技術(shù)編號：10336842
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體元件加工過程中，常采用等離子體刻蝕法對襯底進(jìn)行刻蝕以制備圖形化襯底，或者對晶圓進(jìn)行刻蝕，以制備所需圖案的晶圓。等離子體刻蝕法通常采用等離子體刻蝕設(shè)備進(jìn)行刻蝕。目前，常見的等離子刻蝕設(shè)備通常包括3個(gè)腔體放置載盤的第一腔體，傳送載盤的第二腔體和刻蝕載盤上基片的第三腔體。在設(shè)備運(yùn)作過程中，第一腔體為非真空環(huán)境，而第三腔體必須通過抽真空系統(tǒng)形成真空環(huán)境，因此當(dāng)?shù)诙惑w作為傳送腔時(shí)，需要在真空環(huán)境和非真空環(huán)境下進(jìn)行切換。當(dāng)?shù)诙惑w由真空環(huán)境向非真空環(huán)境切換時(shí)，...
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