雙面顯示器及其tft陣列基板、陣列基板制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及雙面顯示器的技術(shù)領(lǐng)域,具體是涉及一種雙面顯示器及其TFT陣列基板、陣列基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的雙面液晶顯不中,由于米用透射式液晶面板,需應(yīng)用到兩片液晶顯不屏以及相應(yīng)的背光源,所以厚度較厚且功耗很高,尤其是在明亮的戶外進(jìn)行顯示時(shí),顯示屏需要較高的亮度才能看清楚,因此就需要顯示器背光具有很高的亮度,這樣會導(dǎo)致顯示器功耗很高,不利于節(jié)能減排。如圖1所示,圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種常用的雙面液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意簡圖。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙面顯示器及其TFT陣列基板、陣列基板制作方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中雙面顯示器能耗較高以及結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積笨重的技術(shù)問題。
[0004]為解決上述問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有雙面顯示功能的TFT陣列基板,所述TFT陣列基板包括:
[0005]基板;
[0006]設(shè)于所述基板上的第一反射層,其中,所述第一反射層呈鏤空結(jié)構(gòu),以形成間隔設(shè)置的反射區(qū)和透射區(qū);
[0007]覆蓋在所述第一反射層上的過渡介質(zhì)層;
[0008]設(shè)于所述過渡介質(zhì)層上的柵極以及蓋設(shè)于所述柵極上的介電層;
[0009]設(shè)于所述介電層上的發(fā)光層、源極以及漏極,其中,所述源極和所述漏極分別與所述發(fā)光層相接觸;
[0010]設(shè)于所述發(fā)光層、所述源極以及所述漏極上的絕緣層;
[0011]設(shè)于所述絕緣層上的第二反射層,所述第二反射層也呈鏤空結(jié)構(gòu),并形成間隔設(shè)置的反射區(qū)和透射區(qū),其中,所述第一反射層形成的透射區(qū)與所述第二反射層形成的反射區(qū)對應(yīng)設(shè)置,所述第一反射層形成的反射射區(qū)與所述第二反射層形成的透射區(qū)對應(yīng)設(shè)置,每一透射區(qū)和反射區(qū)分別對應(yīng)一個(gè)像素單元;
[0012]設(shè)于所述第二反射層外表面的密封層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述柵極采用氧化石墨烯材料制成。
[0014]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述發(fā)光層、所述源極以及所述漏極均采用還原氧化石墨稀材料制成。
[0015]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,制成所述源極和所述漏極采用的還原氧化石墨烯的含氧量小于制成所述發(fā)光層采用的還原氧化石墨烯的含氧量。
[0016]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提供一種具有雙面顯示功能TFT陣列基板的制作方法,所述方法包括:
[0017]在基板上形成第一反射層,并將所述第一反射層蝕刻出鏤空結(jié)構(gòu),以形成間隔設(shè)置的反射區(qū)和透射區(qū);
[0018]在所述第一反射層上蓋設(shè)過渡介質(zhì)層;
[0019]在所述過渡介質(zhì)層上設(shè)置柵極并在所述柵極上設(shè)置介電層;
[0020]在所述介電層上形成發(fā)光層、源極以及漏極,其中,所述源極和所述漏極分別與所述發(fā)光層相接觸;
[0021]在所述發(fā)光層、所述源極以及所述漏極上設(shè)置絕緣層;
[0022]在所述絕緣層上形成第二反射層,并將所述第二反射層蝕刻出鏤空結(jié)構(gòu),以形成間隔設(shè)置的反射區(qū)和透射區(qū),其中,所述第一反射層形成的透射區(qū)與所述第二反射層形成的反射區(qū)對應(yīng)設(shè)置,所述第一反射層形成的反射射區(qū)與所述第二反射層形成的透射區(qū)對應(yīng)設(shè)置,每一透射區(qū)和反射區(qū)分別對應(yīng)一個(gè)像素單元;
[0023]在所述第二反射層外表面形成密封層。
[0024]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述柵極采用氧化石墨烯材料制成。
[0025]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述發(fā)光層、所述源極以及所述漏極均采用還原氧化石墨稀材料制成。
[0026]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,制成所述源極和所述漏極采用的還原氧化石墨烯的含氧量小于制成所述發(fā)光層采用的還原氧化石墨烯的含氧量。
[0027]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明進(jìn)一步提供一種雙面顯示器,所述雙面顯示器包括上述實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
[0028]相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提供的雙面顯示器及其TFT陣列基板、陣列基板制作方法,通過在發(fā)光層兩側(cè)分別設(shè)置第一、第二反光層,可使雙面顯示器的結(jié)構(gòu)更加簡單,同時(shí)體積大大減小,有利于雙面顯示器的輕薄化;另外,利用氧化石墨烯作為發(fā)光層以及電極層材料,提高了像素的驅(qū)動(dòng)顯示速率,可以改善畫面的分辨率和文字圖畫邊緣的鋸齒現(xiàn)象,同時(shí)采用氧化石墨烯作為發(fā)光層以及電極層材料,還可以根據(jù)基板的不同,使制作柔性雙面顯示器成為可能。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種常用的雙面液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意簡圖;
[0031]圖2是本發(fā)明具有雙面顯示功能的TFT陣列基板一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0032]圖3是傳統(tǒng)像素設(shè)計(jì)單面顯示效果圖;
[0033]圖4是傳統(tǒng)像素設(shè)計(jì)情況下雙面顯示效果圖;
[0034]圖5是本發(fā)明采用氧化石墨烯材料顯示器的單面顯示效果圖;
[0035]圖6是本發(fā)明采用氧化石墨烯材料顯示器的雙面顯示效果圖;
[0036]圖7是本發(fā)明具有雙面顯示功能TFT陣列基板的制作方法一優(yōu)選實(shí)施例的流程示意圖;
[0037]圖8是圖7實(shí)施例TFT陣列基板的制作方法中形成第一反射層的示意圖;
[0038]圖9是圖7實(shí)施例TFT陣列基板的制作方法中形成柵極以及介電層的示意圖;
[0039]圖10是圖7實(shí)施例TFT陣列基板的制作方法中形成發(fā)光層、源極以及漏極的示意圖;
[0040]圖11是圖7實(shí)施例TFT陣列基板的制作方法中形成第二反射層的示意圖;以及[0041 ]圖12是本發(fā)明雙面顯示器一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意簡圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例,對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。特別指出的是,以下實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明,但不對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。同樣的,以下實(shí)施例僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例而非全部實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0043]請參閱圖2,圖2是本發(fā)明具有雙面顯示功能的TFT陣列基板一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,該TFT陣列基板包括但不限于以下結(jié)構(gòu)單元:基板100、第一反射層200、過渡介質(zhì)層300、柵極400、介電層500、發(fā)光層600、源極700、漏極800、絕緣層900、第二反射層1000以及密封層1100。
[0044]具體而言,第一反射層200設(shè)于基板100上,其中,基板100的材質(zhì)可以為玻璃、金屬、PET(聚對苯二甲酸乙二酯,polyethylene terephthalate,簡稱PET)等硬度較大、尺寸穩(wěn)定性高的材料,當(dāng)然還可以為軟質(zhì)材料,進(jìn)而可以制作柔性屏。優(yōu)選地,該第一反射層200為金屬薄膜,第一反射層200呈鏤空結(jié)構(gòu),以形成間隔設(shè)置的反射區(qū)210和透射區(qū)220。其目的是使一部分像素光被反射,一部分像素光可以透過第一反射層200,在保證一面顯示的情況下,反射區(qū)210將光反射到另一面,可以實(shí)現(xiàn)對側(cè)的顯示,而呈現(xiàn)出雙面顯示的效果。
[0045]過渡介質(zhì)層300蓋設(shè)于第一反射層200上,其中,過渡介質(zhì)層300的材料可以是Si02、SiNx、或PI (聚酰亞胺)等。其目的是形成一層絕緣隔氧的平坦層。在該過渡介質(zhì)層300上設(shè)置柵極400,該柵極400的材料優(yōu)選為氧化石墨稀(Graphene oxide,簡稱GO),過渡介質(zhì)層300的另一個(gè)作用是可以使氧化石墨烯很好的吸附,柵極400的GO可以采用改進(jìn)的hummers法(氧化還原法制備石墨稀的方法)制備得到,即通過部分氧化的石墨稀制備出完全氧化石墨稀。而柵極400先可以通過噴墨印刷、Roll to Roll、旋轉(zhuǎn)涂覆的方式制作涂層,然后將涂層層以離子蝕刻或激光蝕刻等形成柵極結(jié)構(gòu)410。
[0046]柵極400上覆蓋一層介電層500,其材料可以是Si02、SiNx等。發(fā)光層600、源極700以及漏極800設(shè)于介電層500上,其中,源極700和漏極800分別與發(fā)光層600相接觸。優(yōu)選地,發(fā)光層600、源極700以及漏極800均采用還原氧化石墨烯材料制成,即發(fā)光層600、源極700以及漏極800采用的石墨烯材料的含氧量小于柵極400采用材料氧化石墨烯的含氧量。
[0047]進(jìn)一步地,雖然,發(fā)光層600、源極700以及漏極800均采用的還原氧化石墨烯(reduced Graphene Oxide,簡稱rGO)材料制成,但其含氧量也不相同,優(yōu)選為,源極700和漏極800采用的還原氧化石墨烯的含氧量小于制成發(fā)光層600采用的還原氧化石墨烯的含氧量。該發(fā)光層600的發(fā)光波長可以通過柵極400電壓進(jìn)行連續(xù)調(diào)節(jié),該發(fā)光層600的制作方式和柵極400的GO層相同,同樣的,源極700和漏極800也采用與柵極400相同的制作方式。在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi),此處不再贅述。
[0048]另外,在發(fā)光層600、源極700以及漏極800上還設(shè)有絕緣層900,該絕緣層900需要具備隔氧、導(dǎo)熱性好并能夠提供器件良好的散熱通道的特點(diǎn)。
[0049]絕緣層900上設(shè)有第二反射層1000,第二反射層1000也為金屬薄膜,第二反射層1000同樣呈鏤空結(jié)構(gòu),形成間隔設(shè)置的反射區(qū)1010和透射區(qū)1020。其目的是使一部分像素光被反射,一部分像素光可以透過第二反射層1000,在保證一面顯示的情況下,反射區(qū)1010將光反射到另一面,可以實(shí)現(xiàn)對側(cè)的顯示,而呈現(xiàn)出雙面顯示的效果。
[0050]優(yōu)選地,第一反射層200形成的透射區(qū)220與第二反射層1000形成的反射區(qū)1010對應(yīng)設(shè)置,第一反射層200形成的反射射區(qū)210與第二反射層1000形成的透射區(qū)1020對應(yīng)設(shè)置。
[0051 ] 每一透射區(qū)(220、1020)和反射區(qū)(210、1010)分別對應(yīng)一個(gè)像素單元,也即對應(yīng)三組電極結(jié)構(gòu)(包括柵極400、發(fā)光層600、源極700以及漏極800)。其中,像素電極優(yōu)選通過場色序的驅(qū)動(dòng)方式,再加上氧化石墨烯具有響應(yīng)速度快的特點(diǎn),可以很好的改善畫面的分辨率和文字圖畫邊緣的鋸齒現(xiàn)象。與傳統(tǒng)像素設(shè)計(jì)的等子像素狀況相比,顯示效果明顯改善。請一并參閱圖3-圖6,圖3是傳統(tǒng)像素設(shè)計(jì)單面顯示效果圖,其中,黑色部分表示對面像素;圖4是傳統(tǒng)像素設(shè)計(jì)情況下雙面顯示效果圖,圖5是本發(fā)明采用氧化石墨烯材料顯示器的單面顯示效果圖,圖6是本發(fā)明采用氧化石墨烯材料顯示器的雙面顯示效果圖,很明顯,采用本發(fā)明技術(shù)方案的顯示器顯示效果(尤其是畫面的分辨率和文字圖畫邊緣的鋸齒現(xiàn)象)有明顯改善。
[0052]進(jìn)一步地,第二反射層1000的外表面還設(shè)有密封層1100,該密封層1100的材質(zhì)優(yōu)選