技術(shù)編號(hào)：10536944
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進(jìn)入到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)以追求更高的器件密度、更高的性 能和更低的成本，來(lái)自制造和設(shè)計(jì)問(wèn)題的挑戰(zhàn)已經(jīng)導(dǎo)致諸如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的 三維設(shè)計(jì)的發(fā)展。FinFET器件通常包括具有高高寬比的半導(dǎo)體鰭，并且其中，形成半導(dǎo)體晶 體管器件的源極/漏極區(qū)。利用溝道和源極/漏極區(qū)的增大的表面區(qū)的優(yōu)勢(shì)，在鰭結(jié)構(gòu)上方 和沿著鰭結(jié)構(gòu)的側(cè)面(例如，包裹)形成柵極以產(chǎn)生更快、更可靠和更好控制的半導(dǎo)體晶體 管器件。在一些器件中，例如，利用硅鍺(SiGe...
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