] 另外，為了蒸發(fā)源中的儀的溶解而照射了電子射束。
[0044] 此外，儀層的前體的厚度通過對(duì)侶錐的行進(jìn)速度和電子射束的輸出進(jìn)行加減而進(jìn) 行了調(diào)整。
[0045] W與上述相同的方法在侶錐的另一個(gè)表面也形成了儀層的前體。
[0046] 在熱處理工序中，在表面形成儀層的前體，將卷繞為卷筒狀的侶錐在高溫槽中放 置并進(jìn)行了加熱處理。
[0047] 若詳細(xì)說明，則將在表面形成了儀層的前體并卷繞為卷筒狀的侶錐，投入到槽內(nèi) 溫度為常溫的高溫槽之后升溫至250°C，將250°C維持1小時(shí)后自然冷卻。
[004引在該實(shí)施例1中，使用了厚度為30μπι、表面粗糖度Ra為0. Ιμπι的侶錐。
[0049] 然后，在薄膜形成工序中，在侶錐的表面形成的儀層的前體的厚度為O.lwii。
[0050] 此外，關(guān)于構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、將儀層沿厚度方向切斷 后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序前，最大的結(jié)晶為33nm、最小的結(jié)晶為14nm、平 均為22nm，不存在50nmW上的結(jié)晶。然后在熱處理工序后，確認(rèn)了存在50nmW上的結(jié)晶， 50nmW上的結(jié)晶的平均尺寸為54nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.0eV。
[0051] (實(shí)施例2)
[0052] 實(shí)施例2使用通過實(shí)施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀層的前體的 侶錐，除了在熱處理工序中，使高溫槽的溫度從常溫狀態(tài)升溫至300°CW及將維持1小時(shí)的 溫度設(shè)為300°CW外，W與實(shí)施例1相同的條件制作了電極錐。
[0053] 關(guān)于在實(shí)施例2中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nmW上的結(jié)晶的平均尺寸為79nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.2eV。
[0054] (實(shí)施例3)
[0055] 實(shí)施例3使用通過實(shí)施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀層的前體的 侶錐，除了在熱處理工序中，將高溫槽的溫度從常溫狀態(tài)升溫至400°CW及將維持1小時(shí)的 溫度設(shè)為400°CW外，W與實(shí)施例1相同的條件制作了電極錐。
[0056] 關(guān)于在實(shí)施例3中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nm W上的結(jié)晶的平均尺寸為118nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.4eV。
[0057] (實(shí)施例4)
[0058] 實(shí)施例4使用通過實(shí)施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀層的前體的 侶錐，除了在熱處理工序中，將高溫槽的溫度從常溫狀態(tài)升溫至450°CW及將維持1小時(shí)的 溫度設(shè)為450°CW外，W與實(shí)施例1相同的條件制作了電極錐。
[0059] 關(guān)于在實(shí)施例4中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nmW上的結(jié)晶的平均尺寸為152nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.5eV。
[0060] (實(shí)施例5)
[0061] 實(shí)施例5使用通過實(shí)施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀層的前體的 侶錐，除了在熱處理工序中，將高溫槽的溫度從常溫狀態(tài)升溫至400°C W及將維持的溫度設(shè) 為400°C并將維持的時(shí)間設(shè)為10小時(shí)W外，W與實(shí)施例1相同的條件制作了電極錐。
[0062] 關(guān)于在實(shí)施例5中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nm W上的結(jié)晶的平均尺寸為406nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.4eV。
[0063] (實(shí)施例6)
[0064] 實(shí)施例6除了將使用的侶錐的表面粗糖度Ra設(shè)為0.外，W與實(shí)施例1相同的 條件制作了電極錐。
[0065] 關(guān)于在實(shí)施例6中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序前，最大的結(jié)晶為33nm、 最小的結(jié)晶為llnm、平均為24皿，不存在50nmW上的結(jié)晶。然后在熱處理工序后，確認(rèn)了存 在50nm W上的結(jié)晶，50nm W上的結(jié)晶的平均尺寸為57nm。此外，儀層的功函數(shù)為5. OeV。
[0066] (實(shí)施例7)
[0067] 實(shí)施例7將使用的侶錐的表面粗糖度Ra設(shè)為0.5皿，在薄膜形成工序中，除了將在 侶錐的表面形成的儀層的前體的厚度設(shè)為〇.4ymW外，W與實(shí)施例2相同的條件制作了電極 錐。
[0068] 關(guān)于在實(shí)施例7中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序前，最大的結(jié)晶為30nm、 最小的結(jié)晶為12nm、平均為22皿，不存在50nmW上的結(jié)晶。然后在熱處理工序后，確認(rèn)了存 在50nm W上的結(jié)晶，50nm W上的結(jié)晶的平均尺寸為80nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.2eV。
[0069] (實(shí)施例8)
[0070] 實(shí)施例8除了使用了通過實(shí)施例7的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀層的 前體的侶錐W外，W與實(shí)施例3相同的條件制作了電極錐。
[0071] 關(guān)于在實(shí)施例8中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nm W上的結(jié)晶的平均尺寸為118nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.4eV。
[0072] (實(shí)施例9)
[0073] 實(shí)施例9除了使用了通過實(shí)施例6的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀層的 前體的侶錐W外，W與實(shí)施例4相同的條件制作了電極錐。
[0074] 關(guān)于在實(shí)施例9中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nm W上的結(jié)晶的平均尺寸為150nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.5eV。
[00對(duì)（實(shí)施例10)
[0076] 實(shí)施例10除了使用了通過實(shí)施例6的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀層的 前體的侶錐W外，W與實(shí)施例5相同的條件制作了電極錐。
[0077] 關(guān)于在實(shí)施例10中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nm W上的結(jié)晶的平均尺寸為403nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.4eV。
[007引（實(shí)施例11)
[0079] 實(shí)施例11除了將使用的侶錐的表面粗糖度Ra設(shè)為l.OymW外，W與實(shí)施例1相同的 條件制作了電極錐。
[0080] 關(guān)于在實(shí)施例11中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的前體的儀的 結(jié)晶的、將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序前，最大的結(jié)晶 為28加1、最小的結(jié)晶為lOnm、平均為20加1，不存在50nmW上的結(jié)晶。然后在熱處理工序后確 認(rèn)了存在50nmW上的結(jié)晶，50nmW上的結(jié)晶的平均尺寸為55nm。此外，儀層的功函數(shù)為 5.0eV。
[00川（實(shí)施例12)
[0082] 實(shí)施例12除了使用了通過實(shí)施例11的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀層 的前體的侶錐W外，W與實(shí)施例2相同的條件制作了電極錐。
[0083] 關(guān)于在實(shí)施例12中制作的電極錐的構(gòu)成在侶錐的表面形成的儀層的儀的結(jié)晶的、 將儀層沿厚度方向切斷后的剖面的寬度方向的尺寸，在熱處理工序后確認(rèn)了存在50nmW上 的結(jié)晶，50nmW上的結(jié)晶的平均尺寸為79nm。此外，儀層的功函數(shù)為5.2eV。
[0084] (實(shí)施例13)
[0085] 實(shí)施例13除了使用了通過實(shí)施例11的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀