一種單晶硅頭尾料破碎裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于直拉法硅單晶生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，主要涉及一種單晶硅頭尾料破碎裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常單晶棒的頭部和尾部因晶體參數(shù)不合格或晶體存在缺陷等原因?qū)е虏荒苁褂?，從單晶棒上切下形成的頭尾料，這些頭尾料能夠重新用于硅單晶的生長。單晶硅頭尾料的直徑通常在5~8英寸，因此在裝入石英坩禍前需要把單晶硅頭尾料破碎。通常的破碎方法是在一個金屬容器內(nèi)或者在平臺上用金屬錘敲擊單晶硅頭尾料，使單晶硅頭尾料破碎。這種破碎方法的缺點是:(1)在金屬錘敲擊過程中極易導(dǎo)致單晶硅頭尾料金屬沾污；(2)在敲擊力的作用下，單晶硅頭尾料會沿一定的解離面破裂，這樣破碎后的頭尾料邊沿非常鋒利，容易劃傷手，并且不易包裝；(3)在敲擊過程中，會產(chǎn)生大量的硅顆粒和粉末，污染周邊環(huán)境，同時危害員工身體健康；(4)此種破碎方法費事費力，工作效率低下。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]鑒于現(xiàn)有單晶硅頭尾料破碎過程中所存在的問題，本實用新型設(shè)計了一種單晶硅頭尾料破碎裝置，以解決目前破碎技術(shù)中所存在的問題，并可以做到操作簡單、高純潔凈、安全高效。
[0004]為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實用新型所采取的具體技術(shù)方案是:一種單晶硅頭尾料破碎裝置，主要是由箱體、四氟護板、壓空閥門、壓空管道、排氣口、液氮閥門、液氮管道、噴灑盤構(gòu)成；其中箱體上有帶有鎖緊和密封功能的門，箱體的內(nèi)壁鑲嵌有四氟護板進行屏蔽，防止金屬沾污；箱體和四氟板之間有保溫材料；箱體的頂部開有2個圓形的排氣口，箱體頂部中間位置連接有液氮管道，液氮管道的上部裝有液氮閥門，液氮管道底部裝有噴灑盤，噴灑盤是在箱體內(nèi)；箱體的下部一側(cè)連接有壓空管道，壓空管道上裝有壓空閥門。所述的一種單晶硅頭尾料破碎裝置，其中噴灑盤上的中心位置開有圓形噴灑孔。
[0005]本實用新型所述的一種單晶硅頭尾料破碎裝置，通過將需要破碎的單晶硅頭尾料放入箱體中，將一定量的液氮經(jīng)過噴灑盤的噴灑孔噴灑到單晶硅頭尾料上，液氮的汽化使單晶硅頭尾料迅速降至極低的溫度，用塊狀多晶硅料輕輕敲擊單晶硅頭尾料，即能將單晶硅頭尾料破碎。本實用新型操作簡便，高純潔凈，安全可靠，有效的解決了現(xiàn)有破碎方法所存在的不足。
【附圖說明】
[0006]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0007]圖2為本實用新型圖1的俯視圖；
[0008]圖中:1、箱體；2、四氟護板；3、壓空管道；4、壓空閥門；5、液氮管道；6、液氮閥門；7、排氣口 ；8、噴灑盤；9、保溫材料；10、噴灑孔。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖給出本實用新型的【具體實施方式】如下:
[0010]如圖1、圖2所示，本實用新型所述的一種單晶硅頭尾料破碎裝置，主要是由箱體1、四氟護板2、壓空管道3、壓空閥門4、液氮管道5、液氮閥門6、排氣口 7、噴灑盤8構(gòu)成；其中箱體I上帶有鎖緊和密封功能的門，箱體I的內(nèi)壁鑲嵌有四氟護板2進行屏蔽，防止金屬沾污；箱體I和四氟板2之間有保溫材料9 ;箱體I的頂部開有2個圓形的排氣口 7，箱體I頂部中間位置連接有液氮管道5，液氮管道5的上下兩端分別裝有液氮閥門6和噴灑盤8，噴灑盤8在箱體I內(nèi)部，噴灑盤8上的中心位置開有圓形噴灑孔10 ;箱體I下部一側(cè)裝有壓空管道3，壓空管道3上裝有壓空閥門4。本實用新型在使用時，將需要破碎的單晶硅頭尾料放入箱體I中，鎖緊箱體I的門后打開壓空閥門4，將箱體I內(nèi)的水分置換干凈后關(guān)閉壓空閥門4，再打開液氮閥門6，將一定量的液氮經(jīng)過液氮管道5下部噴灑盤8的噴灑孔10噴灑到單晶硅頭尾料上。通過液氮的汽化使單晶硅頭尾料迅速降至極低的溫度，汽化形成的氮氣通過排氣口 7排出。汽化過程結(jié)束后，打開箱體I的門，用塊狀多晶硅料輕輕敲擊單晶硅頭尾料，即能將單晶硅頭尾料破碎。再打開壓空閥門4，使用壓空加速箱體I中氣體置換，使破碎后的頭尾料逐漸升溫至室溫，同時能夠避免頭尾料凝結(jié)水珠。
【主權(quán)項】
1.一種多晶硅頭尾料破碎裝置，其特征是:所述的一種多晶硅頭尾料破碎裝置，主要是由箱體(1)、四氟護板(2)、壓空管道(3)、壓空閥門(4)、液氮管道(5)、液氮閥門(6)、排氣口( 7)、噴灑盤(8)構(gòu)成；其中箱體(I)上有帶有鎖緊和密封功能的門，箱體(I)的內(nèi)壁鑲嵌有四氟護板(2);箱體(I)與四氟護板(2)之間填有保溫材料(9);箱體(I)的頂部開有2個圓形的排氣口( 7 )，箱體(I)頂部中間位置連接有液氮管道(5 )，液氮管道(5 )的上部裝有液氮閥門(6)，液氮管道(5)的底部裝有噴灑盤(8)，噴灑盤(8)是在箱體(I)的內(nèi)部；箱體Cl)的下部一側(cè)連接有壓空管道(3)，壓空管道(3)上裝有壓空閥門(4)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅頭尾料破碎裝置，其特征是:噴灑盤(8)上的中心位置設(shè)有噴灑孔(10)。
【專利摘要】一種單晶硅頭尾料破碎裝置，適用于硅單晶生產(chǎn)中對頭尾料的破碎。本實用新型主要是由箱體（1）、四氟護板（2）、壓空管道（3）、壓空閥門（4）、液氮管道（5）、液氮閥門（6）、排氣口（7）、噴灑盤（8）構(gòu)成；箱體（1）的內(nèi)壁鑲嵌有四氟護板（2）進行屏蔽，防止金屬沾污；箱體（1）與四氟板（2）之間填有保溫材料（9）；箱體（1）的頂部開有2個圓形的排氣口（7），箱體（1）頂部中間連接有液氮管道（5），液氮管道（5）的上下兩端連接有液氮閥門（6）和噴灑盤（8），噴灑盤（8）在箱體（1）內(nèi)部，噴灑盤（8）上有圓形的噴灑孔（10）；箱體（1）的側(cè)面連接有壓空管道（3），壓空管道上有壓空閥門（4）。本實用新型操作簡便，高純潔凈，安全可靠，有效的解決了現(xiàn)有破碎方法所存在的不足。
【IPC分類】C30B29/06, C30B15/00
【公開號】CN204779913
【申請?zhí)枴緾N201520515599
【發(fā)明人】王新, 令狐鐵兵, 劉要普, 李京濤, 方麗霞, 史舸
【申請人】麥斯克電子材料有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年7月16日