一種無需黏著劑的新型ito導電膜的制作方法
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及一種透明導電膜，特別是涉及一種表面鍍銅的無需黏著劑的新型 ITO導電膜。
【背景技術】
[0002] 目前，手機和平板電腦等越來越多的電子裝置都采用觸摸式屏幕，觸摸屏作為一 種新型的輸入設備已十分流行和普遍，因此作為觸摸屏必不可少的透明導電膜需求量也越 來越大。其中，電阻式和電容式觸摸屏較為常用。隨著技術的進步，電容式觸摸屏的各種結 構不斷涌現，其中最常用的有蘋果經典的雙面ITO結構，單面TP橋結構，film-glass結構， film-film-glass結構等，其中對于film-film結構的電容屏結構，電極引線大多采用絲印 銀漿，ITO導電膜制作感應圖型后，需于邊側上方制作導線，將訊號連接制驅動1C。目前 制作法多于ITO上方印刷導電銀漿，但因銀漿中需添加黏著劑，若黏著劑過高則會導致導 電度較差；黏著劑過低則粘著性不強，并且制作的銀導電厚度較厚且線寬較寬，繞曲效果亦 較差，容易造成斷線的問題。

【發(fā)明內容】

[0003] 本實用新型是針對現有技術的不足，提供一種無需黏著劑的新型ITO導電膜，該 ITO導電膜數百奈米的厚度即可達到所需的導電效果，且避免使用黏著劑，可有效解決ITO 導電膜繞曲效果較差、容易斷線的問題。
[0004] -種無需黏著劑的新型ITO導電膜，包括基材層、以及依次疊設在基材層上表面 的光學調整層、ITO層、導電密著層、銅導電層、導電阻絕層，所述導電密著層厚度為1~ 100nm，所述銅導線層厚度為50nm~800nm，所述導電阻絕層厚度為1~100nm，所述ITO層 厚度為20nm~30nm，表面電阻取值范圍選擇蘭400Q〇
[0005] 進一步地，所述基材層與光學調整層之間設有硬涂層，所述硬涂層膜厚為0. 5~5 微米。
[0006] 進一步地，所述基材層的下表面上進一步設有所述硬涂層。
[0007] 進一步地，所述基材層的下表面進一步上依次疊設有光學調整層、ITO層、導電密 著層、銅導電層、導電阻絕層。
[0008] 進一步地，所述基材層的下表面進一步上依次疊設有硬涂層、光學調整層、ITO層、 導電密著層、銅導電層、導電阻絕層。
[0009] 進一步地，所述銅導線層厚度優(yōu)選為IOOnm~300nm。
[0010]與現有技術相比，本實用新型在ITO導電膜上方，以濺鍍、蒸鍍等技術，直接將銅 導線層于制作ITO上方，因銅導線層為純金屬，不需要添加黏著劑，因此僅需數百奈米的厚 度即可達到需求之導電效果，同時因無黏著劑之添加，同時也解決了繞曲的問題；通過在 ITO層與銅導線層中間添加一導電密著層，在銅導線層上方增加一導電阻絕層，有效克服了 銅與ITO密著效果不佳，且容易氧化的問題，也具備現有導電效果外亦可以解決密著與抗 氧化問題，增加產品耐候性。
【附圖說明】
[0011] 附圖1是本實用新型的第一較佳實施例的結構示意圖；
[0012] 附圖2是本實用新型的第二較佳實施例的結構示意圖；
[0013] 附圖3是本實用新型的第三較佳實施例的結構示意圖；
[0014] 附圖4是本實用新型的第四較佳實施例的結構示意圖；
[0015] 附圖5是本實用新型的第五較佳實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0016] 下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的 實施例，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合，下面將參 考附圖并結合實施例來詳細說明本實用新型。
[0017] 本實用新型的透明導電膜的第一實施例，請參閱圖1，所述無需黏著劑的新型ITO 導電膜包括依次疊設的基材層1、光學調整層2、ITO層3、導電密著層4、銅導線層5、導電 阻絕層6。所述基材層1為可透光材質，且表面均勻且平整，其材質可為例如PET、PEN、PC、 COP(CyclicOlefinPolymers)、或COC(CyclicOlefinCopolymer)中的一種，其中，優(yōu)選 為PET膜。
[0018] 所述光學調整層2形成于塑料基材層1的上表面上，用于調整入射光的折射率，所 述光學調整層2的折射率優(yōu)選為1. 4-1. 55,厚度優(yōu)選為5-70nm。光學調整層2可以選擇以 下材料的一種或多種制得：氟化鎂、硅的氧化物，硅的氮氧化物，優(yōu)選二氧化硅。
[0019] 所述ITO層3為銦錫氧化物導電層，其氧化錫（SnO2)比例介于1~10%間，并以 薄膜沉積的方式形成于所述光學調整層2上，并經由150°C下經過60分鐘老化處理，ITO層 3的表面電阻經IN鹽酸浸泡3分鐘后，其變化率5 20 %，進一步的，所述ITO層3厚度為 20nm~30nm，ITO層3的表面電阻優(yōu)選為蘭400Q/ 口。
[0020] Q/ □為薄膜電阻的單位，即歐姆/平方。薄膜電阻具有均勻厚度薄膜電阻的量 度。通常被用作評估半導體摻雜的結果。這種工藝的例子有：半導體的摻雜領域（比如硅 或者多晶硅），以及被絲網印刷到薄膜混合微電路基底上的電阻。薄膜電阻這一概念的使 用，與電阻或者電阻率相對，是它直接用四終端感應測量法（也稱為四點探針測量法）來測 量。薄膜電阻用歐姆/平方來計量，可被應用于將薄膜考慮為一個二維實體的二維系統(tǒng)。它 與三維系統(tǒng)下所用的電阻率的概念對等。當使用到薄膜電阻一詞的時候，電流必須沿著薄
為它被一個無量綱量所乘，所以單位依然是歐姆。而歐姆/平方這一單位被使用是因為它 給出了以歐姆為單位的從一個平方區(qū)域流向相對平方區(qū)域的電阻，無論平方區(qū)域的大小如 何。對于正方情形，L=W。因此，對任意平方大小，有R=Rs。四點探針是使用來減少接觸 電阻的問題，它常被使用來確認材料的片電阻值。感應測量也是有被使用。此方法是測量 由渦流產生的屏蔽效果。這種技術的其中一種是被測導電片放置在兩個線圈之間。另外， 這種非接觸式片電阻值的測量方法也可以測量封裝內的薄膜或表面粗糙度大的薄膜。
[0021] 所述導電密著層4具備導電作用，用于增加銅與ITO密著性，導電密著層4的材料 為鎳鉻合金、鎳銅合金、鉬、鈦、銅鈦合金、鎳銅鈦合金、鎳銅鉻合金中的一種，其厚度為1~ 100nm，其中優(yōu)選為2~50nm。
[0022] 所述銅導線層5不限于純銅，亦可為導電的銅合金，其厚度為50nm~800nm，其中， 優(yōu)選為IOOnm~300nm。
[0023] 所述導電阻絕層6具備導電效果，用于防止銅氧化，增加耐候性能力，導電阻絕層 6的材料為鎳絡合金、鎳銅合金、鉬、鈦、銅鈦合金、鎳銅鈦合金、鎳銅絡合金中的一種，其厚 度為1~l〇〇nm，其中優(yōu)選為2~50nm。
[0024] 請參閱圖2,為本實用新型第二實施例，所述無需黏著劑的新型ITO導電膜在第一 較佳實施例的基礎上，所述基材層1與光學調整層2之間進一步設有硬涂層7,所述硬涂層 7為具有抗刮傷效果的滑性硬涂層或含有突出粒子的抗炫光硬涂層，其膜厚為0. 5~5微 米。
[0025] 請參閱圖3,為本實用新型第三實施例，所述無需黏著劑的新型ITO導電膜在第二 較佳實施例基礎上，所述基材層1的下表面上進一步制作有硬涂層7,所述硬涂層7為具有 抗刮傷效果的滑性硬涂層或含有突出粒子之抗炫光硬涂層，其膜厚為〇. 5~5微米。
[0026] 請參閱圖4,為本實用新型第四實施例，所述無需黏著劑的新型ITO導電膜在第二 較佳實施例的基礎上：所述基材層1相對上表面的一側（即下表面上）進一步依次疊設有 光學調整層2、ITO層3、導電密著層4、銅導線層5、導電阻絕層6。
[0027] 請參閱圖5,為本實用新型第五實施例，所述無需黏著劑的新型ITO導電膜第二較 佳實施例的基礎上：所述基材層1的相對上表面的一側（即下表面上）進一步依次疊設有 硬涂層7、光學調整層2、ITO層3、導電密著層4、銅導線層5、導電阻絕層6。
[0028] 以下，結合若干實施例及比較例來說明本實用新型的功效。
[0029] 依據是否添加導電密著層4及導電阻絕層6,進行RA試驗后，密著性、外觀、表面阻 抗及銅蝕刻效率都會有所差異，所述RA是指溫度60°C，濕度90%條件下，進行240小時 的可靠性測試。以下將根據實施例進一步地說明。
[0030] 比較例1 :先將基板1作清洗處理，然后在其表面上可以濺鍍、蒸鍍的方式依序鍍 上光學調整層2、ITO層3及銅導線層5,其中ITO表面電阻在150°C下經過60分鐘老化處 理后為150Q/ □，銅導線層5厚度為200nm〇
[0031] 實施例1 :本實施例1在制作時，先將基板1作電漿清洗前處理，然后在其表面上 可以濺鍍或蒸鍍的方式依序鍍上光學調整層2、ITO層3、導電密著層4及銅導線層5,其中 導電密著層4厚度為lnm。
[0032] 實施例2 :實施例2的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：導電密 著層4厚度為2nm〇
[0033] 實施例3 :實施例3的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：導電密 著層4厚度為IOnm0
[0034] 實施例4 :實施例4的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：導電密 著層4厚度為IOOnm0
[0035] 實施例5 :本實施例5在制作時，先將基板1作清洗前處理，然后在其表面上可以 濺鍍或蒸鍍的方式依序鍍上光學調整層2、ITO層3、銅導線層5及導電阻絕層6,其中導電 阻絕層6厚度為lnm。
[0036] 實施例6 :實施例6的制備流程與結構與實施例5相同，所不同處僅在于：導電阻 絕層6厚度為2nm〇
[0037] 實施例7 :實施例7的制備流程與結構與實施例5相同，所不同處僅在于：導電阻 絕層6厚度為IOnm0
[0038] 實施例8:實施例8的制備流程與結構與實施例5相同，所不同處僅在于：導電阻 絕層6厚度為IOOnm0
[0039] 實施例9 :本實施例9在制作時，先將基板1作電漿清洗前處理，然后在其表面上 可以濺鍍或蒸鍍的方式依序鍍上光學調整層2、ITO層3、導電密著層4、銅導線層5及導電 阻絕層6,其中導電密著層4厚度為5nm，導電阻絕層6厚度為5nm。
[0040] 實施例10 :本實施例10在制作時，先將基板1作電漿清洗前處理，然后在其表面 上可以濺鍍或蒸鍍的方式依序鍍上光學調整層2、ITO層3、導電密著層4及導電阻絕層6， 其中導電密著層4厚度為100nm，導電阻絕層6厚度為100nm。
[0041] 將實施例1