技術(shù)編號(hào):10471857
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。自石墨烯出現(xiàn)以來(lái),由于其具有與眾不同的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)和力學(xué)性能,吸引了人們大量廣泛的關(guān)注和研究。特別地,石墨烯具有超高的載流子迀移率、高電子飽和速度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),在微電子器件方面有著廣闊的應(yīng)用前景。近年來(lái),MoS2、WS2、黑磷等新型二維材料也相繼出現(xiàn),由其制備的場(chǎng)效應(yīng)晶體管則表現(xiàn)出優(yōu)良的特性。目前,二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法主要為光刻技術(shù)和金線掩膜技術(shù)。光刻技術(shù)工藝復(fù)雜,成本較高。金線掩膜技術(shù)雖然工藝簡(jiǎn)單,但是當(dāng)一塊襯底上同時(shí)有多片二維材料時(shí),...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。