增透防指紋疊層及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種增透防指紋疊層，包括玻璃基板，以及依次形成在玻璃基板一表面上的增透膜、SiO2過渡層和防指紋膜。本發(fā)明還涉及一種上述增透防指紋疊層的制作方法。該增透防指紋疊層中的防指紋膜具有較好的附著力，可防止防指紋膜從玻璃基板剝離，延長使用壽命。
【專利說明】
増透防指紋疊層及其制作方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種光學疊層，特別涉及一種應用于電子產(chǎn)品上的增透防指紋疊層以及相應的制作方法。
【背景技術】
[0002]目前，電容式觸控電子產(chǎn)品(如手機，平板電腦等)的屏幕基本上都需要在屏幕表面鍍制AR膜和AF膜。AR(Ant1-Reflect)即為減反膜，也稱增透膜。AF (Ant1-Fingerprint)膜即為防指紋膜。
[0003]減反膜是目前應用最廣泛、產(chǎn)量最大的一種光學薄膜，它的主要功能是減少或者消除透鏡、棱鏡、平面鏡等光學元件表面的反射光，從而增加這些元件的透光量。為了實現(xiàn)光透率的較大提升，一般是通過在屏幕的玻璃基板上鍍制一層或多層AR膜。目前在玻璃基板表面實現(xiàn)制備AR膜的方法主要有三種:化學氣相沉積(CVD);溶膠-凝膠；物理氣相沉積(如真空蒸鍍、磁控濺射等)。
[0004]屏幕的玻璃基板表面極易被外界的污物和用戶的指紋所污染，因此，長期保持玻璃基板表面的清潔度，并且較容易地清除其表面所粘附的指紋和污物這一技術越來越受到人們的關注。AF膜是一種同時具有疏水性和疏油性這兩種特性的薄膜，基于良好的疏水性和疏油性，AF膜不易粘附外界的灰塵及污物，并且在粘附污物和指紋的情況下，也具有較易除去表面異物的特性。但是，一般情況下，AF膜與玻璃基板之間的附著力普遍較差，容易從玻璃基板表面剝離，且膜層表面平坦度和膜層均勻性都難以把握。

【發(fā)明內容】

[0005]基于此，有必要針對上述缺陷提供一種能達到視覺增透與手感順滑的效果的增透防指紋疊層以及該增透防指紋疊層的制作方法。
[0006]—種增透防指紋疊層，包括玻璃基板，以及依次形成在玻璃基板一表面上的增透膜、S12過渡層和防指紋膜。
[0007]在其中一個實施例中，所述增透膜為單層的MgFJ莫，或者所述增透膜為多層膜結構，包括依次疊置的第一 S12膜、Nb 205膜和第二 S1 2膜。
[0008]—種增透防指紋疊層的制作方法，包括如下步驟:
[0009]準備玻璃基板，其中先選取玻璃基板，并對玻璃基板進行清洗和干燥；
[0010]鍍增透膜，其中采用磁控濺射法在玻璃基板表面形成增透膜；
[0011]鍍S12過渡層，其中采用磁控濺射法在增透膜表面形成S1 2過渡層；以及
[0012]鍍防指紋膜，其中采用磁控濺射法在S12過渡層表面形成防指紋膜。
[0013]在其中一個實施例中，準備玻璃基板的步驟包括:
[0014](I)丙酮超聲清洗，時間為5?lOmin，以去除玻璃基板表面的油脂；
[0015](2)乙醇超聲清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘余丙酮；
[0016](3)去離子水清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘留乙醇；
[0017](4)將玻璃基板置于1#液中110?130°C煮洗，其中1#液為硫酸=H2O2= 3:1(質量比)，直至H2O2完全揮發(fā)，1#液冒白煙，以去除玻璃基板表面的有機物；
[0018](5)去離子水沖洗，時間為10?15min ；
[0019](6)將玻璃基板置于2#液中75?85°C煮洗，其中2#液為氨水:Η202:Η 20 = I:1:6(質量比)，時間為10?20min，利用氨水絡合作用去除重金屬雜質；
[0020](7)去離子水沖洗，時間為5?1min ；
[0021](8)將玻璃基板置于3#液中75?85°C煮洗，其中3#液為HCl =H2O2=H2O =1:1:6 (質量比)，煮至H2O2完全揮發(fā)，去除玻璃基板表面的金屬離子；
[0022](9)去離子水沖洗，時間為5?1min ；
[0023](10)將玻璃基板置于10%的氫氟酸中煮洗，時間為5?10s，去除玻璃基板表面氧化層；
[0024](11)去離子水沖洗，時間為20min ；
[0025](12)清洗后的玻璃基板在氮氣氛圍中利用紅外燈加熱烘干，時間為I?2小時，烘干后在氮氣氛圍中保存?zhèn)溆谩?br>[0026]在其中一個實施例中，鍍增透膜的步驟包括將玻璃基板和鍍膜材料MgFJt合物放入真空鍍膜機，采用磁控濺射法實現(xiàn)在玻璃基板表面鍍膜形成MgF2鍍層，完成后對MgF 2鍍層進行真空加熱干燥處理。
[0027]在其中一個實施例中，采用MgF2化合物靶材，純度為99.99%，濺射鍍膜時MgF 2化合物靶材距玻璃基板的距離為10cm，抽真空度至壓力為3.0X 10 4Pa,濺射氣壓為2Pa，工作氣體為氬氣，氣體流量為50cm3/min，襯底溫度為350°C，射頻電源功率為150W，濺射時間控制為2ho
[0028]在其中一個實施例中，鍍增透膜的步驟包括:選取S12靶材，在真空鍍膜室中對玻璃基板進行真空鍍第一 S1J莫，完成后對第一 S1 J莫鍍層進行真空加熱干燥處理；在真空鍍膜室中在第一 S1J莫鍍層上進行Nb 205鍍膜，完成后對Nb 205膜鍍層進行真空加熱干燥處理；在真空鍍膜室中在Nb2O5膜鍍層上進行第二 S1 J莫鍍膜，完成后對第二 S1 J莫鍍層進行真空加熱干燥處理。
[0029]在其中一個實施例中，S12靶材純度為99.99%，直徑為11.5cm，濺射鍍膜時S12靶材距玻璃基板的距離為5.5cm，鍍膜室真空度為1.0X10 3Pa,濺射氣壓為1.2Pa，工作氣體為氧氣和氬氣混合氣體，氧氣和氬氣流量分別為88cm3/min和132cm3/min，氧氣和氬氣分壓比為2:5，射頻電源功率為IkW ;
[0030]進行Nb2O5鍍膜時采用純度為99.9%的金屬鈮作為靶材，金屬鈮靶材與玻璃基板的距離為12cm，濺射功率為3.98kW，濺射前真空腔的氣壓為2.0X 10 4Pa,濺射過程中以氬氣作為工作氣體，氧氣作為反應氣體，真空氣壓為0.2Pa，氬氣和氧氣的流量均為10cm3/min，沉積的時間為25?30s。
[0031]在其中一個實施例中，鍍S12過渡層的步驟包括抽真空至壓力為1.0X10 3Pa,然后充入氣體流量為120cm3/min的硅油至真空室內壓力為1.0X 10 3?1.0X10 1Pa之間，持續(xù)中頻功率為8000W開始沉積硅氧烷裂解的S1x，沉積時間為35?40s，得到厚度為15?20nm的S1x緩沖層，沉積完成后通過02輝光放電，對S1x緩沖層進行刻蝕，剝離部分的S1x和補充O2形成S12S渡層。
[0032]在其中一個實施例中，鍍防指紋膜的步驟包括抽真空至壓力為1.0X 15Pa,燈絲電流在60s內由OA提升至270A，開始在S12緩沖層表面沉積防指紋膜，沉積時間控制為90s。
[0033]上述增透防指紋疊層中的防指紋膜因在防指紋膜與玻璃基板的鍍層之間形成S12過渡層而具有較好的附著力，可防止防指紋膜從玻璃基板的鍍層上剝離，延長使用壽命O
【附圖說明】
[0034]圖1為一實施例提供的增透防指紋疊層的結構示意圖；
[0035]圖2為另一實施例提供的增透防指紋疊層的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0036]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的首選實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容更加透徹全面。
[0037]除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。
[0038]如圖1所示，一實施例提供的增透防指紋疊層包括玻璃基板10，以及依次在玻璃基板10 —表面上制備的增透膜20、過渡層(亦或緩沖層)30和防指紋膜40。
[0039]本實施例中，玻璃基板10可以是硅酸鹽玻璃或者類似材料的玻璃，玻璃基板10可經(jīng)化學處理，以加強玻璃基板10的強度。
[0040]本實施例中，增透膜20為單層的MgF2膜。增透膜20增加玻璃基板10的光線透過率，當該增透防指紋疊層應用于手機、平板電腦等電子產(chǎn)品的屏幕時，可提高屏幕的顯示效果。
[0041]本實施例中，過渡層30為S1jl，厚度為15?20nm。過渡層30可以在一定程度上增加防指紋膜40與玻璃基板10(具體為玻璃基板10上的增透膜20)之間的附著力，減緩防指紋膜40從玻璃基板10表面剝離，有利于延長防指紋膜40的使用壽命。
[0042]本實施例中，防指紋膜40是一種高分子聚合物層，厚度為15?20nm，具有較強的疏水、疏油特性，因此電子產(chǎn)品屏幕表面的臟污及指紋印跡極易擦拭干凈，保持順滑觸感。
[0043]本發(fā)明所述的增透防指紋疊層的制作方法，其具體步驟如下:
[0044]A，選取玻璃基板，通過對其進行清洗后，干燥備用；
[0045]B，將玻璃基板和鍍膜材料MgF2化合物放入真空鍍膜機，采用磁控濺射法實現(xiàn)在玻璃基板表面鍍膜形成MgF2鍍層，也即圖1中的增透膜20，完成后對MgF2鍍層進行高真空加熱干燥處理；
[0046]C，將步驟B處理過的玻璃基板，以及硅氧烷放入真空鍍膜機，在MgF2鍍層表面鍍制S12緩沖層，也即形成圖1中的過渡層30 ;
[0047]D，將步驟C處理過的玻璃基板和用于形成防指紋膜40的材料放入真空鍍膜機，在S1gl沖層上鍍制防指紋膜，形成圖1中的防指紋膜40。
[0048]作為上述制作方法的進一步改進，上述步驟A所述的對玻璃基板的清洗采用濕式化學清洗工藝(例如RCA清洗工藝)進行清洗，具體如下:
[0049](I)丙酮超聲清洗，時間為5?lOmin，以去除玻璃基板表面油脂等；
[0050](2)乙醇超聲清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘余丙酮；
[0051](3)去離子水清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘留乙醇；
[0052](4)將玻璃基板置于1#液(硫酸=H2O2= 3:1，質量比，下同)中110?130°C煮洗，直至H2O2完全揮發(fā)，溶液冒白煙，以去除玻璃基板表面大部分有機物；
[0053](5)去離子水沖洗，時間為10?15min ；
[0054](6)將玻璃基板置于2#液(氨水=H2O2=H 20 = I:1:6)中75?85°C煮洗，時間為10?20min，利用氨水絡合作用去除重金屬雜質；
[0055](7)去離子水沖洗，時間為5?1min ；
[0056](8)將玻璃基板置于3#液(HCl =H2O2=H 20 = I:1:6)中75?85°C煮洗，煮至H2O2完全揮發(fā)，去除玻璃基板表面的金屬離子；
[0057](9)去離子水沖洗，時間為5?1min ；
[0058](10)將玻璃基板置于10%的氫氟酸中煮洗，時間為5?10s，去除玻璃基板表面氧化層；
[0059](11)去離子水沖洗，時間為20min ；
[0060](12)清洗后的玻璃基板在氮氣氛圍中利用紅外燈加熱烘干，時間為I?2小時，烘干后在氮氣氛圍中保存?zhèn)溆谩?br>[0061]作為上述技術的進一步改進，上述步驟B具體是:采用合物革E材，純度為99.99%，濺射鍍膜時MgF2化合物靶材距玻璃基板的距離為10cm。抽真空度至壓力為3.0X10 4Pa,濺射氣壓為2Pa，工作氣體為氬氣，氣體流量為50cm3/min，襯底溫度為350 °C，射頻電源功率為150W，鍍膜前用氬氣預濺射靶材表面20min以上，以去除靶材表面的氧化物和其他雜質，然后通入氬氣，待輝光穩(wěn)定后，打開擋板，轉動基板轉盤，置基板于輝光中濺射成膜，濺射時間控制為2h。
[0062]作為上述技術的進一步改進，上述步驟C具體是:抽真空至壓力為1.0X10 3Pa,然后充入氣體流量為120cm3/min的硅油至真空室內壓力為1.0X 10 3?1.0X10 1Pa之間，持續(xù)中頻功率為8000W開始沉積硅氧烷高溫裂解的S1x，沉積時間為35?40s，得到厚度為15?20nm的S1x緩沖層，沉積完成后通過O 2輝光放電，對S1 x緩沖層進行刻蝕，剝離附著力較差的S1x和補充O 2形成S1 2緩沖層。
[0063]作為上述技術的進一步改進，上述步驟D具體是=S12緩沖層完成后，抽真空至壓力為1.0X 10 5Pa,燈絲電流在60s內由OA提升至270A，開始沉積防指紋膜，沉積時間控制為90s，得到厚度為15?20nm的防指紋膜。
[0064]請參圖2，本發(fā)明另一實施例提供的增透防指紋疊層與圖1中的實施例類似，包括玻璃基板10，以及依次在玻璃基板10 —表面上制備的增透膜21、過渡層(亦或緩沖層)30和防指紋膜40。所不同的是，該增透膜21為多層膜結構，包括依次疊置的第一 S1J莫211、Nb2O5膜212和第二 S1 2膜213。其中第一 S1J莫211的厚度約為10_20nm，Nb 205膜212的厚度約為10-20nm，第二 3丨02膜213的厚度約為10_20nmo
[0065]上述增透防指紋疊層的制作方法，其具體步驟如下:
[0066]A，選取玻璃基板，通過對其進行清洗后，干燥備用；
[0067]B，選取S12靶材，在真空鍍膜室中對玻璃基板進行真空鍍第一 S1 2膜，完成后對第一 S1J莫鍍層進行高真空加熱干燥處理；在真空鍍膜室中在第一 S1 J莫鍍層上進行Nb2O5鍍膜，完成后對Nb 205膜鍍層進行高真空加熱干燥處理；在真空鍍膜室中在Nb 205膜鍍層上進行第二 S1J莫鍍膜，完成后對第二 S1 J莫鍍層進行高真空加熱干燥處理；至此在玻璃基板表面上形成增透膜；
[0068]C，將步驟B處理過的玻璃基板和硅氧烷放入真空鍍膜機，在增透膜表面鍍制S12緩沖層；
[0069]D，將步驟C處理過的玻璃基板和用于形成防指紋膜40的材料放入真空鍍膜機，在S1gl沖層上鍍制防指紋膜，形成圖2中的防指紋膜40。
[0070]作為上述技術的進一步改進，上述步驟A所述的對玻璃基板的清洗采用RCA清洗工藝進行清洗，具體如下:
[0071](I)丙酮超聲清洗，時間為5?lOmin，以去除玻璃基板表面油脂等；
[0072](2)乙醇超聲清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘余丙酮；
[0073](3)去離子水清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘留乙醇；
[0074](4)將玻璃基板置于1#液(硫酸=H2O2= 3:1)中110?130°C煮洗，直至H 202完全揮發(fā)，溶液冒白煙，以去除玻璃基板表面大部分有機物；
[0075](5)去離子水沖洗，時間為10?15min ；
[0076](6)將基板置于2#液(氨水=H2O2=H 20 = I:1:6)中75?85°C煮洗，時間為10?20min，利用氨水絡合作用去除重金屬雜質；
[0077](7)去離子水沖洗，時間為5?1min ；
[0078](8)將玻璃基板置于3#液(HCl =H2O2=H2O = I:1:6)中75?85°C煮洗，煮至H2O2完全揮發(fā)，去除玻璃基板表面的金屬離子；
[0079](9)去離子水沖洗，時間為5?1min ；
[0080](10)將玻璃基板置于10%的氫氟酸中煮洗，時間為5?10s，去除玻璃基板表面氧化層；
[0081](11)去離子水沖洗，時間為20min ；
[0082](12)清洗后的玻璃基板在氮氣氛圍中利用紅外燈加熱烘干，時間為I?2小時，烘干后在氮氣氛圍中保存?zhèn)溆谩?br>[0083]作為上述技術的進一步改進，上述步驟B具體是:采用S12作為靶材，純度為99.99%，靶直徑為11.5cm，濺射鍍膜時S12靶材距玻璃基板的距離為5.5cm。鍍膜室真空度為1.0X 10 3Pa,派射氣壓為1.2Pa，工作氣體為氧氣和氬氣混合氣體，氧氣和氬氣流量分別為88cm3/min和132cm3/min，二者分壓比為2:5。射頻電源功率為lkW。鍍膜前用氬氣預濺射靶材表面20min以上，以去除表面的氧化物和其他雜質，然后通入氧氣，待輝光穩(wěn)定后，打開擋板，轉動基板轉盤，置基板于輝光中濺射成膜。沉積過程中，利用掩膜在玻璃基板上做出膜-基板臺階，薄膜的厚度使用Alpha-Step IQ臺階儀進行測量，測得膜厚約為10-20nm時停止鍍膜。
[0084]接著，采用金屬鈮作為靶材，純度為99.9%，靶與玻璃基板的距離為12cm，濺射功率為3.98kW，濺射前真空腔的氣壓為2.0X10 4Pa,濺射過程中以氬氣作為工作氣體，氧氣作為反應氣體，真空氣壓為0.2Pa。氬氣和氧氣的流量均為100cm3/min，在每次沉積薄膜前用氬氣對靶材表面進行預濺射20min以上，以去除表面的氧化物和其他雜質，然后通入氧氣，待輝光穩(wěn)定后，打開擋板，轉動基板轉盤，置基板于輝光中濺射成膜，得到圖2中所示的Nb2O5膜212。沉積薄膜的時間為25?30s，薄膜的厚度約為10_20nm。
[0085]第二 S1J莫的鍍制過程與第一 S1J莫的鍍制過程基本相同，其膜層厚度控制約為10_20nm。
[0086]作為上述技術的進一步改進，上述步驟C具體是:抽真空至壓力為1.0X10 3Pa,然后充入氣體流量為120cm3/min的硅油至真空室內壓力為1.0X 10 3?1.0X10 1Pa之間，持續(xù)中頻功率為8000W開始沉積硅氧烷高溫裂解的S1x，沉積時間為35?40s，得到厚度為15?20nm的S1x緩沖層，沉積完成后通過O 2輝光放電，對S1 x緩沖層進行刻蝕，剝離附著力較差的S1x和補充O 2形成S1 2緩沖層。
[0087]作為上述技術的進一步改進，上述步驟D具體是=S12緩沖層完成后，抽真空至壓力為1.0X 10 5Pa,燈絲電流在60s內由OA提升至270A，開始沉積防指紋膜，沉積時間控制為90s，得到厚度為15?20nm的防指紋膜。
[0088]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0089]1.本發(fā)明采用1%匕單層膜和S1 21 Nb2O51 S12多層膜結構兩種方式進行設計增透膜，制備的增透膜具有較好的增透效果。
[0090]2.本發(fā)明采取在增透膜鍍層表面鍍制S1gl沖層，提高了觸摸屏用防指紋膜與玻璃基板之間的鍍層附著力，減緩防指紋膜層從玻璃基板鍍層表面剝離，有利于延長防指紋膜的使用壽命。
[0091]3.本發(fā)明提供的防指紋膜是一種高分子聚合物，具有較強的疏水、疏油特性，因此電子產(chǎn)品的觸控面板表面的臟污及指紋印跡極易擦拭干凈，保持順滑觸感。
[0092]以上實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種增透防指紋疊層，其特征在于包括玻璃基板，以及依次形成在玻璃基板一表面上的增透膜、S12過渡層和防指紋膜。2.根據(jù)權利要求1所述的增透防指紋疊層，其特征在于，所述增透膜為單層的MgFJ莫，或者所述增透膜為多層膜結構，包括依次疊置的第一 S1J莫、Nb 205膜和第二 S1 J莫。3.—種增透防指紋疊層的制作方法，包括如下步驟: 準備玻璃基板，其中先選取玻璃基板，并對玻璃基板進行清洗和干燥； 鍍增透膜，其中采用磁控濺射法在玻璃基板表面形成增透膜； 鍍S12過渡層，其中采用磁控濺射法在增透膜表面形成S12S渡層；以及 鍍防指紋膜，其中采用磁控濺射法在S12過渡層表面形成防指紋膜。4.根據(jù)權利要求3所述的增透防指紋疊層的制作方法，其特征在于，準備玻璃基板的步驟包括: (1)丙酮超聲清洗，時間為5?lOmin，以去除玻璃基板表面的油脂； (2)乙醇超聲清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘余丙酮； (3)去離子水清洗，時間為2?5min，以去除玻璃基板表面殘留乙醇； (4)將玻璃基板置于1#液中110?130°C煮洗，其中1#液為硫酸=H2O2=3:1(質量比)，直至H2O2完全揮發(fā)，1#液冒白煙，以去除玻璃基板表面的有機物； (5)去離子水沖洗，時間為10?15min; (6)將玻璃基板置于2#液中75?85°C煮洗，其中2#液為氨水:H202:H20=1:1:6(質量比)，時間為10?20min，利用氨水絡合作用去除重金屬雜質； (7)去離子水沖洗，時間為5?1min; (8)將玻璃基板置于3#液中75?85°C煮洗，其中3#液為HCl=H2O2=H 20 = 1:1:6 (質量比)，煮至H2O2完全揮發(fā)，去除玻璃基板表面的金屬離子； (9)去離子水沖洗，時間為5?1min； (10)將玻璃基板置于10%的氫氟酸中煮洗，時間為5?10s，去除玻璃基板表面氧化層； (11)去離子水沖洗，時間為20min； (12)清洗后的玻璃基板在氮氣氛圍中利用紅外燈加熱烘干，時間為I?2小時，烘干后在氮氣氛圍中保存?zhèn)溆谩?.根據(jù)權利要求3所述的增透防指紋疊層的制作方法，其特征在于，鍍增透膜的步驟包括將玻璃基板和鍍膜材料MgF^t合物放入真空鍍膜機，采用磁控濺射法實現(xiàn)在玻璃基板表面鍍膜形成MgF2鍍層，完成后對MgF 2鍍層進行真空加熱干燥處理。6.根據(jù)權利要求5所述的增透防指紋疊層的制作方法，其特征在于，采用MgF2化合物靶材，純度為99.99%,濺射鍍膜時MgF2化合物靶材距玻璃基板的距離為10cm，抽真空度至壓力為3.0X 10 4Pa,濺射氣壓為2Pa，工作氣體為氬氣，氣體流量為50cm3/min，襯底溫度為3500C，射頻電源功率為150W，濺射時間控制為2h。7.根據(jù)權利要求3所述的增透防指紋疊層的制作方法，其特征在于，鍍增透膜的步驟包括:選取S12靶材，在真空鍍膜室中對玻璃基板進行真空鍍第一 S1 J莫，完成后對第一S1J莫鍍層進行真空加熱干燥處理；在真空鍍膜室中在第一 S1 J莫鍍層上進行Nb2O5鍍膜，完成后對Nb2O5膜鍍層進行真空加熱干燥處理；在真空鍍膜室中在Nb 205膜鍍層上進行第二S1J莫鍍膜，完成后對第二 S1 2膜鍍層進行真空加熱干燥處理。8.根據(jù)權利要求7所述的增透防指紋疊層的制作方法，其特征在于，S12靶材純度為99.99%，直徑為11.5cm，濺射鍍膜時S12靶材距玻璃基板的距離為5.5cm，鍍膜室真空度為1.0X10 3Pa,派射氣壓為1.2Pa，工作氣體為氧氣和氬氣混合氣體，氧氣和氬氣流量分別為88cm3/min和132cm3/min，氧氣和氬氣分壓比為2:5，射頻電源功率為IkW ； 進行Nb2O5鍍膜時采用純度為99.9%的金屬鈮作為靶材，金屬鈮靶材與玻璃基板的距離為12cm，濺射功率為3.98kW，濺射前真空腔的氣壓為2.0X 10 4Pa,濺射過程中以氬氣作為工作氣體，氧氣作為反應氣體，真空氣壓為0.2Pa，氬氣和氧氣的流量均為100cm3/min，沉積的時間為25?30s。9.根據(jù)權利要求3所述的增透防指紋疊層的制作方法，其特征在于，鍍S12過渡層的步驟包括抽真空至壓力為1.0X 10 3Pa,然后充入氣體流量為120cm3/min的娃油至真空室內壓力為1.0X 10 3?1.0X10 1Pa之間，持續(xù)中頻功率為8000W開始沉積硅氧烷裂解的S1x,沉積時間為35?40s，得到厚度為15?20nm的S1x緩沖層，沉積完成后通過O 2輝光放電，對S1jl沖層進行刻蝕，剝離部分的S1x和補充O2形成S12S渡層。10.根據(jù)權利要求3所述的增透防指紋疊層的制作方法，其特征在于，鍍防指紋膜的步驟包括抽真空至壓力為1.0X 15Pa,燈絲電流在60s內由OA提升至270A，開始在S1gl沖層表面沉積防指紋膜，沉積時間控制為90s。
【文檔編號】B32B33/00GK105835465SQ201510016647
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月13日
【發(fā)明人】許 鵬, 唐彬
【申請人】南昌歐菲光學技術有限公司, 南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司