技術(shù)編號：10625667
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在半導(dǎo)體器件制造過程中，接觸塞的形成是必不可少的步驟。采用現(xiàn)有工藝形成接觸塞后的器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，在半導(dǎo)體襯底100上形成有第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，作為示例，第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)均包括自下而上層疊的柵極介電層101、柵極材料層102和柵極硬掩蔽層103 ;第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)均形成有側(cè)壁結(jié)構(gòu)104;在側(cè)壁結(jié)構(gòu)104外側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中形成有第一源/漏區(qū)和第二源/漏區(qū)，為了簡化，圖例中未予示出；在第一源/漏區(qū)的頂部形成有自對準硅化...
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