一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及高壓硅堆技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆。
【背景技術(shù)】
[0002]由于國(guó)內(nèi)大部分高壓硅堆均為塑料封裝，產(chǎn)品可靠性不高，而且塑料結(jié)構(gòu)的化學(xué)性能不穩(wěn)定，在管芯臺(tái)面腐蝕成型過(guò)程中，容易與混合酸反應(yīng)，使管芯腐蝕過(guò)程不可控，增大了金屬雜質(zhì)離子的對(duì)臺(tái)面的沾污。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型主要是解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的技術(shù)問(wèn)題，從而提供一種反向峰值電壓高，封裝體積小，可靠性高的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆。
[0004]本實(shí)用新型的上述技術(shù)問(wèn)題主要是通過(guò)下述技術(shù)方案得以解決的:
[0005]本實(shí)用新型提供的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆，包括芯片和兩個(gè)電極引線，兩個(gè)所述電極引線對(duì)稱的固定在所述芯片的兩端，其中，所述芯片由多個(gè)管芯疊片燒結(jié)而成，所述電極引線包括引線和鎢電極，所述引線和鎢電極通過(guò)銀銅焊片相互焊接連接，以及所述芯片的外表面還設(shè)有一玻璃層，所述玻璃層采用鈍化玻璃粉制作而成。
[0006]進(jìn)一步地，所述玻璃層的外表面周向上還設(shè)有一印章標(biāo)志區(qū)和一負(fù)極標(biāo)志，所述印章標(biāo)志區(qū)和負(fù)極標(biāo)志間隔分布。
[0007]進(jìn)一步地，所述電極引線與所述芯片通過(guò)鋁焊料焊接固定。
[0008]進(jìn)一步地，所述鈍化玻璃粉的型號(hào)為Q-8412，或其他可用于玻璃產(chǎn)品鈍化生產(chǎn)的鈍化玻璃粉。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果在于:帶有鎢電極的電極引線由于其化學(xué)性能穩(wěn)定，在芯片臺(tái)面腐蝕成型過(guò)程中基本不與混合酸反應(yīng)，使芯片腐蝕過(guò)程可控，減少金屬雜質(zhì)離子的對(duì)臺(tái)面的沾污，大大降低了產(chǎn)品的常溫、高溫反向漏電流，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品7500V下漏電流小于I yA，7500V、150°C下高溫漏電流小于50 μΑ，同時(shí)采用與鎢電極匹配的鈍化玻璃粉涂粉成玻璃層，提高了產(chǎn)品的抗溫度循環(huán)能力，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品滿足_55°C?175°C條件下500次溫度循環(huán)的能力，同時(shí)產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)25A以上抗正向浪涌電流能力。
【附圖說(shuō)明】
[0010]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1是本實(shí)用新型的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆的管芯的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
[0014]參閱圖1-2所示，本實(shí)用新型的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆，包括芯片I和兩個(gè)電極引線2，兩個(gè)電極引線2對(duì)稱的固定在芯片I的兩端，其中，芯片I由多個(gè)管芯3疊片燒結(jié)而成，電極引線2包括引線8和鎢電極4，引線8和鎢電極4通過(guò)銀銅焊片相互焊接連接，以及芯片I及鎢電極4的外表面還設(shè)有一玻璃層5，玻璃層5采用鈍化玻璃粉制作而成。本實(shí)用新型中，帶有鎢電極4的電極引線2由于其化學(xué)性能穩(wěn)定，在芯片I臺(tái)面腐蝕成型過(guò)程中基本不與混合酸反應(yīng)，使芯片I腐蝕過(guò)程可控，減少金屬雜質(zhì)離子的對(duì)臺(tái)面的沾污，大大降低了產(chǎn)品的常溫、高溫反向漏電流，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品7500V下漏電流小于I μ A，7500V、150°C下高溫漏電流小于50 μ Α，同時(shí)采用與鎢電極4匹配的鈍化玻璃粉涂粉成玻璃層5，提高了產(chǎn)品的抗溫度循環(huán)能力，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品滿足_55°C?175°C條件下500次溫度循環(huán)的能力，同時(shí)產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)25A以上抗正向浪涌電流能力。
[0015]具體的，為了方便打出印章標(biāo)志和區(qū)分正負(fù)極，玻璃層5的外表面周向上還設(shè)有一印章標(biāo)志區(qū)6和一負(fù)極標(biāo)志7，印章標(biāo)志區(qū)6和負(fù)極標(biāo)志7間隔分布。較佳的，電極引線2與芯片I通過(guò)鋁焊料焊接固定。優(yōu)選的，鈍化玻璃粉的型號(hào)為Q-8412，或其他可用于玻璃產(chǎn)品鈍化生產(chǎn)的鈍化玻璃粉。
[0016]以上，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書(shū)所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆，包括芯片(I)和兩個(gè)電極引線(2)，其特征在于:兩個(gè)所述電極引線(2)對(duì)稱的固定在所述芯片(I)的兩端，其中，所述芯片(I)由多個(gè)管芯(3)疊片燒結(jié)而成，所述電極引線(2)包括引線⑶和鎢電極(4)，所述引線⑶和鎢電極(4)通過(guò)銀銅焊片相互焊接連接，以及所述芯片(I)及鎢電極(4)的外表面還設(shè)有一玻璃層(5)，所述玻璃層(5)采用鈍化玻璃粉制作而成。
2.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆，其特征在于:所述玻璃層(5)的外表面周向上還設(shè)有一印章標(biāo)志區(qū)(6)和一負(fù)極標(biāo)志(7)，所述印章標(biāo)志區(qū)(6)和負(fù)極標(biāo)志(7)間隔分布。
3.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆，其特征在于:所述電極引線(2)與所述芯片(I)通過(guò)鋁焊料焊接固定。
4.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化高壓硅堆，其特征在于:所述鈍化玻璃粉的型號(hào)為 Q-8412。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高可靠玻璃鈍化高壓硅堆，包括芯片和兩個(gè)電極引線，兩個(gè)所述電極引線對(duì)稱的固定在所述芯片的兩端，其中，所述芯片由多個(gè)管芯疊片燒結(jié)而成，所述電極引線包括引線和鎢電極，所述引線和鎢電極通過(guò)銀銅焊片相互焊接連接，以及所述芯片的外表面還設(shè)有一玻璃層，所述玻璃層采用鈍化玻璃粉制作而成。本實(shí)用新型帶有鎢電極的電極引線由于其化學(xué)性能穩(wěn)定，在芯片臺(tái)面腐蝕成型過(guò)程中基本不與混合酸反應(yīng)，使芯片腐蝕過(guò)程可控，減少金屬雜質(zhì)離子的對(duì)臺(tái)面的沾污，大大降低了產(chǎn)品的常溫、高溫反向漏電流，同時(shí)采用與鎢電極匹配的鈍化玻璃粉涂粉成玻璃層，提高了產(chǎn)品的抗溫度循環(huán)能力。
【IPC分類】H01L23-498, H01L23-48, H01L23-15, H01L23-13
【公開(kāi)號(hào)】CN204538012
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520247306
【發(fā)明人】古進(jìn), 楊艷, 楊輝, 遲鴻燕, 楊彥聞
【申請(qǐng)人】中國(guó)振華集團(tuán)永光電子有限公司（國(guó)營(yíng)第八七三廠）
【公開(kāi)日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2015年4月22日