技術(shù)編號：10175324
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。機械研磨或化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)為各種產(chǎn)業(yè)中常見的研磨制程，其可用以研磨各種物品的承載面，包括陶瓷、硅、玻璃、石英、金屬等薄型工件，而隨著集成電路發(fā)展迅速，為因應半導體制程中晶片平坦化的需要，研磨制程亦被廣泛地運用在半導體產(chǎn)業(yè)之中。通常拋光研磨程序可分為硬拋及軟拋。硬拋為執(zhí)行溫度較低、拋光力道較大的拋光程序，以使晶片100的粗糙度值RA小于0.1，為了固定晶片100，現(xiàn)有以膠類產(chǎn)品4將晶片100...
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