一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及高壓硅堆技術領域，尤其涉及一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法。
【背景技術】
[0002]由于國內大部分高壓硅堆均為塑料封裝，產(chǎn)品可靠性不高，而且塑料結構的化學性能不穩(wěn)定，在管芯臺面腐蝕成型過程中，容易與混合酸反應，使管芯腐蝕過程不可控，增大了金屬雜質離子的對臺面的沾污。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明主要是解決現(xiàn)有技術中所存在的技術問題，從而提供一種反向峰值電壓高，封裝體積小，可靠性高的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法。
[0004]本發(fā)明的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的:
[0005]本發(fā)明提供的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法，包括以下步驟:
[0006]a、將若干個管芯采用臺面成型機吹砂成型規(guī)定尺寸的圓片，
[0007]b、將所述管芯分極處理后，采用石墨模具疊片燒結的方式將所述管芯進行燒結形成芯片，
[0008]C、將含有鎢電極的電極引線焊接在所述芯片的兩端，
[0009]d、采用混合酸對所述芯片的臺面進行腐蝕，腐蝕兩次，每次3分鐘，然后用大量去離子水沖洗干凈，
[0010]e、在所述芯片的臺面上涂覆鈍化封裝玻璃粉漿，在鏈式爐下高溫成型，完成封裝成型。
[0011 ] 進一步地，所述電極引線與所述芯片焊接所使用的焊料為鋁。
[0012]進一步地，所述步驟c中的混合酸為硝酸、氫氟酸、冰乙酸、硫酸按照:9:4.5:4:10的比例混合制作而成。
[0013]進一步地，所述鎢電極的最大直流電流密度小于2X 105A/cm2。
[0014]本發(fā)明的有益效果在于:可提高硅堆的抗浪涌電流能力，同時鎢電極引線由于其化學性能穩(wěn)定，在芯片臺面腐蝕成型過程中基本不與混合酸反應，使芯片腐蝕過程可控，減少金屬雜質離子的對臺面的沾污，大大降低了產(chǎn)品的常溫、高溫反向漏電流，可實現(xiàn)產(chǎn)品7500V下漏電流小于I yA，7500V、150°C下高溫漏電流小于50 μ Α，同時采用與鎢電極匹配的鈍化玻璃粉涂粉成型，提高產(chǎn)品的抗溫度循環(huán)能力，可實現(xiàn)產(chǎn)品滿足_55°C?175°C條件下500次溫度循環(huán)的能力。同時產(chǎn)品可實現(xiàn)25A以上抗正向浪涌電流能力。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1是本發(fā)明的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法的方法流程圖；
[0017]圖2是本發(fā)明的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法的高壓硅堆的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0019]參閱圖1-2所示，本發(fā)明的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法，其包括以下步驟:第一步、將若干個管芯I采用臺面成型機吹砂成型規(guī)定尺寸的圓片，第二步、將管芯I分極處理后，采用石墨模具疊片燒結的方式將管芯I進行燒結形成芯片2，第三步、將含有鎢電極3的電極引線4焊接在芯片2的兩端，第四步、采用混合酸對芯片2的臺面進行腐蝕，腐蝕兩次，每次3分鐘，然后用大量去離子水沖洗干凈，第五步、在芯片2的臺面上涂覆鈍化封裝玻璃粉漿5，在鏈式爐下高溫成型，完成封裝成型。采用本發(fā)明的方法可提高硅堆的抗浪涌電流能力，同時鎢電極引線4由于其化學性能穩(wěn)定，在芯片2臺面腐蝕成型過程中基本不與混合酸反應，使芯片2腐蝕過程可控，減少金屬雜質離子的對臺面的沾污，大大降低了產(chǎn)品的常溫、高溫反向漏電流，可實現(xiàn)產(chǎn)品7500V下漏電流小于I μ A，7500V、150°C下高溫漏電流小于50 μΑ，同時采用與鎢電極匹配的鈍化玻璃粉涂粉成型，提高產(chǎn)品的抗溫度循環(huán)能力，可實現(xiàn)產(chǎn)品滿足_55°C?175°C條件下500次溫度循環(huán)的能力，同時產(chǎn)品可實現(xiàn)25A以上抗正向浪涌電流能力。
[0020]較佳的，電極引線4與芯片2焊接所使用的焊料為鋁。步驟c中的混合酸為硝酸、氫氟酸、冰乙酸、硫酸按照:9:4.5:4:10的比例混合制作而成。鎢電極3的最大直流電流密度小于 2 X 15A/cm2o
[0021]以上，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法，其特征在于:包括以下步驟: a、將若干個管芯(I)采用臺面成型機吹砂成型規(guī)定尺寸的圓片， b、將所述管芯(I)分極處理后，采用石墨模具疊片燒結的方式將所述管芯(I)進行燒結形成芯片(2)， C、將含有鎢電極(3)的電極引線⑷焊接在所述芯片(2)的兩端， d、采用混合酸對所述芯片(2)的臺面進行腐蝕，腐蝕兩次，每次3分鐘，然后用大量去離子水沖洗干凈， e、在所述芯片(2)的臺面上涂覆鈍化封裝玻璃粉漿(5)，在鏈式爐下高溫成型，完成封裝成型。
2.如權利要求1所述的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法，其特征在于:所述電極引線(4)與所述芯片(2)焊接所使用的焊料為鋁。
3.如權利要求1所述的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法，其特征在于:所述步驟c中的混合酸為硝酸、氫氟酸、冰乙酸、硫酸按照:9:4.5:4:10的比例混合制作而成。
4.如權利要求1所述的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法，其特征在于:所述鎢電極⑶的最大直流電流密度小于2X105A/cm2。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制造方法,包括以下步驟：a、將若干個管芯采用臺面成型機吹砂成型規(guī)定尺寸的圓片，b、將所述管芯分極處理后，采用石墨模具疊片燒結的方式將所述管芯進行燒結形成芯片，c、將含有鎢電極的電極引線焊接在所述芯片的兩端，d、采用混合酸對所述芯片的臺面進行腐蝕，腐蝕兩次，每次3分鐘，然后用大量去離子水沖洗干凈，e、在所述芯片的臺面上涂覆鈍化封裝玻璃粉漿，在鏈式爐下高溫成型，完成封裝成型。本發(fā)明采用鎢電極引線制造高壓硅堆，提高了產(chǎn)品的抗浪涌電流能力，同時采用鎢電極引線制造的高壓硅堆可靠性明顯提高。
【IPC分類】H01L21-50
【公開號】CN104795335
【申請?zhí)枴緾N201510193603
【發(fā)明人】古進, 楊艷, 楊輝, 遲鴻燕, 楊彥聞
【申請人】中國振華集團永光電子有限公司（國營第八七三廠）
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年4月22日