發(fā)光元件及包括其的發(fā)光模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開發(fā)光元件及包括其的發(fā)光模塊。發(fā)光元件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及活性層，上述活性層位于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間；第一導(dǎo)光部件，位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，并包括第一側(cè)面及第二側(cè)面，上述第一側(cè)面包括光提取面，上述第二側(cè)面位于上述第一側(cè)面的相反側(cè)；波長變換部，位于上述第一側(cè)面的前方，并包括單晶熒光體；以及主體部，部分覆蓋上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體及第一導(dǎo)光部件，上述第一導(dǎo)光部件的第二側(cè)面包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜。本實(shí)用新型的發(fā)光元件，可以減少需要進(jìn)行側(cè)面發(fā)光的發(fā)光元件的裝置的厚度，可以提高發(fā)光效率。
【專利說明】
發(fā)光元件及包括其的發(fā)光模塊
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光元件及包括其的發(fā)光模塊，尤其涉及一種能夠向側(cè)面發(fā)光來減少發(fā)光模塊的厚度的發(fā)光元件及包括其的發(fā)光模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]最近，隨著手機(jī)、平板電腦、筆記本等便攜式設(shè)備的使用增加，對(duì)具有優(yōu)秀的便攜性的便攜式設(shè)備的需求也在日趨增加。由此，需要開發(fā)即實(shí)現(xiàn)小型化，又實(shí)現(xiàn)超薄化的便攜式電子設(shè)備。這種便攜式電子設(shè)備需要安裝多種顯示及發(fā)光裝置，而為了實(shí)現(xiàn)上述便攜式電子設(shè)備的小型化及超薄化，必須要安裝體積小的發(fā)光裝置。
[0003]隨著這種需求，作為小型高功率發(fā)光裝置，揭示過所謂的芯片級(jí)封裝(CSP)。包括上述的芯片級(jí)封裝等的普通的發(fā)光裝置具有與半導(dǎo)體層的生長面水平的面作為發(fā)光面至光提取面。因此，與顯示器的形態(tài)無關(guān)，以發(fā)光裝置的光提取面為基準(zhǔn)來決定發(fā)光裝置的配置位置及方向，導(dǎo)致由發(fā)光裝置引起的顯示器的設(shè)計(jì)方面的制約性。例如，在邊緣型顯示器中，發(fā)光裝置應(yīng)以側(cè)面發(fā)光形態(tài)進(jìn)行配置，因此在通常情況下，以使發(fā)光裝置的光提取面朝向側(cè)面方向的方式平放發(fā)光裝置。由此，在減少顯示器的厚度方面存在制約。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]技術(shù)目的
[0005]本實(shí)用新型所要實(shí)現(xiàn)的一個(gè)目的在于提供如下的發(fā)光元件:上述發(fā)光元件實(shí)現(xiàn)小型化及超薄化，提高發(fā)光效率，且光提取面的垂直(normal)的方向?yàn)閭?cè)面方向。
[0006]本實(shí)用新型所要實(shí)現(xiàn)的另一個(gè)目的在于提供發(fā)光模塊或背光單元，上述發(fā)光模塊或背光單元適用發(fā)光元件來實(shí)現(xiàn)超薄化，上述發(fā)光元件的安裝面與光提取面相垂直。
[0007]技術(shù)方案
[0008]本實(shí)用新型的一實(shí)施方式的發(fā)光元件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及活性層，上述活性層位于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間；第一導(dǎo)光部件，位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，并包括第一側(cè)面及第二側(cè)面，上述第一側(cè)面包括光提取面，上述第二側(cè)面位于上述第一側(cè)面的相反側(cè);波長變換部，位于上述第一側(cè)面的前方，并包括單晶熒光體；以及主體部，部分覆蓋上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體及第一導(dǎo)光部件，上述第一導(dǎo)光部件的第二側(cè)面包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜。
[0009]本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式的發(fā)光模塊包括多種實(shí)施例的發(fā)光元件。
[0010]多個(gè)實(shí)施例的發(fā)光元件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及活性層，上述活性層位于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間；第一導(dǎo)光部件，位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，并包括第一側(cè)面及第二側(cè)面，上述第一側(cè)面包括光提取面，上述第二側(cè)面位于上述第一側(cè)面的相反側(cè);波長變換部，位于上述第一側(cè)面的前方，并包括單晶熒光體；以及主體部，部分覆蓋上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體及第一導(dǎo)光部件，上述第一導(dǎo)光部件的第二側(cè)面包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜。
[0011]上述波長變換部可以由單晶熒光體或多晶熒光體形成，上述多晶熒光體可以由多個(gè)單晶熒光體顆粒形成，上述單晶熒光體可以為摻雜有Ce的釔鋁石榴石(YAG，yttriUmaluminum garnet)單晶。
[0012]上述主體部可以覆蓋除上述第一導(dǎo)光部件的第一側(cè)面之外的其他表面。
[0013]上述主體部可以至少部分地覆蓋上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的多個(gè)側(cè)面。
[0014]上述第一導(dǎo)光部件的下表面的面積可以大于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的上表面的面積，上述第一導(dǎo)光部件的下表面可以部分相接于上述主體部。
[0015]上述第一導(dǎo)光部件可以包括從上述第一側(cè)面向朝向上述第二側(cè)面的方向延伸的第三側(cè)面及第四側(cè)面，上述第三側(cè)面及第四側(cè)面位于相反的位置，上述第一導(dǎo)光部件的第三側(cè)面及第四側(cè)面中的至少一個(gè)可以比與上述第三側(cè)面及第四側(cè)面的各個(gè)位置相對(duì)應(yīng)的上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的一側(cè)面突出。
[0016]上述發(fā)光元件還可以包括反射層，上述反射層介于上述第一導(dǎo)光部件和主體部之間，至少部分地覆蓋上述第一導(dǎo)光部件的第二側(cè)面的傾斜面。
[0017]上述反射層還可以至少部分地覆蓋上述第一導(dǎo)光部件的上表面。
[0018]所述發(fā)光元件還包括位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上的基板，上述反射層還可以至少部分地覆蓋上述基板的側(cè)面。
[0019]上述反射層可以包括分布布拉格反射器。
[0020]上述發(fā)光元件還可以包括第一電極及第二電極，上述第一電極及第二電極位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的下部，并分別電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
[0021]上述第二側(cè)面的傾斜面可以包括傾斜度不同的多個(gè)面。
[0022]上述第二側(cè)面的傾斜面可以包括曲面。
[0023]上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體可以包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜，上述第二側(cè)面的傾斜面和上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的傾斜面可以相互平齊(flush)。
[0024]上述第一導(dǎo)光部件可以包括從上述第一側(cè)面朝向上述第二側(cè)面的方向延伸的第三側(cè)面及第四側(cè)面，上述第三側(cè)面及第四側(cè)面可以位于相反的位置，上述第一導(dǎo)光部件還可以包括第五側(cè)面和第六側(cè)面，上述第五側(cè)面位于上述第三側(cè)面和上述第二側(cè)面之間，上述第六側(cè)面位于上述第四側(cè)面和上述第二側(cè)面之間，上述第五側(cè)面及上述第六側(cè)面中的至少一個(gè)可以包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜。
[0025]上述發(fā)光元件還可以包括第二導(dǎo)光部件，上述第二導(dǎo)光部件位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體和上述第一導(dǎo)光部件之間。
[0026]上述第一導(dǎo)光部件可以為用于使上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體生長的生長基板。
[0027]上述波長變換部可以與上述第一導(dǎo)光部件相接。
[0028]上述波長變換部可以包括光釋放面及光入射面，上述光入射面位于上述光釋放面的相反側(cè)，上述光入射面可以與上述第一導(dǎo)光部件的第一側(cè)面相向，上述波長變換部的光釋放面可以與上述發(fā)光元件的發(fā)光面相對(duì)應(yīng)。
[0029]上述發(fā)光元件還可以包括板，上述發(fā)光元件及上述波長變換部可以位于上述板上。
[0030]上述主體部可以用于固定上述波長變換部。
[0031]多種實(shí)施例的發(fā)光模塊可以包括多個(gè)實(shí)施例的發(fā)光元件中的至少一個(gè)。
[0032]技術(shù)效果
[0033]根據(jù)所公開的實(shí)施例，可以減少需要進(jìn)行側(cè)面發(fā)光的發(fā)光元件的裝置的厚度。另夕卜，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的發(fā)光元件，可以提高發(fā)光效率，且發(fā)光元件的安裝面與光提取面相垂直。
【附圖說明】
[0034]圖1為表示根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的發(fā)光元件的立體圖。
[0035]圖2為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的發(fā)光元件的立體圖。
[0036]圖3為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖。
[0037]圖4為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。
[0038]圖5為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的多種實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。
[0039]圖6為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的再一多種實(shí)施例的發(fā)光元件的立體圖。
[0040]圖7為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的另一多種實(shí)施例的發(fā)光元件的立體圖。
[0041 ]圖8為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的還有一多種實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。
[0042]圖9為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的又一多種實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。
[0043]圖10為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的又一多種實(shí)施例的發(fā)光元件的剖視圖。
[0044]圖11及圖12為分別用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的再一多種實(shí)施例的發(fā)光元件的立體圖及剖視圖。
[0045]圖13為用于說明根據(jù)本實(shí)用新型的另一多種實(shí)施例的發(fā)光模塊的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]本實(shí)用新型的多種實(shí)施例的發(fā)光元件、發(fā)光模塊及背光單元能夠以多種方式體現(xiàn)。
[0047]以下，參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的多個(gè)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。在以下所介紹的多個(gè)實(shí)施例為了能夠向本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員充分傳遞本實(shí)用新型的思想而作為例來提供。因此，本實(shí)用新型可以并不局限于以下所述的多個(gè)實(shí)施例而能夠具體化為其他形態(tài)。并且，在附圖中，能夠?yàn)榱朔奖愣钥鋸埖姆绞奖憩F(xiàn)結(jié)構(gòu)要素的寬度、長度、厚度等。并且，在記載一個(gè)結(jié)構(gòu)要素位于另一結(jié)構(gòu)要素的“上部”或“上方”的情況下，不僅包括各部分“直接”位于另一部分的“上部”或“上方”，而且還包括在各結(jié)構(gòu)要素和另一結(jié)構(gòu)要素之間還具有其他結(jié)構(gòu)要素的情況。在說明書全文中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的結(jié)構(gòu)要素。
[0048]圖1至圖4為用于說明本實(shí)用新型的多個(gè)實(shí)施例的發(fā)光元件的圖。具體地，圖1為表示多個(gè)實(shí)施例的發(fā)光元件的立體圖，圖2為表示為了便于說明而省略主體部150及反射層140的發(fā)光元件的立體圖，圖3為表示多個(gè)實(shí)施例的發(fā)光元件的俯視圖，圖4為示出與圖1及圖3的A-A’線相對(duì)應(yīng)的剖面的剖視圖。
[0049]參照?qǐng)D1至圖4，多個(gè)實(shí)施例的發(fā)光元件10包括發(fā)光結(jié)構(gòu)體120、第一導(dǎo)光部件200、主體部150及波長變換部300。并且，發(fā)光元件10還可以包括第一電極131、第二電極133、反射層140及板400中的至少一個(gè)。
[0050]發(fā)光結(jié)構(gòu)體120可以位于板400上，第一導(dǎo)光部件200位于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120上。第一電極131及第二電極133可以位于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的下部。反射層140可以至少部分地覆蓋第一導(dǎo)光部件200的第二側(cè)面202，還可以至少部分地覆蓋第一導(dǎo)光部件200的上表面，進(jìn)而，還可以覆蓋至基板(未示出)的側(cè)面，進(jìn)而還可以覆蓋至發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的剩余側(cè)面，其中，基板位于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120上。主體部150部分覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體120及第一導(dǎo)光部件200。在多種實(shí)施例中，主體部150可以覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面，并且，可以部分覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的下表面。并且，主體部150部分覆蓋第一導(dǎo)光部件200，并可以使包括第一導(dǎo)光部件200的光提取面的第一側(cè)面201向外部露出。在幾個(gè)實(shí)施例中，主體部150可以覆蓋除第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201之外的其他表面。并且，主體部150覆蓋第一電極131及第二電極133的側(cè)面，第一電極131及第二電極133的下表面可以向外部露出。波長變換部300能夠與第一導(dǎo)光部件200的側(cè)面，尤其與第一側(cè)面201相鄰。波長變換部300能夠位于包括光提取面的第一側(cè)面201的前方，從而使從第一側(cè)面201釋放的光在波長變換部300進(jìn)行波長變換。此時(shí)，波長變換部300可以與第一導(dǎo)光部件200相接，還可以從第一導(dǎo)光部件200隔開。以下，對(duì)發(fā)光元件10的各結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0051]板400可以提供用于配置發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的基底區(qū)域。因此，板400可以為發(fā)光元件封裝件的基板、發(fā)光模塊的基板等。例如，板400可以包括印刷電路板(PCB)。一實(shí)施例的板400可以包括底部基板410及引腳420。引腳420可以包括上部引腳421、下部引腳423及連接弓丨腳425。連接引腳425可以使上部引腳421和下部引腳423電連接。發(fā)光元件10可以位于板400上，能夠與板400的引腳420電連接。并且，板400可以提供用于配置波長變換部300的基底區(qū)域。
[0052]只不過，本實(shí)用新型并不局限于此，可以省略板400。在省略板400的情況下，波長變換部300可以與第一導(dǎo)光部件200相粘合或者固定于主體部150，并位于第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201的前方。
[0053]發(fā)光結(jié)構(gòu)體120包括:第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121;第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125，位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121上；以及活性層123，位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125之間。如圖4所示，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121可以位于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125上。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121、活性層123及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125可以由m-V系列氮化物類半導(dǎo)體形成，例如，可以由(Al、Ga、In)N之類的氮化物類半導(dǎo)體形成。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121可以包含η型雜質(zhì)(例如，Si ,Ge、Sn)，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125可以包含ρ型雜質(zhì)(例如,Mg、Sr、Ba)。并且，也可以相反?；钚詫?23可以包括多s；子講結(jié)構(gòu)(MQW)，并能夠以釋放所需波長的方式調(diào)節(jié)氮化物類半導(dǎo)體的組成比。例如，本實(shí)施例的活性層123可以釋放藍(lán)色光，上述藍(lán)色光可以借助第一導(dǎo)光部件200來向更長波長的光進(jìn)行波長變換。由此，發(fā)光元件10可以釋放藍(lán)色光和白色光，上述藍(lán)色光從活性層123釋放，上述白色光對(duì)通過第一導(dǎo)光部件200來進(jìn)行波長變換的光進(jìn)行混色。
[0054]發(fā)光結(jié)構(gòu)體120可以形成為多種結(jié)構(gòu)。在多種實(shí)施例中，發(fā)光元件10可以包括分別與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125電連接的第一電極131及第二電極133。第一電極131及第二電極133可以位于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的下部，發(fā)光結(jié)構(gòu)體120可以構(gòu)成為倒裝芯片形態(tài)。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)體120可以包括部分去除活性層123及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的下表面露出的區(qū)域。通過使上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121的下表面露出的區(qū)域，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121可以與第一電極131電連接，并且，通過第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的下表面，第二電極133可以與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125電連接。發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的結(jié)構(gòu)不受限制，可以形成為公知的多種結(jié)構(gòu)。
[0055]第一導(dǎo)光部件200位于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120上。第一導(dǎo)光部件200包括光提取面，上述光提取面可以由光透射性物質(zhì)形成，并向第一導(dǎo)光部件200的外部釋放在發(fā)光結(jié)構(gòu)體120中釋放的光。
[0056]在幾個(gè)實(shí)施例中，第一導(dǎo)光部件200可以包括用于使發(fā)光結(jié)構(gòu)體120生長的生長基板。例如，第一導(dǎo)光部件200可以包括藍(lán)寶石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化鎵基板、氮化鋁基板等。例如，第一導(dǎo)光部件200可以為包括形成于下面的多個(gè)突出部的實(shí)現(xiàn)圖案化的藍(lán)寶石基板(Patterned sapphire substrate ;PSS)。在第一導(dǎo)光部件200的下面存在上述多個(gè)突出部的情況下，光能夠通過這種突出部來進(jìn)行散射，并能夠提高波長變換效率。
[0057]在多種實(shí)施例中，第一導(dǎo)光部件200可以包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)體120上粘合或形成的光透射性部件。例如，第一導(dǎo)光部件200可以在借宿發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的生長后，在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層121上粘合或形成。第一導(dǎo)光部件200可以包括玻璃基板、硅基板、硅氧化物、硅氮化物、光透射性聚合物等。并且，第一導(dǎo)光部件200還可以包括波長變換物質(zhì)(例如，熒光體，量子點(diǎn)粒子等)及光散射粒子(例如，T12粒子、ZrO2粒子等)中的至少一個(gè)。在第一導(dǎo)光部件200還包括波長變換物質(zhì)的情況下，在發(fā)光結(jié)構(gòu)體120釋放的光可以在第一導(dǎo)光部件200及波長變換部300進(jìn)行波長變換，由此，可以進(jìn)一步體現(xiàn)具有多種發(fā)光特性的發(fā)光元件10。
[0058]在再一多種實(shí)施例中，在第一導(dǎo)光部件200不包括生長基板的情況下，第一導(dǎo)光部件200可以通過光透射性粘合劑在發(fā)光結(jié)構(gòu)體120上粘合。上述光透射性粘合劑還可以包括波長變換物質(zhì)。例如，上述波長變換物質(zhì)可以包括熒光體、量子點(diǎn)粒子等。在光透射性粘合劑包括波長變換物質(zhì)的情況下，在上述波長變換物質(zhì)中進(jìn)行波長變換的光的波長可以與在波長變換部300中進(jìn)行波長變換的光的波長不同。
[0059]例如，第一導(dǎo)光部件200及上述光透射性粘合劑包括互不相同的波長變換物質(zhì)，在波長變換部300中進(jìn)行波長變換的波長同樣不同于此的情況下，可以進(jìn)一步體現(xiàn)多種發(fā)光特性的發(fā)光元件10。
[0060]第一導(dǎo)光部件200包括:第一側(cè)面201，包括光提取面；以及第二側(cè)面202，位于第一側(cè)面201的相反側(cè)。參照?qǐng)D1至圖4，第一導(dǎo)光部件200包括光提取面，上述光提取面使從發(fā)光結(jié)構(gòu)體120釋放的光與從第一導(dǎo)光部件200釋放的發(fā)光面相對(duì)應(yīng)，光提取面可以被第一側(cè)面201包括。在幾個(gè)實(shí)施例中，除第一導(dǎo)光部件200的光提取面之外的其他表面，例如，除第一導(dǎo)光部件200的光提取面之外的其他表面、發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的表面可以被主體部150覆蓋。在這種情況下，如圖1至圖4所示，除包括光提取面的第一側(cè)面201之外的其余部分可以被主體部150包圍，而從發(fā)光結(jié)構(gòu)體120釋放的光可以通過第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201向第一導(dǎo)光部件200的外部抽取。從第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201釋放的光可以通過配置于上述第一側(cè)面201的前方的波長變換部300進(jìn)行波長變換，由此，發(fā)光元件10可以釋放白色光。
[0061]由此，發(fā)光元件10可以體現(xiàn)為發(fā)光方向?yàn)樗椒较?垂直(normal)于第一側(cè)面201的方向)的側(cè)面發(fā)光元件。此時(shí)，第一側(cè)面201的光提取面可以不與發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的多個(gè)半導(dǎo)體層121、123、125的層疊面平齊，尤其，大致可以垂直。
[0062]并且，第一導(dǎo)光部件200可以包括位于第一側(cè)面201的相反側(cè)的第二側(cè)面202，第二側(cè)面202可以包括傾斜面210，上述傾斜面210向朝向第一側(cè)面201的方向傾斜。由于可以因傾斜面210而使光更集中于第一側(cè)面201側(cè)，因而能夠提高發(fā)光元件10的發(fā)光效率。并且，第一導(dǎo)光部件200還可以包括位于第一側(cè)面201和第二側(cè)面202之間的第三側(cè)面203及第四側(cè)面204。進(jìn)而，第一導(dǎo)光部件200還可以包括位于第二側(cè)面202和第三側(cè)面203之間的第五側(cè)面205，還可以包括位于第二側(cè)面202和第四側(cè)面204之間的第六側(cè)面206。以下，參照?qǐng)D1至圖10對(duì)第一導(dǎo)光部件200的多個(gè)側(cè)面進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0063]參照?qǐng)D2及圖4，第一導(dǎo)光部件200的第二側(cè)面202包括傾斜面210，上述傾斜面210向朝向第一側(cè)面201的方向傾斜。通過這種傾斜面210，能夠使向第一側(cè)面201的相反方向行進(jìn)的光容易地向第一側(cè)面201側(cè)變更路徑。具體地，例如，如圖4所示，在從發(fā)光結(jié)構(gòu)體120釋放的光中，若向第一側(cè)面201的相反方向行進(jìn)的光LI到達(dá)第二側(cè)面202的傾斜面210，則可以在傾斜面210反射，通過第一側(cè)面201到達(dá)波長變換部300，并通過波長變換部300向發(fā)光元件10的外部(尤其，向發(fā)光元件10的側(cè)面方向)釋放。此時(shí)，第二側(cè)面202的傾斜面210可以被反射層140覆蓋，并可以通過反射層140來反射光LI。即使在省略反射層140的情況下，主體部150也可以具有光反射性，由此，光LI可以通過用于覆蓋傾斜面210的主體部150反射，并通過第一側(cè)面201向發(fā)光元件10的外部釋放。
[0064]第二側(cè)面202的傾斜面210可以進(jìn)行多種變形。第二側(cè)面202的傾斜面210也可以包括具有互不相同的傾斜度的多個(gè)面，還可以包括傾斜度連續(xù)發(fā)生變化的曲面。并且，第一導(dǎo)光部件200還可以包括形成于第二側(cè)面202之外的其他側(cè)面的傾斜面。并且，第二側(cè)面202還可以包括大致垂直于第一導(dǎo)光部件200的面。參照附圖對(duì)多種實(shí)施例的第一導(dǎo)光部件200的多個(gè)傾斜面進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0065]如圖1至圖4所示，第二側(cè)面202包括傾斜面210，進(jìn)而還可以包括位于傾斜面210的下方，并大致垂直于第一導(dǎo)光部件200的下表面的面。第二側(cè)面202的傾斜面210可以沿著第二側(cè)面202的水平方向形成于整個(gè)第二側(cè)面202，也可以僅形成于第二側(cè)面202的一部分。
[0066]參照?qǐng)D6，多種實(shí)施例的發(fā)光元件1b的第一導(dǎo)光部件200還可以包括第二傾斜面211。第二傾斜面211可以位于第二側(cè)面202和第三側(cè)面203之間，并可以向朝向第一側(cè)面201和第四側(cè)面204的方向傾斜。并且，第二傾斜面211可以位于第二側(cè)面202和第三側(cè)面203之間，并可以向朝向第一側(cè)面201和第三側(cè)面203的方向傾斜。第二傾斜面211可呈與倒角面類似的形態(tài)。
[0067]參照?qǐng)D7，另一多種實(shí)施例的發(fā)光元件1c的第一導(dǎo)光部件200還可以包括第五側(cè)面205及第六側(cè)面206。第五側(cè)面205及第六側(cè)面206可分別包括傾斜面215、216。第五側(cè)面205的傾斜面215可以向朝向第一側(cè)面201和第四側(cè)面204的方向傾斜，第六側(cè)面206的傾斜面216可以向朝向第一側(cè)面201和第三側(cè)面203的方向傾斜。并且，本實(shí)施例的發(fā)光元件1c的第一導(dǎo)光部件200可以比位于第三側(cè)面203的下方的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面更突出，比位于第四側(cè)面204的下方的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面更突出。因此，如圖所示，第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201的水平方向的寬度可以大于位于第一側(cè)面201的下方的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面的寬度。由此，能夠使發(fā)光元件1c的第一側(cè)面201的水平方向的寬度變得大于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的水平方向的寬度，從而能夠向水平方向擴(kuò)張發(fā)光區(qū)域。
[0068]參照?qǐng)D8，還有一多種實(shí)施例的發(fā)光元件1d的第一導(dǎo)光部件200可以包括具有互不相同的傾斜度的多個(gè)傾斜面210。在附圖中，雖然示出傾斜面210包括傾斜度互不相同的兩個(gè)面，但傾斜面210也可以包括具有三個(gè)以上的互不相同的傾斜度的面。
[0069]參照?qǐng)D9，另一多種實(shí)施例的發(fā)光元件1e可以包括具有傾斜面121a的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120。發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的傾斜面121a可以向朝向第一側(cè)面201的方向傾斜。并且，發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的傾斜面121a可以與第二側(cè)面202的傾斜面210大致平齊。即，第二側(cè)面202的傾斜面210可呈延伸至發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的傾斜面121a的形態(tài)。
[0070]參照?qǐng)D10，另一多種實(shí)施例的發(fā)光元件1f可以包括傾斜度連續(xù)發(fā)生變化的傾斜面210a。在這種情況下，第一導(dǎo)光部件200可以包括作為曲面的傾斜面210a。
[0071]如上述多個(gè)實(shí)施例所述，第一導(dǎo)光部件200的多個(gè)傾斜面能夠?qū)嵤┒喾N變形，本實(shí)用新型并不局限于上述的多個(gè)實(shí)施例。
[0072]并且，第一導(dǎo)光部件200的下表面的面積可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的上表面的面積相同或大于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的上表面的面積。例如，如圖1至圖4所示，第一導(dǎo)光部件200的多個(gè)側(cè)面可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的多個(gè)側(cè)面大致平齊。不同于此，第一導(dǎo)光部件200的下表面的面積可大于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的上表面的面積，由此，第一導(dǎo)光部件200的至少一部分側(cè)面可呈比發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面突出的形態(tài)。例如，如圖7所示，第一導(dǎo)光部件200的第三側(cè)面203及第四側(cè)面204中的至少一個(gè)可以比與第三側(cè)面203及第四側(cè)面204的各個(gè)位置相對(duì)應(yīng)的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的一側(cè)面更突出。由此，第三側(cè)面203所突出的部分的下表面240及第四側(cè)面204所突出的部分的下表面240可以與主體部150相接。
[0073]另一方面，在多種實(shí)施例中，發(fā)光元件還可以包括第二導(dǎo)光部件250。圖5為用于說明多種實(shí)施例的發(fā)光元件1a的剖視圖，而與圖1至圖4的發(fā)光元件10相比，上述發(fā)光元件1a在還包括第二導(dǎo)光部件250方面存在差異。
[0074]第二導(dǎo)光部件250可以位于第一導(dǎo)光部件200和發(fā)光結(jié)構(gòu)體120之間。第二導(dǎo)光部件250具有光透射性，并可以包括絕緣性或?qū)щ娦曰?。第二?dǎo)光部件250可以為用于使發(fā)光結(jié)構(gòu)體120生長的生長基板，并可以包括藍(lán)寶石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化鎵基板、氮化招基板等。例如，第二導(dǎo)光部件250可以包括藍(lán)寶石基板(Patterned sapphiresubstrate ；PSS)，上述藍(lán)寶石基板包括形成于上述第二導(dǎo)光部件250的下面的多個(gè)突出部，并實(shí)現(xiàn)圖案化。
[0075]在第二導(dǎo)光部件250為用于使發(fā)光結(jié)構(gòu)體120生長的生長基板的情況下，第一導(dǎo)光部件200可以接合于第二導(dǎo)光部件250上。
[0076]第二導(dǎo)光部件250可以具有規(guī)定厚度以下的厚度。第二導(dǎo)光部件250可以具有約ΙΟΟμπι以下的厚度，進(jìn)而，可以具有約50μπι以下的厚度。隨著第二導(dǎo)光部件250具有這種范圍的厚度，可以使由第二導(dǎo)光部件250引起的光的吸收導(dǎo)致的發(fā)光效率的降低最小化，并能夠提高第一導(dǎo)光部件200中的波長變換效率，提高包括光提取面的第一側(cè)面201中的發(fā)光均勻性。
[0077]另一方面，在第二導(dǎo)光部件250為用于使發(fā)光結(jié)構(gòu)體120生長的生長基板的情況下，使用于發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的生長工序的第二導(dǎo)光部件250具有ΙΟΟμπι以上的厚度。因此，在結(jié)束發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的生長后，第二導(dǎo)光部件250可以利用物理性和/或化學(xué)性方法來加工厚度，并能夠具有約10ym以下的厚度。例如，用于減少第二導(dǎo)光部件250的厚度的工具可以包括研磨(lapping)、磨削(grinding)、拋光(polishing)、CMP工序等。
[0078]并且，在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)光部件250的上表面的面積可以小于第一導(dǎo)光部件200的下表面的面積。由此，第一導(dǎo)光部件200的一部分側(cè)面比第二導(dǎo)光部件250的側(cè)面更突出。如圖所示，第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201可以比第二導(dǎo)光部件250的側(cè)面更突出，由此，主體部150可以覆蓋整個(gè)第二導(dǎo)光部件250及發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面。在這種情況下，只有第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201不會(huì)被主體部150覆蓋而露出，并能夠只通過第一側(cè)面201向外部釋放光。
[0079]重新參照?qǐng)D1至圖4，反射層140可以位于第一導(dǎo)光部件200上。反射層140可以至少部分地覆蓋第二側(cè)面202的傾斜面210。并且，反射層140還可以至少部分地覆蓋第一導(dǎo)光部件200的上表面，此時(shí)，反射層140可以延伸至光提取面，S卩，第一側(cè)面201的上部。由此，如圖1等所示，反射層140的側(cè)面的一部分可以向第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201上露出。由此，反射層140的側(cè)面的一部分可以與波長變換部300相鄰。進(jìn)而，反射層140能夠以覆蓋第二側(cè)面202，并至少部分地覆蓋基板的側(cè)面的方式向下部延伸而成。進(jìn)而，反射層140能夠以還至少部分地覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面的方式向下部延伸而成。
[0080]在幾個(gè)實(shí)施例中，反射層140還可以至少部分地覆蓋第三側(cè)面203及第四側(cè)面204中的至少一個(gè)。在這種情況下，反射層140還能夠以覆蓋第三側(cè)面203和/或第四側(cè)面204，并還向上述反射層140的下部延伸的方式形成，由此還能夠覆蓋基板的側(cè)面，進(jìn)而還能夠覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面。
[0081]反射層140只要是反射性物質(zhì)，就不受限制，例如，可以包括金屬性反射器、前方位反射器、分布布拉格反射器等，而這些反射器能夠具有兩種以上相結(jié)合的結(jié)構(gòu)。在反射層140包含金屬的情況下，反射層140可以包含Ag、Al、Pt等。
[0082]在反射層140包括分布布拉格反射器的情況下，上述分布布拉格反射器可以由折射率互不相同的多個(gè)電介質(zhì)層反復(fù)層疊而成，例如，上述多個(gè)電介質(zhì)層可以包含Ti02、Si02、Hf02、Zr02、Nb205、MgF2等。在幾個(gè)實(shí)施例中，反射層140可以具有交替層疊而成的T12層/S12層的結(jié)構(gòu)。分布布拉格反射器的各層可以具有特定波長的1/4的光學(xué)厚度，并可以形成為4至20對(duì)(pairs)。反射層140的最上部層可以由SiNx形成。由SiNx形成的層因防濕性優(yōu)秀而能夠從濕氣中保護(hù)第一導(dǎo)光部件200。
[0083]主體部150至少部分地覆蓋第一導(dǎo)光部件200及發(fā)光結(jié)構(gòu)體120。在幾個(gè)實(shí)施例中，除發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面的一部分、發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的下表面的一部分及第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201之外的其他側(cè)面可以被主體部150覆蓋。主體部150可以防止光經(jīng)過主體部150向外部抽取，從而使光能夠通過第一導(dǎo)光部件200的光提取面向外部釋放。在一部分實(shí)施例中，位于第一側(cè)面201的下方的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面可以不被主體部150覆蓋而露出。在這種情況下，還可以從位于第一側(cè)面201的下方的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面釋放光。
[0084]并且，在發(fā)光元件10還包括第一電極131及第二電極133的情況下，第一電極131及第二電極133的下表面可以不覆蓋主體部150而向外部露出。通過第一電極131及第二電極133的下表面，發(fā)光元件10可以與外部電源實(shí)現(xiàn)電連接。此時(shí)，主體部150的下表面大致可以與第一電極131及第二電極133的下表面平齊，但本實(shí)用新型并不局限于此。
[0085]主體部150可以由絕緣性物質(zhì)形成。并且，主體部150可以具有光反射性。例如，主體部150可以由具有光反射性的白色絕緣物質(zhì)形成。主體部150可以由包含環(huán)氧樹脂等的聚合物物質(zhì)、硅系列物質(zhì)等形成。例如，主體部150可以包含T1、Zr、Nb、Al及Si中的至少一個(gè)的氧化物、AlN及MgF2中的至少一種。并且，主體部150還可以包含T12、ZrO2、Nb205、Al2O3、MgF2、AlN、Si02中的至少一種，以便可以具有光反射性。
[0086]即使主體部150具有光反射性，也可以使反射層140介于主體部150和第一導(dǎo)光部件200之間，從而能夠進(jìn)一步提高發(fā)光元件10的發(fā)光效率。
[0087]波長變換部300位于第一導(dǎo)光部件200的光提取面的前方。在本實(shí)施例中，波長變換部300可以位于第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201的前方。在本說明書中，“第一側(cè)面201的前方”意味著從第一側(cè)面201釋放的光所行進(jìn)的方向。波長變換部300可以包括:光釋放面310，與發(fā)光元件10的發(fā)光面相對(duì)應(yīng)；以及光入射面320，從第一導(dǎo)光部件200釋放的光所入射。
[0088]波長變換部300可以位于板400上，從而位于第一導(dǎo)光部件200的第一側(cè)面201的前方。在本實(shí)施例中，波長變換部300可以與板400的上面相粘合。只不過，本實(shí)用新型并不局限于此，波長變換部300可以與板400的上面隔開。并且，在省略板400的發(fā)光元件10的情況下，波長變換部300可以接合于第一導(dǎo)光部件200或固定于主體部150來進(jìn)行配置。
[0089]并且，波長變換部300可以幾乎與第一導(dǎo)光部件200相接，進(jìn)而，也能夠與位于第一側(cè)面201的下方的發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的側(cè)面相接。在這種情況下，光入射面320能夠與第一導(dǎo)光部件200相接。在其他多種實(shí)施例中，波長變換部300能夠從第一導(dǎo)光部件200隔開配置。在這種情況下，可以在波長變換部300和第一導(dǎo)光部件200之間設(shè)置有間隔層(未圖示)。
[0090]波長變換部300使從發(fā)光結(jié)構(gòu)體120釋放的光變換波長。尤其，可以使從發(fā)光結(jié)構(gòu)體120釋放并從第一導(dǎo)光部件200的光提取面釋放的光變換波長。在多種實(shí)施例中，波長變換部300可以包括單晶焚光體(single crystal phosphor)。并且，波長變換部300可以由單晶熒光體形成，或者由包括多個(gè)單晶熒光體顆粒(grain)的多晶熒光體(polycrystalphosphor)形成。由單晶熒光體或多晶熒光體形成的波長變換部300可以被設(shè)置為薄片乃至板形態(tài)。由單晶熒光體形成的波長變換部300可通過對(duì)單晶錠(ingot)進(jìn)行切割加工來形成。由多晶熒光體形成的波長變換部300可通過對(duì)多晶塊進(jìn)行切割加工來形成或?qū)尉晒怏w粉末等進(jìn)行燒結(jié)來形成。只不過，本實(shí)用新型并不局限于此。單晶熒光體可以為摻雜有單晶的Ce的乾招石植石(YAG，yttrium aluminum garnet; YAG: Ce)。
[0091 ]在普通的熒光體中，若溫度達(dá)到100°C至150°C以上，則熒光體發(fā)生變形，從而無法變換為所需波長，或者降低波長變換效率。相反，單晶熒光體或多晶熒光體片(或板)形態(tài)的波長變換部300 S卩使在相對(duì)高溫(約250 °C以上)條件下，也不會(huì)發(fā)生熒光體變形或波長變換效率的低下，因而能夠防止由使用發(fā)光元件引起的效率低下。尤其，在高功率發(fā)光元件的情況下，因在驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)發(fā)生的熱量較多而導(dǎo)致接合溫度高。因此，單晶熒光體或多晶熒光體片(或板)形態(tài)的波長變換部300適合用于這種高功率發(fā)光元件。
[0092]并且，單晶熒光體或多晶熒光體片(或板)形態(tài)的波長變換部300由于其本身為由熒光體形成的單晶，因此，使波長變換效率變得優(yōu)秀，能夠提高發(fā)光效率。進(jìn)而，由于單晶熒光體或多晶熒光體片(或板)形態(tài)的波長變換部300的散熱特性比普通的熒光體優(yōu)秀，因此更適合用于高功率發(fā)光元件。
[0093]進(jìn)而，由于經(jīng)由單晶熒光體或多晶熒光體片(或板)形態(tài)的波長變換部300的光能夠釋放具有大致恒定的色度坐標(biāo)的光，因而在包括上述單晶或多晶熒光體片(或板)的波長變換部300適用于多個(gè)發(fā)光元件10的情況下，能夠減少上述多個(gè)發(fā)光元件10之間的色度坐標(biāo)的偏差。
[0094]并且，發(fā)光元件10不僅可以具有向其側(cè)面方向釋放光的光釋放面310，而且可以包括位于其下部的多個(gè)電極131、133。由此，發(fā)光元件10可以具有既可以安裝于與發(fā)光結(jié)構(gòu)體120的多個(gè)半導(dǎo)體層121、123、125的層疊面大致水平的面上，又可以向側(cè)面方向釋放光的結(jié)構(gòu)，由此能夠減少需要進(jìn)行側(cè)面發(fā)光的發(fā)光元件10的裝置(例如，發(fā)光模塊、背光單元等)的厚度。
[0095]圖11及圖12為分別用于說明本實(shí)用新型的再一多種實(shí)施例的發(fā)光元件的立體圖及剖視圖。圖12的剖視圖示出與圖11的B-B ’線相對(duì)應(yīng)的部分的剖面。
[0096]與圖1至圖4的發(fā)光元件10相比，圖11及圖12的發(fā)光元件1g在省略板400方面存在差異。以下，以差異為中心對(duì)本實(shí)施例的發(fā)光元件1g進(jìn)行說明。
[0097]存在圖11及圖12，多個(gè)實(shí)施例的發(fā)光元件1g包括發(fā)光結(jié)構(gòu)體120、第一導(dǎo)光部件200、主體部150及波長變換部300。并且，發(fā)光元件10還可以包括第一電極131、第二電極133及反射層140中的至少一個(gè)。
[0098]波長變換部300可以配置于第一導(dǎo)光部件200的前方，并能夠提高主體部150來得到固定。波長變換部300的除光釋放面310及光入射面320的其他側(cè)面、上表面及下表面可以被主體部150覆蓋。隨著波長變換部300被主體部150固定，能夠省略板400。
[0099]因此，與還包括板400的發(fā)光元件相比，能夠進(jìn)一步減少厚度。并且，即使在不包括板400而直接安裝于模塊基板上的發(fā)光元件的情況下，也需要在模塊基板上追加配置波長變換部300的工序，而相反，在使用本實(shí)施例的發(fā)光元件1g的情況下，可以省略這種波長變換部300的配置工序。
[0100]圖13為用于說明本實(shí)用新型的另一多種實(shí)施例的發(fā)光模塊的剖視圖。在圖13的實(shí)施例中，作為發(fā)光模塊，雖然對(duì)包括背光單元的顯示裝置進(jìn)行說明，但本實(shí)用新型對(duì)其他種類的發(fā)光模塊、背光單元及包括其的顯示裝置均進(jìn)行覆蓋。
[0101]本實(shí)施例的具有背光單元的顯示裝置包括:顯示面板3210，用于顯示影像；以及背光單元，配置于顯示面板3210的背面，用于照射光。進(jìn)而，上述顯示裝置包括:框架，用于支撐顯示面板3210，并收納背光單元；以及罩3240、3280，用于包圍上述顯示面板3210。
[0102]顯示面板3210不受特殊限制，例如，可以為包括液晶層的液晶顯示面板。還可以在顯示面板3210的邊緣位置設(shè)置格柵驅(qū)動(dòng)印刷電路板，上述格柵驅(qū)動(dòng)印刷電路板用于向上述柵極線供給驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在此，格柵驅(qū)動(dòng)印刷電路板可以無需設(shè)置于額外的印刷電路板而形成于薄膜晶體管基板上。顯示面板3210通過位于上述顯示面板3210的上下部的罩3240、3280來固定，而位于上述顯示面板3210的下部的罩3280能夠與背光單元相捆扎。
[0103]用于向顯示面板3210提供光的背光單元包括:下部罩3270，上述下部罩3270的上面的一部分開口；光源模塊，配置于下部罩3270的內(nèi)部的一側(cè)；以及導(dǎo)光板3250，與上述光源模塊平齊，用于使點(diǎn)光變換為面光。并且，本實(shí)施例的背光單元還可以包括:多個(gè)光學(xué)片3230，位于導(dǎo)光板3250上，用于擴(kuò)散及聚集光；以及反射片3260，配置于導(dǎo)光板3250的下部，用于向顯示面板3210方向反射向?qū)Ч獍?250的下部方向行進(jìn)的光。
[0104]光源模塊包括基板3220及多個(gè)發(fā)光元件3110，上述發(fā)光元件3110在上述基板3220的一面以一定間隔隔開配置?；?220只要是能夠支撐發(fā)光元件3110并與發(fā)光元件3110電連接的，就不受特殊限制，例如，可以為印刷電路板。發(fā)光元件3110可以包括多種實(shí)施例的多個(gè)發(fā)光元件10、10a、10b、10c、10d、1e、1f、1g中的至少一個(gè)。并且，本實(shí)施例的光源模塊包括基板3220，因此，也可以省略多個(gè)發(fā)光元件10、10a、10b、10c、1cU 10e、1f的板400。從光源模塊釋放的光向?qū)Ч獍?250入射，并經(jīng)由多個(gè)光學(xué)片3230向顯不面板3210供給。通過導(dǎo)光板3250及多個(gè)光學(xué)片3230，從多個(gè)發(fā)光元件3110釋放的點(diǎn)光源可以變形為面光源。
[0105]根據(jù)本實(shí)施例，發(fā)光元件3110并不安裝在位于罩3240的側(cè)面的基板3220，而是在與反射片3260水平配置的基板3220上安裝發(fā)光元件3110。由此，可以防止背光單元的厚度沿著發(fā)光元件3110的配置方向增加，從而能夠提供超薄的背光單元。進(jìn)而，能夠使本實(shí)施例之類的邊緣型顯示裝置的厚度變得更薄。
[0106]以上，雖然對(duì)本實(shí)用新型的多種實(shí)施例進(jìn)行了說明，但本實(shí)用新型并不局限于上述的多種實(shí)施例及特征，能夠在不脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍的技術(shù)思想的范圍內(nèi)進(jìn)行多種變形和變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及活性層，上述活性層位于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間； 第一導(dǎo)光部件，位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上，并包括第一側(cè)面及第二側(cè)面，上述第一側(cè)面包括光提取面，上述第二側(cè)面位于上述第一側(cè)面的相反側(cè)； 波長變換部，位于上述第一側(cè)面的前方，并包括單晶熒光體；以及 主體部，部分覆蓋上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體及第一導(dǎo)光部件， 上述第一導(dǎo)光部件的第二側(cè)面包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述波長變換部由單晶熒光體或由多個(gè)單晶熒光體顆粒形成的多晶熒光體形成，上述單晶熒光體為摻雜Ce的釔鋁石榴石單晶。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述主體部覆蓋除上述第一導(dǎo)光部件的第一側(cè)面之外的其他表面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述主體部至少部分地覆蓋上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的多個(gè)側(cè)面。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述第一導(dǎo)光部件的下表面的面積大于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的上表面的面積， 上述第一導(dǎo)光部件的下表面部分地相接于上述主體部。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述第一導(dǎo)光部件包括從上述第一側(cè)面向朝向上述第二側(cè)面的方向延伸的第三側(cè)面及第四側(cè)面，上述第三側(cè)面及第四側(cè)面位于相反的位置， 上述第一導(dǎo)光部件的第三側(cè)面及第四側(cè)面中的至少一個(gè)比與上述第三側(cè)面及第四側(cè)面的各個(gè)位置相對(duì)應(yīng)的上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的一側(cè)面突出。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 還包括反射層，上述反射層介于上述第一導(dǎo)光部件和主體部之間，至少部分地覆蓋上述第一導(dǎo)光部件的第二側(cè)面的傾斜面。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述反射層還至少部分地覆蓋上述第一導(dǎo)光部件的上表面。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其特征在于， 所述發(fā)光元件還包括位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上的基板， 其中，上述反射層還至少部分地覆蓋上述基板的側(cè)面。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述反射層包括分布布拉格反射器。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 還包括第一電極及第二電極，上述第一電極及第二電極位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的下部，并分別電連接于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述第二側(cè)面的傾斜面包括傾斜度不同的多個(gè)面。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述第二側(cè)面的傾斜面包括曲面。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜， 上述第二側(cè)面的傾斜面和上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體的傾斜面相互平齊。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述第一導(dǎo)光部件包括從上述第一側(cè)面朝向上述第二側(cè)面的方向延伸的第三側(cè)面及第四側(cè)面，上述第三側(cè)面及第四側(cè)面位于相反的位置， 上述第一導(dǎo)光部件還包括第五側(cè)面和第六側(cè)面，上述第五側(cè)面位于上述第三側(cè)面和上述第二側(cè)面之間，上述第六側(cè)面位于上述第四側(cè)面和上述第二側(cè)面之間， 上述第五側(cè)面及上述第六側(cè)面中的至少一個(gè)包括傾斜面，上述傾斜面向朝向上述第一側(cè)面的方向傾斜。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 還包括第二導(dǎo)光部件，上述第二導(dǎo)光部件位于上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體和上述第一導(dǎo)光部件之間。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述第一導(dǎo)光部件為用于使上述發(fā)光結(jié)構(gòu)體生長的生長基板。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述波長變換部與上述第一導(dǎo)光部件相接。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述波長變換部包括光釋放面及光入射面，上述光入射面位于上述光釋放面的相反側(cè)， 上述光入射面與上述第一導(dǎo)光部件的第一側(cè)面相向， 上述波長變換部的光釋放面與上述發(fā)光元件的發(fā)光面相對(duì)應(yīng)。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 還包括板，上述發(fā)光元件及上述波長變換部位于上述板上。21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述主體部用于固定上述波長變換部。22.—種發(fā)光模塊，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1至21中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件。
【文檔編號(hào)】H01L33/58GK205645875SQ201620387585
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年4月29日
【發(fā)明人】芮暻熙
【申請(qǐng)人】首爾偉傲世有限公司