一種SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路，包括信號(hào)接收電路、電平轉(zhuǎn)換電路、推挽放大電路、橋臂串?dāng)_抑制電路、全橋整流電路、第一隔離變壓器和第二隔離變壓器。本發(fā)明采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路與控制電路的隔離，使控制電路能夠在常溫環(huán)境中工作，在克服了耐高溫控制集成芯片獲取困難的基礎(chǔ)上，還具備高溫工作能力，并減小了線路寄生參數(shù)；采用輔助耐高溫BJT管與SiC MOSFET管互補(bǔ)導(dǎo)通，開關(guān)管關(guān)斷時(shí)在驅(qū)動(dòng)電路中接入并聯(lián)電容，抑制橋臂電路串?dāng)_現(xiàn)象。
【專利說明】
一種SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明屬電力電子領(lǐng)域，尤其是一種SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，多電飛機(jī)、電動(dòng)汽車、石油鉆井等領(lǐng)域?qū)﹄娏﹄娮幼儞Q器提出了更高的要求，需要其能夠在高溫環(huán)境下可靠工作。新型SiC功率器件結(jié)溫承受能力較高，結(jié)合高溫封裝技術(shù)，可在高達(dá)200°C以上環(huán)境溫度下工作，這為高溫電力電子變換器的設(shè)計(jì)提供了可能。驅(qū)動(dòng)電路作為控制電路和功率器件之間的重要接口，決定著器件性能的發(fā)揮。盡管碳化硅器件具有高速開關(guān)能力，但這卻需要較好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)才能使其充分發(fā)揮高速開關(guān)能力。為了充分利用SiC器件的高速工作能力，其驅(qū)動(dòng)電路必須與功率器件盡可能靠近以降低驅(qū)動(dòng)回路的寄生參數(shù)，因此驅(qū)動(dòng)電路也必須能夠滿足高溫工作的要求。但是，目前常用的Si基驅(qū)動(dòng)芯片最高只能工作在125°C，無法承受更高溫度，必須設(shè)立單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)板，與SiC功率模塊保持一段距離，防止功率電路損耗產(chǎn)生的熱量傳到驅(qū)動(dòng)電路，影響驅(qū)動(dòng)電路正常工作。單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)板通過較長(zhǎng)的引線與SiC功率模塊相連，這就在驅(qū)動(dòng)芯片和SiC功率模塊之間引入了寄生電感，不僅對(duì)SiC器件高速開關(guān)不利，且增加了電路所占空間，不利于變換器的小型化。
[0003]另外，橋臂電路含有兩個(gè)串聯(lián)的互補(bǔ)導(dǎo)通的開關(guān)器件，是功率變換器中最為常用的電路結(jié)構(gòu)，SiC功率器件高速工作時(shí)，由于SiC MOSFET柵極門檻電壓和負(fù)向最大電壓承受能力均較低，因此會(huì)引起橋臂串?dāng)_問題，危及電路安全。目前常用的解決辦法有以下幾種:①在柵源極并聯(lián)額外的電容為密勒電流提供分流支路;②增加?xùn)艠O關(guān)斷負(fù)偏壓;③有源密勒箝位驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]目前文獻(xiàn)中針對(duì)SiCMOSFET給出的耐高溫驅(qū)動(dòng)方式主要為基于高溫集成絕緣硅SOI技術(shù)的驅(qū)動(dòng)電路。這些驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)雖然能夠承受200°C以上的高溫惡劣環(huán)境，仍性能仍不夠穩(wěn)定，且未考慮橋臂電路串?dāng)_抑制的要求。
[0005]因此，為滿足寬溫度范圍下的SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)能力及橋臂串?dāng)_抑制功能，迫切需要尋求一種具有耐高溫工作能力、橋臂串?dāng)_抑制能力及低寄生參數(shù)的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明目的:為了克服傳統(tǒng)電力電子變換器不能承受高溫惡劣環(huán)境的缺陷，使基于SiC器件的電力電子變換器能夠在高溫條件下可靠工作，克服高溫環(huán)境下SiC基橋臂電路更加嚴(yán)峻的橋臂串?dāng)_問題，本發(fā)明提出一種SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路。
[0007]技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的技術(shù)方案為:一種SiCMOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路，該電路跨接在SiC MOSFET管和SiC MOSFET管的控制電路之間，將控制電路輸出的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為SiC MOSFET管柵源極之間的驅(qū)動(dòng)電壓，控制SiC MOSFET管啟動(dòng)或關(guān)斷；
[0008]該電路包括信號(hào)接收電路、電平轉(zhuǎn)換電路、推挽放大電路、橋臂串?dāng)_抑制電路、全橋整流電路、第一隔離變壓器和第二隔離變壓器；
[0009]信號(hào)接收電路通過第一隔離變壓器與SiCMOSFET管的控制電路相連，將控制電路輸出的控制信號(hào)傳遞給電平轉(zhuǎn)換電路；電平轉(zhuǎn)換電路將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為推挽放大電路的輸入電平V4g;推挽放大電路的輸出端兩臂均與SiC MOSFET管的柵極相連，并根據(jù)輸入電平V4g控制SiC MOSFET管導(dǎo)通或截止；
[0010]全橋整流電路通過第二隔離變壓器與外接電源相連，形成所述驅(qū)動(dòng)電路的電源電路，并為所述驅(qū)動(dòng)電路供電；
[0011]橋臂串?dāng)_抑制電路包括PNP型BJT管Q8和輔助電容Ca，Q8的基極與推挽放大電路的輸入端相連，Q8的發(fā)射極與SiC MOSFET管的源級(jí)相連，Q8的集電極通過CgSiC MOSFET管的柵極相連;Ca >> Cgs，Cgs為SiC MOSFET管的柵源極電容。
[0012]進(jìn)一步的，所述全橋整流電路包括由橋式連接的二極管Di?D4構(gòu)成的整流橋、濾波電容Co、穩(wěn)壓管Z1J2和限流電阻R;整流橋的輸入端與第二隔離變壓器的副邊相連，Co跨接在整流橋的正、負(fù)輸出端之間J1的陽極接整流橋負(fù)輸出端，Z1的陰極與辦的陰極相連，Z2的陰極接整流橋正輸出端，間串聯(lián)R;所述全橋整流電路設(shè)有三個(gè)輸出端:整流橋的正輸出端為全橋整流電路的第一輸出端，為推挽放大電路提供參考電壓^; 1?與21的連接點(diǎn)為全橋整流電路的第二輸出端，為SiC MOSFET管提供源級(jí)電SV1;整流橋的負(fù)輸出端為全橋整流電路第三輸出端，其輸出的電壓Vo作為地線電壓。
[0013]進(jìn)一步的，所述信號(hào)接收電路包括NPN型BJI^QlQ2、分壓電阻R1-R6和防反流二極管D5、D6; Q1、Q2的發(fā)射極接地;Q1基極與D5的陽極相連，同時(shí)，Q1的基極通過1?2與出的集電極相連，05的陰極接有R1 ,R1的另一端接地;Q1的集電極通過1?4與出的基極相連，同時(shí)&的集電極通過串聯(lián)的R3、R6與Q2的集電極相連;Q2的基極與D6的陽極相連，D6的陰極通過R5接地;所述信號(hào)接收電路中，Rl?R3和D5構(gòu)成Ql的分壓電路;R4?R6和D6構(gòu)成Q2的分壓電路;信號(hào)接收電路設(shè)有兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端:D5陰極與Ri的連接點(diǎn)為信號(hào)接收電路的第一輸入端A，D6陰極與R5的連接點(diǎn)為信號(hào)接收電路的第二輸入端B，第一輸入端A和第二輸入端B分別與第一隔離變壓器副邊的正、負(fù)極相連;Q2的集電極為信號(hào)接收電路的輸出端。
[0014]進(jìn)一步的，所述電平轉(zhuǎn)換電路包括NPN型BJT管Q3、分壓電阻R7?R9、防反流二極管D7及隔直電容&?(:3;其中，R7、R8串聯(lián)，R8的另一端接地，R7的另一端與D7的陰極相連，D7的陽極與所述全橋整流電路的第二輸出端相連，同時(shí)D7的陽極通過C3與所述全橋整流電路的第一輸出端相連一端與D7陰極相連，另一端接地;C2—端與D7陽極相連，另一端接地;Q3的基極與R7、R8的連接點(diǎn)相連;Q3的發(fā)射極作為電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端與所述信號(hào)接收電路的輸出端相連;Q3的集電極通過與R9與全橋整流電路的第一輸出端相連，同時(shí)，Q3的集電極作為電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端并與推挽放大電路的輸入端相連。
[0015]進(jìn)一步的，所述推挽放大電路包括由NPN型BJT管Q4、Q6和PNP型BJT管Q5、Q7組成的兩級(jí)達(dá)林頓結(jié)構(gòu);其中，Q4、Q5基極相連，Q6、Q7基極相連，Q4、Q6的集電極與全橋整流電路的第一輸出端相連，Q5、Q7的發(fā)射極接地;Q4的發(fā)射極與Q5的集電極相連，同時(shí)Q4的發(fā)射極與Q6的基極相連;Q4、Q5基極的連接點(diǎn)作為推挽放大電路的輸入端，Q6的發(fā)射極通過串聯(lián)的電阻R10、Rn與Q7的集電極相連，電阻R1O和Rn的連接點(diǎn)作為推挽放大電路的輸出端并與SiCMOSFET管的柵極相連。
[0016]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)勢(shì):
[0017]1、采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路與控制電路的隔離，控制電路能夠在常溫環(huán)境中工作，在克服了耐高溫控制集成芯片獲取困難的基礎(chǔ)上，還具備高溫工作能力，
[0018]2、減少驅(qū)動(dòng)芯片與功率電路之間的距離，降低寄生參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的影響；
[0019]3、采用輔助耐高溫BJT管與SiC MOSFET互補(bǔ)導(dǎo)通，采用柵源極并聯(lián)外部電容及增加?xùn)艠O關(guān)斷負(fù)偏壓的方法抑制驅(qū)動(dòng)電路橋臂串?dāng)_現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中耐高溫SiC基驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中全橋整流電路圖；
[0022]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中信號(hào)接收電路圖；
[0023]圖4是本發(fā)明實(shí)施例中電平轉(zhuǎn)換電路圖；
[0024]圖5是本發(fā)明實(shí)施例中推挽放大電路圖；
[0025]圖6是本發(fā)明實(shí)施例整體驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖7是圖6所示電路圖中各個(gè)BJT管基極和SiCMOSFET柵源極在控制信號(hào)Va下的電壓波形時(shí)序?qū)Ρ葓D。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作更進(jìn)一步的說明。
[0028]如圖2至圖6所示為本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖，該電路包括信號(hào)接收電路、電平轉(zhuǎn)換電路、推挽放大電路、橋臂串?dāng)_抑制電路、全橋整流電路、第一隔離變壓器和第二隔離變壓器；
[0029 ]全橋整流電路包括由橋式連接的二極管Di?D4構(gòu)成的整流橋、濾波電容Co、穩(wěn)壓管Z1、Z2和限流電阻R;整流橋的輸入端與第二隔離變壓器的副邊相連，Co跨接在整流橋的正、負(fù)輸出端之間必的陽極接整流橋負(fù)輸出端，Z1的陰極與22的陰極相連，22的陰極接整流橋正輸出端，間串聯(lián)R;所述全橋整流電路設(shè)有三個(gè)輸出端:整流橋的正輸出端為全橋整流電路的第一輸出端，為推挽放大電路提供參考電壓V2 ； 1?與21的連接點(diǎn)為全橋整流電路的第二輸出端，為SiC MOSFET管提供源級(jí)電壓V1;整流橋的負(fù)輸出端為全橋整流電路第三輸出端，其輸出的電壓Vo作為地線電壓。
[0030]信號(hào)接收電路包括NPN型BJI^QhQ2、分壓電阻R^R6和防反流二極管D^D65QlQ2的發(fā)射極接地必基極與D5的陽極相連，同時(shí)，Q1的基極通過RAQ2的集電極相連，D5的陰極接有Ri，Ri的另一端接地;Qi的集電極通過1?4與Q2的基極相連，同時(shí)Q1的集電極通過串聯(lián)的R3、R6與出的集電極相連;02的基極與D6的陽極相連，D6的陰極通過抱接地;所述信號(hào)接收電路中，Rl?R3和D5構(gòu)成Ql的分壓電路;R4?R6和D6構(gòu)成Q2的分壓電路;信號(hào)接收電路設(shè)有兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端:D5陰極與Ri的連接點(diǎn)為信號(hào)接收電路的第一輸入端A，D6陰極與R5的連接點(diǎn)為信號(hào)接收電路的第二輸入端B，第一輸入端A和第二輸入端B分別與第一隔離變壓器副邊的正、負(fù)極相連;Q2的集電極為信號(hào)接收電路的輸出端。
[0031]電平轉(zhuǎn)換電路包括NPN型BJT管Q3、分壓電阻R7?R9、防反流二極管D7及隔直電容C1?C3;其中，R7、R8串聯(lián)，R8的另一端接地，R7的另一端與D7的陰極相連，D7的陽極與所述全橋整流電路的第二輸出端相連，同時(shí)D7的陽極通過C3與所述全橋整流電路的第一輸出端相連；C1 一端與D7陰極相連，另一端接地;C2—端與D7陽極相連，另一端接地;Q3的基極與R7、R8的連接點(diǎn)相連;Q3的發(fā)射極作為電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端與所述信號(hào)接收電路的輸出端相連;Q3的集電極通過與R9與全橋整流電路的第一輸出端相連，同時(shí)，Q3的集電極作為電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端并與推挽放大電路的輸入端相連。
[0032]推挽放大電路包括由NPN型BJT管Q4、Q6和PNP型BJT管Q5、Q7組成的兩級(jí)達(dá)林頓結(jié)構(gòu);其中，Q4、Q5基極相連，Q6、Q7基極相連，Q4、Q6的集電極與全橋整流電路的第一輸出端相連，Q 5、Q7的發(fā)射極接地;Q4的發(fā)射極與Q5的集電極相連，同時(shí)Q4的發(fā)射極與Q6的基極相連；Q4、Q5基極的連接點(diǎn)作為推挽放大電路的輸入端，Q6的發(fā)射極通過串聯(lián)的電阻RlO、Rll與Q7的集電極相連，電阻R1和Rn的連接點(diǎn)作為推挽放大電路的輸出端并與SiC MOSFET管的柵極相連。
[0033]橋臂串?dāng)_抑制電路包括PNP型BJT管Q8和輔助電容Ca，Q8的基極與推挽放大電路的輸入端相連，Q8的發(fā)射極與SiC MOSFET管的源級(jí)相連，Q8的集電極通過CgSiC MOSFET管的柵極相連;Ca >> Cgs，Cgs為SiC MOSFET管的柵源極電容。
[0034]本實(shí)施例的工作原理為:
[0035]當(dāng)?shù)谝桓綦x變壓器副邊輸出為低電平時(shí)，即Va為低電平時(shí)，BJT管Q2，Q3導(dǎo)通，由于二極管D5存在導(dǎo)通壓降，此時(shí)耐高溫即了管^亦導(dǎo)通J1導(dǎo)通后其集電極和發(fā)射極之間的電壓Vce sat不足以維持Q2處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，因此Q2、Q3關(guān)斷，Q4、Q6導(dǎo)通，SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)為正電壓導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝桓綦x變壓器副邊輸出為高電平時(shí)，耐高溫即了管^關(guān)斷，Q2、Q3、Qs、Q7導(dǎo)通，SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)為負(fù)壓關(guān)斷。
[0036]在本實(shí)施例中，將容值遠(yuǎn)大于SiCMOSFET管柵源極電容Cgs的外部電容(^接入驅(qū)動(dòng)電路，為SiC MOSFET管柵源極電容Cgs提供低阻抗放電回路，同時(shí)限制了 SiC MOSFET的關(guān)斷速度過快，緩解SiC MOSFET的關(guān)斷串?dāng)_問題。而在推挽輸出電路的上橋臂開關(guān)管正常開通時(shí)關(guān)閉輔助BJT管Q8，減小對(duì)開關(guān)性能的影響。
[0037]當(dāng)控制信號(hào)Va為高電平時(shí)，耐高溫BJT管Q2、Q3導(dǎo)通，二極管0!反向截止，耐高溫BJT管Qi處于截止?fàn)顟B(tài)，故Q5，Q7導(dǎo)通，輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)為-5V。
[0038]當(dāng)控制信號(hào)為低電平時(shí)，二極管0工導(dǎo)通壓降為耐高溫耵了管^提供基極電壓，使耐高溫BJT管Q2、Q3處于截止?fàn)顟B(tài)，故Q4，Q6導(dǎo)通，輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)為20V。
[0039]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出:對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種SiC MOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括信號(hào)接收電路、電平轉(zhuǎn)換電路、推挽放大電路、橋臂串?dāng)_抑制電路、全橋整流電路、第一隔離變壓器和第二隔離變壓器； 信號(hào)接收電路通過第一隔離變壓器與SiC MOSFET管的控制電路相連，將控制電路輸出的控制信號(hào)傳遞給電平轉(zhuǎn)換電路;電平轉(zhuǎn)換電路將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為推挽放大電路的輸入電平V4g;推挽放大電路的輸出端兩臂均與SiC MOSFET管的柵極相連，并根據(jù)輸入電平V4g控制SiC MOSFET管導(dǎo)通或截止； 全橋整流電路通過第二隔離變壓器與外接電源相連，形成所述驅(qū)動(dòng)電路的電源電路，并為所述驅(qū)動(dòng)電路供電； 橋臂串?dāng)_抑制電路包括PNP型BJT管Q8和輔助電容Ca，Q8的基極與推挽放大電路的輸入端相連，Q8的發(fā)射極與SiC MOSFET管的源級(jí)相連，Q8的集電極通過CgSiC MOSFET管的柵極相連;Ca >> Cgs，Cgs為SiC MOSFET管的柵源極電容。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiCMOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述全橋整流電路包括由橋式連接的二極管Di?D4構(gòu)成的整流橋、濾波電容Co、穩(wěn)壓管Z1、Z2和限流電阻R;整流橋的輸入端與第二隔離變壓器的副邊相連，Co跨接在整流橋的正、負(fù)輸出端之間；Z1的陽極接整流橋負(fù)輸出端,Z1的陰極與辦的陰極相連，Z2的陰極接整流橋正輸出端，Z^Z2之間串聯(lián)R;所述全橋整流電路設(shè)有三個(gè)輸出端:整流橋的正輸出端為全橋整流電路的第一輸出端，為推挽放大電路提供參考電壓V25IU^Z1的連接點(diǎn)為全橋整流電路的第二輸出端，為SiCMOSFET管提供源級(jí)電SV1;整流橋的負(fù)輸出端為全橋整流電路第三輸出端，其輸出的電壓Vo作為地線電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種SiCMOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述信號(hào)接收電路包括NPN型BJI^Q1、Q2、分壓電阻Ri?R6和防反流二極管D5、D6; Q1、Q2的發(fā)射極接地;Q1基極與05的陽極相連，同時(shí)，Qi的基極通過R2與出的集電極相連，D5的陰極接有R1，Ri的另一端接地;Qi的集電極通過R4與Q2的基極相連，同時(shí)Qi的集電極通過串聯(lián)的R3、R6與Q2的集電極相連;Q2的基極與D6的陽極相連，D6的陰極通過R5接地;所述信號(hào)接收電路中，R^RdPD5構(gòu)成Q1的分壓電路;R4?R6和D6構(gòu)成Q2的分壓電路;信號(hào)接收電路設(shè)有兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端:D5陰極與Ri的連接點(diǎn)為信號(hào)接收電路的第一輸入端A，D6陰極與R5的連接點(diǎn)為信號(hào)接收電路的第二輸入端B，第一輸入端A和第二輸入端B分別與第一隔離變壓器副邊的正、負(fù)極相連;Q2的集電極為信號(hào)接收電路的輸出端。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種SiCMOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電平轉(zhuǎn)換電路包括NPN型BJT管Q3、分壓電阻R7?R9、防反流二極管D7及隔直電容其中，R7、R8串聯(lián)，R8的另一端接地，R7的另一端與D7的陰極相連，D7的陽極與所述全橋整流電路的第二輸出端相連，同時(shí)D7的陽極通過C3與所述全橋整流電路的第一輸出端相連;C1 一端與D7陰極相連，另一端接地;C2—端與D7陽極相連，另一端接地;Q3的基極與R7、Rs的連接點(diǎn)相連;Q3的發(fā)射極作為電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端與所述信號(hào)接收電路的輸出端相連;Q3的集電極通過與R9與全橋整流電路的第一輸出端相連，同時(shí)，Q3的集電極作為電平轉(zhuǎn)換電路的輸出端并與推挽放大電路的輸入端相連。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種SiCMOSFET管的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述推挽放大電路包括由NPN型BJT管Q4、Q6和PNP型BJT管Q5、Q7組成的兩級(jí)達(dá)林頓結(jié)構(gòu)；其中，Q4、Q5基極相連，Q6、Q7基極相連，Q4、Q6的集電極與全橋整流電路的第一輸出端相連，Qs、Q7的發(fā)射極接地；Q4的發(fā)射極與Q5的集電極相連，同時(shí)Q4的發(fā)射極與Q6的基極相連;Q4、Q5基極的連接點(diǎn)作為推挽放大電路的輸入端，Q6的發(fā)射極通過串聯(lián)的電阻Riq、Rii與Q7的集電極相連，電阻R1和Rn的連接點(diǎn)作為推挽放大電路的輸出端并與SiC MOSFET管的柵極相連。
【文檔編號(hào)】H03K19/003GK105871230SQ201610327230
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年5月17日
【發(fā)明人】謝昊天, 秦海鴻, 聶新, 徐華娟
【申請(qǐng)人】南京航空航天大學(xué)