技術(shù)編號：10589527
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。硫化銻是一種層狀結(jié)構(gòu)的V-VI族直接帶隙半導(dǎo)體材料，其能帶間隙為1.5? 2.2eV，屬正交晶系，具有高的光敏感性和很高的熱電能，廣泛應(yīng)用于熱電冷卻技術(shù)、電子和光電子器件以及紅外區(qū)的光電子學(xué)研究，還是利用太陽能的理想材料。目前，對Sb2S3薄膜的制備研究已經(jīng)很多，制備方法可歸為以下幾種噴霧熱解法、化學(xué)浴沉積法、浸漬法和熱蒸發(fā)法，這些制備方法通常需要嚴(yán)格控制實驗條件，諸如高溫、金屬前驅(qū)物濃度、混合溶劑的比例以及表面添加劑等因素，對實驗設(shè)備和實驗程序有很高的要...
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