技術(shù)編號：10625657
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。高壓B⑶(Bipolar CMOS DM0S)工藝的主要應(yīng)用是電源管理類芯片，而高壓NLDMOS和高壓PMOS是電源管理類芯片中最常用到的兩類器件。高壓NLDMOS通常被用作開關(guān)器件，要求有較大的電流能力。而對于高壓PM0S，通常的作用是作為電路實現(xiàn)高壓和低壓器件之間的一個降壓模塊，對它的電流能力要求一般不是太大。高壓PMOS在漏極同樣需要漂移區(qū)實現(xiàn)耐高壓結(jié)構(gòu)，在現(xiàn)有工藝中，通用做法是直接增加一個P型高壓漏極漂移(P Drift)光刻層次，通過特定的注入摻...
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