一種hdi疊層結(jié)構(gòu)電路板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板。
【背景技術(shù)】
[0002]HDI是高密度互連(High Density Interconnector)的縮寫(xiě)，是生產(chǎn)印制板的一種(技術(shù))，使用微盲埋孔技術(shù)的一種線路分布密度比較高的電路板。HDI專為小容量用戶設(shè)計(jì)的緊湊型產(chǎn)品。它采用模塊化可并聯(lián)設(shè)計(jì)，一個(gè)模塊容量1000VA(高度1U)，自然冷卻，可以直接放入19”機(jī)架，最大可并聯(lián)6個(gè)模塊。該產(chǎn)品采用全數(shù)字信號(hào)過(guò)程控制(DSP)技術(shù)和多項(xiàng)專利技術(shù)，具有全范圍適應(yīng)負(fù)載能力和較強(qiáng)的短時(shí)過(guò)載能力，可以不考慮負(fù)載功率因數(shù)和峰值因數(shù)。
[0003]現(xiàn)有的HDI板結(jié)構(gòu)通常將相鄰的電器層通過(guò)盲孔結(jié)構(gòu)連接，但是加工盲孔結(jié)構(gòu)工藝要求高，加工不慎時(shí)非常容易造成板材報(bào)廢。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，能夠改善現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，通過(guò)采用金屬層和金屬柱連接第一電路層金屬層，并采用金屬層作為連接第一電路層和第二電路層的介質(zhì)，能夠避免現(xiàn)有的加工方式容易造成板報(bào)廢的問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0006]一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，包括2層基板及設(shè)置在2層所述的基板之間的第一電路層，在2層所述的基板外側(cè)分別設(shè)置有金屬層，在2層所述的基板上分別設(shè)置有連通2個(gè)所述的金屬層和第一電路層的金屬柱，在所述的金屬層外側(cè)分別設(shè)置有絕緣層，在所述絕緣層外側(cè)設(shè)置有第二電路層，在所述的絕緣層上設(shè)置有沉孔，在所述的沉孔內(nèi)壁上覆蓋有連通所述的第二電路層和所述的金屬層的沉銅，在所述的第二電路層外側(cè)設(shè)置有保護(hù)層，在所述的保護(hù)層上設(shè)置有貫穿所述的保護(hù)層的金屬柱，所述的金屬柱連接所述的第二電路層，在所述的金屬柱遠(yuǎn)離所述的第二電路層一側(cè)設(shè)置有焊盤(pán)。
[0007]進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，在所述的保護(hù)層包括屏蔽層和設(shè)置在所述的屏蔽層外側(cè)的抗蝕層，所述的焊盤(pán)位于所述的抗蝕層外側(cè)。
[0008]進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，所述的屏蔽層包括樹(shù)脂絕緣層和設(shè)置在樹(shù)脂絕緣層與所述的抗蝕層之間的銀漿層。
[0009]進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，在所述的抗蝕層上設(shè)置有由外向內(nèi)直徑逐漸減小的階梯孔，所述的焊盤(pán)下端貼合在所述的階梯孔內(nèi)壁上。
[0010]進(jìn)一步地，為更好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，在所述的沉銅內(nèi)側(cè)填充有樹(shù)脂。
[0011]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:
[0012](I)本實(shí)用新型通過(guò)采用金屬柱連接基板中部的第一電路層和基板外部的金屬層，并通過(guò)連接第二電路層和金屬層，實(shí)現(xiàn)第一電路層和第二電路層之間的相互連接，實(shí)現(xiàn)多級(jí)電路之間的連接和堆疊，并通過(guò)結(jié)構(gòu)，提高本實(shí)用新型連接外接電路時(shí)的可靠性，提高連接的穩(wěn)固性能。
【附圖說(shuō)明】
[0013]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。
[0014]圖1為本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]其中:101.基板，102.第一電路層，103.金屬層，104.金屬柱,105.絕緣層，106.沉孔，107.沉銅，109.焊盤(pán)，110.抗蝕層，111.樹(shù)脂絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)介紹，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
[0017]實(shí)施例1:
[0018]如圖1所示，一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，包括2層基板101及設(shè)置在2層所述的基板101之間的第一電路層102，在2層所述的基板101外側(cè)分別設(shè)置有金屬層103，在2層所述的基板101上分別設(shè)置有連通2個(gè)所述的金屬層103和第一電路層102的金屬柱104，在所述的金屬層103外側(cè)分別設(shè)置有絕緣層105，在所述絕緣層105外側(cè)設(shè)置有第二電路層102，在所述的絕緣層105上設(shè)置有沉孔106，在所述的沉孔106內(nèi)壁上覆蓋有連通所述的第二電路層102和所述的金屬層103的沉銅107，在所述的第二電路層102外側(cè)設(shè)置有保護(hù)層，在所述的保護(hù)層上設(shè)置有貫穿所述的保護(hù)層的金屬柱104，所述的金屬柱104連接所述的第二電路層102，在所述的金屬柱104遠(yuǎn)離所述的第二電路層102—側(cè)設(shè)置有焊盤(pán)109。
[0019]本實(shí)用新型由于采用金屬層結(jié)構(gòu)連接第一電路層和第二電路層，能夠避免現(xiàn)有的采用沉孔方式加工時(shí)工藝要求高的問(wèn)題，同時(shí)能夠提高不同層之間的粘結(jié)性能。由于設(shè)置了金屬柱和用于連接外部電路的焊盤(pán)，能夠方便焊接，提高焊接的穩(wěn)定性。
[0020]實(shí)施例2:
[0021 ]本實(shí)施例在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，為了提高本實(shí)用新型的抗干擾性能，優(yōu)選地，在所述的保護(hù)層包括屏蔽層和設(shè)置在所述的屏蔽層外側(cè)的抗蝕層110，所述的焊盤(pán)109位于所述的抗蝕層110外側(cè)。
[0022]進(jìn)一步優(yōu)選，本實(shí)施例中，所述的屏蔽層包括樹(shù)脂絕緣層111和設(shè)置在樹(shù)脂絕緣層111與所述的抗蝕層110之間的銀漿層。采用銀漿層能夠提高整體的抗干擾性能，起到更好的屏蔽效果。
[0023]方便安裝，提高安裝和連接的穩(wěn)固性，本實(shí)施例中，優(yōu)選地，在所述的抗蝕層110上設(shè)置有由外向內(nèi)直徑逐漸減小的階梯孔，所述的焊盤(pán)109下端貼合在所述的階梯孔內(nèi)壁上。
[0024]為了提高絕緣性能，本實(shí)施例中，優(yōu)選地，在所述的沉銅107內(nèi)側(cè)填充有樹(shù)脂。
[0025]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，其特征在于:包括2層基板(101)及設(shè)置在2層所述的基板(101)之間的第一電路層(102)，在2層所述的基板(101)外側(cè)分別設(shè)置有金屬層(103)，在2層所述的基板(101)上分別設(shè)置有連通2個(gè)所述的金屬層(103)和第一電路層(102)的金屬柱(104)，在所述的金屬層(103)外側(cè)分別設(shè)置有絕緣層(105)，在所述絕緣層(105)外側(cè)設(shè)置有第二電路層(102)，在所述的絕緣層(105)上設(shè)置有沉孔(106)，在所述的沉孔(106)內(nèi)壁上覆蓋有連通所述的第二電路層(102)和所述的金屬層(103)的沉銅(107)，在所述的第二電路層(102)外側(cè)設(shè)置有保護(hù)層，在所述的保護(hù)層上設(shè)置有貫穿所述的保護(hù)層的金屬柱(104)，所述的金屬柱(104)連接所述的第二電路層(102)，在所述的金屬柱(104)遠(yuǎn)離所述的第二電路層(102) —側(cè)設(shè)置有焊盤(pán)(109)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，其特征在于:在所述的保護(hù)層包括屏蔽層和設(shè)置在所述的屏蔽層外側(cè)的抗蝕層(110)，所述的焊盤(pán)(109)位于所述的抗蝕層(110)外側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，其特征在于:所述的屏蔽層包括樹(shù)脂絕緣層(111)和設(shè)置在樹(shù)脂絕緣層(111)與所述的抗蝕層(110)之間的銀漿層。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，其特征在于:在所述的抗蝕層(110)上設(shè)置有由外向內(nèi)直徑逐漸減小的階梯孔，所述的焊盤(pán)(109)下端貼合在所述的階梯孔內(nèi)壁上。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種HDI疊層結(jié)構(gòu)電路板，包括2層基板及設(shè)置在2層所述基板之間的第一電路層，在2層所述基板外側(cè)分別設(shè)置有金屬層，在2層所述基板上分別設(shè)置有連通2個(gè)所述金屬層和第一電路層的金屬柱，在所述金屬層外側(cè)分別設(shè)置有絕緣層，在所述絕緣層外側(cè)設(shè)置有第二電路層，在所述絕緣層上設(shè)置有沉孔，在所述沉孔內(nèi)壁上覆蓋有連通所述第二電路層和所述金屬層的沉銅，在所述第二電路層外側(cè)設(shè)置有保護(hù)層，在所述保護(hù)層上設(shè)置有貫穿所述保護(hù)層的金屬柱，所述金屬柱連接所述第二電路層，在所述金屬柱遠(yuǎn)離所述第二電路層一側(cè)設(shè)置有焊盤(pán)。本實(shí)用新型通過(guò)采用金屬層作為連接第一電路層和第二電路層的介質(zhì)，避免現(xiàn)有的加工方式容易造成板報(bào)廢的問(wèn)題。
【IPC分類】H05K1/02
【公開(kāi)號(hào)】CN205196073
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520869386
【發(fā)明人】吳 民
【申請(qǐng)人】杭州天鋒電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2015年11月3日