技術(shù)編號：10554350
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來，隨著絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、碳化硅(SiC)器件等電力電子器件的應(yīng)用越來越廣泛，如電動汽車上的逆變器、火車上的驅(qū)動器、發(fā)動機(jī)、以及風(fēng)力發(fā)電機(jī)等。為了實(shí)現(xiàn)電力電子器件的緊湊化、小型化、高頻率、高功率密度和高集成度，封裝技術(shù)需要大力提升。在傳統(tǒng)上，功率半導(dǎo)體器件多采用二維平面芯片布局，IGBT等主開關(guān)器件與續(xù)流二極管在同一平面并排布局。二維平面芯片布局，不利于功率模塊的緊湊化和小型化，不利于提高功率模塊的功率密度，通常還會產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，造成...
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