Appl.Phys.74(2)，P.1027，1993；Y.Iijima，K.Onabe，N.Futaki，N.Tanabe，N.Sdakate，O.Kohmo，Y.Ikeno，J.Appl.Phys.74(3)，p，1905，1993；X.D.Su，S.R.Foltyn，P.N.Arendt，D.E.Peterson，“高溫超導(dǎo)帶商業(yè)化會議錄”，Albuquerque，New Merico，July5-7，1995。
已經(jīng)描述過幾種制備雙軸結(jié)構(gòu)涂層的淀積方法。這些淀積方法的主要缺點在于待淀積材料和高能粒子流的供應(yīng)是由截然不同的源產(chǎn)生的，要求兩種源同處于一個真空腔，可能導(dǎo)致源間不相容，故要求對操作范圍作某些折衷以實現(xiàn)相容地工作。通常用某種離子源產(chǎn)生高能離子流，并以可控的角度射向襯底而在其上形成涂層生長。為了產(chǎn)生待淀材料，應(yīng)用了不同的淀積設(shè)備(如離子束濺射、脈沖式激光淀積、電子束淀積、磁控管濺射等，見上述文獻(xiàn))。在產(chǎn)生待定積材料和高能粒子流方面，要求兩種截然不同的源，使淀積方法更難以控制，不適于大規(guī)模應(yīng)用，花費也更大。
已經(jīng)描述過在淀積期間應(yīng)用等離子體輔助淀積方法以高能粒子轟擊(如用離子)來淀積材料的有效途徑。這類等離子體輔助淀積或離子輔助淀積法已廣泛用于提高涂層密度、增大涂層硬度、控制涂層應(yīng)力、影響涂層的光學(xué)特性等。還曾描述過對此而使用的磁控管濺射設(shè)備。曾經(jīng)描述過，磁控管濺射源的效能在很大程度上受到改變磁場結(jié)構(gòu)的影響。例如W.O.Sprould在“材料科學(xué)與工程”雜志(Vol.A136，p187，(1993))上描述了一種方法，可通過改變磁場結(jié)構(gòu)增大襯底上高能粒子的密度。Savvides與Katsaros在“應(yīng)用物理扎記”(Vol.62，p.528(1993))以及S.Gnanargjan等人在“應(yīng)用物理扎記”(Vol.70，p.2816(1997))上都描述了一種在襯底上減弱高能粒子轟擊和生長涂層的方法。然而，在所有這些方法中，都未曾描述過控制能高粒子的方向和對襯底的入射角，所以不適合于雙軸結(jié)構(gòu)。
對不同的應(yīng)用場合，已描述過對離子輔助淀積使用不平衡磁控管的情況，詳情可參見B.Window，J.Vac.Sci.Technol.A7(5)，p.3036，1989及B。Window，G.L.Harding，J.Vac.Sci.Technol.A8(3)，p.1277，1990。
因此，對于雙軸結(jié)構(gòu)涂層而言，要求有一種涉及更簡單設(shè)備的淀積方法與設(shè)備，最好能便于操作控制，適合大規(guī)模應(yīng)用。在本發(fā)明之前，還沒有哪種現(xiàn)成的方法或設(shè)備可以對待淀積材料和高能粒子流使用單一的源。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種便于淀積和控制雙軸結(jié)構(gòu)涂層的方法和實施該方法的設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供的方法利用一個或多個磁控管濺射裝置將雙軸結(jié)構(gòu)涂層淀積到襯底上，所述濺射裝置作為待淀積粒子和導(dǎo)向高能粒子流(包括雙軸結(jié)構(gòu))二者的源。
本發(fā)明還包括使用一種不平衡型磁控管，包括濺射氣體和將靶材料濺射到襯底上的靶，通過二極擴(kuò)散產(chǎn)生離子束，所述離子束主要由濺射氣體的離子組成。
本發(fā)明還提供一種利用一個或多個磁控管濺射裝置將雙軸結(jié)構(gòu)涂層淀積到襯底上的方法，所述濺射裝置以可控方向產(chǎn)生待淀積材料流和高能粒子流，因而對襯底有可控的入射角。
本發(fā)明還包括一個磁控管濺射源，產(chǎn)生的高能粒子束與待淀積材料一起以某個控制的角度射向襯底，在襯底上淀積雙軸結(jié)構(gòu)涂層。
通過對在襯底上組成涂層的離子束和將粒子淀積到襯底上形成涂層采用單個源，就消除了對這兩種不同的射束在一個真空腔內(nèi)采用不同的源而造成的不相容問題。
有關(guān)的權(quán)項還規(guī)定了本發(fā)明各獨立的實施例。下面參照附圖描述本發(fā)明內(nèi)容。
附圖簡述

圖1表示本發(fā)明一實施例的平面磁控管濺射源。
圖2表示本發(fā)明一實施例的旋轉(zhuǎn)陰極磁控管濺射源。
圖3a和3b表示本發(fā)明中平面與旋轉(zhuǎn)磁控管濺射源的磁力線。
圖4a-d表示可配用于本發(fā)明任一實施例的靜電偏轉(zhuǎn)屏。
圖5和6表示本發(fā)明一實施例的多個平面與旋轉(zhuǎn)陰極濺射源。
圖7表示本發(fā)明另一實施例的平面磁控管濺射源。
示例性實施例描述下面將參照特定的實施例與若干附圖描述本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于此，本發(fā)明范圍令由權(quán)項限定。
下面將要詳述的本發(fā)明淀積雙軸結(jié)構(gòu)涂層的方法，可以應(yīng)用于涂覆靜止襯底、旋轉(zhuǎn)襯底、成批襯底和連續(xù)涂覆處理。使用的磁控管濺射裝置可以是任一種合適的磁控管濺射(如帶平面圓形靶或平面矩形靶的磁控管)或可旋轉(zhuǎn)裝置。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，有關(guān)濺射裝置的襯底安裝和/或襯底移動的種種方面以及構(gòu)制和操作淀積系統(tǒng)所需的其它部件，諸如真空腔、靶安裝與冷卻裝置，將靶陰極電氣連接至電源的裝置、防止對濺射裝置某些部件不希望產(chǎn)生的濺射和防止電弧的接地屏等等，都是很清楚的，因此不再詳述這些部件。這些技術(shù)人員還知道，要求在淀積前清潔襯底(如濺射清潔)，暴露于輝光放電，暴露于電子回旋加速器共振等離子體或以另一種方式產(chǎn)生的等離子體，真空加熱，等等。
如圖1所示的平面濺射磁控管1，靶材料了裝在一側(cè)有磁鐵件2的真空腔(未示出)內(nèi)，待濺射涂覆的襯底6裝在真空腔的另一側(cè)。真空腔的氣氛可以包括氬等濺射氣體，而在反應(yīng)濺射時，還可以包括氧、氮等反應(yīng)氣體。襯底6可以是靜止的極材或移動的條材。靶材料3例如可用不能進(jìn)入真空腔的水回路(未示出)冷卻。電源負(fù)極(未示出)接至靶3。靶3上方交錯電磁場的組合在靶3上方產(chǎn)生等離子體4，該等離子體4通常位于磁鐵件2的磁極8、9產(chǎn)生的離磁場區(qū)內(nèi)。如圖所示，磁鐵件2可以包括中心磁鐵陣列9和外側(cè)磁鐵陣列8，前者的一個磁極指向靶3(北極或南極)，后者的另一個磁極(南極或北極)指向靶3。如果靶3為圓形，磁鐵陣列8與9也可能為圓形。磁極8、9可以裝在軟磁材料銜鐵7(如軟鐵)上。
圖2表示本發(fā)明的放置陰極濺射磁控管1。將通常呈拉形的靶3設(shè)置在充有濺射氣體或上述氣體的真空腔(未示出)內(nèi)，磁鐵件2設(shè)置在靶3內(nèi)，還設(shè)置了在靶3與磁鐵件2間產(chǎn)生相對移動的裝置。通常，靶3轉(zhuǎn)動，磁鐵件2保持不動。電源(未示出)將靶3保持為負(fù)電位。磁鐵件2的磁極8、9靠近靶3的內(nèi)表面，在靶3上方產(chǎn)生磁場，這些磁場與電場交錯在靶3表面上方產(chǎn)生“跑道”形式的等離子體4。襯底6對著靶3裝在真空腔里，它可以是靜止的極材或移動的條材。
為實現(xiàn)上述本發(fā)明的目的，磁控管濺射裝置1和襯底6可以構(gòu)成圖1或2的形式，來自磁控管濺射裝置1的高能粒子流5以特定的角α射向襯底6，從而給出最大程度的雙軸結(jié)構(gòu)。角α取決于待淀積材料。例如對于涂覆的立體材料，α將近似于54.74°。高能粒子流5基本上僅由濺射裝置1產(chǎn)生，而濺射裝置1不僅提供這種粒子流5，還將涂料濺射到待構(gòu)制的襯底6上。粒子流與可以基本上不含來自靶材的任何離子，基本上由例如來自濺射氣體經(jīng)電離的原子或分子組成。
來自磁控管濺射裝置的導(dǎo)向高能粒子流5按本發(fā)明方法獲得，即利用一種不平衡型磁鐵結(jié)構(gòu)2，使靶3發(fā)射的二次電子和等離子體4產(chǎn)生的電子沿磁力線移向襯底6，通過二極擴(kuò)散導(dǎo)致射向襯底6的高能離子流5。在平衡型磁控管中，離開磁鐵件一個關(guān)極的大部分磁力線匯集在磁鐵件相對磁極上。在不平衡型磁控管中，來自一個磁極的某些磁力線并不匯集在另一磁極上。不平衡能以各種方法實現(xiàn)，例如使用不同強(qiáng)度的磁鐵，使用不同大小的磁鐵，通過將相反極性的磁鐵靠近磁鐵件磁極之一來減弱部分磁鐵件，將一對抗電磁鐵置于靠近磁極之一。如圖3a或3b所示，以這樣一種方式配置根據(jù)本發(fā)明的磁控管濺射裝置1的磁鐵件2，或是平面的(圖3a)，或是旋轉(zhuǎn)陰極(圖3b)，使磁鐵2中外側(cè)磁鐵陣列8發(fā)出的大部分磁力線11跨過襯底表面。利用比內(nèi)磁鐵9強(qiáng)得多的外磁鐵8可以實現(xiàn)這一目的。以這種方法使磁控管1不平衡，結(jié)果產(chǎn)生的三維容積12由不匯集在內(nèi)磁鐵9上的外磁鐵8的磁力線11限定。來自等離子體4的一些電子跟隨磁力線11，從而它們“拖著”高能量正離子流，通常為周圍氣體的離子，這種流可以稱為二極流。粒子流5射向容積12內(nèi)和周圍的襯底6，構(gòu)成的涂層以普通濺射作用濺射到襯底6上。于是，根據(jù)本發(fā)明，粒子流5具有可限定的方向。
根據(jù)本發(fā)明的任一實施例，跟隨磁力線11射向襯底的電子的能量最好不造成大的電離。特別是，粒子流5中的電子最好既不啟動也不支持襯底6表面或靠近該表面的大量等離子體。大量等離子體指可能干擾形成涂層表面結(jié)構(gòu)的粒子粒5中高能離子方向性的等離子體。正是這種方向性及其與淀積涂層晶體結(jié)構(gòu)的相互關(guān)系造成了這種涂層的結(jié)構(gòu)。因此，根據(jù)本發(fā)明產(chǎn)生的離子束5應(yīng)以某一規(guī)定的角度撞擊襯底6。希望粒子流5中的電子能量較佳地大于30eV，更佳地大于50eV，而最佳在50eV與70eV之間。如果在襯底表面出現(xiàn)干擾的等離子體，可以改變磁控管1的不平衡來減小其作用，從而減小粒子特別是粒子流5中電子的能量。
如圖4a-d所示，利用靜電偏轉(zhuǎn)屏13沿磁力線11移動而增加到達(dá)襯底6的電子的數(shù)量，可增強(qiáng)來自不平衡型磁控管濺射裝置1的導(dǎo)向高能粒子流5。偏轉(zhuǎn)屏13最好保持負(fù)電位以排斥電子，且最好不要伸入?yún)^(qū)域口太深，否則會開始俘獲粒子流5中的正離子。圖4對平面磁結(jié)構(gòu)以截面示出了此類偏轉(zhuǎn)屏結(jié)構(gòu)的一些例子。如在圖4a中，可以使用垂直于靶3的端直屏13。如果靶3是個圓靶，屏13可以取柱形。在圖4b和3c中，屏13為“V”形截面，分別向里朝襯底傾斜。這類屏13有助于以對襯底6寬的軌道31引導(dǎo)任何電子。另外，如圖4d所示，屏可以向外傾斜，使電子流集中靠近靶3。圖4a-d所示的偏轉(zhuǎn)屏13也能與可旋轉(zhuǎn)的磁控管裝置聯(lián)用。
在同一真空腔內(nèi)應(yīng)用多個不平衡型磁控管濺射裝置1，可以克服圖1和2所示結(jié)構(gòu)中襯底6中涂后淀積的任何不均勻性。為了避免對抗結(jié)構(gòu)處理，最好引導(dǎo)來自每個此類裝置的高能粒子流5，讓它以對襯底6成同一角度α到達(dá)襯底6。本發(fā)明帶兩個不平衡型磁控管裝置1的實施例，示于圖5中的為平面磁控管，示于圖6中的為旋轉(zhuǎn)陰極磁控管。
在該結(jié)構(gòu)中，在磁控管濺射裝置1中，襯底表面的法線和靶3的峽谷條法線位于同一平面內(nèi)。使用兩個以上不平衡型磁控管裝置1時，配置將由襯底6上涂層生長材料的晶體結(jié)構(gòu)與期望的雙軸結(jié)構(gòu)確定。例如對立方體材料采用四個裝置，其中雙軸結(jié)構(gòu)的(100)軸垂直于襯底法線，另一根結(jié)晶軸(如(100)ak(110))平行于鄰近的晶粒，可對上述圖5或6結(jié)構(gòu)加兩個不平衡型磁控管裝置，該平面由靶3表面的法線形成，而襯底6垂直于原先兩個裝置的相應(yīng)平面。
對于例如具有立方體結(jié)晶結(jié)構(gòu)的材料，眾所周知，為使得到的雙軸結(jié)構(gòu)在涂層中所有晶粒的結(jié)晶(100)平面垂直于襯底表面，而另一結(jié)晶方向(如(111))平行于涂后中相鄰的晶粒，高能粒子相對于襯底表面法線的最佳入射角要等于2的平方根的反正切，約等于54.74°。
圖7示出本發(fā)明的另一實施例，其中將一附加磁鐵10定位于襯底6的后面，以便影響射向襯底6的高能粒子流5。利用圖7的配置，靶3后面外磁鐵陣列8發(fā)出的磁線力將到達(dá)襯底6后面的磁鐵10，進(jìn)一步聚集磁場，由此聚集了等離子體流，并能更好地控制等離子體流的方向。在該配置中，在襯底6后面加一磁鐵10將增強(qiáng)襯底6處的磁場，由此加快了電子的旋轉(zhuǎn)速度，原因在于保存了減速中平行于磁力線的能車。這還導(dǎo)致減少了因二極擴(kuò)散而被向前拖動的高能離子的能量，這些離子的能量也會減少。根據(jù)所需的高能粒子總量和獲得特定涂層的雙軸結(jié)構(gòu)所需的能量，可用襯底6后面的這種附加磁鐵10細(xì)調(diào)本發(fā)明的雙軸結(jié)構(gòu)。磁鐵10可以是一種可控的電磁鐵。
以本發(fā)明已平衡型磁控管濺射裝置發(fā)出的高能粒子流作了實驗。實驗中，使用了類似圖1的濺射源。磁鐵陣列配置成外側(cè)磁鐵8的磁通量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于內(nèi)側(cè)磁鐵9的磁通量，這樣獲得了極不平衡的磁控管，外側(cè)磁鐵8發(fā)出的磁力線穿過襯底6。如下所述，這種磁場結(jié)構(gòu)向襯底6產(chǎn)生高能粒子流。檢驗了三種不同的磁鐵陣列一種陣列的外側(cè)與內(nèi)側(cè)磁通量之比為9/1，另一種為4/1，第三種為2/1。
在靶3和繞磁力線旋轉(zhuǎn)的等離子體4中產(chǎn)生的電子沿這些磁力線射向襯底6。通過二極擴(kuò)散，離子向拖動，并產(chǎn)生導(dǎo)向的離子與中性粒子(離子經(jīng)中性化而成)流。根據(jù)在電子回旋加速器其振等離子體中用法后第杯作的測量結(jié)果，同時根據(jù)二極擴(kuò)散，已知根據(jù)磁場梯度和氣體總壓力，這些離子(和中性粒子)可獲得10eV～eV的能量。與利用ECR等離子體作的目視觀察那樣，也能用不平衡型磁控管觀察到發(fā)光的等離子體流。這種等離子體的形式明顯地與磁力線圖案相對應(yīng)，而對三種不同的磁鐵陣列，可觀察到三種不同的形狀。
運用高度不平衡的磁控管(比率為9/1)，可獲得導(dǎo)向高能粒子流，而且電子沿磁場的行進(jìn)更甚于使氣體原子電離。觀察了氣體總壓力對不同組份金屬Zr+Y層淀積速度的橫向分布的影響。在這些實驗中，RF濺射的操作條件是輸入功率為100瓦，靶一襯底距離為50mm，氬氣壓力為0.2～0.7Pa，襯底不加熱或冷卻。這些實驗都使用了玻璃襯底。在磁通量比率為2/1的結(jié)構(gòu)中，將氣體總壓力從0.7Pa降至0.2Pa，淀積速度略有下降(～10％)。橫向分布不是作為氣體壓力的函數(shù)而改變。然而，在磁通量比率為9/1的結(jié)構(gòu)中，在襯底中心降低壓力比在襯底邊緣降低壓力更容易減小淀積速度(前者達(dá)35％，后者達(dá)15％)，這表明在中心出現(xiàn)了生長薄膜的再濺射。再濺射最強(qiáng)的區(qū)域?qū)?yīng)于導(dǎo)向等離子體流到達(dá)襯底6的區(qū)域。這些實驗表明，等離子體流中粒子的能量高得足以(可以＞50eV)再濺射。
根據(jù)高能粒子流的方向性，可以觀察到高能粒子以受控的角度入射到生長薄膜的狀況。這些實驗用DC與RF濺射進(jìn)行，輸入功率在50與25瓦之間。靶與襯底的距離在6.5與13.5cm之間不等。使用的一種氣體混合物中，Ar約為150sccm，O2為10sccm，氣體總壓力約0.4Pa。通過在反應(yīng)過程中從不同組份的金屬性Zr+Y靶(從Zr/Y=85/15至Zr/Y=55/45)的濺射，淀積了氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯層。大多數(shù)層是以等離子體流與襯底法線成55°度淀積的。根據(jù)X射線衍射極圖測量結(jié)果，在金屬性(NiFe，Ti，F(xiàn)ecralloy)和玻璃質(zhì)兩種襯底上都出現(xiàn)了雙軸結(jié)構(gòu)。在磁通量比率為9/1時，玻璃襯底上得到的半峰全寬度值如下4角(平面外定向特征)～11°，φ角(平面內(nèi)定向特征)～22°。在比率為9/1和金屬襯底的情況下，很少觀察到雙軸結(jié)構(gòu)(半峰全寬度4～25°，φ～30°)，可能是表面粗糙度比玻璃高造成的。在磁通量比率為4/1時，雙軸結(jié)構(gòu)有點退化，但仍清晰可見。
縮小靶與襯底的距離，可增強(qiáng)高能粒子轟擊。用RF濺射代替DC濺射也能增強(qiáng)粒子轟擊。在靶與襯底的距離短且應(yīng)用大功率RF濺射時，可實現(xiàn)猛烈烈的粒子轟擊，正在淀積的層被完全濺射蝕刻掉，導(dǎo)致負(fù)的淀積速度。
這類實驗證明，通過使板不平衡的濺射源中經(jīng)二極擴(kuò)散而產(chǎn)生的高能粒子流以受控的角度射向襯底，制出了雙軸結(jié)構(gòu)。通過調(diào)整有關(guān)的不同參數(shù)，能使過程最優(yōu)化并獲得高度雙軸性結(jié)構(gòu)，淀積速度相當(dāng)高，處理可擴(kuò)展。
權(quán)利要求
1．一種應(yīng)用一個或多個磁控管濺射裝置將雙軸結(jié)構(gòu)涂層淀積到襯底上的方法，所述濺射裝置作為待淀積粒子和形成雙軸結(jié)構(gòu)的導(dǎo)向高能粒子流二者的源。
2．一種應(yīng)用一個或多個磁控管濺射裝置將雙軸結(jié)構(gòu)涂層淀積到襯底上的方法，所述濺射裝置以可控的方向產(chǎn)生待淀積材料流和高能粒子流，從而可控制對襯底的入射角。
3．如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁控管包括靶，導(dǎo)向高能粒子流基本上不含靶材離子。
4．如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁控管包括濺射氣體與靶，導(dǎo)向高能粒子流基本由濺射氣體離子組成。
5．如權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中磁控管包括靶還包括以下步驟使磁控管不平衡，因而靶外部與靶內(nèi)部產(chǎn)生的磁通量不同，由此高能粒子流產(chǎn)生二極擴(kuò)散。
6．一種利用濺射作用產(chǎn)生一束高能粒子以及待淀積材料的磁控管濺射源，所述源適于以某種方式控制的角度將所述束射向襯底，從而在襯底上形成雙軸結(jié)構(gòu)涂層。
7．如權(quán)利要求6所述的磁控管濺射源，還包括至少一個位于所述高能粒子束周圍的靜電屏。
8．如權(quán)利要求6或7所述的磁控管濺射源，還包括靶和磁鐵件，所述磁鐵件的一個磁鐵陣列面向靶內(nèi)部，產(chǎn)生一個磁極的磁場，另一個磁鐵陣列面向靶外部，產(chǎn)生另一個磁極的磁場，所述磁鐵件適于使外部磁鐵陣列與內(nèi)部磁鐵陣列產(chǎn)生的磁通量不同，從而經(jīng)二極擴(kuò)散產(chǎn)生高能粒子束。
9．如權(quán)利要求6～8中任一項所述的磁控管濺射源，其特征在于，所述源是一種平面或旋轉(zhuǎn)陰極磁控管。
10．如權(quán)利要求6～9中任一權(quán)項的磁控管濺射源，還包括一個磁鐵裝置，它位于襯底離高能粒子束的遠(yuǎn)側(cè)。
全文摘要
一種制造雙軸結(jié)構(gòu)涂層的淀積方法與設(shè)備,雙軸結(jié)構(gòu)在淀積時高能粒子以可控角度轟擊而形成。淀積方法應(yīng)用一個或多個磁控管濺射裝置,能產(chǎn)生待淀積材料流和方向可控的高能粒子流,從而可控制對襯底的入射角。磁控管濺射源產(chǎn)生高能粒子與待溶積材料束,能使所述束以控制的角度射向襯底,由此在襯底上淀積雙軸結(jié)構(gòu)涂層。
文檔編號H05H1/46GK1295628SQ99804648
公開日2001年5月16日 申請日期1999年3月30日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月31日
發(fā)明者R·德克里西, J·的那 申請人:根特大學(xué)