層的總厚度為6?9μηι;
[0042]S6:通過(guò)激光掃描在SiC外延片103內(nèi)部距離SiC外延片103背面1/4處形成第二 SD層，圖2示出了此次激光掃描的位置；
[0043]S7:通過(guò)激光掃描在SiC外延片103內(nèi)部距離SiC外延片103背面1/3處形成第三SD層，圖3示出了此次激光掃描的位置；
[0044]S8:通過(guò)激光掃描在SiC外延片103內(nèi)部距離SiC外延片103背面1/2處形成第四SD層，圖4示出了此次激光掃描的位置；
[0045]S9:通過(guò)激光掃描在SiC外延片103內(nèi)部距離SiC外延片103背面3/4處形成第五SD層，圖5示出了此次激光掃描的位置；
[0046]S10:通過(guò)激光掃描在SiC外延片103正面的最底層介質(zhì)102與SiC外延片103正面之間形成第六SD層，圖6示出了此次激光掃描的位置；
[0047]Sll:對(duì)全部掃描完后的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC圓片進(jìn)行裂片，裂片完的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片如圖7所示。
[0048]其中，劃片膜為藍(lán)膜或者UV膜。SD層中的“SD”是“StealthDicing”的縮寫(xiě)。
[0049]步驟S5中激光掃描的速度為100mm/s-400mm/s，激光功率衰減模組角度為82°-105°，第一SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為300um-360um。
[0050]步驟S6中激光掃描的速度為200mm/s-300mm/s，激光功率衰減模組角度為82°-100°，第二SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為270um-300um。
[0051 ]步驟S7中激光掃描的速度為200mm/s-250mm/s，激光功率衰減模組角度為82°-95°，第三SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為240um-270um。
[0052]步驟S8中激光掃描的速度為150mm/s-200mm/s，激光功率衰減模組角度為82°-90°，第四SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為180um-240um。
[0053]步驟S9中激光掃描的速度為100mm/s-150mm/s，激光功率衰減模組角度為82°-87°，第五SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為90um-180um。
[0054]步驟SlO中激光掃描的速度為100mm/s-150mm/s，激光功率衰減模組角度為82°-85°，第六SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為4um_90um。
[0055]步驟Sll中的裂片在劃片槽中進(jìn)行，劃片槽的設(shè)計(jì)寬度是激光掃描后SiC外延片103損失部分寬度的70?100倍。
[0056]步驟S5至SlO中的激光的波長(zhǎng)為532nm-1064nm，頻率為100KHZ-1000KHZ。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:包括如下的步驟: S1:在SiC外延片(103)上完成復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC圓片的制備； S2:測(cè)量復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC圓片切割道區(qū)域的厚度； S3:把復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC圓片貼在劃片膜上，劃片膜設(shè)于切割片架上； S4:測(cè)量復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC圓片切割道區(qū)域與劃片膜的總厚度； S5:通過(guò)激光掃描在SiC外延片(103)背面的最底層金屬(104)與SiC外延片(103)背面之間形成第一 SD層； S6:通過(guò)激光掃描在SiC外延片(103)內(nèi)部距離SiC外延片(103)背面1/4處形成第二SD層； S7:通過(guò)激光掃描在SiC外延片(103)內(nèi)部距離SiC外延片(103)背面1/3處形成第三SD層； S8:通過(guò)激光掃描在SiC外延片(103)內(nèi)部距離SiC外延片(103)背面1/2處形成第四SD層； S9:通過(guò)激光掃描在SiC外延片(103)內(nèi)部距離SiC外延片(103)背面3/4處形成第五SD層； S10:通過(guò)激光掃描在SiC外延片(103)正面的最底層介質(zhì)(102)與SiC外延片(103)正面之間形成第六SD層； Sll:對(duì)全部掃描完后的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC圓片進(jìn)行裂片，形成復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述劃片膜為藍(lán)膜或者UV膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述步驟S5中激光掃描的速度為100111111/8-400111111/8，激光功率衰減模組角度為82°-105°，第一SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為30011111-360111]1。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述步驟S6中激光掃描的速度為200111111/8-300111111/8，激光功率衰減模組角度為82°-100°，第二SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為270um-300umo5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述步驟S7中激光掃描的速度為200臟/8-250臟/8，激光功率衰減模組角度為82°-95°，第三SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為240um-270umo6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述步驟S8中激光掃描的速度為150臟/8-200臟/8，激光功率衰減模組角度為82°-90°，第四SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為180um-240umo7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述步驟S9中激光掃描的速度為100臟/8-150臟/8，激光功率衰減模組角度為82°-87°，第五SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為9011111-1801111108.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述步驟SlO中激光掃描的速度為100臟/8-150臟/8，激光功率衰減模組角度為82°-85°，第六SD層與SiC外延片(103)正面之間的距離為4um-90umo9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，其特征在于:所述步驟Sll中的裂片在劃片槽中進(jìn)行，劃片槽的設(shè)計(jì)寬度是激光掃描后SiC外延片(103)損失部分寬度的70?100倍。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC芯片的激光分離方法，能夠很安全地實(shí)現(xiàn)多層復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC圓片的切割，并且不會(huì)破壞SiC外延片正面的介質(zhì)和背面的金屬，大大提高了良品率和切割效率，降低了SiC生產(chǎn)成本。
【IPC分類】B23K101/40, B23K26/53, B23K26/082
【公開(kāi)號(hào)】CN105598594
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510955804
【發(fā)明人】劉昊, 陳剛, 柏松
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
【公開(kāi)日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年12月18日