可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器、集群、應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感器，具體涉及可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]姿態(tài)傳感器是指用于獲取設(shè)備姿勢的傳感器，是智能機(jī)器人的重要感知輸入設(shè)備，人工神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)是現(xiàn)有人工智能較為先進(jìn)的技術(shù)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)具有以下缺點(diǎn):1、現(xiàn)有的姿態(tài)傳感器現(xiàn)有的姿態(tài)傳感器的物理輸出節(jié)點(diǎn)少；2、現(xiàn)有的姿態(tài)傳感器物理制作精度要求高、成本高、輸出多為數(shù)字信號，輸出節(jié)點(diǎn)數(shù)不易擴(kuò)展導(dǎo)致其與人工神經(jīng)元硬件的連接需要復(fù)雜的電路。
[0004]為了克服以上問題，本發(fā)明提出了一種模仿人體感知器官半規(guī)管的姿態(tài)傳感器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明發(fā)明了可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、輸出節(jié)點(diǎn)多。
[0006]本發(fā)明具有如下技術(shù)內(nèi)容。
[0007]1、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、I個電阻層構(gòu)成；容腔與電阻層共界面；I個電極介入容腔內(nèi)；介入容腔內(nèi)的電極不與電阻層相連；1個電極與電阻層的外側(cè)相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體總是與容腔內(nèi)電極相接觸；導(dǎo)電液體總是與電阻層內(nèi)側(cè)相接觸；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0008]2、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由導(dǎo)電液體、容腔、I個電阻層、至少3個電極構(gòu)成；至少I個電極介入容腔內(nèi)；至少I個介入容腔的電極不與電阻層相連；容腔與電阻層共界面；電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0009]3、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個。
[0010]4、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個電極與電阻層內(nèi)側(cè)相連。
[0011]5、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個與電阻層外側(cè)相連的電極同時與電阻層內(nèi)側(cè)相連。
[0012]6、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少5個；介入容腔的電極數(shù)量為至少I個；與電阻層外側(cè)相連的電極數(shù)量至少為3個；至少I個介入容腔的電極與電阻層外側(cè)相連。
[0013]7、如技術(shù)內(nèi)容2所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極的表面間距大于等于它們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層平均厚度的2倍。
[0014]8、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；所有電極均和同一或非同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0015]9、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連。
[0016]10、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；至少有I個與容腔共界面的內(nèi)側(cè)與至少3個電極相連的電阻層的內(nèi)側(cè)所連接的所有電極均不與所連電阻層的外側(cè)相連。
[0017]11、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；所有電極均不與任何與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連。
[0018]12、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)與至少4個電極相連；至少I電極同時與電阻層的內(nèi)側(cè)和外側(cè)相連。
[0019]13、如技術(shù)內(nèi)容8所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有兩個連接在同一電阻層上的電極它們之間的表面距離大于等于他們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層的平均厚度的2倍。
[0020]14、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少I個電極相連；至少2個分別連接在同一電阻層內(nèi)、外側(cè)的電極不與所連電阻層上電極自身所連側(cè)的對立側(cè)相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0021]15、如技術(shù)內(nèi)容14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少3個電極相連。
[0022]16、如技術(shù)內(nèi)容14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)、外側(cè)分別與至少I個、至少3個電極相連；至少I個電極介入與電阻層共界面的容腔內(nèi)；至少I個介入與電阻層共界面的容腔內(nèi)的電極與至少I個電阻層外側(cè)相連但不與任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0023]17、如技術(shù)內(nèi)容14所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層上的電極的表面間距大于等于它們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層厚度的2倍。
[0024]18、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由至少2個電極、導(dǎo)電液體、容腔、至少I個電阻層構(gòu)成；容腔與至少I個電阻層共界面；所有電極均和同一或非同一與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；導(dǎo)電液體裝載在容腔內(nèi)；導(dǎo)電液體能夠接觸到電阻層內(nèi)側(cè)；導(dǎo)電液體體積小于容腔有效容積。
[0025]19、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少有I個與容腔共界面的外側(cè)與至少2個電極相連的電阻層的外側(cè)所連接的所有電極均不與所連電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0026]20、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少2個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少2個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
[0027]21、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少3個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少3個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
[0028]22、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；所有電極都不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連；所有電極都不介入容腔。
[0029]23、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極介入容腔內(nèi)；至少有I個介入容腔內(nèi)的電極和與容腔共界面的電阻層的外側(cè)相連；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不介入容腔；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0030]24、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極和與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0031]25、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極同時和同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)、外側(cè)相連。
[0032]26、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:電極的總數(shù)為至少4個；至少有I個與容腔共界面的電阻層的外側(cè)與至少4個電極相連；至少I個電極同時和同一與容腔共界面的電阻層的內(nèi)、外側(cè)相連；至少2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極不和任何與容腔共界面的電阻層的內(nèi)側(cè)相連。
[0033]27、如技術(shù)內(nèi)容18所述的可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:至少有2個連接在同一與容腔共界面的電阻層外側(cè)的電極的表面間距大于等于它們之間(同時滿足連接路徑和空間路徑)的電阻層平均厚度的2倍。
[0034]28、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:在技術(shù)內(nèi)容1-27中選擇多種姿態(tài)傳感器使它們的容腔相通或者合并它們的容腔；新容腔內(nèi)導(dǎo)電液體的體積小于新容腔的有效容積。
[0035]29、可用于人工智能設(shè)備姿態(tài)感應(yīng)的姿態(tài)傳感器，其特征在于:主要由任選技術(shù)內(nèi)容1-28所述的I個姿態(tài)傳感器、至