K ;
[0066]具體地，在具體實(shí)施，直接采用刻蝕工藝向下刻蝕未摻雜的多晶硅層，直至薄氧化層表面上的未摻雜的多晶硅層和厚氧化層表面上的未摻雜的多晶硅層被完全刻蝕掉，停止刻蝕。
[0067](4)米用離子注入的方式對(duì)發(fā)射區(qū)窗口 500中的未摻雜的多晶娃層600進(jìn)行摻雜，形成N型多晶硅發(fā)射極700，如圖4e所示；
[0068]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，采用離子注入的方式將摻雜元素注入到發(fā)射區(qū)窗口中未摻雜的多晶娃層中。具體地，摻雜元素一般為五族元素。較佳地，摻雜元素為磷、砷或鋪等，在此不作限定。
[0069](5)對(duì)形成有N型多晶硅發(fā)射極700的襯底進(jìn)行第一熱處理，使N型多晶硅發(fā)射極700中的摻雜元素?cái)U(kuò)散至暴露出的P型基區(qū)300的表層之中，形成N型擴(kuò)散區(qū)800，如圖4f所示；
[0070]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，第一熱處理為快速熱處理，溫度控制在900°C?1150°C之間，時(shí)間控制在1s?200s之間效果較佳。
[0071](6)對(duì)形成有N型擴(kuò)散區(qū)的襯底進(jìn)行第二熱處理。
[0072]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，第二熱處理的溫度控制在350°C?700°C之間，時(shí)間控制在30min?300min之間效果較佳。
[0073]具體地，通過(guò)上述步驟形成的多晶硅發(fā)射極晶體管，由于在形成N型多晶硅發(fā)射極時(shí)，是直接采用刻蝕工藝來(lái)去除發(fā)射區(qū)窗口區(qū)域之外的區(qū)域的多晶硅層，因此與光刻工藝相比，可以節(jié)省生產(chǎn)成本，并且由于形成的多晶硅發(fā)射極僅填充于發(fā)射區(qū)窗口中，即多晶硅發(fā)射極的寬度等于發(fā)射區(qū)窗口的寬度，因此可以減小芯片面積，進(jìn)一步降低多晶硅發(fā)射極晶體管的生產(chǎn)成本。
[0074]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種多晶硅發(fā)射極晶體管，如圖4f所示，包括襯底，位于襯底表層之中的N型集電區(qū)100，位于N型集電區(qū)100表層之中的P型基區(qū)300，位于P型基區(qū)300上的薄氧化層400，位于P型基區(qū)300和薄氧化層400兩側(cè)的厚氧化層200，位于薄氧化層400中的發(fā)射區(qū)窗口 500，位于發(fā)射區(qū)窗口 500中的N型多晶硅發(fā)射極700，以及位于N型多晶硅發(fā)射極700下方的P型基區(qū)300表層之中的N型擴(kuò)散區(qū)800 ；
[0075]發(fā)射區(qū)窗口 500為貫穿薄氧化層400的過(guò)孔，N型多晶硅發(fā)射極700僅填充于發(fā)射區(qū)窗口 500中，即N型多晶硅發(fā)射極700的寬度等于發(fā)射區(qū)窗口 500的寬度。
[0076]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述多晶硅發(fā)射極晶體管，由于N型多晶硅發(fā)射極僅填充于發(fā)射區(qū)窗口中，因此N型多晶硅發(fā)射極的寬度等于發(fā)射區(qū)窗口的寬度。而在現(xiàn)有的多晶硅發(fā)射極晶體管中，由于制作工藝的制約使N型多晶硅發(fā)射極的寬度大于發(fā)射區(qū)窗口的寬度，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的多晶硅發(fā)射極晶體管，由于N型多晶硅發(fā)射極的寬度小于現(xiàn)有寬度，可以減小芯片面積，從而降低多晶硅發(fā)射極晶體管的生產(chǎn)成本。
[0077]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種多晶硅發(fā)射極晶體管及其制作方法，在該制作方法中，由于在形成填充發(fā)射區(qū)窗口以及覆蓋薄氧化層表面和厚氧化層表面的多晶硅層之后，直接采用刻蝕工藝來(lái)去除發(fā)射區(qū)窗口區(qū)域之外的區(qū)域的多晶硅層，因此與現(xiàn)有方法相比，不需要對(duì)多晶硅層進(jìn)行光刻處理，從而節(jié)省了生產(chǎn)成本。并且，由于不需要對(duì)多晶硅層進(jìn)行光刻處理，因此不存在現(xiàn)有方法中的將多晶硅發(fā)射極的寬度設(shè)計(jì)為大于發(fā)射區(qū)窗口的寬度，從而可以減小芯片面積，進(jìn)一步降低多晶硅發(fā)射極晶體管的生產(chǎn)成本。
[0078]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶硅發(fā)射極晶體管的制作方法，在襯底上依次形成N型集電區(qū)、厚氧化層、P型基區(qū)和薄氧化層，其特征在于，在形成所述薄氧化層之后，還包括: 采用光刻、刻蝕工藝在所述薄氧化層中形成發(fā)射區(qū)窗口，暴露出位于發(fā)射區(qū)窗口區(qū)域的P型基區(qū)； 形成填充所述發(fā)射區(qū)窗口以及覆蓋所述薄氧化層表面和所述厚氧化層表面的未摻雜的多晶??圭層； 對(duì)所述未摻雜的多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理，去除所述發(fā)射區(qū)窗口區(qū)域之外的區(qū)域的未摻雜的多晶硅層，保留所述發(fā)射區(qū)窗口中的未摻雜的多晶硅層； 對(duì)所述發(fā)射區(qū)窗口中的未摻雜的多晶硅層進(jìn)行摻雜，形成N型多晶硅發(fā)射極； 對(duì)形成有所述N型多晶硅發(fā)射極的襯底進(jìn)行第一熱處理，使所述N型多晶硅發(fā)射極中的摻雜元素?cái)U(kuò)散至暴露出的所述P型基區(qū)的表層之中，形成N型擴(kuò)散區(qū)。2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，對(duì)所述未摻雜的多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理，具體包括: 采用干法刻蝕工藝對(duì)所述未摻雜的多晶硅層進(jìn)行刻蝕，直至所述薄氧化層表面上的未摻雜的多晶硅層和所述厚氧化層表面上的未摻雜的多晶硅層被完全刻蝕掉。3.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述N型擴(kuò)散區(qū)之后，還包括: 對(duì)形成有所述N型擴(kuò)散區(qū)的襯底進(jìn)行第二熱處理。4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，對(duì)形成有所述N型擴(kuò)散區(qū)的襯底進(jìn)行第二熱處理，具體包括: 在溫度為350°C?700°C的條件下，對(duì)形成有所述N型擴(kuò)散區(qū)的襯底進(jìn)行第二熱處理30min ?300mino5.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，對(duì)形成有所述N型多晶硅發(fā)射極的襯底進(jìn)行第一熱處理，具體包括: 在溫度為900°C?1150°C的條件下，對(duì)形成有所述N型多晶硅發(fā)射極的襯底進(jìn)行第一熱處理1s?200s。6.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法,其特征在于，對(duì)所述發(fā)射區(qū)窗口中的未摻雜的多晶硅層進(jìn)行摻雜，具體包括: 采用離子注入的方式將摻雜元素注入到所述發(fā)射區(qū)窗口中的未摻雜的多晶硅層中。7.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述摻雜元素為磷、砷或銻。8.—種多晶娃發(fā)射極晶體管,包括襯底,位于所述襯底表層之中的N型集電區(qū),位于所述N型集電區(qū)表層之中的P型基區(qū)，位于所述P型基區(qū)上的薄氧化層，位于所述P型基區(qū)和所述薄氧化層兩側(cè)的厚氧化層，位于所述薄氧化層中的發(fā)射區(qū)窗口，位于所述發(fā)射區(qū)窗口中的N型多晶硅發(fā)射極，以及位于所述N型多晶硅發(fā)射極下方的所述P型基區(qū)表層之中的N型擴(kuò)散區(qū)；其特征在于: 所述發(fā)射區(qū)窗口為貫穿所述薄氧化層的過(guò)孔，所述N型多晶硅發(fā)射極僅填充于所述發(fā)射區(qū)窗口中。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅發(fā)射極晶體管及其制作方法，在該制作方法中，由于在形成填充發(fā)射區(qū)窗口以及覆蓋薄氧化層表面和厚氧化層表面的多晶硅層之后，直接采用刻蝕工藝來(lái)去除發(fā)射區(qū)窗口區(qū)域之外的區(qū)域的多晶硅層，因此與現(xiàn)有方法相比，不需要對(duì)多晶硅層進(jìn)行光刻處理，從而節(jié)省了生產(chǎn)成本。并且，由于不需要對(duì)多晶硅層進(jìn)行光刻處理，因此不存在現(xiàn)有方法中的將多晶硅發(fā)射極的寬度設(shè)計(jì)為大于發(fā)射區(qū)窗口的寬度，從而可以減小芯片面積，進(jìn)一步降低多晶硅發(fā)射極晶體管的生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L29/72, H01L21/331, H01L29/08
【公開(kāi)號(hào)】CN105097507
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410205941
【發(fā)明人】潘光燃, 文燕, 王焜, 石金成, 高振杰
【申請(qǐng)人】北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2014年5月15日