技術(shù)編號:10618002
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。日本專利公開第2011-82220號公報(以下稱為專利文獻(xiàn)I)中,公開了一種在一個半導(dǎo)體基板上形成有二極管和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵極雙極性晶體管)的RC-1GBT。在露出于二極管的下表面的范圍內(nèi)形成有η型的陰極層。在陰極層的上側(cè)形成有η型的緩沖層。在緩沖層的上側(cè)形成有η型的漂移層。漂移層的η型雜質(zhì)濃度與緩沖層以及陰極層相比較低。緩沖層的η型雜質(zhì)濃度與陰極層相比較低。發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的課題如專...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。