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技術(shù)編號：10170736

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本實用新型涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種復(fù)合高壓半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)B⑶(Bipolar-CMOS-DMOS)技術(shù)是一種單片集成工藝技術(shù)。這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作二極管(Bipolar )、互補金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(CMOS)和雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(DM0S)器件，因此簡稱為B⑶技術(shù)。高壓BCD技術(shù)一般是指器件耐壓在100V以上的BCD技術(shù)，高壓BCD技術(shù)目前廣泛應(yīng)用在AC-DC電源、LED驅(qū)動等領(lǐng)域，通常要求功率器件的耐壓達到500V到8...
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