技術(shù)編號：10044
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，是一種高壓MOS集成電路。在高壓NMOS器件組成的高壓NMOS集成電路中，由于高壓NMOS器件常常出現(xiàn)負(fù)阻擊穿現(xiàn)象，因而使NMOS器件的安全工作區(qū)和可靠性受到了很大的限制。國際上采用外延襯底材料減小襯底電阻，或者采用“屏蔽源”的源結(jié)構(gòu)抑制寄生雙極晶體管激活，使負(fù)阻擊穿受到抑制。由于“屏蔽源”結(jié)構(gòu)的高壓NMOS器件需要單獨光刻，用離子注入形成漏漂移區(qū)，用雙離子注入形成源區(qū)為N＋／P＋形式的“屏蔽源”結(jié)構(gòu)，用P＋層減小寄生雙極晶體管N＋發(fā)射區(qū)的發(fā)射效率，從而減小寄生雙極晶體管的電流...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。