承載裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種承載裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]刻蝕設(shè)備是集成電路生產(chǎn)制造過程中所需的重要設(shè)備之一，用于對基片完成刻蝕工藝。
[0003]圖1為典型的刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖1，該反應(yīng)腔室10包括靜電卡盤11、線圈12、進氣裝置、排氣裝置和頂針升降機構(gòu)等。其中，靜電卡盤11設(shè)置在反應(yīng)腔室10的底部，用以采用靜電吸附的方式將基片S固定在其上表面上。線圈12設(shè)置在反應(yīng)腔室10頂部介質(zhì)窗13的上方，借助線圈12與射頻電源電連接，以在射頻電源開啟后將射頻能量耦合至反應(yīng)腔室，將反應(yīng)腔室10內(nèi)的工藝氣體激發(fā)形成等離子體。進氣裝置包括設(shè)置在介質(zhì)窗13的中心位置的進氣口 14以及設(shè)置在反應(yīng)腔室10側(cè)壁靠上位置的進氣口 15，用以與工藝氣源相連通來實現(xiàn)向反應(yīng)腔室10內(nèi)輸送工藝氣體。排氣裝置包括設(shè)置在反應(yīng)腔室底部的排氣口 16，其與真空裝置(如干栗等)相連，用以將反應(yīng)腔室10抽成真空。頂針升降機構(gòu)包括多個頂針17和升降驅(qū)動器(圖中未示出)，每個頂針17貫穿靜電卡盤11的上下表面，其在升降驅(qū)動器的驅(qū)動下相對靜電卡盤11升降。
[0004]采用上述反應(yīng)腔室的工藝過程包括以下步驟:SI，承載有基片的機械手傳入反應(yīng)腔室10內(nèi)且位于靜電卡盤11正上方的傳輸位置；S2，驅(qū)動頂針17上升直至將位于機械手上的基片頂起，空載的機械手收回；S3，驅(qū)動承載有基片的頂針17下降，直至基片位于靜電卡盤11的上表面上，并向靜電卡盤11施加直流電，以采用靜電吸附的方式固定基片；S4，向靜電卡盤11的表面通入熱交換氣體，對基片進行溫控；S5，開始工藝；S6，工藝結(jié)束后停止通入熱交換氣體；S7，停止向靜電卡盤11施加直流電；S8，驅(qū)動頂針17上升將基片托起至傳輸位置，空載的機械手傳入反應(yīng)腔室10內(nèi)且位于基片的下方；S9，驅(qū)動頂針17下降以使基片位于機械手上，承載有已完成工藝的基片的機械手傳出反應(yīng)腔室10。
[0005]在實際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn):在上述步驟S7之后，靜電卡盤的上表面和基片的背面的某些區(qū)域可能存在殘余電荷，這造成二者之間存在殘余靜電引力，因而易發(fā)生粘片現(xiàn)象，尤其是，介質(zhì)材料的基片容易發(fā)生粘片現(xiàn)象。為此，通常在步驟S7之后和步驟S8之前，向靜電卡盤在短時間內(nèi)施加反向電壓，再通過產(chǎn)生等離子體來去除該殘余電荷。
[0006]然而，采用上述方法不能完全去除殘余電荷，因此，在步驟S8中，由于分布不均勻地殘余電荷，使得頂針上升的過程中基片受力不均勻發(fā)生傾斜，如圖2所示，從而容易造成基片的滑落，進而容易造成掉片和碎片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種承載裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備，其可以解決粘片使得基片上升的過程中掉片和碎片的問題。
[0008]為解決上述問題之一，本發(fā)明提供了一種承載裝置，包括靜電卡盤、輔助件和輔助件驅(qū)動器，所述靜電卡盤上設(shè)置有用于承載基片的承載位，所述輔助件沿所述承載位的周向設(shè)置，且所述輔助件的內(nèi)徑小于所述基片的外徑，在所述靜電卡盤的上表面上設(shè)置有容納所述輔助件的第一凹部，并且，在所述輔助件的靠近所述基片的位置處設(shè)置有第二凹部，以使所述基片位于所述承載位時基片的邊沿位于所述第二凹部內(nèi)；所述輔助件驅(qū)動器用于驅(qū)動所述輔助件升降，以使所述輔助件上升將基片托起。
[0009]其中，還包括多個頂針和頂針驅(qū)動器，多個所述頂針設(shè)置在所述靜電卡盤內(nèi)，且在所述頂針驅(qū)動器的驅(qū)動下貫穿所述靜電卡盤的上表面進行升降，以實現(xiàn)在所述基片位于所述承載位的上方時與所述輔助件進行基片的傳輸。
[0010]其中，所述輔助件為環(huán)形輔助件。
[0011 ] 其中，所述輔助件包括沿所述承載位的周向間隔設(shè)置的多個子輔助件。
[0012]其中，所述多個子輔助件沿所述承載位的周向間隔且均勻設(shè)置。
[0013]其中，所述輔助件驅(qū)動器包括氣缸。
[0014]其中，所述頂針驅(qū)動器包括氣缸。
[0015]其中，所述輔助件采用介質(zhì)材料制成。
[0016]其中，還包括用于連接所述輔助件和所述輔助件驅(qū)動器的連接件，所述連接件設(shè)置在所述靜電卡盤的外側(cè)，或者，所述連接件貫穿靜電卡盤與所述輔助件驅(qū)動器相連。
[0017]作為另外一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，在反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有承載裝置，所述承載裝置采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的承載裝置。
[0018]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0019]本發(fā)明提供的承載裝置，其沿承載位的周向設(shè)置有輔助件，且輔助件的內(nèi)徑小于基片的外徑，在靜電卡盤的上表面上設(shè)置有容納輔助件的第一凹部，并且，在輔助件的靠近基片的位置處設(shè)置有第二凹部，以使基片位于承載位時基片的邊沿位于第二凹部內(nèi)；在這種情況下，借助輔助件驅(qū)動器驅(qū)動輔助件升降，可以使輔助件上升將基片托起，由于在基片被托起的過程中，基片位于第二凹部內(nèi)，可以使得在粘片造成基片托起時易發(fā)生傾斜的情況下第二凹部的側(cè)壁對基片進行限位，這可以避免基片發(fā)生傾斜，因而可以有效地保證基片順利可靠地升起，從而可以降低掉片和碎片的幾率，進而可以提高設(shè)備的可靠性和產(chǎn)能。
[0020]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明提供的承載裝置，從而可以避免基片發(fā)生傾斜，從而可以避免基片的滑落而廢片，進而可以提高經(jīng)濟效益。
【附圖說明】
[0021]圖1為現(xiàn)有的刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為基片發(fā)生傾斜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0024]圖4為本發(fā)明第二實施例提供的承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0025]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的承載裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備進行詳細描述。
[0026]圖3為本發(fā)明第一實施例提供的承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖3，本實施例提供的承載裝置，包括靜電卡盤20、輔助件21、輔助件驅(qū)動器22、多個頂針23和頂針驅(qū)動器24。其中，靜電卡盤20上設(shè)置有用于承載基片S的承載位，靜電卡盤20用于與直流電源電連接，采用靜電吸附的方式固定位于其承載位的基片S。
[0027]輔助件21沿承載位的周向設(shè)置，且輔助件21的內(nèi)徑Dl小于基片的外徑D2，在靜電卡盤20的上表面上設(shè)置有容納輔助件21的第一凹部201，并且，在輔助件21的靠近基片的位置處設(shè)置有第二凹部211，以使基片位于承載位時基片S的邊沿位于第二凹部211內(nèi)，如圖3所示，第二凹部211的底面不高于靜電卡盤20的上表面。優(yōu)選地，輔助件21采用介質(zhì)材料制成，以避免對工藝產(chǎn)生影響。
[0028]輔助件驅(qū)動器22用于驅(qū)動輔助件21升降，以使其上升將基片S托起?？梢岳斫?，由于在基片S被托起的過程中，基片S位于第二凹部211內(nèi)，也就是說，第二凹部21